JPH0447459B2 - - Google Patents
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- JPH0447459B2 JPH0447459B2 JP24613483A JP24613483A JPH0447459B2 JP H0447459 B2 JPH0447459 B2 JP H0447459B2 JP 24613483 A JP24613483 A JP 24613483A JP 24613483 A JP24613483 A JP 24613483A JP H0447459 B2 JPH0447459 B2 JP H0447459B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は半導体ウエーハのへき開方法に係
り、特にレーザーダイオード（LD）を作る場合
に有用なへき開方法に関する。
り、特にレーザーダイオード（LD）を作る場合
に有用なへき開方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
半導体ウエーハから半導体素子チツプを作り出
す方法には、ダイシングによる切断方法、スクラ
イブによるへき開方法などがある。半導体素子の
切口が損傷せずに且つ平坦面の得られるのはスク
ライブによるへき開方法である。
す方法には、ダイシングによる切断方法、スクラ
イブによるへき開方法などがある。半導体素子の
切口が損傷せずに且つ平坦面の得られるのはスク
ライブによるへき開方法である。
従来のスクライブによるへき開方法を第１図
ａ，ｂを参照して以下に説明する。まず第１図ａ
に示すように、粘着テープ１１の粘着面に半導体
ウエーハ１２を貼り合わせる。次にスクライブマ
シンによつてウエーハ１２の面のいわゆるスクラ
イブラインに沿つて傷１３をつける。次にウエー
ハ１２の表裏を逆にして粘着テープ１１に貼りつ
け、第１図ｂに示すように、離型１４をウエーハ
１２上にかぶせて弾力性のあるゴム１６上でロー
ラー１５を加圧しながらウエーハ１２上を回転さ
せる。このようにしてウエーハ１２をへき開分割
して素子チツプ１７を作り出す。この後、有機溶
剤洗浄によつて粘着テープ１１から素子チツプ１
７を剥離する。
ａ，ｂを参照して以下に説明する。まず第１図ａ
に示すように、粘着テープ１１の粘着面に半導体
ウエーハ１２を貼り合わせる。次にスクライブマ
シンによつてウエーハ１２の面のいわゆるスクラ
イブラインに沿つて傷１３をつける。次にウエー
ハ１２の表裏を逆にして粘着テープ１１に貼りつ
け、第１図ｂに示すように、離型１４をウエーハ
１２上にかぶせて弾力性のあるゴム１６上でロー
ラー１５を加圧しながらウエーハ１２上を回転さ
せる。このようにしてウエーハ１２をへき開分割
して素子チツプ１７を作り出す。この後、有機溶
剤洗浄によつて粘着テープ１１から素子チツプ１
７を剥離する。
以上述べたスクライブによるへき開方法は、例
えば集積回路や発行ダイオードなどには有効な方
法であり一般的に行なわれている。しかしながら
LDを作る場合には最適な方法とはいえなかつた。
その最大の理由は、素子の切り口即ちへき開面の
平坦性がLDとしては不充分なためである。これ
はスクライブラインに沿つてつけた傷がその深さ
や傷口の向きにより、へき開面に影響を与えるこ
とによる。LDは素子のへき開面を反射鏡として
光増幅を行なうものであつて、へき開面の平坦性
が極めて重要となり、へき開面の良否がLDの特
性、品質に直接影響するものである。
えば集積回路や発行ダイオードなどには有効な方
法であり一般的に行なわれている。しかしながら
LDを作る場合には最適な方法とはいえなかつた。
その最大の理由は、素子の切り口即ちへき開面の
平坦性がLDとしては不充分なためである。これ
はスクライブラインに沿つてつけた傷がその深さ
や傷口の向きにより、へき開面に影響を与えるこ
とによる。LDは素子のへき開面を反射鏡として
光増幅を行なうものであつて、へき開面の平坦性
が極めて重要となり、へき開面の良否がLDの特
性、品質に直接影響するものである。
［発明の目的］
この発明の目的は、LDの共振器面としての良
好なへき開面を安定して得るための半導体ウエー
ハのへき開方法を提供することにある。
好なへき開面を安定して得るための半導体ウエー
ハのへき開方法を提供することにある。
［発明の概要］
この発明は、LD素子領域が配列形成された半
導体ウエーハからへき開面を共振器面とするLD
素子チツプを分割するに際し、直線状の支点とな
る支持体を利用し、支持体の支点上に２枚の透明
フイルムで挾持された半導体ウエーハを配置し
て、２枚のフイルムを引張りながら半導体ウエー
ハに折り曲げるような力を加えてへき開動作を行
なう。この場合半導体ウエーハの面には、端部に
小さな傷をつけておく。
導体ウエーハからへき開面を共振器面とするLD
素子チツプを分割するに際し、直線状の支点とな
る支持体を利用し、支持体の支点上に２枚の透明
フイルムで挾持された半導体ウエーハを配置し
て、２枚のフイルムを引張りながら半導体ウエー
ハに折り曲げるような力を加えてへき開動作を行
なう。この場合半導体ウエーハの面には、端部に
小さな傷をつけておく。
［発明の効果］
この発明によれば、半導体ウエーハに設けられ
る傷はへき開の方位を決定するためだけのわずか
のものであつて、この傷の影響がへき開面に殆ん
ど現われることがない。また半導体ウエーハを透
明フイルムにより挟持し、直線状支持点と位置合
わせするので、正確なへき開位置への応力集中が
可能であり、従つてLD素子の共振器面として極
めて平坦性の優れたへき開面が安定して得られ
る。しかも粘着テープを用いる必要もないので、
へき開面を清浄に保つことができる。従つて、こ
の発明によれば特性の良いLD素子の製造歩留り
が向上し、低廉化が可能となる。
る傷はへき開の方位を決定するためだけのわずか
のものであつて、この傷の影響がへき開面に殆ん
ど現われることがない。また半導体ウエーハを透
明フイルムにより挟持し、直線状支持点と位置合
わせするので、正確なへき開位置への応力集中が
可能であり、従つてLD素子の共振器面として極
めて平坦性の優れたへき開面が安定して得られ
る。しかも粘着テープを用いる必要もないので、
へき開面を清浄に保つことができる。従つて、こ
の発明によれば特性の良いLD素子の製造歩留り
が向上し、低廉化が可能となる。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例を第２図ａ，ｂを参照して
説明する。第２図ａは既に傷をつけた半導体ウエ
ーハ２１を２枚の透明フイルム２３，２４で挟み
込む状態を斜視図で示したものである。ウエーハ
２１に傷をつけるにはウエーハ２１を真空チヤツ
クによつてステージに固定し、ダイヤモンド針を
用いて行なう（図示せず）。傷２２は、ウエーハ
２１の一方の面の一端部に長さ約0.3mmの長さに
わたつて設ける。傷２２の方向はウエーハ２１の
固有のへき開し易い方位と平行にする。ダイヤモ
ンド針に与える加重はウエーハ材料、厚みによつ
て最適条件が異なり、例えば厚さ150μｍの
GaAlAsの場合５ｇの加重で行なつた。次に傷２
２をつけたウエーハ２１を２枚の透明フイルム２
３，２４で挾むが、これら２枚のフイルム２３，
２４は静電気によつて密着し、ウエーハ２１を挾
持することができるようになる。実施例ではフイ
ルムとして厚さ10μｍのポリエステルを材料とし
たものを用いたが、ニトフロン、カプトン等（い
ずれも商品名）でも良く、弾力性の少ないもので
裂けにくいものが望ましい。
説明する。第２図ａは既に傷をつけた半導体ウエ
ーハ２１を２枚の透明フイルム２３，２４で挟み
込む状態を斜視図で示したものである。ウエーハ
２１に傷をつけるにはウエーハ２１を真空チヤツ
クによつてステージに固定し、ダイヤモンド針を
用いて行なう（図示せず）。傷２２は、ウエーハ
２１の一方の面の一端部に長さ約0.3mmの長さに
わたつて設ける。傷２２の方向はウエーハ２１の
固有のへき開し易い方位と平行にする。ダイヤモ
ンド針に与える加重はウエーハ材料、厚みによつ
て最適条件が異なり、例えば厚さ150μｍの
GaAlAsの場合５ｇの加重で行なつた。次に傷２
２をつけたウエーハ２１を２枚の透明フイルム２
３，２４で挾むが、これら２枚のフイルム２３，
２４は静電気によつて密着し、ウエーハ２１を挾
持することができるようになる。実施例ではフイ
ルムとして厚さ10μｍのポリエステルを材料とし
たものを用いたが、ニトフロン、カプトン等（い
ずれも商品名）でも良く、弾力性の少ないもので
裂けにくいものが望ましい。
次に、へき開動作を第２図ｂを参照して説明す
る。第２図ｂは、前述のフイルム２３，２４に挾
持された半導体ウエーハ２１を支持体２５の直線
状支点を利用してへき開するところの斜視図であ
る。支持体２５は金属製のブロツクで、直線状支
点となる稜２６がある。この稜２６を構成するブ
ロツクの２つの面のなす角は、本実施例では約60
度で行なつた。種々、数多くの実験を試みた結果
によれば、稜を構成する角度は幅広く、数度の鋭
角から150度程度の鈍角でもへき開が良好にでき
ることが確認されている。又、稜の形が、厳密に
は稜とはいえない、微小な曲率をもつ曲面であつ
ても良好なへき開のできることも確認された。こ
の支持体２５上に前述したフイルム２３，２４に
挾持された半導体ウエーハ２１を配置する。この
とき、ウエーハ２１に設けた傷２２を上にする。
ウエーハ２１の傷２２と支持体２５の稜２６とは
透明フイルム２４を通して顕微鏡下で見ることが
でき、その両者の位置合わせを行なう。次にウエ
ーハ２１を挾持した２枚のフイルム２３，２４の
両端を同時に引張りながら、且つ支持体２５方向
に折り曲げるごとく矢印Ａ，Ｂ方向に力を加え
る。ある程度以上の力を加えることによつて、ウ
エーハ２１は傷２２の部分と稜２６とが合致した
箇所で陵２６に沿つてへき開される。
る。第２図ｂは、前述のフイルム２３，２４に挾
持された半導体ウエーハ２１を支持体２５の直線
状支点を利用してへき開するところの斜視図であ
る。支持体２５は金属製のブロツクで、直線状支
点となる稜２６がある。この稜２６を構成するブ
ロツクの２つの面のなす角は、本実施例では約60
度で行なつた。種々、数多くの実験を試みた結果
によれば、稜を構成する角度は幅広く、数度の鋭
角から150度程度の鈍角でもへき開が良好にでき
ることが確認されている。又、稜の形が、厳密に
は稜とはいえない、微小な曲率をもつ曲面であつ
ても良好なへき開のできることも確認された。こ
の支持体２５上に前述したフイルム２３，２４に
挾持された半導体ウエーハ２１を配置する。この
とき、ウエーハ２１に設けた傷２２を上にする。
ウエーハ２１の傷２２と支持体２５の稜２６とは
透明フイルム２４を通して顕微鏡下で見ることが
でき、その両者の位置合わせを行なう。次にウエ
ーハ２１を挾持した２枚のフイルム２３，２４の
両端を同時に引張りながら、且つ支持体２５方向
に折り曲げるごとく矢印Ａ，Ｂ方向に力を加え
る。ある程度以上の力を加えることによつて、ウ
エーハ２１は傷２２の部分と稜２６とが合致した
箇所で陵２６に沿つてへき開される。
この実施例によれば、予めウエーハにつける傷
の影響が殆んどなく、へき開面は極めて平坦で良
好なものが得られる。また、この方法によれば従
来不可能であつた次のような特殊なへき開ができ
ることも実験的に確かめた。即ち、長さ20mm、幅
0.4mm、厚さ0.1mmの短冊状のウエーハを縦に二分
にして長さ20mm、幅0.2mmの短冊を作ることがで
き、しかもそのへき開面は極めて良好な平坦面で
あつた。従来の方法では、ローラーと弾性体の間
で半導体ウエーハに加わる力が分散するため、こ
のような細い短冊状にへき開することは困難であ
る。
の影響が殆んどなく、へき開面は極めて平坦で良
好なものが得られる。また、この方法によれば従
来不可能であつた次のような特殊なへき開ができ
ることも実験的に確かめた。即ち、長さ20mm、幅
0.4mm、厚さ0.1mmの短冊状のウエーハを縦に二分
にして長さ20mm、幅0.2mmの短冊を作ることがで
き、しかもそのへき開面は極めて良好な平坦面で
あつた。従来の方法では、ローラーと弾性体の間
で半導体ウエーハに加わる力が分散するため、こ
のような細い短冊状にへき開することは困難であ
る。
次に、この発明の別の実施例を説明する。２枚
の透明フイルムでウエーハを挾む際に、アルコー
ル、水等、透明な液体を同時に挟み込む。薄い液
体層がウエーハと透明フイルムの間に入ることに
より、その表面張力によりこれらが良好に密着す
る。この状態で前述の実施例と同様のへき開動作
を行なつた。この実施例によつても先の実施例と
同様、良好なへき開面が得られ、しかもへき開分
離された短冊状のチツプが移動することなく整然
と位置が保たれ、作業性が向上する効果があつ
た。
の透明フイルムでウエーハを挾む際に、アルコー
ル、水等、透明な液体を同時に挟み込む。薄い液
体層がウエーハと透明フイルムの間に入ることに
より、その表面張力によりこれらが良好に密着す
る。この状態で前述の実施例と同様のへき開動作
を行なつた。この実施例によつても先の実施例と
同様、良好なへき開面が得られ、しかもへき開分
離された短冊状のチツプが移動することなく整然
と位置が保たれ、作業性が向上する効果があつ
た。
またこの発明の他の実施例として、支持体の平
面部にフイルムに挟持されたウエーハを配置固定
し、支持体の端部即ち直線状支点から突出させた
ウエーハ部分をフイルムの引張りと折り曲げによ
つてへき開することも可能である。これはウエー
ハのへき開部以外に応力を加えない点で有効であ
つた。
面部にフイルムに挟持されたウエーハを配置固定
し、支持体の端部即ち直線状支点から突出させた
ウエーハ部分をフイルムの引張りと折り曲げによ
つてへき開することも可能である。これはウエー
ハのへき開部以外に応力を加えない点で有効であ
つた。
第１図ａ，ｂは従来のへき開方法を説明するた
めの斜視図、第２図ａ，ｂは本発明の実施例を説
明するための斜視図である。 ２１……半導体ウエーハ、２２……傷、２３，
２４……透明フイルム、２５……支持体、２６…
…稜（直線状支点）。
めの斜視図、第２図ａ，ｂは本発明の実施例を説
明するための斜視図である。 ２１……半導体ウエーハ、２２……傷、２３，
２４……透明フイルム、２５……支持体、２６…
…稜（直線状支点）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ へき開面を共振器面とするレーザダイオード
を分離形成するための半導体ウエーハのへき開方
法であつて、半導体ウエーハの一方の面の端部に
へき開位置を示す傷を付け、この半導体ウエーハ
を２枚の透明フイルムで挟持して稜からなる直線
状支点を有した支持体上に配置し、前記半導体ウ
エーハの傷部と前記直線状支点とを位置合わせし
て２枚のフイルムを同時に引張りながら前記支持
体方向に折り曲げるごとく力を加えることを特徴
とする半導体ウエーハのへき開方法。 ２ 前記２枚の透明フイルムの間に半導体ウエー
ハと共に透明液体を挟持するようにした特許請求
の範囲第１項記載の半導体ウエーハのへき開方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246134A JPS60137038A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体ウエ−ハのへき開方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246134A JPS60137038A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体ウエ−ハのへき開方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60137038A JPS60137038A (ja) | 1985-07-20 |
| JPH0447459B2 true JPH0447459B2 (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=17143984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58246134A Granted JPS60137038A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体ウエ−ハのへき開方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60137038A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254203A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
| JPH0750810B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1995-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体基体の劈開方法 |
| JPH0750811B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1995-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レ−ザの劈開方法 |
| JPH07114303B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1995-12-06 | 松下電器産業株式会社 | 半導体結晶の分離方法 |
| JP7125650B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2022-08-25 | 株式会社東京精密 | ウェーハ分割装置及び方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913081U (ja) * | 1972-05-08 | 1974-02-04 | ||
| JPS50183A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-06 | ||
| JPS5763845A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Dividing device for semicondutor wafer |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58246134A patent/JPS60137038A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913081U (ja) * | 1972-05-08 | 1974-02-04 | ||
| JPS50183A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-06 | ||
| JPS5763845A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Dividing device for semicondutor wafer |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60137038A (ja) | 1985-07-20 |
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