JPH11162891A - 半導体レ−ザ基板劈開装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザ結晶基板から半導体レーザバー
を作製する際の劈開不良のない半導体レーザ基板劈開装
置を提供する。 【解決手段】 少なくとも、劈開方向に沿って傷部２が
形成された半導体レーザ基板１を取り付ける取付部材３
と、半導体レーザ基板１の上部を覆うカバー部材４と、
取付部材３及びカバー部材４を保持するためのホルダ７
ａ、７ｂと、取付部材３の下方に配置され、この取付部
材に取り付けられる半導体レーザ基板１の突き上げる突
き上げ部材６とを備えた半導体レーザ基板劈開装置にお
いて、カバー部材４の上方に保持されるように、その一
端がホルダ７ａ、７ｂに保持される板状部材５を有し、
突き上げ部材６により半導体レーザ基板１を突き上げた
際、板状部材５からの反作用によって半導体レーザ基板
１を傷部２から劈開する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レ−ザ素子
が形成された半導体基板を短冊状に劈開するための半導
体レ−ザ基板劈開装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板上に半導体レ−ザ結晶が形成
された半導体レ−ザ結晶基板から半導体レ−ザ素子を作
製するためには、この半導体レ−ザ結晶基板１を共振器
長幅の短冊状の半導体レーザバ−に劈開することが必要
である。次に、この半導体レーザバ−を共振器長となる
方向と直角方向に所定の長さに分割することにより、半
導体レーザ素子が得られる。半導体レーザ結晶基板から
劈開形成された半導体レーザバーの両側面は共振器面と
なるため、半導体レーザ素子からのレーザ光を放出の際
に、発熱による劣化や効率の高い発光が得られるよう
に、欠けやひび割れが生じることなく作製することが要
求される。以下に従来の半導体レーザ劈開装置を用いて
半導体レーザバーを作製する方法について、図３乃至図
５を用いて説明する。図３は、半導体レーザ結晶基板を
粘着シートとカバーシートの間に配置した平面図であ
る。図４は、半導体レーザ基板劈開装置を示す断面図で
ある。図５は、半導体レーザバーを示す斜視図である。
まず、半導体レーザ基板劈開装置の構成について説明す
る。図３に示すように、半導体基板１ａ上に半導体レー
ザ結晶１ｂが形成された半導体レーザ結晶基板１の半導
体基板１ａ側にスクライブ傷２が等間隔に形成され、こ
の半導体レーザ結晶基板１は、スクライブ傷２が形成さ
れた半導体基板１ａ側を上にし、半導体レーザ結晶１ｂ
側を粘着シート３に対向配置させ、粘着シート３に貼り
付けられている。このスクライブ傷２は、半導体レーザ
結晶基板１の劈開方向と平行になるように形成されてい
る。尚、言うまでもなく、粘着シート３には粘着剤が塗
布されている。半導体レーザ結晶基板１及び粘着シート
３上には、粘着シート３よりやや小さい形状のカバーシ
ート４が載置されている。即ち、半導体レーザ結晶基板
１は、粘着シート３とカバーシート４の間に挟まれてい
る。更に、粘着シート３の外形とほぼ等しく、かつ半導
体レーザ結晶基板１の形状よりも大きい開口部１２ａを
有するホルダー１２が、粘着シート３とカバーシート４
によって挟まれた半導体レーザ結晶基板１の上に載置さ
れている。この際、ホルダー１２の周辺部は、カバーシ
ート４が載置された以外の露出した粘着シート部分３ａ
と接着するので、粘着シート３とカバーシート４に挟ま
れた半導体レーザ結晶基板１とホルダー１２は、一体化
されることになる。この後、粘着シート３とカバーシー
ト４に挟まれた半導体レーザ結晶基板１と一体化したホ
ルダー１２は、開口部８ａを有し、かつホルダー１２を
収容可能な収容部８ｂを有したホルダー固定台８上に載
置されている。次に、ホルダー１２が収納されたホルダ
ー固定台８上には、ホルダー押え９が載置され、ホルダ
ー押え９側からホルダー固定台８側にネジ１０で止める
ことによって、粘着シート３とカバーシート４に挟まれ
た半導体レーザ結晶基板１と一体化したホルダー１２が
ホルダー固定台８に固定されている。

【０００３】更に、粘着シート３を介して半導体レーザ
結晶基板１と反対側、即ち、粘着シート３の下方には、
半導体レーザ結晶基板１よりもやや長い帯板状の刃を有
するカッターナイフ６が半導体レーザ結晶基板１の劈開
方向に平行かつ、スクライブ傷２に対向して設けられて
いる。なお、このカッターナイフ６は、カッター固定具
１１に収納し、固定されている。

【０００４】次に、従来の半導体レーザ基板劈開装置の
動作について説明する。図６（Ａ）に示したように、半
導体レーザ結晶基板１と反対側の粘着シート３の下方に
配置されたカッターナイフ６をスクライブ傷２に対向配
置し、カッターナイフ６を上方に移動し、このカッター
ナイフ６を粘着シート３に接触させる。この状態から、
半導体レーザ結晶基板１が劈開されるまで突き上げるこ
とによって、半導体レーザ結晶基板１の劈開を行うこと
ができる。

【０００５】次に、従来の半導体レーザ基板劈開装置を
用いて、半導体レーザバーを作製する方法について説明
する。まず、図６（Ａ）に示すように、粘着シート３を
介してスクライブ傷２に対向する位置にカッターナイフ
６を移動する。このカッターナイフ６により粘着シート
３側から半導体レーザ結晶基板１へ突き上げることによ
ってスクライブ傷２を基準として半導体レーザ結晶基板
１を劈開方向に沿って劈開する。更に、粘着シート３を
介して、半導体レーザ結晶基板１に形成したスクライブ
傷２に対向する位置にカッターナイフ６を順次移動し、
同様な操作を行って、次々と半導体レーザ結晶基板１を
劈開する。このようにして、図５に示すような短冊状の
半導体レーザバー１３が得られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザ結晶基板１をスクライブ傷２に沿って劈開する毎
に、粘着シート３は、カッターナイフ６によって上方に
突き上げられるので、その都度粘着シート３は、伸びを
生じるため半導体レーザ結晶基板１を完全に劈開し終わ
るまでには、粘着シート３に大きな伸びが生じ、半導体
レーザ結晶基板１に形成したスクライブ傷２とカッター
ナイフ６の位置決めを最後まで正確に行うことができな
かった。又、図５に示すように、半導体レーザバー１３
のスクライブ傷２が形成された側と反対側、即ち、粘着
シート３と接着する半導体レーザ結晶１ｂ側の稜線部分
１３ａに欠けやひび割れが生じやすく、良好な共振器面
１３ｂを得ることができなかった。このため、半導体レ
ーザ結晶基板１を劈開する都度、カッターナイフ６とス
クライブ傷２の位置合せを行うことが必要になり、欠け
やひび割れを生じないようにするため突き上げ量を毎回
調節する必要が生じ、作業効率を低下させ、製造歩留ま
りが低かった。

【０００７】ここで、半導体レーザバー１３の稜線部分
１３ａに欠けやひび割れが発生する原因について図６及
び図７を用いて以下に説明する。図６は、半導体レーザ
結晶基板１が劈開される過程を説明する図である。図７
は、半導体レーザ結晶基板１が剛体である場合の半導体
レーザ結晶基板１が劈開される過程を説明する図であ
る。図６（Ａ）に示すようなカッターナイフ６を粘着シ
ート３を介して半導体レーザ結晶基板１と反対側、即
ち、粘着シート３の下方に配置した初期状態から、カッ
ターナイフ６を上方に移動させ、粘着シート３を介して
半導体レーザ結晶基板１を上方に突き上げると、半導体
レーザ結晶基板１は、半導体レーザ結晶１ｂ面に接する
カバーシート４からの抗力Ｎ₁により、弾性変形してカ
バーシート４側から粘着シート３側に反りを生じる（図
６（Ａ））。なお、抗力Ｎ₁は、カッターナイフ６によ
り粘着シート３を介して半導体レーザ結晶基板１を突き
上げる力（突き上げ力）Ｎ₂の反作用によって生じる力
であるので、抗力Ｎ₁は突き上げ力Ｎ₂と等しくなる。
又、半導体レーザ結晶基板１の突き上げ力Ｎ₂は、突き
上げ量に比例するので、この突き上げ量を大きくする
と、半導体レーザ結晶基板１に働く抗力Ｎ₁も大きくす
ることができる。ところで、半導体レーザ結晶基板１が
剛体である場合には、図７に示すように、カバーシート
４からの抗力Ｎ₃によって、弾性変形しないので、半導
体レーザ結晶基板１に作用する力の位置は、カッターナ
イフ６が粘着シート３を介して接する作用点Ｄと突き上
げ力Ｎ₂の反作用で生じるカバーシート４からの抗力Ｎ₃
が作用する作用点Ｄより上方にあり、かつこの作用点Ｄ
の対角方向にある半導体レーザ結晶基板１の端、即ち、
抗力Ｎ₃が作用するする作用点Ｃとなる。この作用点Ｃ
とＤを結ぶ対角長さと作用点Ｃ（Ｄ）に作用する力Ｎ₃
（Ｎ₂）の積からなる力のモーメントが働くことによ
り、半導体レーザ結晶基板１が劈開されることになる。
この結果、半導体レーザ結晶基板１はスクライブ傷２に
沿って劈開されるので、欠けやひび割れを生じることな
く、良好な共振器面を有した半導体レーザバーを得るこ
とができるのである。

【０００８】しかしながら、実際の半導体レーザ結晶基
板１は剛体ではないので、図６（Ａ）に示すように、弾
性変形を生じ、カバーシート４側から粘着シート３側方
向にカッターナイフ６により、粘着シート３を介して半
導体レーザ結晶基板１を突き上げた突き上げ力Ｎ₂の反
作用によるカバーシート４からの抗力Ｎ₁は、この反り
を生じた半導体レーザ結晶基板１部分の面全体に渡って
分散して作用するので、この半導体レーザ結晶基板１の
作用点Ｃに作用する力は抗力Ｎ₁よりも大幅に小さくな
り、力学的モーメントは減少する。このため、半導体レ
ーザ結晶基板１を劈開する力学的モーメントを得るため
には、大きい抗力を必要とするために、カッターナイフ
６により、更に、突き上げ量を増して、半導体レーザ結
晶基板１を突き上げることになる。カッターナイフ６に
よる半導体レーザ結晶基板１の突き上げる力Ｎ₂は、突
き上げ量とほぼ比例関係にあるので、半導体レーザ結晶
基板１の突き上げ量を増加することによって、半導体レ
ーザ結晶基板１に作用する力学的モーメントを増すこと
ができる。半導体レーザ結晶基板１からの劈開分離は、
この半導体レーザ結晶基板が劈開されるまで、カッター
ナイフ６により半導体レーザ結晶基板１を突き上げる突
き上げ量を増加させて行われる。こうして、半導体レー
ザ結晶基板１から劈開分離された半導体レーザバーが得
られる。

【０００９】ところで、図６（Ｂ）に示すように、カバ
ーシート４から半導体レーザ結晶基板１への抗力Ｎ
₁は、半導体レーザ結晶基板１の面全体に渡って作用す
るようになるので、カッターナイフ６が接する作用点Ｄ
とスクライブ傷２を結ぶ方向、即ち、せん断方向Ｑに作
用する。半導体レーザ結晶基板１をせん断する力、即ち
せん断力の大きさは、半導体レーザ結晶基板１の厚さに
比例するので、半導体レーザ結晶基板１の厚さが厚いほ
ど大きな力が必要となる。一般的に、劈開方向Ｐが半導
体レーザ結晶基板１に垂直方向であるのに対して、せん
断方向Ｑは、せん断力の加わった方向に作用するので、
劈開方向Ｐとせん断方向Ｑは交差することになる。

【００１０】このように、カバーシート４から半導体レ
ーザ結晶基板１への抗力Ｎ₁が半導体レーザ結晶基板１
の面に作用している条件のもとで、半導体レーザ結晶基
板１の劈開を行う場合、初期段階では、図６（Ｂ）に示
すように、半導体レーザ結晶基板１は十分な厚さを有し
ているので、抗力Ｎ₁は、半導体レーザ結晶基板１をせ
ん断する力をいないため、半導体レーザ結晶基板１は、
抗力Ｎ₁の作用によってはせん断方向Ｑにせん断され
ず、劈開方向Ｐ方向に沿って劈開される。図６（Ｃ）に
示すように、半導体レーザ結晶基板１の劈開が進んだ後
期では、半導体レーザ結晶基板１の厚さが薄くなるの
で、カバーシート４から半導体レーザ結晶基板１への抗
力Ｎ₁は、せん断力に等しくなるため、半導体レーザ結
晶基板１は、せん断方向Ｑ方向にせん断されることにな
る。

【００１１】劈開方向Ｐは、結晶方位に沿った割れ易い
方向であるのに対して、せん断方向Ｑは、劈開方向Ｐと
一致しない方向であるので、このせん断力により劈開分
離された半導体レーザ結晶基板１の側面は、欠けやひび
割れ等の劈開不良を生じることになる。図５に示す半導
体レーザバー１３は、このようにして半導体レーザ結晶
基板１から劈開分離されたものであり、この半導体レー
ザバーから作製された半導体レーザ素子には、半導体レ
ーザ素子中に転位や結晶欠陥が生じ、半導体レーザ素子
の信頼性を低下させる原因となる。又、このように劈開
不良を生じた半導体レーザ素子では、設計通りの半導体
レーザ特性が得られず、半導体レーザ素子の動作におけ
る発振しきい値が上昇してしまうといった問題を生じて
いた。

【００１２】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、半導体レーザ結晶基板
から半導体レーザバーを作製する際の劈開不良のない半
導体レーザ基板劈開装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ基
板劈開装置による第１の発明は、少なくとも、劈開方向
に沿って傷部が形成された半導体レーザ基板を取り付け
る取付部材と、前記半導体レーザ基板の上部を覆うカバ
ー部材と、前記取付部材及び前記カバー部材を保持する
ためのホルダと、前記取付部材の下方に配置され、この
取付部材に取り付けられる前記半導体レーザ基板の突き
上げる突き上げ部材とを備えた半導体レーザ基板劈開装
置において、前記カバー部材の上方に保持されるよう
に、その一端が前記ホルダに保持される板状部材を有
し、前記突き上げ部材により前記半導体レーザ基板を突
き上げた際、前記板状部材からの反作用によって前記半
導体レーザ基板を前記傷部から劈開することを特徴とす
る。

【００１４】第２の発明は、少なくとも、劈開方向に沿
って傷部が形成された半導体レーザ基板を貼り付ける粘
着部材と、前記粘着部材を保持するためのホルダと、前
記粘着部材の下方に配置され、前記粘着部材に粘着され
る前記半導体レーザ基板を突き上げる突き上げ部材と、
前記半導体レ−ザ基板の上方に保持されるようにその一
端が前記ホルダに保持される板状部材とを有し、前記突
き上げ部材により前記半導体レーザ基板を突き上げた
際、前記突き上げ部材の作用によって生じる前記板状部
材からの反作用によって前記半導体レーザ基板を前記傷
部から劈開することを特徴とする。

【００１５】第３の発明は、請求項１記載の半導体レー
ザ基板劈開装置において、前記カバー部材は、伸縮自在
の材料からなることを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施例について図１
を用いて説明する。図１は、本発明における半導体レー
ザ基板劈開装置を用いて半導体レーザ結晶基板を劈開す
る工程を示す断面図である。従来例と同一構成には同一
符号を用い、その説明を省略する。

【００１７】本発明の半導体レーザバーの作製に用いる
半導体レ−ザ基板劈開装置は、従来例の半導体レ−ザ基
板劈開装置のホルダーの間に半導体レーザ結晶基板１を
覆う形状を有する板バネ５を挿入したものである。

【００１８】まず初めに、本発明の第１実施例における
半導体レ−ザ基板劈開装置の構成について説明する。半
導体基板１ａ上に形成された半導体レーザ結晶１ｂを有
する半導体レーザ結晶基板１の半導体基板１ａ側には、
スクライブ傷２が等間隔に形成され、この半導体レーザ
結晶基板１は、半導体レーザ結晶１ｂ側を粘着シート３
に対向配置させ、粘着シート３上に貼り付けられてい
る。このスクライブ傷２は、半導体レーザ結晶基板１の
劈開方向と平行になるように形成されている。半導体レ
ーザ結晶基板１及び粘着シート３は、粘着シート３より
やや小さい形状のカバーシート４で覆われている。即
ち、半導体レーザ結晶基板１は、粘着シート３とカバー
シート４の間に挟まれている。更に、粘着シート３の外
形とほぼ等しく、かつ半導体レーザ結晶基板１の形状よ
りも大きい開口部７ｃを有するホルダー７ａが、粘着シ
ート３とカバーシート４によって挟まれた半導体レーザ
結晶基板１の上に載置されている。この際、ホルダー７
の周辺部はカバーシート４が載置された以外の露出した
粘着シート部分３ａと接着するので、粘着シート３とカ
バーシート４に挟まれた半導体レーザ結晶基板１とホル
ダー７ａは、一体化されることになる。粘着シート３と
カバーシート４に挟まれた半導体レーザ結晶基板１と一
体化したホルダー７ａは、開口部８ａを有し、かつホル
ダー７ａを収容可能な収容部８ｂを有したホルダー固定
台８上に載置されている。更に、ホルダ７ａ上には、ホ
ルダ７ａと同形状のホルダ７ｂが弾性を有する板バネ５
を介して載置されている。板バネ５は、板バネ５の固定
位置から半導体レーザ結晶基板１を十分に覆うことがで
きる形状にしてある。板バネ５の材料としては、後述す
るカッターナイフ６で粘着シート３を突き上げた時に半
導体レーザ結晶基板１を傷つけない硬さや弾性変形しに
くいのものが好ましい。このため、板バネ５の材料とし
ては、例えば、塩化ビニルやプラスチックがある。又、
カバーシート４は、半導体レーザ結晶基板１に塑性変形
を与えないようにするために、伸縮自在の材料であるこ
とが好ましい。このため、カバーシート４の材料として
は、例えば、シリコンゴムやサランラップがある。

【００１９】又、ホルダー７ｂ及びホルダー固定台８上
には、ホルダー押え９が配置され、ホルダー押え９側
は、ホルダー固定台８にネジ１０によって止めされてい
る。

【００２０】粘着シート３を介して、半導体レーザ結晶
基板１と反対側即ち、粘着シート３の下方には、半導体
レーザ結晶基板１よりもやや長い帯板状の刃を有するカ
ッターナイフ６が半導体レーザ結晶基板１の劈開方向に
平行かつ、スクライブ傷２に対向して配置されている。
なお、このカッターナイフ６は、カッターナイフ固定具
１１に固定されている（図１（Ａ））。

【００２１】次に、本発明の第１実施例の半導体レーザ
基板劈開装置の動作について説明する。粘着シート３を
介してスクライブ傷２に対向配置したカッターナイフ６
を移動する。次に、図１（Ａ）に示すように、このカッ
ターナイフ６を粘着シート３側から半導体レーザ結晶基
板１を上方に突き上げることによって、スクライブ傷２
を基準として、半導体レーザ結晶基板１をスクライブ傷
２に沿って劈開分離する。更に、カッターナイフ６を順
次スクライブ傷２に対向配置して、同様の操作を行っ
て、半導体レーザ結晶基板１の劈開を行う。

【００２２】次に、本発明の第１実施例の半導体レーザ
結晶基板劈開装置を用いて半導体レーザバーを作製する
方法について説明する。まず、図１（Ａ）に示すよう
に、粘着シート３を介してスクライブ傷２にカッターナ
イフ６を対向配置する。次に、図１（Ｂ）に示すよう
に、このカッターナイフ６により粘着シート３側からカ
バーシート４の方向に突き上げる。粘着シート３を介し
てカッタ−ナイフ６と接する半導体レーザ結晶基板１の
位置が、カッターナイフ６による突き上げ力Ｎ₂が作用
する作用点Ｂとなる。この際、カバーシート４を介し
て、板バネ５と半導体レーザ結晶基板１の位置が突き上
げ力Ｎ₂の反作用で生じる抗力Ｎ₁が作用する作用点Ａと
なる。

【００２３】このようにして、半導体レーザ結晶基板１
が板バネに押し付けられて固定されると、抗力Ｎ₁は板
バネ５とカバーシート４を介して半導体レーザ結晶基板
１の作用点Ａに加わることになるので、この抗力Ｎ₁の
作用する作用点Ａとカッターナイフ６による突き上げ力
Ｎ₂が作用する作用点Ｂとの長さの積の力学的モーメン
トにより、半導体レーザ結晶基板１が、スクライブ傷２
に沿って劈開されることになる。この後、図１（Ｃ）に
示すように、カッターナイフ６を粘着シート３を介して
順次スクライブ傷２に移動して、同様な操作を繰り返
し、半導体レーザ結晶基板１の劈開を行う。この際、抗
力Ｎ₁は、半導体レーザ結晶基板１のみに作用し、カバ
ーシート４に覆われた半導体レーザ結晶基板１の面には
加えられないので、半導体レーザ結晶基板１は弾性変形
を生じないのである。即ち、この半導体レーザ結晶基板
１の面に加えられるせん断力は、非常に小さく抑えるこ
とができる。このため、半導体レーザ結晶基板１は、剛
体と同様にみなすことができるので、この半導体レーザ
結晶基板１から得られた半導体レーザバーは、欠けやひ
び割れのない共振器面を有する形状となる。

【００２４】又、劈開方向への力は結晶が割れやすい方
向であるので、わずかな力の作用で割ることができるた
め、カッターナイフ６による半導体レーザ結晶基板１の
突き上げ量を最小限に押さえることができる。このた
め、粘着シート３の伸びが抑制されるので、半導体レー
ザ結晶基板１に形成したスクライブ傷２とカッターナイ
フ６の位置決めを最後まで正確に行うことができる。更
に、半導体レーザ結晶基板１を劈開する都度、カッター
ナイフ６とスクライブ傷２の位置合わせを行う必要がな
くなるので、作業効率が向上する。

【００２５】次に、本発明の第２実施例を図２を用いて
説明する。本発明の第２実施例は図１で示した第１実施
例のカバーシート４を半導体レーザ結晶基板１上から除
去したものである。従来例及び第１実施例と同一構成に
は同一符号を用い、その説明を省略する。図２（Ａ）に
示すように、粘着シート３を介してスクライブ傷２にカ
ッターナイフ６対向配置する。次に、図２（Ｂ）に示す
ように、このカッターナイフ６により粘着シート３側か
らカバーシート４の方向に突き上げる。この際、粘着シ
−ト３を介して、カッターナイフ６が、半導体レ−ザ結
晶基板１と接した位置Ｂが突き上げ力Ｎ₂が作用する作
用点Ｂとなる。また、板バネ５が、半導体レ−ザ結晶基
板１と接した位置Ａが突き上げ力Ｎ₂の反作用で生じる
抗力Ｎ₁が作用する作用点Ａとなる。本発明の第１実施
例のようにカバーシート４がないので、カッターナイフ
６により粘着シート３を介して、半導体レーザ結晶基板
１を突き上げた際に、半導体レーザ結晶基板１は、板バ
ネ５と直接、接することになる。このため、本発明の第
１実施例で用いたカバーシート４からの半導体レーザ結
晶基板１への作用する抗力がないので、板バネ５と半導
体レーザ結晶基板１の接した点にだけ作用することにな
り、劈開分離される半導体レーザ結晶基板１１の面には
せん断力が作用しないため、更に、劈開不良がない良好
な半導体レーザバーを得ることができる。この場合、カ
ッターナイフ６により半導体レーザ結晶基板１が突き上
げられた際に、半導体レーザ結晶基板１が粘着シート３
にしっかり固定されるように、粘着シート３は強い粘着
力を有する材料が必要となる。この粘着シート材料とし
ては、例えば、紫外線硬化型シートがある。以上のよう
に、半導体レーザ結晶基板１から欠けやひび割れが大幅
に低減された良好な半導体レーザバーが得られ、その製
造歩留まりを向上させることができる。また、半導体レ
ーザ結晶基板１を劈開する都度、カッターナイフ６とス
クライブ傷２の位置合せを行う必要がなくなり、作業効
率を向上させることができる。

【００２６】

【発明の効果】本発明の半導体レーザ基板劈開装置によ
れば、突き上げ部材により、半導体レーザ基板を突き上
げた際、板状部材からの作用によって前記半導体レーザ
基板を劈開するので、前記半導体レーザ基板から劈開し
て得られた半導体レーザバーは、欠けやひび割れが大幅
に減少させた劈開を行うことができる。又、前記半導体
レーザ基板は劈開方向に劈開されるので、非常に小さい
力の作用で割ることができるため、突き上げ部材による
粘着部材の突き上げ量を最小限に押さえることができ
る。この結果、粘着部材の伸びが抑制されるので、前記
半導体レーザ基板に形成した傷部と突き上げ部材の位置
決めを正確に行うことができる。この結果、前記半導体
レーザ基板を劈開する作業効率及び前記半導体レーザバ
ーの製造歩留まりを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の半導体レーザ基板劈開装
置を示す断面図である。

【図２】本発明の第２実施例の半導体レーザ基板劈開装
置を示す断面図である。

【図３】粘着シートとカバーシートの間に設けられた半
導体レーザ結晶基板を示す図である。

【図４】従来の半導体レーザ基板劈開装置を示す断面図
である。

【図５】従来の半導体レーザバーを示す斜視図である。

【図６】従来の半導体レーザ結晶基板が劈開される過程
を示す図である。

【図７】半導体レーザ結晶基板が剛体である場合の導体
レーザ結晶基板が劈開される過程を説明する図である。

【符号の説明】

１…半導体レーザ結晶基板、１ａ…半導体基板、１ｂ…
半導体レーザ結晶、２…スクライブ傷、３…粘着シー
ト、３ａ…粘着シート露出部、４…カバーシート、５…
板バネ、６…カッターナイフ、７ａ、７ｂ、１２…ホル
ダ、８…ホルダ固定台、８ａ…開口部、８ｂ…収納部、
９…ホルダ押え、１０…ネジ、１１…カッターナイフ固
定具、１３…半導体レーザバー、１３ａ…稜線部分、１
３ｂ…共振器面

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも、劈開方向に沿って傷部が形成
   された半導体レーザ基板を取り付ける取付部材と、前記
   半導体レーザ基板の上部を覆うカバー部材と、前記取付
   部材及び前記カバー部材を保持するためのホルダと、前
   記取付部材の下方に配置され、この取付部材に取り付け
   られる前記半導体レーザ基板の突き上げる突き上げ部材
   とを備えた半導体レーザ基板劈開装置において、前記カ
   バー部材の上方に保持されるように、その一端が前記ホ
   ルダに保持される板状部材を有し、前記突き上げ部材に
   より前記半導体レーザ基板を突き上げた際、前記板状部
   材からの反作用によって前記半導体レーザ基板を前記傷
   部から劈開することを特徴とする半導体レーザ基板劈開
   装置。
2. 【請求項２】少なくとも、劈開方向に沿って傷部が形成
   された半導体レーザ基板を貼り付ける粘着部材と、前記
   粘着部材を保持するためのホルダと、前記粘着部材の下
   方に配置され、前記粘着部材に粘着される前記半導体レ
   ーザ基板を突き上げる突き上げ部材と、前記半導体レ−
   ザ基板の上方に保持されるようにその一端が前記ホルダ
   に保持される板状部材とを有し、前記突き上げ部材によ
   り前記半導体レーザ基板を突き上げた際、前記突き上げ
   部材の作用によって生じる前記板状部材からの反作用に
   よって前記半導体レーザ基板を前記傷部から劈開するこ
   とを特徴とする半導体レーザ基板劈開装置。
3. 【請求項３】前記カバー部材は、伸縮自在の材料からな
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ基板劈
   開装置。