JPH11251266A - 粘着シ−ト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 粘着材を付着させることなく、半導体レ−ザ
基板の劈開を行うことができる粘着シ−トを提供する。 【解決手段】 半導体レ−ザ基板３の端部に形成された
スクライブ傷８₁ 、８₂、８₃ から生じる劈開溝に沿っ
て劈開分離して、複数の半導体レ−ザバ−９を作製し、
また、各半導体レ−ザバ−９を劈開溝方向と異なる方向
に複数分割して、各半導体レ−ザ素子１１を形成するに
際し、半導体レ−ザ基板３を取り付ける粘着部を有する
粘着シ−ト１であって、粘着部１ｃは、半導体レ−ザ基
板３よりも小なる非粘着部２を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオ−ド素
子や半導体レ−ザ素子を作製するために用いられる粘着
シ−トに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レ−ザ基板から半導体レ−ザ素子
を作製するためには、粘着シ−トの粘着材上に、この半
導体レ−ザ基板を所定幅短冊状の半導体レーザバ−に劈
開することが必要である。更に、この半導体レーザバ−
の所定幅方向と直交方向に分割することにより、半導体
レーザ素子が得られる。この際、半導体レ−ザバ−には
半導体レ−ザ素子の活性層が形成されているので、この
粘着材が半導体レ−ザバ−の両側面に付着することな
く、行うことが重要である。

【０００３】以下に、従来の粘着シ−トを用いた半導体
レーザ基板の劈開方法について、図６乃至図１０を用い
て説明する。図６乃至図１０は、半導体レ−ザ基板の劈
開方法を示す製造工程図である。図７、図８において、
この半導体レ−ザ基板の劈開方法についてわかりやすく
説明するために、半導体レ−ザバ−３及びカバ−シ−ト
１７を点線で示してある。

【０００４】まず初めに、図６に示す半導体レ−ザ基板
３について説明する。図６に示すように、半導体レ−ザ
基板３は、半導体レ−ザ結晶４の両面に電極６及び７を
有した矩形状を有している。なお、半導体レ−ザ基板３
は、例えば縦２０ｍｍ×横２０ｍｍの形状である。電極
７上には、半導体レ−ザ結晶４の劈開方向に沿い、かつ
半導体レ−ザ結晶層４の一端部４ａにスクライブ傷８
₁ 、８₂ 、８₃ が、互いに所定の間隔を有して形成され
ている。また、半導体レ−ザ基板３の電極６の近傍に
は、活性層５が形成され、この活性層５は、半導体レ−
ザ結晶４の劈開方向と略直交方向に形成されている。即
ち、この活性層５は、スクライブ傷８₁ 、８₂ 、８₃ と
略直交方向に形成されている。

【０００５】次に、半導体レ−ザ基板３を劈開分離する
ために用いられる半導体レ−ザ基板劈開装置２４につい
て図９を用いて説明する。半導体レ−ザ基板劈開装置２
４は、開口部１８ａを有したホルダ−１８と、このホル
ダ−１８を収納するための収納部１９ａを有したホルダ
−固定台１９と、ホルダ−固定台１９の収納部１９ａに
収納されたホルダ−１８をホルダ−固定台１９に押しつ
けるためのホルダ−押え２０と、このホルダ−１８をホ
ルダ−固定台１９にホルダ−押え２０と共に固定するた
めのネジ２１とからなる。更に、ホルダ−固定台１９に
固定されたホルダ−１８の下方には、半導体レ−ザ基板
３を劈開分離するためのカッタ−ナイフ２２がカッタ−
固定具２３に固定されて、配置されている。このカッタ
−ナイフ２２は、半導体レ−ザ基板３の形状よりも長い
帯板状の刃を有し、上下左右に稼働することができるよ
うになっている。

【０００６】以下に、この半導体レ−ザ基板劈開装置２
４を用いて、半導体レ−ザ基板３を劈開する方法につい
て説明する。 （半導体レ−ザ基板貼り付け）半導体レ−ザ基板３のス
クライブ傷８₁ 、８₂ 、８₃ が形成された電極７側を上
方、電極６側を粘着シ−ト１６に対向配置し、この半導
体レ−ザ基板３を粘着シート１６上の粘着部１６ｃに貼
り付ける。なお、図７（Ａ）に示すように、この粘着シ
−ト１６は、伸縮自在の粘着フィルム１６ａ上の全面に
粘着材１６ｂを有した粘着部１６ｃを有している。更
に、半導体レーザ基板３及び粘着シート１６上に、半導
体レーザ基板３を覆うようにして、粘着シート１６より
やや小さい形状のカバーシート１７を載置する（図７
（Ｂ））。

【０００７】（粘着シ−トの固定）続いて、ホルダー１
８の開口部１８ａ内に半導体レ−ザ基板３が収納される
ようにして、このホルダ−１８をカバ−シ−ト１７側か
ら粘着シート１６の粘着部１６ｃ上に載置する（図
８）。この際、ホルダ−１８の形状は、粘着シ−ト１６
の大きさと略等しく、ホルダー１８は、粘着シ−ト１６
の粘着部１６ｃにより固定される。この結果、ホルダ−
１８は、カバ−シ−ト１７、半導体レ−ザ基板３及び粘
着シ−ト１６と共に一体化されることになる。

【０００８】（ホルダ−固定）この半導体レ−ザ基板３
と共に一体化したホルダ−１８を半導体レ−ザ基板劈開
装置２４のホルダ−収納部１９ａに載置する。次に、ホ
ルダー１８及びホルダ−固定台１９上には、ホルダー押
え２０を載置し、ホルダー押え２０をホルダ−固定台１
９にネジ２１で止めて、ホルダー１８をホルダ−固定台
１９に固定する（図９）。

【０００９】（半導体レ−ザ基板の劈開）この後、カッ
タ−ナイフ２２を粘着シート１６を介して、半導体レー
ザ基板３の劈開方向に平行かつ、スクライブ傷８₁ に対
向配置する。この状態から、カッタ−ナイフ２２により
粘着シ−ト１６を介して半導体レ−ザ基板３を上方に突
き上げ、スクライブ傷８₁ によって生じる劈開溝Ｖに沿
って、半導体レーザ基板３を劈開する（図１０）。こう
して、半導体レーザ基板３の劈開分離される部分３₁ か
ら劈開分離されて半導体レ−ザバ−９を得る（図１１
（Ａ））。この後、カッタ−ナイフ２２を粘着シ−ト１
６を介して順次スクライブ傷８₂、８₃ に対向配置し、
同様にして、半導体レーザ基板３の劈開を行って、次々
に半導体レ−ザバ−９を得ることができる。なお、半導
体レ−ザバ−９の幅ｄは、通常２５０μｍである。この
後、半導体レ−ザバ−９の両側面１０と略直交方向に分
割して、半導体レ−ザ素子１１が得られる（図１１
（Ｂ））。この半導体レ−ザバ−９の両側面１０は、半
導体レ−ザ素子１１の共振器面となる。

【００１０】ここで、半導体レ−ザ基板３の劈開分離の
メカニズムについて説明する。図１０に示すように、カ
ッタ−ナイフ２２により半導体レ−ザ基板３を突き上げ
た際、半導体レ−ザ基板３に作用する力の作用点は、粘
着シ−ト１６側では、粘着シ−ト１６を介してカッタ−
ナイフ２２に接する電極６面の位置Ｃ（作用点Ｃ）であ
り、カバ−シ−ト１７側では、カッタ−ナイフ２２より
も上方にあり、この作用点Ｃと対角位置にあるカバ−シ
−ト２２と接する電極７の位置Ｄ（作用点Ｄ）である。
半導体レ−ザ基板３の作用点Ｃには、半導体レ−ザ基板
３を圧縮する方向に圧縮応力、作用点Ｄでは、半導体レ
−ザ基板３が劈開分離されるように伸張応力が作用す
る。半導体レ−ザ基板３の作用点Ｄでは、作用点Ｃに作
用する突き上げ力Ｎ₁ の反作用として、抗力Ｎ₂ を生じ
る。このため、突き上げ力Ｎ₁ は抗力Ｎ₂ と力の大きさ
は等しく、力の方向は逆方向である。このような状態か
ら、半導体レ−ザ基板３から劈開分離される部分３₁ の
幅ｄと、この突き上げ力Ｎ₁ （又は、抗力Ｎ₂ ）との積
からなる力のモ−メントが作用することにより、半導体
レ−ザ基板３の劈開分離が行われて、バ−状の半導体レ
−ザバ−９が得られるのである。

【００１１】半導体レ−ザ素子１１は、以下のようにし
て動作させる。半導体レ−ザ素子１１の電極６側をヒ−
トシンク２５に対向配置し、この半導体レ−ザ素子１１
をヒ−トシンク２５上にマウントする（図１２）。この
後、この半導体レ−ザ素子１１にレ−ザ発振しきい値以
上の電流を通電することによって、半導体レ−ザ素子１
１の活性層５からレ−ザ光を得るのである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
粘着シ−ト及び半導体レ−ザ基板の劈開方法には、以下
の問題があった。半導体レ−ザ基板３の劈開分離の終了
段階では、半導体レ−ザ基板３から劈開分離される部分
３₁ と半導体レ−ザ基板３の間に粘着材１６ｂが侵入
し、それぞれの互いの側面１０及び電極６面の一部に付
着するといった問題を生じていた。このため、図１１
（Ａ）に示すように、半導体レ−ザバ−９の電極６面及
び両側面１０には、粘着材１６ｂが付着する。図１１
（Ｂ）に示すように、半導体レ−ザバ−９から分割して
形成された半導体レ−ザ素子１１の活性層５や電極６面
にも、粘着材１６ｂが付着することになる。特に、半導
体レ−ザバ−９を分割して半導体レ−ザ素子１１を作製
する際、活性層５に粘着材１６ｂが付着してしまうと、
半導体レ−ザ素子１１の活性層５から出射されるレ−ザ
光が粘着材１６ｂにより吸収され、レ−ザ光の発光出力
が低下するといった問題点があった。このような状態
で、半導体レ−ザ素子１１をヒ−トシンク２５上へマウ
ントすると、図１２に示すように、半導体レ−ザ素子１
１とヒ−トシンク２５の間に粘着材１６ｂが介在するこ
とになり、半導体レ−ザ素子１１から発生する熱が良好
にヒ−トシンク２５に伝達されないので、半導体レ−ザ
素子１１の放熱性は悪くなる。この結果、半導体レ−ザ
素子１１の温度は、上昇し、この温度上昇による半導体
レ−ザ素子１１の結晶中に結晶欠陥や転位を生じ、信頼
性を低下させる原因となっていた。

【００１３】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、粘着材を付着させるこ
となく、半導体レ−ザ基板の劈開を行うことができる粘
着シ−トを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の粘着シ−トの第
１の発明として、半導体レ−ザ基板の端部に所定の間隔
を有して形成されたスクライブ傷から生じる劈開溝に沿
って劈開分離して、複数の半導体レ−ザバ−を作製し、
また、各半導体レ−ザバ−を前記劈開溝方向と異なる方
向に複数分割して、各半導体レ−ザ素子を形成するに際
し、前記半導体レ−ザ基板を取り付ける粘着部を有する
粘着シ−トであって、前記粘着部は、前記半導体レ−ザ
基板よりも小なる非粘着部を有することを特徴とする。

【００１５】第２の発明として、請求項１記載の粘着シ
−トにおいて、前記粘着部は、少なくとも、非粘着部を
略２分する位置に形成されたことを特徴とする。

【００１６】第３の発明として、請求項１記載の粘着シ
−トにおいて、前記粘着部と非粘着部の間に前記スクラ
イブ傷が位置するようにそれぞれを所定間隔に配置した
ことを特徴とする。

【００１７】第４の発明として、請求項１、２、３記載
の粘着シ−トにおいて、前記粘着材は、紫外線硬化型の
粘着材からなることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の粘着シ−トの第１実施例
について説明する。図１は、本発明の粘着シ−トの第１
実施例を示す図であり、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のａ−ａ方向から見た断面図である。本発明の粘
着シ−ト１は、従来の粘着材１６ｂに紫外線硬化型の粘
着材を用い、この粘着材１６ｂ中に半導体レ−ザ基板３
の形状よりもやや小さい非粘着部を有したものである。
従来と同一構成部分には同一符号を付し、その詳細な説
明を省略する。

【００１９】粘着シ−ト１は、伸縮自在の粘着フィルム
１ａ上に形成された紫外線硬化型の粘着材１ｂを有する
粘着部１ｃの中に半導体レ−ザ基板３の形状よりもやや
小さい非粘着部２を設けている。なお、半導体レ−ザ基
板３が例えば、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ８０μｍ
形状に対して、非粘着部２は、例えば縦１９ｍｍ×横１
９ｍｍの形状を有している。この粘着シ−ト１は、粘着
フィルム１ａの全面に渡って形成されている粘着部１ｃ
上に半導体レ−ザ基板３よりもやや小さい開口部を有し
た図示しない金属マスクパタ−ンを形成し、この金属マ
スクパタ−ン上から紫外線を照射することによって形成
される。粘着材１ｂは、紫外線硬化型の材料であるの
で、この粘着材１ｂに紫外線を照射すると、硬化して粘
着性を失うので、図示しない金属マスクパタ−ンの開口
部から露出した粘着材１ｂが、非粘着化されるために、
非粘着部２が形成されるのである。

【００２０】以下に、この粘着シ−ト１を用いて、半導
体レ−ザ基板３の劈開を行う方法について、図２及び図
３を用いて説明する。図２は、本発明の粘着シ−ト上に
半導体レ−ザ基板を固着した様子を示す断面図である。
図３は、半導体レ−ザ基板を劈開分離して形成された半
導体レ−ザバ−及び半導体レ−ザ素子である。まず初め
に、この半導体レ−ザ基板３の中心が非粘着部２の中心
と略重なるように半導体レ−ザ基板３を粘着シ−ト１上
に貼り付ける。このことは、半導体レ−ザ基板３の周辺
部３ａでは、略０．５ｍｍ幅の部分だけが粘着材１ｂに
貼り付けられていることになる。半導体レ−ザ基板３の
貼り付け部分が略０．５ｍｍ幅といった狭い幅で十分な
貼り付け強度を有するのは、粘着材１ｂの粘着強度が非
常に強いからである。

【００２１】半導体レ−ザ基板３の劈開分離は、従来の
半導体レ−ザ基板の劈開方法における図８に示したよう
に、ホルダ−１８に粘着シ−ト１に貼り付けられた半導
体レ−ザ基板３を固定した後、図９、図１０に示す工程
を経て同様に行われる。このようにして、半導体レ−ザ
基板３の劈開分離される部分３₁ が分離されてバ−状の
半導体レ−ザバ−９を得ることができる。即ち、カッタ
−ナイフ２２を粘着シ−ト１６を介して順次スクライブ
傷８₁ 、８₂ 、８₃ に対向配置し、カッタ−ナイフ２２
により半導体レ−ザ基板３を突き上げることによって、
次々に半導体レ−ザバ−９を得ることができる。図３に
示すように、半導体レ−ザバ−９をこの劈開方向と略直
交方向に分割して、半導体レ−ザ素子１１が得られる。

【００２２】従来の半導体レ−ザ基板の劈開方法におけ
る（半導体レ−ザ基板の劈開）工程の終了段階で、半導
体レ−ザ基板３の劈開分離される部分３₁ と半導体レ−
ザ基板３の間に侵入する粘着材１ｂは、この半導体レ−
ザ基板３の周辺部３ａだけであり、それ以外の部分には
粘着材１ｂは侵入しないので、図３（Ａ）に示すよう
に、半導体レ−ザ基板３の劈開分離される部分３₁ から
劈開分離された半導体レ−ザバ−９の両側面１０には、
半導体レ−ザ基板３の周辺部３ａに対応した部分を除
き、粘着材１ｂが付着することを防止できる。このた
め、図３（Ｂ）に示すように、半導体レ−ザバ−９から
分割して得られた半導体レ−ザ素子１１にも、粘着材１
ｂが付着することがなくなる。また、半導体レ−ザ素子
１１を図１２に示したヒ−トシンク２５に直接マウント
できるので、半導体レ−ザ素子１１から発生する熱を効
率良くヒ−トシンク２５に伝達することができ、半導体
レ−ザ素子１１の放熱性を良好にすることができる。こ
のように、周辺部３ａを除いた半導体レ−ザ基板３から
は、粘着材１ｂが付着していない良好な半導体レ−ザバ
−９及び半導体レ−ザ素子１１が得られるので、半導体
レ−ザ素子１１の活性層５には粘着材１ｂの付着がな
く、半導体レ−ザ素子１１は、良好なレ−ザ光出力を有
したものとなる。粘着シ−ト１に貼り付けられている半
導体レ−ザ基板３の面積割合は半導体レ−ザ基板３全体
の略１０％以下と十分小さく押さえられているいるの
で、この半導体レ−ザ基板３から得られる半導体レ−ザ
バ−９、更に、この半導体レ−ザバ−９を分割して得ら
れる半導体レ−ザ素子１１の歩留まりを略９０％に向上
させることができる。なお、非粘着部２の形状は、自在
に調節できるので、半導体レ−ザ基板３が粘着材１ｂに
付着する割合を最小限にすることができる。

【００２３】次に、本発明の第２実施例について図４を
用いて説明する。図４は、本発明の粘着シ−トの第２実
施例を示す図であり、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は、
（Ａ）のａ−ａ方向から見た断面図である。従来と同一
構成には同一符号を付し、その説明を省略する。本発明
の第２実施例の粘着シ−ト１２は、粘着フィルム１ａ上
に紫外線硬化型の粘着材１ｂを有した粘着部１３ａが非
粘着部１３ｂを略２分する位置に形成されたものであ
る。この粘着シ−ト１２の作製は、本発明の第１実施例
で用いた図示しない金属マスクパタ−ンの種類が異なる
だけで、本発明の第１実施例と同様にして形成される。
粘着シ−ト１２への半導体レ−ザ基板３の貼り付けは、
半導体レ−ザ基板３の劈開方向を粘着部１３ａの長手方
向に略直交する方向に配置して行う。半導体レ−ザ基板
３の劈開分離は、従来の半導体レ−ザ基板の劈開方法に
おける図８に示したように、ホルダ−１８に粘着シ−ト
１２に貼り付けられた半導体レ−ザ基板３を固定した
後、図９、図１０に示す工程を経て同様に行われる。こ
のようにして、半導体レ−ザ基板３の劈開分離される部
分３₁ が劈開分離されて、バ−状の半導体レ−ザバ−９
を得ることができる。即ち、カッタ−ナイフ２２を粘着
シ−ト１６を介して順次スクライブ傷８₁ 、８₂ 、８₃
に対向配置し、カッタ−ナイフ２２により半導体レ−ザ
基板３を突き上げることによって、次々に半導体レ−ザ
バ−９を得ることができる。図３に示すように、半導体
レ−ザバ−９をこの劈開方向と略直交方向に分割して、
半導体レ−ザ素子１１が得られる。

【００２４】従来の半導体レ−ザ基板の劈開方法におけ
る（半導体レ−ザ基板の劈開）工程の終了段階で、半導
体レ−ザ基板３の劈開分離される部分３₁ から劈開分離
される半導体レ−ザバ−９と半導体レ−ザ基板３の間に
侵入する粘着材１ｂは、粘着部１３ａに貼り付けられた
半導体レ−ザ基板３部分だけであり、それ以外の部分に
は粘着材１ｂは侵入しないので、図３（Ａ）に示すよう
に、半導体レ−ザ基板３から劈開分離された半導体レ−
ザバ−９の両側面１０には、粘着部１３ａに貼り付けら
れた半導体レ−ザ基板３部分を除き、粘着材１ｂが付着
することを防止できる。このため、半導体レ−ザバ−９
に形成されている活性層５が粘着材１ｂによって覆われ
ないので、この半導体レ−ザバ−９の劈開方向と略直交
方向に分割して得られる半導体レ−ザ素子１１の活性層
５から出射されるレ−ザ光の発光出力が低下することを
防止できる。また、半導体レ−ザ素子１１をヒ−トシン
ク２５に直接マウントできるので、半導体レ−ザ素子１
１から発生する熱を効率良くヒ−トシンク２５に伝える
ことができ、半導体レ−ザ素子１１の放熱性を良好にす
ることができる。なお、この粘着部１３ａの形状は、自
在に調節することができるので、半導体レ−ザ基板３へ
の粘着材１ｂの付着を最小限に抑えることが可能となる
ため、この半導体レ−ザ基板３から作製される半導体レ
−ザバ−９及び半導体レ−ザ素子１１の歩留りを大幅に
向上させることができる。

【００２５】次に、本発明の第３実施例について図５を
用いて説明する。図５は、本発明の粘着シ−トの第３実
施例を示す図であり、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のａ−ａ方向から見た断面図である。従来と同一
構成には同一符号を付し、その説明を省略する。本発明
の第３実施例の粘着シ−ト１４は、粘着フィルム１ａ上
に粘着材１ｂを有する粘着部１５ａと非粘着部１５ｂを
交互に設けたものであり、この粘着部１５ａと非粘着部
１５の間に半導体レ−ザ基板３に形成されているスクラ
イブ傷８が位置するように所定間隔を有している。

【００２６】この粘着シ−ト１４は、本発明の第１実施
例で用いた図示しない金属マスクパタ−ンが異なるだけ
で、本発明の第１実施例と同様にして形成される。粘着
シ−ト１４への半導体レ−ザ基板３の貼り付けは、半導
体レ−ザ基板３に形成されたスクライブ傷８₁ 、８₂ 、
８₃ が非粘着部１５の間に位置するようにして行う。半
導体レ−ザ基板３の劈開分離は、従来の半導体レ−ザ基
板の劈開方法における図８に示したように、ホルダ−１
８に粘着シ−ト１４に貼り付けられた半導体レ−ザ基板
３を固定した後、図９、図１０に示す工程を経て同様に
行われる。このようにして、半導体レ−ザ基板３の劈開
分離される部分３₁ が分離されてバ−状の半導体レ−ザ
バ−９を得ることができる。即ち、カッタ−ナイフ２２
を粘着シ−ト１６を介して順次スクライブ傷８₁ 、８
₂ 、８₃ に対向配置し、カッタ−ナイフ２２により半導
体レ−ザ基板３を突き上げることによって、次々に半導
体レ−ザバ−９を得ることができる。本発明の粘着シ−
ト１４によれば、スクライブ傷８が非粘着部１５の間に
位置するようにして、半導体レ−ザ基板３を粘着シ−ト
１４に貼り付けているので、半導体レ−ザ基板３の劈開
分離される部分３₁ から劈開分離された半導体レ−ザバ
−９の両側面１０に粘着材１ｂを全く付着させることな
く、半導体レ−ザバ−９を作製することができる。この
ため、半導体レ−ザバ−９に形成されている活性層５が
粘着材１ｂによって覆われないので、この半導体レ−ザ
バ−９の劈開方向と略直交方向に分割して得られる半導
体レ−ザ素子１１の活性層５から出射されるレ−ザ光の
発光出力が低下することが防止できる。

【００２７】また、半導体レ−ザ素子１１をヒ−トシン
ク２５に直接マウントできるので、半導体レ−ザ素子１
１から発生する熱を効率良くヒ−トシンク２５に伝達す
ることができ、半導体レ−ザ素子１１の放熱性を良好に
することができる。なお、半導体レ−ザ基板３を貼り付
けるのに最低限必要な粘着力を有するように粘着部１５
ａの領域を調節して、半導体レ−ザ基板３に付着する粘
着材１ｂの量を最小限に抑えることができるため、この
半導体レ−ザ基板１から作製される半導体レ−ザバ−９
及び半導体レ−ザ素子１１の歩留りを大幅に向上させる
ことができる。

【００２８】

【発明の効果】本発明の粘着シ−トは、半導体レ−ザ基
板よりも小なる非粘着部を有しているので、半導体レ−
ザ基板の周辺部だけで粘着シ−トに接着させた状態で、
半導体レ−ザ基板の劈開分離を行って半導体レ−ザバ−
を形成するため、この半導体レ−ザ基板の周辺部に相当
する半導体レ−ザバ−の周辺部を除き、粘着材の付着の
ない良好な劈開面を有した半導体レ−ザバ−を得ること
ができる。半導体レ−ザ基板が粘着部と接する部分は、
非粘着部の領域を調節することによって、この半島体レ
−ザ基板に付着する粘着材を最小限に抑えることができ
るので、半導体レ−ザバ−やこの半導体レ−ザバ−を分
割して得られる半導体レ−ザ素子の歩留りを向上させる
ことができる。このため、半導体レ−ザ基板に形成され
ている活性層に粘着材が付着しないため、この半導体レ
−ザバ−から分割形成される半導体レ−ザ素子から出射
されるレ−ザ光の発光出力の低下を防止することができ
る。また、この半導体レ−ザ素子をヒ−トシンクに直接
マウントすることができるので、半導体レ−ザ素子から
発生する熱を効率良くヒ−トシンクに伝達することがで
き、半導体レ−ザ素子の放熱性を良好にすることができ
る。粘着部は、少なくとも、非粘着部を略２分する位置
に形成されているので、前記半導体レ−ザ基板は粘着材
に貼り付けた部分だけに付着し、それ以外の部分には付
着しないため、半導体レ−ザバ−及び半導体レ−ザ素子
の歩留りを向上させることができる。更に、粘着部と非
粘着部との間にスクライブ傷が位置するように所定間隔
に配置されているので、半導体レ−ザバ−の両側面に粘
着材を全く付着させることなく行うことができる。この
ため、半導体レ−ザ素子から出射されるレ−ザ光出力の
低下を防止することができる。また、この半導体レ−ザ
素子は、直接シ−トシンク上にマウントすることができ
るので、良好な放熱性を良好にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の粘着シ−トの第１実施例を示す図であ
る。

【図２】本発明の粘着シ−ト上に半導体レ−ザ基板を接
着した断面図である。

【図３】本発明の粘着シ−トを用いて作製された半導体
レ−ザバ−及び半導体レ−ザ素子を示す斜視図である。

【図４】本発明の粘着シ−トの第２実施例を示す図であ
る。

【図５】本発明の粘着シ−トの第３実施例を示す図であ
る。

【図６】通常の半導体レ−ザ基板を示す斜視図である。

【図７】従来の半導体レ−ザ基板の劈開方法における
（半導体レ−ザ基板貼り付け）工程を示す図である。

【図８】従来の半導体レ−ザ基板の劈開方法における
（粘着シ−トの固定）工程を示す図である。

【図９】従来の半導体レ−ザ基板の劈開方法における
（ホルダ−固定）工程を示す図である。

【図１０】従来の半導体レ−ザ基板の劈開方法における
（半導体レ−ザ基の板劈開）工程を示す図である。

【図１１】従来の半導体レ−ザバ−及び半導体レ−ザ素
子を示す斜視図である。

【図１２】従来の半導体レ−ザ素子をヒ−トシンクにマ
ウントした様子を示す断面図である。

【符号の説明】

１、１２、１４、１６…粘着シ−ト、２、１３ｂ、１５
ｂ…非粘着部、３…半導体レ−ザ基板、４…半導体レ−
ザ結晶、５…活性層、６、７…電極、８₁ 、８₂ 、８₃
…スクライブ傷、９…半導体レ−ザバ−、１０…側面、
１１…半導体レ−ザ素子、１ａ、１６ａ…粘着フィル
ム、１ｃ、１３ａ、１５ａ、１６ｃ…粘着部、１ｂ，１
６ｂ…粘着材、１７…カバ−シ−ト、１８…ホルダ−、
１８ａ…開口部、１９…ホルダ−固定台、１９ａ…ホル
ダ−収納部、２０…ホルダ−押え、２１…ネジ、２２…
カッタ−ナイフ、２３…カッタ−ナイフ固定具、２４…
半導体レ−ザ基板劈開装置、２５…ヒ−トシンク

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レ−ザ基板の端部に所定の間隔を有
   して形成されたスクライブ傷から生じる劈開溝に沿って
   劈開分離して、複数の半導体レ−ザバ−を作製し、ま
   た、各半導体レ−ザバ−を前記劈開溝方向と異なる方向
   に複数分割して、各半導体レ−ザ素子を形成するに際
   し、前記半導体レ−ザ基板を取り付ける粘着部を有する
   粘着シ−トであって、 前記粘着部は、前記半導体レ−ザ基板よりも小なる非粘
   着部を有することを特徴とする粘着シ−ト。
2. 【請求項２】前記粘着部は、少なくとも、非粘着部を略
   ２分する位置に形成されたことを特徴とする請求項１記
   載の粘着シ−ト。
3. 【請求項３】前記粘着部と非粘着部の間に前記スクライ
   ブ傷が位置するようにそれぞれを所定間隔に配置したこ
   とを特徴とする請求項１記載の粘着シ−ト。
4. 【請求項４】前記粘着部は、紫外線硬化型の粘着材から
   なることを特徴とする請求項１、２、３記載の粘着シ−
   ト。