JPH11162891A - Semiconductor laser substrate cleaving equipment - Google Patents
Semiconductor laser substrate cleaving equipmentInfo
- Publication number
- JPH11162891A JPH11162891A JP34432197A JP34432197A JPH11162891A JP H11162891 A JPH11162891 A JP H11162891A JP 34432197 A JP34432197 A JP 34432197A JP 34432197 A JP34432197 A JP 34432197A JP H11162891 A JPH11162891 A JP H11162891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- crystal substrate
- substrate
- laser crystal
- laser substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レ−ザ素子
が形成された半導体基板を短冊状に劈開するための半導
体レ−ザ基板劈開装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser substrate cleaving apparatus for cleaving a semiconductor substrate on which a semiconductor laser element is formed in a strip shape.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体基板上に半導体レ−ザ結晶が形成
された半導体レ−ザ結晶基板から半導体レ−ザ素子を作
製するためには、この半導体レ−ザ結晶基板１を共振器
長幅の短冊状の半導体レーザバ−に劈開することが必要
である。次に、この半導体レーザバ−を共振器長となる
方向と直角方向に所定の長さに分割することにより、半
導体レーザ素子が得られる。半導体レーザ結晶基板から
劈開形成された半導体レーザバーの両側面は共振器面と
なるため、半導体レーザ素子からのレーザ光を放出の際
に、発熱による劣化や効率の高い発光が得られるよう
に、欠けやひび割れが生じることなく作製することが要
求される。以下に従来の半導体レーザ劈開装置を用いて
半導体レーザバーを作製する方法について、図３乃至図
５を用いて説明する。図３は、半導体レーザ結晶基板を
粘着シートとカバーシートの間に配置した平面図であ
る。図４は、半導体レーザ基板劈開装置を示す断面図で
ある。図５は、半導体レーザバーを示す斜視図である。
まず、半導体レーザ基板劈開装置の構成について説明す
る。図３に示すように、半導体基板１ａ上に半導体レー
ザ結晶１ｂが形成された半導体レーザ結晶基板１の半導
体基板１ａ側にスクライブ傷２が等間隔に形成され、こ
の半導体レーザ結晶基板１は、スクライブ傷２が形成さ
れた半導体基板１ａ側を上にし、半導体レーザ結晶１ｂ
側を粘着シート３に対向配置させ、粘着シート３に貼り
付けられている。このスクライブ傷２は、半導体レーザ
結晶基板１の劈開方向と平行になるように形成されてい
る。尚、言うまでもなく、粘着シート３には粘着剤が塗
布されている。半導体レーザ結晶基板１及び粘着シート
３上には、粘着シート３よりやや小さい形状のカバーシ
ート４が載置されている。即ち、半導体レーザ結晶基板
１は、粘着シート３とカバーシート４の間に挟まれてい
る。更に、粘着シート３の外形とほぼ等しく、かつ半導
体レーザ結晶基板１の形状よりも大きい開口部１２ａを
有するホルダー１２が、粘着シート３とカバーシート４
によって挟まれた半導体レーザ結晶基板１の上に載置さ
れている。この際、ホルダー１２の周辺部は、カバーシ
ート４が載置された以外の露出した粘着シート部分３ａ
と接着するので、粘着シート３とカバーシート４に挟ま
れた半導体レーザ結晶基板１とホルダー１２は、一体化
されることになる。この後、粘着シート３とカバーシー
ト４に挟まれた半導体レーザ結晶基板１と一体化したホ
ルダー１２は、開口部８ａを有し、かつホルダー１２を
収容可能な収容部８ｂを有したホルダー固定台８上に載
置されている。次に、ホルダー１２が収納されたホルダ
ー固定台８上には、ホルダー押え９が載置され、ホルダ
ー押え９側からホルダー固定台８側にネジ１０で止める
ことによって、粘着シート３とカバーシート４に挟まれ
た半導体レーザ結晶基板１と一体化したホルダー１２が
ホルダー固定台８に固定されている。2. Description of the Related Art In order to manufacture a semiconductor laser device from a semiconductor laser crystal substrate having a semiconductor laser crystal formed on a semiconductor substrate, the semiconductor laser crystal substrate 1 must be provided with a resonator width. It is necessary to cleave into a strip-shaped semiconductor laser bar. Next, by dividing the semiconductor laser bar into a predetermined length in a direction perpendicular to the direction of the cavity length, a semiconductor laser device is obtained. Since both sides of the semiconductor laser bar cleaved from the semiconductor laser crystal substrate become resonator surfaces, chipping is performed so that when laser light is emitted from the semiconductor laser element, deterioration due to heat generation and highly efficient light emission can be obtained. It is required to manufacture without generating cracks. Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor laser bar using a conventional semiconductor laser cleavage device will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a plan view in which a semiconductor laser crystal substrate is disposed between an adhesive sheet and a cover sheet. FIG. 4 is a sectional view showing a semiconductor laser substrate cleavage apparatus. FIG. 5 is a perspective view showing a semiconductor laser bar.
First, the configuration of the semiconductor laser substrate cleavage device will be described. As shown in FIG. 3, scribed scratches 2 are formed at equal intervals on the semiconductor substrate 1a side of the semiconductor laser crystal substrate 1 in which the semiconductor laser crystal 1b is formed on the semiconductor substrate 1a. The semiconductor laser crystal 1b with the side of the semiconductor substrate 1a where
The side is opposed to the adhesive sheet 3 and is attached to the adhesive sheet 3. The scribe flaw 2 is formed so as to be parallel to the cleavage direction of the semiconductor laser crystal substrate 1. Needless to say, the adhesive sheet 3 is coated with an adhesive. On the semiconductor laser crystal substrate 1 and the adhesive sheet 3, a cover sheet 4 slightly smaller than the adhesive sheet 3 is placed. That is, the semiconductor laser crystal substrate 1 is sandwiched between the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4. Further, the holder 12 having an opening 12a substantially equal to the outer shape of the adhesive sheet 3 and larger than the shape of the semiconductor laser crystal substrate 1,
It is mounted on the semiconductor laser crystal substrate 1 sandwiched between them. At this time, the peripheral portion of the holder 12 is exposed to the exposed adhesive sheet portion 3a other than the cover sheet 4 placed thereon.
Therefore, the semiconductor laser crystal substrate 1 and the holder 12 sandwiched between the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4 are integrated. Thereafter, the holder 12 integrated with the semiconductor laser crystal substrate 1 sandwiched between the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4 has an opening 8a and a holder fixing base having an accommodating portion 8b capable of accommodating the holder 12. 8. Next, the holder presser 9 is placed on the holder fixing stand 8 in which the holder 12 is stored, and the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4 are fixed by fixing the holder presser 9 to the holder fixing stand 8 with screws 10. A holder 12 integrated with the semiconductor laser crystal substrate 1 is fixed to the holder fixing base 8.
【０００３】更に、粘着シート３を介して半導体レーザ
結晶基板１と反対側、即ち、粘着シート３の下方には、
半導体レーザ結晶基板１よりもやや長い帯板状の刃を有
するカッターナイフ６が半導体レーザ結晶基板１の劈開
方向に平行かつ、スクライブ傷２に対向して設けられて
いる。なお、このカッターナイフ６は、カッター固定具
１１に収納し、固定されている。Further, on the side opposite to the semiconductor laser crystal substrate 1 via the adhesive sheet 3, that is, below the adhesive sheet 3,
A cutter knife 6 having a strip-like blade slightly longer than the semiconductor laser crystal substrate 1 is provided parallel to the cleavage direction of the semiconductor laser crystal substrate 1 and opposed to the scribed scratches 2. The cutter knife 6 is housed and fixed in a cutter fixture 11.
【０００４】次に、従来の半導体レーザ基板劈開装置の
動作について説明する。図６（Ａ）に示したように、半
導体レーザ結晶基板１と反対側の粘着シート３の下方に
配置されたカッターナイフ６をスクライブ傷２に対向配
置し、カッターナイフ６を上方に移動し、このカッター
ナイフ６を粘着シート３に接触させる。この状態から、
半導体レーザ結晶基板１が劈開されるまで突き上げるこ
とによって、半導体レーザ結晶基板１の劈開を行うこと
ができる。Next, the operation of the conventional semiconductor laser substrate cleaving apparatus will be described. As shown in FIG. 6A, the cutter knife 6 arranged below the adhesive sheet 3 on the side opposite to the semiconductor laser crystal substrate 1 is arranged to face the scribed scratch 2, and the cutter knife 6 is moved upward. The cutter knife 6 is brought into contact with the adhesive sheet 3. From this state,
By pushing up until the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved, the semiconductor laser crystal substrate 1 can be cleaved.
【０００５】次に、従来の半導体レーザ基板劈開装置を
用いて、半導体レーザバーを作製する方法について説明
する。まず、図６（Ａ）に示すように、粘着シート３を
介してスクライブ傷２に対向する位置にカッターナイフ
６を移動する。このカッターナイフ６により粘着シート
３側から半導体レーザ結晶基板１へ突き上げることによ
ってスクライブ傷２を基準として半導体レーザ結晶基板
１を劈開方向に沿って劈開する。更に、粘着シート３を
介して、半導体レーザ結晶基板１に形成したスクライブ
傷２に対向する位置にカッターナイフ６を順次移動し、
同様な操作を行って、次々と半導体レーザ結晶基板１を
劈開する。このようにして、図５に示すような短冊状の
半導体レーザバー１３が得られる。Next, a method for manufacturing a semiconductor laser bar using a conventional semiconductor laser substrate cleavage apparatus will be described. First, as shown in FIG. 6A, the cutter knife 6 is moved to a position facing the scribed scratch 2 via the adhesive sheet 3. By pushing up the semiconductor laser crystal substrate 1 from the adhesive sheet 3 side by the cutter knife 6, the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved along the cleavage direction based on the scribed scratches 2. Further, the cutter knife 6 is sequentially moved to a position facing the scribed scratch 2 formed on the semiconductor laser crystal substrate 1 via the adhesive sheet 3,
By performing the same operation, the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved one after another. Thus, a strip-shaped semiconductor laser bar 13 as shown in FIG. 5 is obtained.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザ結晶基板１をスクライブ傷２に沿って劈開する毎
に、粘着シート３は、カッターナイフ６によって上方に
突き上げられるので、その都度粘着シート３は、伸びを
生じるため半導体レーザ結晶基板１を完全に劈開し終わ
るまでには、粘着シート３に大きな伸びが生じ、半導体
レーザ結晶基板１に形成したスクライブ傷２とカッター
ナイフ６の位置決めを最後まで正確に行うことができな
かった。又、図５に示すように、半導体レーザバー１３
のスクライブ傷２が形成された側と反対側、即ち、粘着
シート３と接着する半導体レーザ結晶１ｂ側の稜線部分
１３ａに欠けやひび割れが生じやすく、良好な共振器面
１３ｂを得ることができなかった。このため、半導体レ
ーザ結晶基板１を劈開する都度、カッターナイフ６とス
クライブ傷２の位置合せを行うことが必要になり、欠け
やひび割れを生じないようにするため突き上げ量を毎回
調節する必要が生じ、作業効率を低下させ、製造歩留ま
りが低かった。However, each time the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved along the scribed scratch 2, the adhesive sheet 3 is pushed upward by the cutter knife 6, so that each time the adhesive sheet 3 Since the semiconductor laser crystal substrate 1 is completely cleaved due to the elongation, the adhesive sheet 3 undergoes a large elongation, and the positioning of the scribed scratches 2 and the cutter knife 6 formed on the semiconductor laser crystal substrate 1 is accurately performed to the end. Could not do. Also, as shown in FIG.
Chipping or cracking easily occurs on the side opposite to the side where the scribed scratch 2 is formed, that is, on the ridge portion 13a on the side of the semiconductor laser crystal 1b bonded to the adhesive sheet 3, and it is not possible to obtain a good resonator surface 13b Was. For this reason, each time the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved, it is necessary to align the cutter knife 6 and the scribed scratch 2, and it is necessary to adjust the thrust amount every time so as not to cause chipping or cracking. , Work efficiency was reduced, and the production yield was low.
【０００７】ここで、半導体レーザバー１３の稜線部分
１３ａに欠けやひび割れが発生する原因について図６及
び図７を用いて以下に説明する。図６は、半導体レーザ
結晶基板１が劈開される過程を説明する図である。図７
は、半導体レーザ結晶基板１が剛体である場合の半導体
レーザ結晶基板１が劈開される過程を説明する図であ
る。図６（Ａ）に示すようなカッターナイフ６を粘着シ
ート３を介して半導体レーザ結晶基板１と反対側、即
ち、粘着シート３の下方に配置した初期状態から、カッ
ターナイフ６を上方に移動させ、粘着シート３を介して
半導体レーザ結晶基板１を上方に突き上げると、半導体
レーザ結晶基板１は、半導体レーザ結晶１ｂ面に接する
カバーシート４からの抗力Ｎ1により、弾性変形してカ
バーシート４側から粘着シート３側に反りを生じる（図
６（Ａ））。なお、抗力Ｎ1は、カッターナイフ６によ
り粘着シート３を介して半導体レーザ結晶基板１を突き
上げる力（突き上げ力）Ｎ2の反作用によって生じる力
であるので、抗力Ｎ1は突き上げ力Ｎ2と等しくなる。
又、半導体レーザ結晶基板１の突き上げ力Ｎ2は、突き
上げ量に比例するので、この突き上げ量を大きくする
と、半導体レーザ結晶基板１に働く抗力Ｎ1も大きくす
ることができる。ところで、半導体レーザ結晶基板１が
剛体である場合には、図７に示すように、カバーシート
４からの抗力Ｎ3によって、弾性変形しないので、半導
体レーザ結晶基板１に作用する力の位置は、カッターナ
イフ６が粘着シート３を介して接する作用点Ｄと突き上
げ力Ｎ2の反作用で生じるカバーシート４からの抗力Ｎ3
が作用する作用点Ｄより上方にあり、かつこの作用点Ｄ
の対角方向にある半導体レーザ結晶基板１の端、即ち、
抗力Ｎ3が作用するする作用点Ｃとなる。この作用点Ｃ
とＤを結ぶ対角長さと作用点Ｃ（Ｄ）に作用する力Ｎ3
（Ｎ2）の積からなる力のモーメントが働くことによ
り、半導体レーザ結晶基板１が劈開されることになる。
この結果、半導体レーザ結晶基板１はスクライブ傷２に
沿って劈開されるので、欠けやひび割れを生じることな
く、良好な共振器面を有した半導体レーザバーを得るこ
とができるのである。Here, the cause of the occurrence of chipping or cracking at the ridgeline portion 13a of the semiconductor laser bar 13 will be described below with reference to FIGS. FIG. 6 is a diagram illustrating a process in which the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved. FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating a process of cleaving the semiconductor laser crystal substrate 1 when the semiconductor laser crystal substrate 1 is a rigid body. 6A, the cutter knife 6 is moved upward from the initial state where the cutter knife 6 is disposed on the side opposite to the semiconductor laser crystal substrate 1 via the adhesive sheet 3, that is, below the adhesive sheet 3. When pushed up the semiconductor laser crystal substrate 1 upward via the adhesive sheet 3, a semiconductor laser crystal substrate 1, the drag N 1 from the cover sheet 4 in contact with the semiconductor laser crystal 1b faces, the cover sheet 4 side is elastically deformed From the adhesive sheet 3 side (FIG. 6 (A)). The drag force N 1 is a force generated by the reaction of the force (push-up force) N 2 pushing up the semiconductor laser crystal substrate 1 via the adhesive sheet 3 by the cutter knife 6, and therefore the drag force N 1 is equal to the push-up force N 2. Become.
Also, push-up force N 2 of the semiconductor laser crystal substrate 1 is proportional to the amount of push-up, the larger the push-up amount can be greater drag N 1 acting on the semiconductor laser crystal substrate 1. When the semiconductor laser crystal substrate 1 is a rigid body, as shown in FIG. 7, since the semiconductor laser crystal substrate 1 is not elastically deformed by the drag N 3 from the cover sheet 4, the position of the force acting on the semiconductor laser crystal substrate 1 is The reaction force N 3 from the cover sheet 4 generated by the reaction of the action point D where the cutter knife 6 comes into contact via the adhesive sheet 3 and the pushing force N 2.
Is located above the point of action D on which the
Of the semiconductor laser crystal substrate 1 in the diagonal direction of
The point of action C is where the drag N 3 acts. This action point C
Diagonal length connecting the points C and D and the force N 3 acting on the point of action C (D)
The semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved by the application of a moment of force consisting of the product of (N 2 ).
As a result, the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved along the scribed scratches 2, so that a semiconductor laser bar having a good resonator surface can be obtained without causing chipping or cracking.
【０００８】しかしながら、実際の半導体レーザ結晶基
板１は剛体ではないので、図６（Ａ）に示すように、弾
性変形を生じ、カバーシート４側から粘着シート３側方
向にカッターナイフ６により、粘着シート３を介して半
導体レーザ結晶基板１を突き上げた突き上げ力Ｎ2の反
作用によるカバーシート４からの抗力Ｎ1は、この反り
を生じた半導体レーザ結晶基板１部分の面全体に渡って
分散して作用するので、この半導体レーザ結晶基板１の
作用点Ｃに作用する力は抗力Ｎ1よりも大幅に小さくな
り、力学的モーメントは減少する。このため、半導体レ
ーザ結晶基板１を劈開する力学的モーメントを得るため
には、大きい抗力を必要とするために、カッターナイフ
６により、更に、突き上げ量を増して、半導体レーザ結
晶基板１を突き上げることになる。カッターナイフ６に
よる半導体レーザ結晶基板１の突き上げる力Ｎ2は、突
き上げ量とほぼ比例関係にあるので、半導体レーザ結晶
基板１の突き上げ量を増加することによって、半導体レ
ーザ結晶基板１に作用する力学的モーメントを増すこと
ができる。半導体レーザ結晶基板１からの劈開分離は、
この半導体レーザ結晶基板が劈開されるまで、カッター
ナイフ６により半導体レーザ結晶基板１を突き上げる突
き上げ量を増加させて行われる。こうして、半導体レー
ザ結晶基板１から劈開分離された半導体レーザバーが得
られる。However, since the actual semiconductor laser crystal substrate 1 is not a rigid body, it is elastically deformed as shown in FIG. 6A, and is adhered by the cutter knife 6 from the cover sheet 4 side to the adhesive sheet 3 side. The reaction force N 1 from the cover sheet 4 due to the reaction of the pushing force N 2 pushing up the semiconductor laser crystal substrate 1 via the sheet 3 is dispersed over the entire surface of the warped semiconductor laser crystal substrate 1 portion. because they act, the force acting on the semiconductor laser crystallisation point of the substrate 1 C becomes significantly smaller than the drag N 1, dynamic moment is reduced. For this reason, in order to obtain a mechanical moment for cleaving the semiconductor laser crystal substrate 1, a large drag is required. become. Since the pushing force N 2 of the semiconductor laser crystal substrate 1 by the cutter knife 6 is substantially proportional to the pushing amount, the mechanical force acting on the semiconductor laser crystal substrate 1 by increasing the pushing amount of the semiconductor laser crystal substrate 1. The moment can be increased. The cleavage separation from the semiconductor laser crystal substrate 1
Until the semiconductor laser crystal substrate is cleaved, the amount of pushing up the semiconductor laser crystal substrate 1 by the cutter knife 6 is increased. Thus, a semiconductor laser bar cleaved from the semiconductor laser crystal substrate 1 is obtained.
【０００９】ところで、図６（Ｂ）に示すように、カバ
ーシート４から半導体レーザ結晶基板１への抗力Ｎ
1は、半導体レーザ結晶基板１の面全体に渡って作用す
るようになるので、カッターナイフ６が接する作用点Ｄ
とスクライブ傷２を結ぶ方向、即ち、せん断方向Ｑに作
用する。半導体レーザ結晶基板１をせん断する力、即ち
せん断力の大きさは、半導体レーザ結晶基板１の厚さに
比例するので、半導体レーザ結晶基板１の厚さが厚いほ
ど大きな力が必要となる。一般的に、劈開方向Ｐが半導
体レーザ結晶基板１に垂直方向であるのに対して、せん
断方向Ｑは、せん断力の加わった方向に作用するので、
劈開方向Ｐとせん断方向Ｑは交差することになる。By the way, as shown in FIG. 6B, the drag N from the cover sheet 4 to the semiconductor laser crystal substrate 1 is increased.
1 acts on the entire surface of the semiconductor laser crystal substrate 1, so that the action point D where the cutter knife 6 contacts
In the shearing direction Q. Since the force for shearing the semiconductor laser crystal substrate 1, that is, the magnitude of the shearing force is proportional to the thickness of the semiconductor laser crystal substrate 1, the larger the thickness of the semiconductor laser crystal substrate 1, the larger the force is required. In general, the cleavage direction P is perpendicular to the semiconductor laser crystal substrate 1, while the shear direction Q acts in the direction to which a shear force is applied.
The cleavage direction P and the shear direction Q intersect.
【００１０】このように、カバーシート４から半導体レ
ーザ結晶基板１への抗力Ｎ1が半導体レーザ結晶基板１
の面に作用している条件のもとで、半導体レーザ結晶基
板１の劈開を行う場合、初期段階では、図６（Ｂ）に示
すように、半導体レーザ結晶基板１は十分な厚さを有し
ているので、抗力Ｎ1は、半導体レーザ結晶基板１をせ
ん断する力をいないため、半導体レーザ結晶基板１は、
抗力Ｎ1の作用によってはせん断方向Ｑにせん断され
ず、劈開方向Ｐ方向に沿って劈開される。図６（Ｃ）に
示すように、半導体レーザ結晶基板１の劈開が進んだ後
期では、半導体レーザ結晶基板１の厚さが薄くなるの
で、カバーシート４から半導体レーザ結晶基板１への抗
力Ｎ1は、せん断力に等しくなるため、半導体レーザ結
晶基板１は、せん断方向Ｑ方向にせん断されることにな
る。As described above, the drag N 1 from the cover sheet 4 to the semiconductor laser crystal substrate 1 is reduced.
In the initial stage, when the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved under the conditions acting on the surface of the semiconductor laser crystal substrate 1, the semiconductor laser crystal substrate 1 has a sufficient thickness, as shown in FIG. Since the drag N 1 has no force to shear the semiconductor laser crystal substrate 1, the semiconductor laser crystal substrate 1
Depending action of drag N 1 without being sheared shear direction Q, it is cleaved along the cleavage direction P direction. As shown in FIG. 6C, in the latter stage of the cleavage of the semiconductor laser crystal substrate 1, the thickness of the semiconductor laser crystal substrate 1 becomes thin, so that the drag N 1 from the cover sheet 4 to the semiconductor laser crystal substrate 1. Is equal to the shearing force, the semiconductor laser crystal substrate 1 is sheared in the shearing direction Q.
【００１１】劈開方向Ｐは、結晶方位に沿った割れ易い
方向であるのに対して、せん断方向Ｑは、劈開方向Ｐと
一致しない方向であるので、このせん断力により劈開分
離された半導体レーザ結晶基板１の側面は、欠けやひび
割れ等の劈開不良を生じることになる。図５に示す半導
体レーザバー１３は、このようにして半導体レーザ結晶
基板１から劈開分離されたものであり、この半導体レー
ザバーから作製された半導体レーザ素子には、半導体レ
ーザ素子中に転位や結晶欠陥が生じ、半導体レーザ素子
の信頼性を低下させる原因となる。又、このように劈開
不良を生じた半導体レーザ素子では、設計通りの半導体
レーザ特性が得られず、半導体レーザ素子の動作におけ
る発振しきい値が上昇してしまうといった問題を生じて
いた。The cleavage direction P is a direction that is easily broken along the crystal orientation, whereas the shear direction Q is a direction that does not coincide with the cleavage direction P. Therefore, the semiconductor laser crystal cleaved and separated by this shear force. On the side surface of the substrate 1, cleavage failure such as chipping or cracking occurs. The semiconductor laser bar 13 shown in FIG. 5 is cleaved and separated from the semiconductor laser crystal substrate 1 in this manner. The semiconductor laser device manufactured from this semiconductor laser bar has dislocations and crystal defects in the semiconductor laser device. This causes a reduction in the reliability of the semiconductor laser device. Further, in the semiconductor laser device having such a cleavage failure, a semiconductor laser characteristic as designed cannot be obtained, and there has been a problem that the oscillation threshold value in the operation of the semiconductor laser device increases.
【００１２】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、半導体レーザ結晶基板
から半導体レーザバーを作製する際の劈開不良のない半
導体レーザ基板劈開装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor laser substrate cleaving apparatus free from cleavage failure when a semiconductor laser bar is manufactured from a semiconductor laser crystal substrate. With the goal.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ基
板劈開装置による第１の発明は、少なくとも、劈開方向
に沿って傷部が形成された半導体レーザ基板を取り付け
る取付部材と、前記半導体レーザ基板の上部を覆うカバ
ー部材と、前記取付部材及び前記カバー部材を保持する
ためのホルダと、前記取付部材の下方に配置され、この
取付部材に取り付けられる前記半導体レーザ基板の突き
上げる突き上げ部材とを備えた半導体レーザ基板劈開装
置において、前記カバー部材の上方に保持されるよう
に、その一端が前記ホルダに保持される板状部材を有
し、前記突き上げ部材により前記半導体レーザ基板を突
き上げた際、前記板状部材からの反作用によって前記半
導体レーザ基板を前記傷部から劈開することを特徴とす
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser substrate cleaving apparatus, comprising: a mounting member for mounting a semiconductor laser substrate having at least a flaw formed along a cleavage direction; A cover member that covers an upper portion of the semiconductor laser substrate, a holder for holding the mounting member and the cover member, and a push-up member that is disposed below the mounting member and that pushes up the semiconductor laser substrate that is mounted on the mounting member. In the semiconductor laser substrate cleaving apparatus, one end of the semiconductor laser substrate cleaving device has a plate-shaped member held by the holder so as to be held above the cover member. The semiconductor laser substrate is cleaved from the flaw by a reaction from the shaped member.
【００１４】第２の発明は、少なくとも、劈開方向に沿
って傷部が形成された半導体レーザ基板を貼り付ける粘
着部材と、前記粘着部材を保持するためのホルダと、前
記粘着部材の下方に配置され、前記粘着部材に粘着され
る前記半導体レーザ基板を突き上げる突き上げ部材と、
前記半導体レ−ザ基板の上方に保持されるようにその一
端が前記ホルダに保持される板状部材とを有し、前記突
き上げ部材により前記半導体レーザ基板を突き上げた
際、前記突き上げ部材の作用によって生じる前記板状部
材からの反作用によって前記半導体レーザ基板を前記傷
部から劈開することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided an adhesive member for attaching a semiconductor laser substrate having at least a scratch formed along a cleavage direction, a holder for holding the adhesive member, and an adhesive member disposed below the adhesive member. A push-up member that pushes up the semiconductor laser substrate adhered to the adhesive member,
A plate-like member having one end held by the holder so as to be held above the semiconductor laser substrate, and when the semiconductor laser substrate is pushed up by the push-up member, the semiconductor laser substrate is actuated by the action of the push-up member. The semiconductor laser substrate is cleaved from the flaw by a reaction generated from the plate member.
【００１５】第３の発明は、請求項１記載の半導体レー
ザ基板劈開装置において、前記カバー部材は、伸縮自在
の材料からなることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser substrate cleaving apparatus according to the first aspect, the cover member is made of a stretchable material.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明の第１実施例について図１
を用いて説明する。図１は、本発明における半導体レー
ザ基板劈開装置を用いて半導体レーザ結晶基板を劈開す
る工程を示す断面図である。従来例と同一構成には同一
符号を用い、その説明を省略する。FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
This will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view showing a step of cleaving a semiconductor laser crystal substrate using the semiconductor laser substrate cleaving apparatus according to the present invention. The same components as those of the conventional example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００１７】本発明の半導体レーザバーの作製に用いる
半導体レ−ザ基板劈開装置は、従来例の半導体レ−ザ基
板劈開装置のホルダーの間に半導体レーザ結晶基板１を
覆う形状を有する板バネ５を挿入したものである。A semiconductor laser substrate cleaving apparatus used for manufacturing a semiconductor laser bar according to the present invention comprises a leaf spring 5 having a shape covering the semiconductor laser crystal substrate 1 between holders of a conventional semiconductor laser substrate cleaving apparatus. It has been inserted.
【００１８】まず初めに、本発明の第１実施例における
半導体レ−ザ基板劈開装置の構成について説明する。半
導体基板１ａ上に形成された半導体レーザ結晶１ｂを有
する半導体レーザ結晶基板１の半導体基板１ａ側には、
スクライブ傷２が等間隔に形成され、この半導体レーザ
結晶基板１は、半導体レーザ結晶１ｂ側を粘着シート３
に対向配置させ、粘着シート３上に貼り付けられてい
る。このスクライブ傷２は、半導体レーザ結晶基板１の
劈開方向と平行になるように形成されている。半導体レ
ーザ結晶基板１及び粘着シート３は、粘着シート３より
やや小さい形状のカバーシート４で覆われている。即
ち、半導体レーザ結晶基板１は、粘着シート３とカバー
シート４の間に挟まれている。更に、粘着シート３の外
形とほぼ等しく、かつ半導体レーザ結晶基板１の形状よ
りも大きい開口部７ｃを有するホルダー７ａが、粘着シ
ート３とカバーシート４によって挟まれた半導体レーザ
結晶基板１の上に載置されている。この際、ホルダー７
の周辺部はカバーシート４が載置された以外の露出した
粘着シート部分３ａと接着するので、粘着シート３とカ
バーシート４に挟まれた半導体レーザ結晶基板１とホル
ダー７ａは、一体化されることになる。粘着シート３と
カバーシート４に挟まれた半導体レーザ結晶基板１と一
体化したホルダー７ａは、開口部８ａを有し、かつホル
ダー７ａを収容可能な収容部８ｂを有したホルダー固定
台８上に載置されている。更に、ホルダ７ａ上には、ホ
ルダ７ａと同形状のホルダ７ｂが弾性を有する板バネ５
を介して載置されている。板バネ５は、板バネ５の固定
位置から半導体レーザ結晶基板１を十分に覆うことがで
きる形状にしてある。板バネ５の材料としては、後述す
るカッターナイフ６で粘着シート３を突き上げた時に半
導体レーザ結晶基板１を傷つけない硬さや弾性変形しに
くいのものが好ましい。このため、板バネ５の材料とし
ては、例えば、塩化ビニルやプラスチックがある。又、
カバーシート４は、半導体レーザ結晶基板１に塑性変形
を与えないようにするために、伸縮自在の材料であるこ
とが好ましい。このため、カバーシート４の材料として
は、例えば、シリコンゴムやサランラップがある。First, the configuration of the semiconductor laser substrate cleavage apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. On the semiconductor substrate 1a side of the semiconductor laser crystal substrate 1 having the semiconductor laser crystal 1b formed on the semiconductor substrate 1a,
The scribed scratches 2 are formed at equal intervals, and the semiconductor laser crystal substrate 1
And is stuck on the adhesive sheet 3. The scribe flaw 2 is formed so as to be parallel to the cleavage direction of the semiconductor laser crystal substrate 1. The semiconductor laser crystal substrate 1 and the adhesive sheet 3 are covered with a cover sheet 4 having a slightly smaller shape than the adhesive sheet 3. That is, the semiconductor laser crystal substrate 1 is sandwiched between the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4. Further, a holder 7a having an opening 7c substantially equal to the outer shape of the adhesive sheet 3 and larger than the shape of the semiconductor laser crystal substrate 1 is placed on the semiconductor laser crystal substrate 1 sandwiched between the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4. It is placed. At this time, the holder 7
Is adhered to the exposed adhesive sheet portion 3a other than the one on which the cover sheet 4 is placed, so that the semiconductor laser crystal substrate 1 and the holder 7a sandwiched between the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4 are integrated. Will be. The holder 7a integrated with the semiconductor laser crystal substrate 1 sandwiched between the adhesive sheet 3 and the cover sheet 4 has an opening 8a and is mounted on a holder fixing base 8 having an accommodating portion 8b capable of accommodating the holder 7a. It is placed. Further, a holder 7b having the same shape as the holder 7a is provided on the holder 7a.
Is placed via. The leaf spring 5 is shaped so as to sufficiently cover the semiconductor laser crystal substrate 1 from the position where the leaf spring 5 is fixed. The material of the leaf spring 5 is preferably a material that does not damage the semiconductor laser crystal substrate 1 when the adhesive sheet 3 is pushed up by a cutter knife 6 described later and that is not easily elastically deformed. For this reason, examples of the material of the leaf spring 5 include vinyl chloride and plastic. or,
The cover sheet 4 is preferably made of a stretchable material so as not to give plastic deformation to the semiconductor laser crystal substrate 1. For this reason, the material of the cover sheet 4 includes, for example, silicon rubber and Saran wrap.
【００１９】又、ホルダー７ｂ及びホルダー固定台８上
には、ホルダー押え９が配置され、ホルダー押え９側
は、ホルダー固定台８にネジ１０によって止めされてい
る。A holder holder 9 is disposed on the holder 7b and the holder holder 8, and the holder holder 9 is fixed to the holder holder 8 with screws 10.
【００２０】粘着シート３を介して、半導体レーザ結晶
基板１と反対側即ち、粘着シート３の下方には、半導体
レーザ結晶基板１よりもやや長い帯板状の刃を有するカ
ッターナイフ６が半導体レーザ結晶基板１の劈開方向に
平行かつ、スクライブ傷２に対向して配置されている。
なお、このカッターナイフ６は、カッターナイフ固定具
１１に固定されている（図１（Ａ））。On the opposite side of the semiconductor laser crystal substrate 1 via the adhesive sheet 3, that is, below the adhesive sheet 3, a cutter knife 6 having a band-shaped blade slightly longer than the semiconductor laser crystal substrate 1 is provided with a semiconductor laser. It is arranged parallel to the cleavage direction of the crystal substrate 1 and opposed to the scribe flaw 2.
The cutter knife 6 is fixed to a cutter knife fixture 11 (FIG. 1A).
【００２１】次に、本発明の第１実施例の半導体レーザ
基板劈開装置の動作について説明する。粘着シート３を
介してスクライブ傷２に対向配置したカッターナイフ６
を移動する。次に、図１（Ａ）に示すように、このカッ
ターナイフ６を粘着シート３側から半導体レーザ結晶基
板１を上方に突き上げることによって、スクライブ傷２
を基準として、半導体レーザ結晶基板１をスクライブ傷
２に沿って劈開分離する。更に、カッターナイフ６を順
次スクライブ傷２に対向配置して、同様の操作を行っ
て、半導体レーザ結晶基板１の劈開を行う。Next, the operation of the semiconductor laser substrate cleaving apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. Cutter knife 6 arranged opposite scribing scratch 2 via adhesive sheet 3
To move. Next, as shown in FIG. 1 (A), this cutter knife 6 pushes up the semiconductor laser crystal substrate 1 from the side of the adhesive sheet 3 so that the scribe scratches 2 are formed.
The semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved and separated along the scribe flaws 2 with reference to. Further, the cutter knife 6 is sequentially arranged to face the scribed scratch 2, and the same operation is performed to cleave the semiconductor laser crystal substrate 1.
【００２２】次に、本発明の第１実施例の半導体レーザ
結晶基板劈開装置を用いて半導体レーザバーを作製する
方法について説明する。まず、図１（Ａ）に示すよう
に、粘着シート３を介してスクライブ傷２にカッターナ
イフ６を対向配置する。次に、図１（Ｂ）に示すよう
に、このカッターナイフ６により粘着シート３側からカ
バーシート４の方向に突き上げる。粘着シート３を介し
てカッタ−ナイフ６と接する半導体レーザ結晶基板１の
位置が、カッターナイフ６による突き上げ力Ｎ2が作用
する作用点Ｂとなる。この際、カバーシート４を介し
て、板バネ５と半導体レーザ結晶基板１の位置が突き上
げ力Ｎ2の反作用で生じる抗力Ｎ1が作用する作用点Ａと
なる。Next, a method of manufacturing a semiconductor laser bar using the semiconductor laser crystal substrate cleavage apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. First, as shown in FIG. 1A, a cutter knife 6 is arranged to face the scribe scratch 2 via the adhesive sheet 3. Next, as shown in FIG. 1B, the cutter knife 6 pushes up the adhesive sheet 3 in the direction of the cover sheet 4. Cutter through the adhesive sheet 3 - position of the semiconductor laser crystal substrate 1 in contact with the knife 6, the action point B which acts push-up force N 2 by the cutter knife 6. At this time, through the cover sheet 4, drag N 1 is the point A to effects caused by reaction of the push-up force N 2 position of the plate spring 5 and the semiconductor laser crystal substrate 1.
【００２３】このようにして、半導体レーザ結晶基板１
が板バネに押し付けられて固定されると、抗力Ｎ1は板
バネ５とカバーシート４を介して半導体レーザ結晶基板
１の作用点Ａに加わることになるので、この抗力Ｎ1の
作用する作用点Ａとカッターナイフ６による突き上げ力
Ｎ2が作用する作用点Ｂとの長さの積の力学的モーメン
トにより、半導体レーザ結晶基板１が、スクライブ傷２
に沿って劈開されることになる。この後、図１（Ｃ）に
示すように、カッターナイフ６を粘着シート３を介して
順次スクライブ傷２に移動して、同様な操作を繰り返
し、半導体レーザ結晶基板１の劈開を行う。この際、抗
力Ｎ1は、半導体レーザ結晶基板１のみに作用し、カバ
ーシート４に覆われた半導体レーザ結晶基板１の面には
加えられないので、半導体レーザ結晶基板１は弾性変形
を生じないのである。即ち、この半導体レーザ結晶基板
１の面に加えられるせん断力は、非常に小さく抑えるこ
とができる。このため、半導体レーザ結晶基板１は、剛
体と同様にみなすことができるので、この半導体レーザ
結晶基板１から得られた半導体レーザバーは、欠けやひ
び割れのない共振器面を有する形状となる。As described above, the semiconductor laser crystal substrate 1
There Once secured pressed against the leaf spring, the drag N 1 will be applied to the semiconductor laser crystallisation point of the substrate 1 A via the plate spring 5 and the cover sheet 4, the effect of the action of the drag N 1 Due to the mechanical moment of the product of the length of the point A and the point of action B where the pushing force N 2 by the cutter knife 6 acts, the semiconductor laser crystal substrate 1
Will be cleaved along. Thereafter, as shown in FIG. 1C, the cutter knife 6 is sequentially moved to the scribed scratches 2 via the adhesive sheet 3, and the same operation is repeated to cleave the semiconductor laser crystal substrate 1. At this time, the drag N 1 acts only on the semiconductor laser crystal substrate 1 and is not applied to the surface of the semiconductor laser crystal substrate 1 covered with the cover sheet 4, so that the semiconductor laser crystal substrate 1 does not undergo elastic deformation. It is. That is, the shearing force applied to the surface of the semiconductor laser crystal substrate 1 can be kept very small. For this reason, the semiconductor laser crystal substrate 1 can be regarded as a rigid body, and the semiconductor laser bar obtained from the semiconductor laser crystal substrate 1 has a resonator surface without chipping or cracking.
【００２４】又、劈開方向への力は結晶が割れやすい方
向であるので、わずかな力の作用で割ることができるた
め、カッターナイフ６による半導体レーザ結晶基板１の
突き上げ量を最小限に押さえることができる。このた
め、粘着シート３の伸びが抑制されるので、半導体レー
ザ結晶基板１に形成したスクライブ傷２とカッターナイ
フ６の位置決めを最後まで正確に行うことができる。更
に、半導体レーザ結晶基板１を劈開する都度、カッター
ナイフ６とスクライブ傷２の位置合わせを行う必要がな
くなるので、作業効率が向上する。Further, since the force in the cleavage direction is a direction in which the crystal is easily broken, it can be divided by the action of a slight force. Therefore, the amount of pushing up of the semiconductor laser crystal substrate 1 by the cutter knife 6 is minimized. Can be. For this reason, the elongation of the adhesive sheet 3 is suppressed, so that the positioning of the scribe flaw 2 formed on the semiconductor laser crystal substrate 1 and the cutter knife 6 can be accurately performed to the end. Further, each time the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved, it is not necessary to align the cutter knife 6 with the scribed scratch 2, so that the working efficiency is improved.
【００２５】次に、本発明の第２実施例を図２を用いて
説明する。本発明の第２実施例は図１で示した第１実施
例のカバーシート４を半導体レーザ結晶基板１上から除
去したものである。従来例及び第１実施例と同一構成に
は同一符号を用い、その説明を省略する。図２（Ａ）に
示すように、粘着シート３を介してスクライブ傷２にカ
ッターナイフ６対向配置する。次に、図２（Ｂ）に示す
ように、このカッターナイフ６により粘着シート３側か
らカバーシート４の方向に突き上げる。この際、粘着シ
−ト３を介して、カッターナイフ６が、半導体レ−ザ結
晶基板１と接した位置Ｂが突き上げ力Ｎ2が作用する作
用点Ｂとなる。また、板バネ５が、半導体レ−ザ結晶基
板１と接した位置Ａが突き上げ力Ｎ2の反作用で生じる
抗力Ｎ1が作用する作用点Ａとなる。本発明の第１実施
例のようにカバーシート４がないので、カッターナイフ
６により粘着シート３を介して、半導体レーザ結晶基板
１を突き上げた際に、半導体レーザ結晶基板１は、板バ
ネ５と直接、接することになる。このため、本発明の第
１実施例で用いたカバーシート４からの半導体レーザ結
晶基板１への作用する抗力がないので、板バネ５と半導
体レーザ結晶基板１の接した点にだけ作用することにな
り、劈開分離される半導体レーザ結晶基板１１の面には
せん断力が作用しないため、更に、劈開不良がない良好
な半導体レーザバーを得ることができる。この場合、カ
ッターナイフ６により半導体レーザ結晶基板１が突き上
げられた際に、半導体レーザ結晶基板１が粘着シート３
にしっかり固定されるように、粘着シート３は強い粘着
力を有する材料が必要となる。この粘着シート材料とし
ては、例えば、紫外線硬化型シートがある。以上のよう
に、半導体レーザ結晶基板１から欠けやひび割れが大幅
に低減された良好な半導体レーザバーが得られ、その製
造歩留まりを向上させることができる。また、半導体レ
ーザ結晶基板１を劈開する都度、カッターナイフ６とス
クライブ傷２の位置合せを行う必要がなくなり、作業効
率を向上させることができる。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment of the present invention, the cover sheet 4 of the first embodiment shown in FIG. 1 is removed from the semiconductor laser crystal substrate 1. The same components as those of the conventional example and the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. As shown in FIG. 2A, the cutter knife 6 is arranged on the scribed scratch 2 via the adhesive sheet 3. Next, as shown in FIG. 2B, the cutter knife 6 pushes up the cover sheet 4 from the adhesive sheet 3 side. At this time, the adhesive sheet - via preparative 3, the cutter knife 6, semiconductor laser - The crystal substrate 1 and the position B push-up force N 2 in contact becomes the point B acting. Further, the plate spring 5, semiconductor laser - drag N 1 caused by the reaction of The crystal substrate 1 and the position A push-up force N 2 in contact becomes the point A to act. Since there is no cover sheet 4 as in the first embodiment of the present invention, when the semiconductor laser crystal substrate 1 is pushed up by the cutter knife 6 via the adhesive sheet 3, the semiconductor laser crystal substrate 1 You will be in direct contact. Therefore, since there is no drag acting on the semiconductor laser crystal substrate 1 from the cover sheet 4 used in the first embodiment of the present invention, it acts only on the contact point between the leaf spring 5 and the semiconductor laser crystal substrate 1. Since no shearing force acts on the surface of the semiconductor laser crystal substrate 11 that is cleaved and separated, it is possible to obtain a good semiconductor laser bar having no cleavage failure. In this case, when the semiconductor laser crystal substrate 1 is pushed up by the cutter knife 6, the semiconductor laser crystal substrate 1
The adhesive sheet 3 needs a material having a strong adhesive force so that the adhesive sheet 3 is firmly fixed. As this adhesive sheet material, for example, there is an ultraviolet curable sheet. As described above, a good semiconductor laser bar in which chipping and cracking are significantly reduced from the semiconductor laser crystal substrate 1 can be obtained, and the production yield thereof can be improved. Further, each time the semiconductor laser crystal substrate 1 is cleaved, there is no need to align the cutter knife 6 and the scribed scratch 2, and the working efficiency can be improved.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明の半導体レーザ基板劈開装置によ
れば、突き上げ部材により、半導体レーザ基板を突き上
げた際、板状部材からの作用によって前記半導体レーザ
基板を劈開するので、前記半導体レーザ基板から劈開し
て得られた半導体レーザバーは、欠けやひび割れが大幅
に減少させた劈開を行うことができる。又、前記半導体
レーザ基板は劈開方向に劈開されるので、非常に小さい
力の作用で割ることができるため、突き上げ部材による
粘着部材の突き上げ量を最小限に押さえることができ
る。この結果、粘着部材の伸びが抑制されるので、前記
半導体レーザ基板に形成した傷部と突き上げ部材の位置
決めを正確に行うことができる。この結果、前記半導体
レーザ基板を劈開する作業効率及び前記半導体レーザバ
ーの製造歩留まりを向上させることができる。According to the semiconductor laser substrate cleaving apparatus of the present invention, when the semiconductor laser substrate is pushed up by the push-up member, the semiconductor laser substrate is cleaved by the action of the plate-like member. The semiconductor laser bar obtained by cleavage can be cleaved with chipping and cracking significantly reduced. Further, since the semiconductor laser substrate is cleaved in the cleavage direction, the semiconductor laser substrate can be split by the action of a very small force, so that the pushing-up amount of the adhesive member by the pushing-up member can be minimized. As a result, since the elongation of the adhesive member is suppressed, it is possible to accurately position the flaw and the push-up member formed on the semiconductor laser substrate. As a result, the working efficiency of cleaving the semiconductor laser substrate and the production yield of the semiconductor laser bar can be improved.
【図１】本発明の第１実施例の半導体レーザ基板劈開装
置を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor laser substrate cleavage apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２実施例の半導体レーザ基板劈開装
置を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a semiconductor laser substrate cleaving apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図３】粘着シートとカバーシートの間に設けられた半
導体レーザ結晶基板を示す図である。FIG. 3 is a view showing a semiconductor laser crystal substrate provided between an adhesive sheet and a cover sheet.
【図４】従来の半導体レーザ基板劈開装置を示す断面図
である。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional semiconductor laser substrate cleavage apparatus.
【図５】従来の半導体レーザバーを示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a conventional semiconductor laser bar.
【図６】従来の半導体レーザ結晶基板が劈開される過程
を示す図である。FIG. 6 is a view showing a process in which a conventional semiconductor laser crystal substrate is cleaved.
【図７】半導体レーザ結晶基板が剛体である場合の導体
レーザ結晶基板が劈開される過程を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a process of cleaving a conductor laser crystal substrate when the semiconductor laser crystal substrate is a rigid body.
１…半導体レーザ結晶基板、１ａ…半導体基板、１ｂ…
半導体レーザ結晶、２…スクライブ傷、３…粘着シー
ト、３ａ…粘着シート露出部、４…カバーシート、５…
板バネ、６…カッターナイフ、７ａ、７ｂ、１２…ホル
ダ、８…ホルダ固定台、８ａ…開口部、８ｂ…収納部、
９…ホルダ押え、１０…ネジ、１１…カッターナイフ固
定具、１３…半導体レーザバー、１３ａ…稜線部分、１
３ｂ…共振器面DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser crystal substrate, 1a ... Semiconductor substrate, 1b ...
Semiconductor laser crystal, 2 ... scribed scratch, 3 ... adhesive sheet, 3a ... adhesive sheet exposed part, 4 ... cover sheet, 5 ...
Leaf spring, 6 ... Cutter knife, 7a, 7b, 12 ... Holder, 8 ... Holder holder, 8a ... Opening, 8b ... Storage part,
9: Holder holder, 10: Screw, 11: Cutter knife fixture, 13: Semiconductor laser bar, 13a: Ridge part, 1
3b: Resonator surface
Claims (3)
された半導体レーザ基板を取り付ける取付部材と、前記
半導体レーザ基板の上部を覆うカバー部材と、前記取付
部材及び前記カバー部材を保持するためのホルダと、前
記取付部材の下方に配置され、この取付部材に取り付け
られる前記半導体レーザ基板の突き上げる突き上げ部材
とを備えた半導体レーザ基板劈開装置において、前記カ
バー部材の上方に保持されるように、その一端が前記ホ
ルダに保持される板状部材を有し、前記突き上げ部材に
より前記半導体レーザ基板を突き上げた際、前記板状部
材からの反作用によって前記半導体レーザ基板を前記傷
部から劈開することを特徴とする半導体レーザ基板劈開
装置。At least a mounting member for mounting a semiconductor laser substrate having a scratch formed along a cleavage direction, a cover member for covering an upper portion of the semiconductor laser substrate, and a holding member for holding the mounting member and the cover member In a semiconductor laser substrate cleaving device comprising a holder and a push-up member that pushes up the semiconductor laser substrate, which is disposed below the attachment member and is attached to the attachment member, so as to be held above the cover member. One end of the semiconductor laser substrate has a plate-like member held by the holder, and when the semiconductor laser substrate is pushed up by the pushing-up member, the semiconductor laser substrate is cleaved from the flaw by a reaction from the plate-like member. Characteristic semiconductor laser substrate cleavage device.
された半導体レーザ基板を貼り付ける粘着部材と、前記
粘着部材を保持するためのホルダと、前記粘着部材の下
方に配置され、前記粘着部材に粘着される前記半導体レ
ーザ基板を突き上げる突き上げ部材と、前記半導体レ−
ザ基板の上方に保持されるようにその一端が前記ホルダ
に保持される板状部材とを有し、前記突き上げ部材によ
り前記半導体レーザ基板を突き上げた際、前記突き上げ
部材の作用によって生じる前記板状部材からの反作用に
よって前記半導体レーザ基板を前記傷部から劈開するこ
とを特徴とする半導体レーザ基板劈開装置。2. An adhesive member for attaching a semiconductor laser substrate having at least a flaw formed along a cleavage direction, a holder for holding the adhesive member, and an adhesive member disposed below the adhesive member. A push-up member that pushes up the semiconductor laser substrate adhered to a member;
A plate-like member, one end of which is held by the holder so as to be held above the substrate; and when the semiconductor laser substrate is pushed up by the push-up member, the plate-like member generated by the action of the push-up member. An apparatus for cleaving a semiconductor laser substrate, wherein the semiconductor laser substrate is cleaved from the flaw by a reaction from a member.
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ基板劈
開装置。3. An apparatus according to claim 1, wherein said cover member is made of an elastic material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34432197A JPH11162891A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Semiconductor laser substrate cleaving equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34432197A JPH11162891A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Semiconductor laser substrate cleaving equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162891A true JPH11162891A (en) | 1999-06-18 |
Family
ID=18368343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34432197A Pending JPH11162891A (en) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | Semiconductor laser substrate cleaving equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162891A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243804A (en) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dividing device for plate-like body |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP34432197A patent/JPH11162891A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243804A (en) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dividing device for plate-like body |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0363548B1 (en) | Method of breaking a plate-like workpiece such as a semi-conductor wafer, and device for breaking said workpiece sandwiched between two foils | |
| JP2003161935A (en) | Device for bonding polarizing plate | |
| JPH0611071B2 (en) | Method for dividing compound semiconductor substrate | |
| JPH11162891A (en) | Semiconductor laser substrate cleaving equipment | |
| US6488021B1 (en) | Method and apparatus for producing semiconductor element | |
| JP3461449B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US6247625B1 (en) | Anvil pad configuration for laser cleaving | |
| JPH11251266A (en) | Pressure sensitive adhesive sheet | |
| JPH11274653A (en) | Method for cleaving semiconductor laser substrate | |
| JPH0447459B2 (en) | ||
| JPS58138050A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP7340838B2 (en) | Wafer breaking method and breaking device | |
| JPH11251267A (en) | Cleavage method for semiconductor laser substrate | |
| JPS62193800A (en) | Method and device for parting tabular material | |
| JP2002184723A (en) | Semiconductor manufacturing method and apparatus | |
| TWI842825B (en) | Wafer Breaking Method | |
| JP2000150426A (en) | Manufacture of piezoelectric vibrator element | |
| JP2000223444A (en) | Manufacture of semiconductor | |
| JPH0786687A (en) | Semiconductor laser device and manufacture thereof and semiconductor laser wafer | |
| JPH0750811B2 (en) | Cleaving method of semiconductor laser | |
| JPH07114303B2 (en) | Method for separating semiconductor crystal | |
| CN112809947B (en) | Method for dividing bonded substrate and method for dividing stress substrate | |
| JP2001094194A (en) | Treatment method for end surface of semiconductor laser element and jig used for the same | |
| JP2003133258A (en) | Wafer cleavage tool | |
| JP2001257180A (en) | Method and device for cleaving material substrate |