JP2002184723A - Semiconductor manufacturing method and apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハをバ
ー形状にへき開する半導体製造方法および半導体製造装
置に関する。The present invention relates to a semiconductor manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体の製造工程において、半導体ウェ
ハをへき開によって切断し、バー形状の半導体素子を作
製する工程がある。図４に、従来のへき開工程の様子を
示す。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, there is a process of cutting a semiconductor wafer by cleavage to produce a bar-shaped semiconductor element. FIG. 4 shows a state of a conventional cleavage process.
【０００３】へき開工程に用いられる半導体ウェハ２
は、例えば半導体レーザ用でＧａＡｓ等によってなり、
表面に活性層やクラッド層等の結晶成長がなされ、さら
に蒸着によりストライプ電極が形成されている。また、
この電極形成面の隅の方に、へき開位置に対応する複数
のケガキ線が、ストライプ電極に垂直な方向に平行に設
けられている。このケガキ線は、例えばダイアモンドカ
ッタ等によってごく浅く切削されて形成される。図４に
示すへき開工程において、このような半導体ウェハ２
は、ゴム等の弾性を有する材料で構成されるステージ４
１上に、ケガキ線を下にして載置され、粘着シート４２
によって上面全体が覆われて貼り付けられる。また、粘
着シート４２の端部はステージ４１上に貼り付けられ、
これにより半導体ウェハ２が固定される。[0003] Semiconductor wafer 2 used in the cleavage process
Is made of GaAs or the like for a semiconductor laser, for example.
Crystals such as an active layer and a clad layer are grown on the surface, and stripe electrodes are formed by vapor deposition. Also,
A plurality of marking lines corresponding to the cleavage positions are provided parallel to a direction perpendicular to the stripe electrodes in the corner of the electrode forming surface. This marking line is formed by being cut very shallowly by, for example, a diamond cutter or the like. In the cleavage step shown in FIG.
Is a stage 4 made of an elastic material such as rubber.
1 on the adhesive sheet 42 with the marking line down.
The whole top surface is covered with and pasted. Also, the end of the adhesive sheet 42 is stuck on the stage 41,
Thereby, the semiconductor wafer 2 is fixed.
【０００４】この状態より、円柱状のローラ４３が下降
し、半導体ウェハ２の上面を０．３〜１．２ｋｇ／ｃｍ
2程度の圧力で押しながら、回転して左右に移動する。
半導体ウェハ２は、ローラ４３の圧力により、弾性を有
するステージ４１の上面にわずかに沈み込み、これと同
時に下面に設けられたケガキ線の部分が開く。これによ
って、半導体ウェハ２は結晶方向に沿って切断され、へ
き開面が鏡面状となったバー形状の半導体ウェハ２が形
成される。この後、へき開面には保護膜あるいは反射率
制御膜がコーティングされ、さらに長手方向を短くへき
開されることによって、半導体チップの状態となる。[0004] From this state, the cylindrical roller 43 descends to bring the upper surface of the semiconductor wafer 2 to 0.3 to 1.2 kg / cm.
While pressing with about 2 pressures, rotate and move left and right.
The semiconductor wafer 2 slightly sinks on the upper surface of the elastic stage 41 due to the pressure of the roller 43, and at the same time, the marking line portion provided on the lower surface opens. As a result, the semiconductor wafer 2 is cut along the crystal direction, and the bar-shaped semiconductor wafer 2 having a cleaved mirror surface is formed. After that, the cleaved surface is coated with a protective film or a reflectance control film, and further cleaved in the longitudinal direction to obtain a semiconductor chip.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のへき開方法では、半導体ウェハ２上をローラ４３
が通過した後や、この後に粘着シート４２から半導体ウ
ェハ２を取り外す際に、へき開面どうしが接触して擦れ
合い、割れや欠け等が発生して損傷してしまうことがあ
った。特に半導体レーザの場合、へき開面を反射鏡とし
てレーザ共振器を構成するため、このへき開面は原子的
にほぼ平坦な表面を形成することが重要であり、へき開
面の損傷は特に大きな問題であった。However, in the conventional cleavage method as described above, the roller 43 is placed on the semiconductor wafer 2.
When the semiconductor wafer 2 is removed from the pressure-sensitive adhesive sheet 42 after or after passing through, the cleaved surfaces may come into contact with each other and rub against each other, causing breakage or chipping or the like to be damaged. In particular, in the case of a semiconductor laser, it is important to form a substantially flat surface at the cleavage plane because the cleavage plane is used as a reflecting mirror to form a laser resonator. Damage to the cleavage plane is a particularly serious problem. Was.
【０００６】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たものであり、へき開工程においてへき開面の損傷を防
止することが可能な半導体製造方法を提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a semiconductor manufacturing method capable of preventing a cleavage surface from being damaged in a cleavage step.
【０００７】また、本発明の他の目的は、へき開工程に
おいてへき開面の損傷を防止することが可能な半導体製
造装置を提供することである。Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing a cleavage surface from being damaged in a cleavage step.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、半導体ウェハをバー形状にへき開する半
導体製造方法において、両端を固定した粘着性延伸シー
トの粘着面上に、へき開位置に対応するケガキ線が上面
に設けられた前記半導体ウェハを載置する工程と、上部
が曲面状に形成された押圧部材を長手方向が前記ケガキ
線と平行となるように配置し、上昇させて前記半導体ウ
ェハを押し上げる工程と、を具備することを特徴とする
半導体製造方法が提供される。According to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing method for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, comprising the steps of: providing a cleaved position on an adhesive surface of an adhesive stretched sheet having both ends fixed; A step of mounting the semiconductor wafer on which the corresponding marking line is provided on the upper surface, and disposing a pressing member having an upper portion formed into a curved surface so that the longitudinal direction thereof is parallel to the marking line, and raising the same. And a step of pushing up a semiconductor wafer.
【０００９】このような半導体製造方法では、半導体ウ
ェハは粘着性延伸シート上に貼り付けられた状態で、上
部が曲面状に形成された押圧部材によって下方より押し
上げられてへき開され、このとき粘着性延伸シートが延
伸されることによって、切断された半導体ウェハのへき
開面どうしが離れた状態となって接触しない。このた
め、へき開面の損傷が防止される。[0009] In such a semiconductor manufacturing method, the semiconductor wafer is stuck on the stretched adhesive sheet and is cleaved by being pushed up from below by a pressing member having a curved upper surface. When the stretched sheet is stretched, the cleaved surfaces of the cut semiconductor wafer are separated from each other and do not come into contact with each other. Therefore, damage to the cleavage surface is prevented.
【００１０】また、本発明では、半導体ウェハをバー形
状にへき開する半導体製造方法において、両端を固定し
た粘着性延伸シートの粘着面上に、へき開位置に対応す
るケガキ線が上面に設けられた前記半導体ウェハを載置
する工程と、円柱状の回転式ローラを長手方向が前記ケ
ガキ線と平行となるように配置し、上昇させて前記半導
体ウェハを押し上げ、水平方向に移動させる工程と、を
具備することを特徴とする半導体製造方法が提供され
る。Further, according to the present invention, in the semiconductor manufacturing method for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, the marking line corresponding to the cleavage position is provided on the upper surface of the adhesive stretched sheet having both ends fixed. Mounting a semiconductor wafer, and arranging a cylindrical rotary roller such that the longitudinal direction thereof is parallel to the marking line, raising the semiconductor wafer, and moving the semiconductor wafer horizontally. A semiconductor manufacturing method is provided.
【００１１】このような半導体製造方法では、半導体ウ
ェハは粘着性延伸シート上に貼り付けられた状態で、円
柱状の回転式ローラによって下方より押し上げられてへ
き開され、このとき粘着性延伸シートが延伸されること
によって、切断された半導体ウェハのへき開面どうしが
離れた状態となって接触しない。このため、へき開面の
損傷が防止される。[0011] In such a semiconductor manufacturing method, the semiconductor wafer is stuck on the adhesive stretched sheet and pushed up from below by a cylindrical rotary roller to be cleaved. At this time, the adhesive stretched sheet is stretched. As a result, the cleaved surfaces of the cut semiconductor wafer are separated from each other and do not come into contact with each other. Therefore, damage to the cleavage surface is prevented.
【００１２】さらに、本発明では、半導体ウェハをバー
形状にへき開する半導体製造装置において、へき開位置
に対応するケガキ線が上面に設けられた前記半導体ウェ
ハが粘着面上に載置される、両端が固定された粘着性延
伸シートと、上部が曲面状に形成され、長手方向が前記
ケガキ線と平行となるように配置されて前記半導体ウェ
ハを押し上げる押圧手段と、を有することを特徴とする
半導体製造装置が提供される。Further, according to the present invention, in a semiconductor manufacturing apparatus for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, the semiconductor wafer provided with a marking line corresponding to a cleaved position on an upper surface is placed on an adhesive surface. A semiconductor manufacturing device comprising: a fixed adhesive stretched sheet; and pressing means having an upper portion formed into a curved surface and arranged so that a longitudinal direction thereof is parallel to the marking line and pushing up the semiconductor wafer. An apparatus is provided.
【００１３】このような半導体製造装置では、半導体ウ
ェハは粘着性延伸シート上に貼り付けられた状態で、上
部が曲面状に形成された押圧手段によって下方より押し
上げられてへき開され、このとき粘着性延伸シートが延
伸されることによって、切断された半導体ウェハのへき
開面どうしが離れた状態となって接触しない。このた
め、へき開面の損傷が防止される。In such a semiconductor manufacturing apparatus, while the semiconductor wafer is stuck on the adhesive stretched sheet, the upper portion is pushed up from below by a pressing means having a curved surface to be cleaved. When the stretched sheet is stretched, the cleaved surfaces of the cut semiconductor wafer are separated from each other and do not come into contact with each other. Therefore, damage to the cleavage surface is prevented.
【００１４】また、本発明では、半導体ウェハをバー形
状にへき開する半導体製造装置において、へき開位置に
対応するケガキ線が上面に設けられた前記半導体ウェハ
が粘着面上に載置される、両端が固定された粘着性延伸
シートと、長手方向が前記ケガキ線と平行となるように
配置され、上昇して前記半導体ウェハを押し上げ、水平
方向に移動する円柱状の回転式ローラと、を有すること
を特徴とする半導体製造装置が提供される。Further, according to the present invention, in a semiconductor manufacturing apparatus for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, the semiconductor wafer provided with a marking line corresponding to a cleaved position on an upper surface is placed on an adhesive surface. A fixed adhesive stretched sheet and a cylindrical rotary roller that is arranged so that the longitudinal direction is parallel to the marking line, rises and pushes up the semiconductor wafer, and moves in the horizontal direction. A semiconductor manufacturing apparatus is provided.
【００１５】このような半導体製造装置では、半導体ウ
ェハは粘着性延伸シート上に貼り付けられた状態で、円
柱状の回転式ローラによって下方より押し上げられてへ
き開され、このとき粘着性延伸シートが延伸されること
によって、切断された半導体ウェハのへき開面どうしが
離れた状態となって接触しない。このため、へき開面の
損傷が防止される。In such a semiconductor manufacturing apparatus, while the semiconductor wafer is stuck on the adhesive stretched sheet, the semiconductor wafer is pushed up from below by a cylindrical rotary roller and cleaved. At this time, the adhesive stretched sheet is stretched. As a result, the cleaved surfaces of the cut semiconductor wafer are separated from each other and do not come into contact with each other. Therefore, damage to the cleavage surface is prevented.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。本発明の半導体製造方法は、半導
体レーザ等のための半導体ウェハをへき開することによ
ってバー形状に切断する工程に適用されるものであり、
この時点で用いられる半導体ウェハは、結晶成長および
電極形成等がすでに行われたものである。このへき開工
程が行われるまでの半導体の製造工程は、以下のように
なっている。なお、ここでは半導体レーザの製造工程の
例について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The semiconductor manufacturing method of the present invention is applied to a step of cutting into a bar shape by cleaving a semiconductor wafer for a semiconductor laser or the like,
The semiconductor wafer used at this time has already been subjected to crystal growth, electrode formation, and the like. The steps of manufacturing the semiconductor until the cleavage step is performed are as follows. Here, an example of the manufacturing process of the semiconductor laser will be described.
【００１７】まず、例えば厚さ３００μｍのＧａＡｓ等
によってなる半導体基板上に、活性層やクラッド層等を
結晶成長させ、さらに表面に蒸着により電極を形成す
る。このとき、レーザ部が形成されるのは厚さ５μｍ程
度の表面部分のみであるため、ラッピングによって基板
側を削り、半導体ウェハの厚さを約１００μｍ程度にす
る。この後、裏面に電極を形成し、Ｐ電極の形成面にお
けるへき開の予定位置にケガキ線を設ける。例えば、形
成されたストライプ電極に垂直な方向に、ダイアモンド
カッタ等でこの半導体ウェハの隅の部分を薄く切削する
ことにより、複数の平行なケガキ線が設けられる。この
ケガキ線の間隔がレーザ共振器の長さとなり、その長さ
は例えば２００μｍ程度である。このような半導体ウェ
ハを用いて、へき開工程を行う。First, an active layer, a cladding layer, and the like are crystal-grown on a semiconductor substrate made of, for example, GaAs having a thickness of 300 μm, and electrodes are formed on the surface by vapor deposition. At this time, since the laser portion is formed only on the surface portion having a thickness of about 5 μm, the substrate side is cut by lapping, and the thickness of the semiconductor wafer is reduced to about 100 μm. Thereafter, an electrode is formed on the back surface, and a marking line is provided at a predetermined cleavage position on the surface on which the P electrode is formed. For example, a plurality of parallel marking lines are provided by thinly cutting the corners of the semiconductor wafer with a diamond cutter or the like in a direction perpendicular to the formed stripe electrodes. The interval between the marking lines is the length of the laser resonator, and the length is, for example, about 200 μm. A cleavage step is performed using such a semiconductor wafer.
【００１８】図２に、本発明の半導体製造装置の各要素
の構造を示す。図２（ａ）は半導体ウェハの固定構造、
（ｂ）はテーブルの構造をそれぞれ示す。図２に示す半
導体製造装置１は、図２（ａ）に示すような半導体ウェ
ハ２を固定する機構、すなわち、両端が固定された粘着
性を有する延伸シート３と、半導体ウェハ２を覆う非粘
着性の延伸シート４、および図２（ｂ）に示すような、
上部が曲面状に形成されたテーブル５によって構成され
る。延伸シート３は合成樹脂等によってなり、粘着面を
上側に向けた状態で、両端を図示しない固定テーブル等
に固定される。このとき延伸シート３は、半導体ウェハ
２が載置されたときにたわまない程度の所定の張力を持
たせた状態で固定される。あるいはさらに、後述するよ
うにテーブル５が上下移動を行う範囲のみが開口された
固定テーブル上に、延伸シート３を載置することによっ
て、半導体ウェハ２の重みによるたわみが起こらないよ
うにしてもよい。FIG. 2 shows the structure of each element of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. FIG. 2A shows a fixing structure of a semiconductor wafer,
(B) shows the structure of the table. The semiconductor manufacturing apparatus 1 shown in FIG. 2 has a mechanism for fixing the semiconductor wafer 2 as shown in FIG. 2A, that is, a stretched sheet 3 having both ends fixed and a non-adhesive sheet covering the semiconductor wafer 2. Stretched sheet 4 and, as shown in FIG.
The upper part is constituted by a table 5 having a curved surface. The stretched sheet 3 is made of synthetic resin or the like, and both ends are fixed to a fixed table or the like (not shown) with the adhesive surface facing upward. At this time, the stretched sheet 3 is fixed in a state where a predetermined tension is applied so that the semiconductor sheet 2 is not bent when the semiconductor wafer 2 is placed. Alternatively, as will be described later, by placing the stretched sheet 3 on a fixed table in which only the range in which the table 5 moves up and down is opened, the bending due to the weight of the semiconductor wafer 2 may be prevented. .
【００１９】半導体ウェハ２は、このような延伸シート
３のおよそ中間部上に、Ｐ電極の形成面、すなわちへき
開予定位置を示すケガキ線が設けられた面を上にして載
置され、延伸シート３に貼り付けられる。そしてこの上
に、半導体ウェハ２の上面の全体を十分覆う大きさを有
する延伸シート４が被せられ、延伸シート４の端部は延
伸シート３に貼り付けられて固定される。延伸シート４
は、合成樹脂等により構成されるが、粘着性を有さない
ため半導体ウェハ２には貼り付かない。また、この延伸
シート４は、粘着性を有する延伸シート３より延伸性が
強いものが使用される。The semiconductor wafer 2 is placed on an approximately intermediate portion of the stretched sheet 3 with the surface on which the P-electrode is formed, that is, the surface provided with the marking line indicating the cleavage cleavage position, facing upward. 3 is pasted. Then, a stretched sheet 4 having a size that sufficiently covers the entire upper surface of the semiconductor wafer 2 is placed thereon, and the end of the stretched sheet 4 is attached to the stretched sheet 3 and fixed. Stretched sheet 4
Is made of a synthetic resin or the like, but does not adhere to the semiconductor wafer 2 because it has no adhesiveness. Further, as the stretched sheet 4, a stretchable sheet having stronger stretchability than the stretched sheet 3 having adhesiveness is used.
【００２０】一方、図２（ｂ）に示す上部に曲面部５ａ
が形成されたテーブル５は、延伸シート３をはさんだ半
導体ウェハ２の中央部付近の直下において、半導体ウェ
ハ２に設けられたケガキ線と、曲面部５ａの長手方向が
平行になるように設置される。このテーブル５は、半導
体ウェハ２の方へ向かって上下に昇降可能であり、これ
により半導体ウェハ２に対する押圧手段をなしている。
なお、テーブル５においては、曲面部５ａの長手方向に
は曲率を有さず、長手方向の長さは半導体ウェハ２の幅
より大きいこととし、上部に形成された曲面部５ａを断
面に示したときの直径は、半導体ウェハ２の大きさに対
して著しく小さいことがないようにする。On the other hand, a curved surface portion 5a is provided on the upper portion shown in FIG.
The table 5 on which is formed is placed so that the marking line provided on the semiconductor wafer 2 and the longitudinal direction of the curved surface portion 5a are parallel to each other immediately below the vicinity of the central portion of the semiconductor wafer 2 with the stretched sheet 3 interposed therebetween. You. The table 5 can be moved up and down toward the semiconductor wafer 2, thereby forming a pressing unit for the semiconductor wafer 2.
In the table 5, the curved surface portion 5a has no curvature in the longitudinal direction, the length in the longitudinal direction is larger than the width of the semiconductor wafer 2, and the curved surface portion 5a formed on the upper portion is shown in cross section. The diameter at this time should not be significantly smaller than the size of the semiconductor wafer 2.
【００２１】次に、図１に、このような半導体製造装置
１によってへき開が行われた際の様子を示す。半導体製
造装置１によって、半導体ウェハ２に対するへき開が行
われる場合の動作は、以下のようになる。まず、上述し
た状態からテーブル５が上昇される。これによって、延
伸シート３上に貼り付けられた半導体ウェハ２の下面に
テーブル５の曲面部５ａが接触し、半導体ウェハ２が持
ち上げられると同時に、延伸シート３および４が引き延
ばされる。テーブル５がさらに上昇すると、半導体ウェ
ハ２は延伸シート３に貼り付いたまま、しばらくは平ら
な状態を維持するが、やがて、半導体ウェハ２の両端部
に貼り付く延伸シート３の粘着力によって、半導体ウェ
ハ２はケガキ線に沿ってバー形状に割れ、へき開され
る。このときの半導体ウェハ２に対する圧力は、０．３
〜１．２ｋｇ／ｃｍ2が適当である。なお、半導体ウェ
ハ２に被せられた延伸シート４は、延伸シート３ととも
に延伸されて半導体ウェハ２が割れるように上から力を
かけるとともに、へき開された半導体ウェハ２が延伸シ
ート３から離れて飛散することを防止する。Next, FIG. 1 shows a state where cleavage is performed by such a semiconductor manufacturing apparatus 1. The operation in the case where cleavage is performed on the semiconductor wafer 2 by the semiconductor manufacturing apparatus 1 is as follows. First, the table 5 is raised from the state described above. As a result, the curved surface portion 5a of the table 5 comes into contact with the lower surface of the semiconductor wafer 2 attached to the stretched sheet 3, and the semiconductor wafer 2 is lifted, and at the same time, the stretched sheets 3 and 4 are stretched. When the table 5 further rises, the semiconductor wafer 2 remains flat on the stretched sheet 3 for a while while being stuck to the stretched sheet 3, but eventually the semiconductor wafer 2 is adhered to both ends of the semiconductor wafer 2 by the adhesive force of the stretched sheet 3. The wafer 2 breaks into a bar shape along the marking line and is cleaved. The pressure on the semiconductor wafer 2 at this time is 0.3
１．２1.2 kg / cm 2 is appropriate. The stretched sheet 4 covered by the semiconductor wafer 2 is stretched together with the stretched sheet 3 and applies a force from above so that the semiconductor wafer 2 is broken, and the cleaved semiconductor wafer 2 is separated from the stretched sheet 3 and scatters. To prevent that.
【００２２】このようにへき開が行われたとき、延伸シ
ート３がテーブル５の上昇によって延伸されているの
で、ケガキ線より切断されたバー形状の半導体ウェハ２
はそれぞれ離れた状態となる。この後、延伸シート３が
延伸された状態をある程度保持したまま、例えばピンセ
ット等を用いて、へき開された半導体ウェハ２を延伸シ
ート３より取り外すことによって、バー形状となった半
導体ウェハ２のへき開面どうしはまったく接触すること
がないので、損傷することがない。このため、製造され
る製品の品質を向上させることができる。When the cleavage is performed as described above, since the stretched sheet 3 is stretched by raising the table 5, the bar-shaped semiconductor wafer 2 cut from the marking line is cut.
Are separated from each other. Thereafter, while maintaining the stretched sheet 3 in a stretched state to some extent, the cleaved semiconductor wafer 2 is removed from the stretched sheet 3 using, for example, tweezers or the like, so that the cleaved surface of the bar-shaped semiconductor wafer 2 is removed. There is no contact between them, so there is no damage. For this reason, the quality of the manufactured product can be improved.
【００２３】次に、本発明の変形例を挙げる。図３に、
本発明の変形例である半導体製造装置の構成を示す。な
お、図３では図１および２と同一の構成要素には同一の
符号を付して示している。Next, modified examples of the present invention will be described. In FIG.
1 shows a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus which is a modification of the present invention. In FIG. 3, the same components as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.
【００２４】図３に示す半導体製造装置１０では、テー
ブル５の代わりに円柱状のローラを用いて、へき開工程
を行っている。すなわち、両端が固定された粘着性を有
する延伸シート３のほぼ中央部に、半導体ウェハ２をケ
ガキ線の形成面を上にして載置して貼り付け、さらにこ
の半導体ウェハ２の全体を、粘着性を有さない延伸シー
ト４によって覆い被せる。ローラ６は、長手方向の長さ
が半導体ウェハ２の幅より大きく、その長手方向が半導
体ウェハ２に形成されたケガキ線と平行になるように、
半導体ウェハ２の下に配置され、上昇して半導体ウェハ
２を押し上げるとともに、延伸シート３および４を延伸
させる。ローラ６は、所定の高さまで上昇したところで
停止し、次に半導体ウェハ２の下面の範囲内で、回転し
ながら左右に移動する。これによって半導体ウェハ２は
下面よりローラがけがなされ、やがてケガキ線にそって
切断され、バー形状にへき開される。このとき、延伸シ
ート３が延伸されているため、へき開されたそれぞれの
半導体ウェハ２は離れた状態となり、その後、延伸シー
ト３が延伸された状態を保持したまま、半導体ウェハ２
を取り外すことによって、へき開面どうしはまったく接
触することがないので、損傷することがない。In the semiconductor manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 3, a cleaving step is performed by using a cylindrical roller instead of the table 5. That is, the semiconductor wafer 2 is placed and adhered to the substantially central portion of the stretched sheet 3 having both ends fixed and having the marking line formed face up, and the entire semiconductor wafer 2 is adhered. It is covered with a stretched sheet 4 having no property. The roller 6 has a length in the longitudinal direction larger than the width of the semiconductor wafer 2, and the longitudinal direction is parallel to the marking line formed on the semiconductor wafer 2.
It is arranged below the semiconductor wafer 2 and rises to push up the semiconductor wafer 2 and stretch the stretched sheets 3 and 4. The roller 6 stops when it rises to a predetermined height, and then moves left and right while rotating within the range of the lower surface of the semiconductor wafer 2. As a result, the semiconductor wafer 2 is roller-cut from the lower surface, is cut along the marking line, and is cleaved into a bar shape. At this time, since the stretched sheet 3 has been stretched, the cleaved semiconductor wafers 2 are separated from each other.
By removing the cleave, the cleavage faces do not come into contact at all and are not damaged.
【００２５】なお、ローラ６の移動方法は、上記に示し
た以外の方法によってなされてもよい。例えば、延伸シ
ート３の一端の近くにローラ６を配置して延伸シート３
の下面に接触させ、ローラ６を徐々に上昇させながら、
同時に他端方向に向かって水平に移動させる。半導体ウ
ェハ２の下部を通過した時点で、逆方向に移動させ、半
導体ウェハ２の下部を何度も通過するようにしてもよ
い。また、ローラ６の始動位置をこれと同様とし、半導
体ウェハ２の中央部の下面への接触位置を頂点とするよ
うに、ローラ６が半円を描いて移動するようにしてもよ
い。このように、図３に示すような半導体製造装置１０
の場合、延伸シート３および４が延伸された状態で、半
導体ウェハ２の下部を通過するように、ローラ６を移動
させればよい。The roller 6 may be moved by a method other than the method described above. For example, the roller 6 is disposed near one end of the stretched sheet 3 so that the stretched sheet 3
, While gradually raising the roller 6,
At the same time, it is moved horizontally toward the other end. When passing through the lower part of the semiconductor wafer 2, it may be moved in the opposite direction to pass through the lower part of the semiconductor wafer 2 many times. Alternatively, the starting position of the roller 6 may be the same as above, and the roller 6 may move in a semicircle so that the position of contact with the lower surface of the central portion of the semiconductor wafer 2 is the top. Thus, the semiconductor manufacturing apparatus 10 as shown in FIG.
In this case, the roller 6 may be moved so that the stretched sheets 3 and 4 pass under the semiconductor wafer 2 in a stretched state.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造方法では、半導体ウェハは粘着性延伸シート上に貼り
付けられた状態で、上部が曲面状に形成された押圧部材
によって下方より押し上げられてへき開され、このとき
粘着性延伸シートが延伸されるので、切断された半導体
ウェハのへき開面どうしが離れた状態となって接触しな
いため、へき開面の損傷が防止され、製品の品質を向上
させることができる。As described above, according to the semiconductor manufacturing method of the present invention, the semiconductor wafer is pushed up from below by the pressing member having the upper surface formed in a curved shape while the semiconductor wafer is stuck on the adhesive stretched sheet. Since the adhesive stretched sheet is stretched at this time, the cleavage faces of the cut semiconductor wafer are separated from each other and do not come into contact with each other, so that the cleavage face is prevented from being damaged, and the quality of the product is improved. be able to.
【００２７】また、本発明の半導体製造方法では、半導
体ウェハは粘着性延伸シート上に貼り付けられた状態
で、円柱状の回転式ローラによって下方より押し上げら
れてへき開され、このとき粘着性延伸シートが延伸され
るので、切断された半導体ウェハのへき開面どうしが離
れた状態となって接触しないため、へき開面の損傷が防
止され、製品の品質を向上させることができる。Further, in the semiconductor manufacturing method according to the present invention, the semiconductor wafer is affixed from below by a cylindrical rotary roller and cleaved while being adhered on the adhesive stretched sheet. Since the cleaved surfaces are stretched, the cleaved surfaces of the cut semiconductor wafers are separated from each other and do not come into contact with each other, so that the cleaved surfaces are prevented from being damaged, and the quality of products can be improved.
【００２８】さらに、本発明の半導体製造装置では、半
導体ウェハは粘着性延伸シート上に貼り付けられた状態
で、上部が曲面状に形成された押圧手段によって下方よ
り押し上げられてへき開され、このとき粘着性延伸シー
トが延伸されるので、切断された半導体ウェハのへき開
面どうしが離れた状態となって接触しないため、へき開
面の損傷が防止され、製品の品質を向上させることがで
きる。Further, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the semiconductor wafer is affixed to the adhesive stretched sheet and is cleaved by being pushed up from below by pressing means having a curved upper surface. Since the adhesive stretched sheet is stretched, the cleaved surfaces of the cut semiconductor wafers are separated from each other and do not come into contact with each other, so that the cleavage surface is prevented from being damaged, and the quality of the product can be improved.
【００２９】また、本発明の半導体製造装置では、半導
体ウェハは粘着性延伸シート上に貼り付けられた状態
で、円柱状の回転式ローラによって下方より押し上げら
れてへき開され、このとき粘着性延伸シートが延伸され
るので、切断された半導体ウェハのへき開面どうしが離
れた状態となって接触しないため、へき開面の損傷が防
止され、製品の品質を向上させることができる。Further, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the semiconductor wafer is pushed up from below by a cylindrical rotary roller and cleaved while being adhered on the adhesive stretched sheet. Since the cleaved surfaces are stretched, the cleaved surfaces of the cut semiconductor wafers are separated from each other and do not come into contact with each other, so that the cleaved surfaces are prevented from being damaged, and the quality of products can be improved.
【図１】本発明の半導体製造装置によってへき開が行わ
れた際の様子を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a state when cleavage is performed by a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図２】本発明の半導体製造装置の各要素の構造を示す
図であり、（ａ）は半導体ウェハの固定構造を示し、
（ｂ）はテーブルの構造を示す。FIG. 2 is a diagram showing a structure of each element of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, wherein (a) shows a fixing structure of a semiconductor wafer,
(B) shows the structure of the table.
【図３】本発明の変形例である半導体製造装置の構成を
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to a modification of the present invention.
【図４】従来のへき開工程の様子を示す図である。FIG. 4 is a view showing a state of a conventional cleavage step.
１……半導体製造装置、２……半導体ウェハ、３、４…
…延伸シート、５……テーブル、５ａ……曲面部、６…
…ローラ、１０……半導体製造装置1 ... Semiconductor manufacturing equipment, 2 ... Semiconductor wafer, 3, 4 ...
... Stretched sheet, 5 ... Table, 5a ... Curved surface, 6 ...
... Rollers, 10 ... Semiconductor manufacturing equipment
Claims (6)
導体製造方法において、 両端を固定した粘着性延伸シートの粘着面上に、へき開
位置に対応するケガキ線が上面に設けられた前記半導体
ウェハを載置する工程と、 上部が曲面状に形成された押圧部材を長手方向が前記ケ
ガキ線と平行となるように配置して上昇させ、前記半導
体ウェハを押し上げる工程と、 を具備することを特徴とする半導体製造方法。1. A semiconductor manufacturing method for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, comprising: mounting the semiconductor wafer provided with a marking line corresponding to a cleavage position on an adhesive surface of an adhesive stretched sheet having both ends fixed. Placing the pressing member having an upper portion formed into a curved surface so that the longitudinal direction thereof is parallel to the marking line, raising the pressing member, and pushing up the semiconductor wafer. Semiconductor manufacturing method.
ト上に載置した後、非粘着性延伸シートを前記半導体ウ
ェハの全面に覆いかぶせ、端部を前記粘着性シートに貼
り付ける工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半
導体製造方法。2. After the semiconductor wafer is placed on the adhesive stretched sheet, a step of covering the entire surface of the semiconductor wafer with a non-adhesive stretched sheet and attaching an end portion to the adhesive sheet is included. The method for manufacturing a semiconductor according to claim 1, wherein:
導体製造方法において、 両端を固定した粘着性延伸シートの粘着面上に、へき開
位置に対応するケガキ線が上面に設けられた前記半導体
ウェハを載置する工程と、 円柱状の回転式ローラを長手方向が前記ケガキ線と平行
となるように配置し、上昇させて前記半導体ウェハを押
し上げ、水平方向に移動させる工程と、 を具備することを特徴とする半導体製造方法。3. A semiconductor manufacturing method for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, wherein the semiconductor wafer provided with a marking line corresponding to a cleavage position is provided on an adhesive surface of an adhesive stretched sheet having both ends fixed. Placing, and arranging a cylindrical rotary roller so that the longitudinal direction thereof is parallel to the marking line, raising the semiconductor wafer, and moving the semiconductor wafer horizontally. Semiconductor manufacturing method.
ト上に載置した後、非粘着性延伸シートを前記半導体ウ
ェハの全面に覆いかぶせ、端部を前記粘着性シートに貼
り付ける工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半
導体製造方法。4. A step of placing the semiconductor wafer on the adhesive stretched sheet, covering the entire surface of the semiconductor wafer with a non-adhesive stretched sheet, and attaching an end to the adhesive sheet. 4. The method of manufacturing a semiconductor according to claim 3, wherein:
導体製造装置において、 へき開位置に対応するケガキ線が上面に設けられた前記
半導体ウェハが粘着面上に載置される、両端が固定され
た粘着性延伸シートと、 上部が曲面状に形成され、長手方向が前記ケガキ線と平
行となるように配置されて前記半導体ウェハを押し上げ
る押圧手段と、 を有することを特徴とする半導体製造装置。5. A semiconductor manufacturing apparatus for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, wherein the semiconductor wafer provided with a marking line corresponding to a cleaved position on an upper surface is placed on an adhesive surface, and both ends are fixed. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a stretchable sheet; and pressing means having an upper portion formed in a curved surface and arranged so that a longitudinal direction thereof is parallel to the marking line and pushing up the semiconductor wafer.
導体製造装置において、 へき開位置に対応するケガキ線が上面に設けられた前記
半導体ウェハが粘着面上に載置される、両端が固定され
た粘着性延伸シートと、 長手方向が前記ケガキ線と平行となるように配置され、
上昇して前記半導体ウェハを押し上げ、水平方向に移動
する円柱状の回転式ローラと、 を有することを特徴とする半導体製造装置。6. A semiconductor manufacturing apparatus for cleaving a semiconductor wafer into a bar shape, wherein the semiconductor wafer provided with a marking line corresponding to a cleaved position on an upper surface is placed on an adhesive surface, and both ends are fixed. Stretchable sheet, disposed so that the longitudinal direction is parallel to the marking line,
And a cylindrical roller that rises to push up the semiconductor wafer and move in the horizontal direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000379024A JP2002184723A (en) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | Semiconductor manufacturing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000379024A JP2002184723A (en) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | Semiconductor manufacturing method and apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184723A true JP2002184723A (en) | 2002-06-28 |
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ID=18847486
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000379024A Pending JP2002184723A (en) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | Semiconductor manufacturing method and apparatus |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002184723A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012114268A (en) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Fuji Electric Co Ltd | Expand device for semiconductor substrate |
| JP2012119670A (en) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and apparatus for dividing semiconductor wafer |
| JP2018030376A (en) * | 2012-08-02 | 2018-03-01 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Rolling break device for brittle material substrate |
| CN111463144A (en) * | 2019-01-18 | 2020-07-28 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Crystal expansion equipment and crystal expansion method |
-
2000
- 2000-12-13 JP JP2000379024A patent/JP2002184723A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012119670A (en) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and apparatus for dividing semiconductor wafer |
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