JP2001094194A - 半導体レーザ素子の端面処理方法及びそれに用いる治具 - Google Patents
半導体レーザ素子の端面処理方法及びそれに用いる治具Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ素子が端面2a,2bを露出し
て複数個連なったレーザバー1に端面コート処理する際
に、陰が出来て膜厚が薄くなったり、電極表面に成膜さ
れる不具合を少なくする。 【解決手段】 スペーサバー58が位置規制されて挿入
可能なスリット52を有する一対のスペーサバー保持体
53がスリット52を対向して配置され、その一端側が
連結部54で連結固定されコの字状をなす枠体51にス
ペーサバー58をスリット52に挿入して載置し、その
表面にレーザバー1をその両端面がはみだすように載置
する作業を繰り返して、レーザバー1とスペーサバー5
8とを交互に積み重ねた状態を作り、押え部品で押さえ
て保持させ、その状態で治具をスパッタリング装置に供
給して一方の端面に所定の膜を形成し、保持した状態を
維持して他方の端面に対してスパッタリング成膜を行
う。
て複数個連なったレーザバー1に端面コート処理する際
に、陰が出来て膜厚が薄くなったり、電極表面に成膜さ
れる不具合を少なくする。 【解決手段】 スペーサバー58が位置規制されて挿入
可能なスリット52を有する一対のスペーサバー保持体
53がスリット52を対向して配置され、その一端側が
連結部54で連結固定されコの字状をなす枠体51にス
ペーサバー58をスリット52に挿入して載置し、その
表面にレーザバー1をその両端面がはみだすように載置
する作業を繰り返して、レーザバー1とスペーサバー5
8とを交互に積み重ねた状態を作り、押え部品で押さえ
て保持させ、その状態で治具をスパッタリング装置に供
給して一方の端面に所定の膜を形成し、保持した状態を
維持して他方の端面に対してスパッタリング成膜を行
う。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ素
子の端面に保護膜を形成する処理方法及びそれに使用す
る治具の改良に関する。
子の端面に保護膜を形成する処理方法及びそれに使用す
る治具の改良に関する。
【従来の技術】半導体レーザ素子は、その端面の例えば
幅方向2〜3μm、厚さ方向0.1μm程度の微小領域
より数mW〜数百mWの光出力を得る装置であり、単位
面積当たりの光出力(光出力密度)は非常に高い。この
ため、光出射面は、自己の光出力により、損傷を受ける
ことから、長寿命化のために、保護膜を形成する。この
ような端面の保護膜は光出射側端面には強い光出射を得
るために低い反射率に設定される。反対側端面には余分
な光を逃さないように高反射率の膜が設けられる。
幅方向2〜3μm、厚さ方向0.1μm程度の微小領域
より数mW〜数百mWの光出力を得る装置であり、単位
面積当たりの光出力(光出力密度)は非常に高い。この
ため、光出射面は、自己の光出力により、損傷を受ける
ことから、長寿命化のために、保護膜を形成する。この
ような端面の保護膜は光出射側端面には強い光出射を得
るために低い反射率に設定される。反対側端面には余分
な光を逃さないように高反射率の膜が設けられる。
【0002】このような、端面への成膜処理は、以下の
ように行われる。半導体レーザ素子は半導体基板表面に
複数の半導体層をエピタキシャル成長して形成され、多
数の素子がマトリックス状に出来上がる。その後、表面
側電極の形成、研磨やエッチング等により半導体基板の
裏面側を除去することによる厚みの調整、裏面側電極の
形成を行い、ウェーハ状に出来上がる。そして、それを
劈開することにより、図3に示す斜視図のような、端面
2a,2bが鏡面で、複数の半導体レーザ素子がバー状
に繋がり、発光端面2aとその反対側端面2bを表した
レーザバー1とする。その外形寸法は例えば厚みtは1
00μm、幅(光路長)wは0.5mm、バーの長さL
は12.5mmである。そして、図示しないが、発光領
域は表面3に近い位置にある。
ように行われる。半導体レーザ素子は半導体基板表面に
複数の半導体層をエピタキシャル成長して形成され、多
数の素子がマトリックス状に出来上がる。その後、表面
側電極の形成、研磨やエッチング等により半導体基板の
裏面側を除去することによる厚みの調整、裏面側電極の
形成を行い、ウェーハ状に出来上がる。そして、それを
劈開することにより、図3に示す斜視図のような、端面
2a,2bが鏡面で、複数の半導体レーザ素子がバー状
に繋がり、発光端面2aとその反対側端面2bを表した
レーザバー1とする。その外形寸法は例えば厚みtは1
00μm、幅(光路長)wは0.5mm、バーの長さL
は12.5mmである。そして、図示しないが、発光領
域は表面3に近い位置にある。
【0003】このようなレーザバー1の端面2aや2b
に成膜するには、原理的には図4に示す側面図のよう
に、載置面4aと支え面4bとで断面L形を成すベース
板4と、その支え面4bに平行な押え面5aを有して載
置面4a上を摺動自在で支え面4bに向け弾性的に付勢
された押え部品5とを備える治具6に、多数のレーザバ
ー1を例えば発光端面2aを上にして載置し、支え面4
bと押え面5aとで弾性的に挟みつけるように保持し
て、スパッタリング装置に供給して、例えばSiO2の
ような絶縁膜等所定の膜形成を行う。
に成膜するには、原理的には図4に示す側面図のよう
に、載置面4aと支え面4bとで断面L形を成すベース
板4と、その支え面4bに平行な押え面5aを有して載
置面4a上を摺動自在で支え面4bに向け弾性的に付勢
された押え部品5とを備える治具6に、多数のレーザバ
ー1を例えば発光端面2aを上にして載置し、支え面4
bと押え面5aとで弾性的に挟みつけるように保持し
て、スパッタリング装置に供給して、例えばSiO2の
ような絶縁膜等所定の膜形成を行う。
【0004】ところが、現実の半導体レーザ素子の生産
工程においては、劈開により形成するレーザバー1の幅
wに例えば10μm程度の幅でばらつきが生じ、即ち、
図4におけるレーザバー1の高さにバラツキが生じ、そ
の発光端面2aは図4のようにフラットな面とならず凹
凸が生じる。そうすると、高い(幅wの大きい)レーザ
ーバ1の隣に低い(幅wの小さい)レーザバー1が配置
されると、その発光領域(図示せず)は表面3に近い位
置にあるので、背の高いレーザバー1がスパッタリング
時の陰を作り、背の低いレーザバー1の発光領域(図示
せず)の辺りの膜厚を薄くするおそれがある。
工程においては、劈開により形成するレーザバー1の幅
wに例えば10μm程度の幅でばらつきが生じ、即ち、
図4におけるレーザバー1の高さにバラツキが生じ、そ
の発光端面2aは図4のようにフラットな面とならず凹
凸が生じる。そうすると、高い(幅wの大きい)レーザ
ーバ1の隣に低い(幅wの小さい)レーザバー1が配置
されると、その発光領域(図示せず)は表面3に近い位
置にあるので、背の高いレーザバー1がスパッタリング
時の陰を作り、背の低いレーザバー1の発光領域(図示
せず)の辺りの膜厚を薄くするおそれがある。
【0005】そこで、図5に側面図で示す方法が採用さ
れる。それに用いる治具8は載置面6aと支え面6bと
で断面L形をなすベース板6と、その支え面6bに平行
な押え面7aを有して載置面6a上を摺動自在で支え面
6bに向け弾性的に付勢された押え部品7とを備える点
は図4に示す治具6に類似している。しかしながら、支
え面6bと押え面7aの高さがレーザバー1の高さ(幅
wの設計値)より若干(例えば15μm)低く設定され
ている。そして、それに多数のレーザバー1を例えば発
光端面2aを上にして載置する際に、レーザバー1とス
ペーサバー9とを交互に載置する。ここで、スペーサバ
ー9はレーザバー1に類似した形状であるがその高さ
(幅)はレーザバー1の幅の設計値wより例えば15μ
m低いものである。そして、それらを支え面6bと押え
面7aとで弾性的に挟みつけるように保持して、スパッ
タリング装置に供給して、所定の膜形成を行う。このよ
うにすればレーザバー1とレーザバー1との間隔が開く
ので、その高さに10μm程度の差があってもスパッタ
リング時の陰になることはない。こうして、発光端面2
aへの成膜が終われば、このように、レーザバー1とス
ペーサバー9とが整列した状態で、同様な治具8に移し
かえて反対側端面2bを上にして保持して、スパッタリ
ング装置に供給して、反対側端面2bへ所定の成膜を行
う。
れる。それに用いる治具8は載置面6aと支え面6bと
で断面L形をなすベース板6と、その支え面6bに平行
な押え面7aを有して載置面6a上を摺動自在で支え面
6bに向け弾性的に付勢された押え部品7とを備える点
は図4に示す治具6に類似している。しかしながら、支
え面6bと押え面7aの高さがレーザバー1の高さ(幅
wの設計値)より若干(例えば15μm)低く設定され
ている。そして、それに多数のレーザバー1を例えば発
光端面2aを上にして載置する際に、レーザバー1とス
ペーサバー9とを交互に載置する。ここで、スペーサバ
ー9はレーザバー1に類似した形状であるがその高さ
(幅)はレーザバー1の幅の設計値wより例えば15μ
m低いものである。そして、それらを支え面6bと押え
面7aとで弾性的に挟みつけるように保持して、スパッ
タリング装置に供給して、所定の膜形成を行う。このよ
うにすればレーザバー1とレーザバー1との間隔が開く
ので、その高さに10μm程度の差があってもスパッタ
リング時の陰になることはない。こうして、発光端面2
aへの成膜が終われば、このように、レーザバー1とス
ペーサバー9とが整列した状態で、同様な治具8に移し
かえて反対側端面2bを上にして保持して、スパッタリ
ング装置に供給して、反対側端面2bへ所定の成膜を行
う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
5に示す従来の端面処理方法では、第1の端面の成膜作
業が終わり、第2の端面の成膜のために裏返して別の治
具に載せかえる際に、スペーサバー9は細くて軽いもの
であるので、確実に落ち込むとは限らず、レーザバー1
より高く端面が位置するものが生じてスパッタリング時
に陰を作り、膜厚を薄くすることが生じる。スパッタリ
ング装置に供給する前にスペーサバー9が高いものを見
つけた場合に、例えばピン先のようなもので押さえて沈
めようとしても、スペーサバー9の厚みは100μm以
下のように薄いので両側のレーザバーの端面に接触しな
いように押さえることは容易でない。又、治具に載せか
える際に一旦押え部品7による押えを緩めるのでその際
に、第1の端面へ成膜した膜の剥がれたものやその他の
ゴミがレーザバー1とスペーサバー9との間に挟まるこ
とがあり、そうすると、第2の端面へのスパッタリング
成膜する際に、ゴミの作った隙間にも入り込み電極の表
面に成膜される。そのような半導体レーザ素子は電極の
ほとんど全面にスパッタ膜が形成された場合には組み立
て不能となり、電極の全面でないにしてもかなりの面積
が膜で覆われたものは組み立ては出来ても特性不良や、
寿命の短いものとなる。そこでこの発明はこのような治
具の乗せかえを不要とし、結果、スペーサバーの端面が
レーザバー1の端面より突出して、スパッタリング成膜
に際して陰を作ることや、レーザバー1とスペーサバー
との間にゴミを挟み込んで、電極の表面に成膜されるこ
との発生を少なくした端面処理方法を提供する。
5に示す従来の端面処理方法では、第1の端面の成膜作
業が終わり、第2の端面の成膜のために裏返して別の治
具に載せかえる際に、スペーサバー9は細くて軽いもの
であるので、確実に落ち込むとは限らず、レーザバー1
より高く端面が位置するものが生じてスパッタリング時
に陰を作り、膜厚を薄くすることが生じる。スパッタリ
ング装置に供給する前にスペーサバー9が高いものを見
つけた場合に、例えばピン先のようなもので押さえて沈
めようとしても、スペーサバー9の厚みは100μm以
下のように薄いので両側のレーザバーの端面に接触しな
いように押さえることは容易でない。又、治具に載せか
える際に一旦押え部品7による押えを緩めるのでその際
に、第1の端面へ成膜した膜の剥がれたものやその他の
ゴミがレーザバー1とスペーサバー9との間に挟まるこ
とがあり、そうすると、第2の端面へのスパッタリング
成膜する際に、ゴミの作った隙間にも入り込み電極の表
面に成膜される。そのような半導体レーザ素子は電極の
ほとんど全面にスパッタ膜が形成された場合には組み立
て不能となり、電極の全面でないにしてもかなりの面積
が膜で覆われたものは組み立ては出来ても特性不良や、
寿命の短いものとなる。そこでこの発明はこのような治
具の乗せかえを不要とし、結果、スペーサバーの端面が
レーザバー1の端面より突出して、スパッタリング成膜
に際して陰を作ることや、レーザバー1とスペーサバー
との間にゴミを挟み込んで、電極の表面に成膜されるこ
との発生を少なくした端面処理方法を提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めにこの発明は半導体レーザ素子が端面を露出して複数
個連なったレーザバーを準備する工程と、前記レーザー
バーの幅より所定寸法幅の狭いスペーサバーを準備する
工程と、前記レーザーバーと前記スペーサバーとを前記
レーザーバーの端面から前記スペーサバーの端面が両端
面共内方に位置するように交互に積み重ねた状態を治具
により表裏から挟み付けて保持する工程と、前記のよう
に複数のレーザーバーを保持している治具を成膜装置に
供給して端面に所定の膜を形成する工程とを有すること
を特徴とする半導体レーザ素子の端面処理方法を提供す
る。上記の方法によれば、一方の端面に対する成膜が終
わって治具がレーザバーを保持した状態を維持して他方
の端面に対する成膜を行っても、他方の端面側もスペー
サバーの端面はレーザバーの端面に対して内方に位置す
るので、成膜の際の陰にならない。そして、治具による
レーザーバーの保持を維持したままで2回目の成膜を行
うのでレーザバーとスペーサバーとの間にゴミを噛むチ
ャンスが少なくなる。
めにこの発明は半導体レーザ素子が端面を露出して複数
個連なったレーザバーを準備する工程と、前記レーザー
バーの幅より所定寸法幅の狭いスペーサバーを準備する
工程と、前記レーザーバーと前記スペーサバーとを前記
レーザーバーの端面から前記スペーサバーの端面が両端
面共内方に位置するように交互に積み重ねた状態を治具
により表裏から挟み付けて保持する工程と、前記のよう
に複数のレーザーバーを保持している治具を成膜装置に
供給して端面に所定の膜を形成する工程とを有すること
を特徴とする半導体レーザ素子の端面処理方法を提供す
る。上記の方法によれば、一方の端面に対する成膜が終
わって治具がレーザバーを保持した状態を維持して他方
の端面に対する成膜を行っても、他方の端面側もスペー
サバーの端面はレーザバーの端面に対して内方に位置す
るので、成膜の際の陰にならない。そして、治具による
レーザーバーの保持を維持したままで2回目の成膜を行
うのでレーザバーとスペーサバーとの間にゴミを噛むチ
ャンスが少なくなる。
【0008】さらに、上記の方法のために好適な物とし
て、レーザバーより幅が所定寸法狭く且つ長さが所定寸
法長いスペーサバーが位置規制されて挿入可能なスリッ
トを有する一対のスペーサバー保持体がスリットを対向
して配置され、その一端側が連結固定されコの字状をな
す枠体と、前記枠体のコの字状に開いた側から前記スリ
ットに複数のスペーサバーを順次挿入して間にレーザー
バーを挟んで重ねた物を押さえて前記枠体と一体に固定
されて積層状態を保持する押え部品とを具備した半導体
レーザ素子の端面コート用治具を提供する。
て、レーザバーより幅が所定寸法狭く且つ長さが所定寸
法長いスペーサバーが位置規制されて挿入可能なスリッ
トを有する一対のスペーサバー保持体がスリットを対向
して配置され、その一端側が連結固定されコの字状をな
す枠体と、前記枠体のコの字状に開いた側から前記スリ
ットに複数のスペーサバーを順次挿入して間にレーザー
バーを挟んで重ねた物を押さえて前記枠体と一体に固定
されて積層状態を保持する押え部品とを具備した半導体
レーザ素子の端面コート用治具を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】この発明は半導体レーザ素子が複
数個連なったレーザバーの端面に保護膜、反射膜、反射
防止膜等成膜を行うに際して、レーザバーを重ねて端面
にスパッタリング等により成膜すると、端面が高いもの
があると、隣に対して陰を作るので、1枚置きに背の低
い(幅の狭い)スペーサバーを挟んで行う方法の改良で
ある。本発明で使用するスペーサバーは幅、厚み共に小
寸法であるからなるべく変形や破損がしにくい材質がよ
く、例えばシリコンが使用できる。そして、例えば従来
の説明で用いた100μm(t)×0.5mm(w)×
12.5mm(L)のレーザバーに用いる物の寸法は厚
みに付いては成膜装置の特性や、レーザバーの幅寸法
(w)のバラツキやレーザバーやスペーサバーを治具に
セットする際の位置のバラツキ等で必要最小の寸法はあ
るが、それとは別に取り扱いで割れたり変形したりしな
い厚みが必要である。厚いとその分レーザバーのセット
数が少なくなるので、例えば100μm程度で良い。幅
寸法はレーザバーやスペーサバーを治具にセットする際
の位置のバラツキ考慮してレーザバーの端面よりスペー
サバーの端面が突出しない様にしなければならない。そ
して、あまりにも小さくするとレーザバーの表面の露出
する面積が多くなり、電極の面積が減少する。そこで、
例えば片側20μm分小さくして460μmとする。長
さはスペーサバーを位置決めする治具のスペーサバー保
持体が成膜時に陰を作らない様に十分に広い間隔とされ
ているので、それに合わせた寸法とする。
数個連なったレーザバーの端面に保護膜、反射膜、反射
防止膜等成膜を行うに際して、レーザバーを重ねて端面
にスパッタリング等により成膜すると、端面が高いもの
があると、隣に対して陰を作るので、1枚置きに背の低
い(幅の狭い)スペーサバーを挟んで行う方法の改良で
ある。本発明で使用するスペーサバーは幅、厚み共に小
寸法であるからなるべく変形や破損がしにくい材質がよ
く、例えばシリコンが使用できる。そして、例えば従来
の説明で用いた100μm(t)×0.5mm(w)×
12.5mm(L)のレーザバーに用いる物の寸法は厚
みに付いては成膜装置の特性や、レーザバーの幅寸法
(w)のバラツキやレーザバーやスペーサバーを治具に
セットする際の位置のバラツキ等で必要最小の寸法はあ
るが、それとは別に取り扱いで割れたり変形したりしな
い厚みが必要である。厚いとその分レーザバーのセット
数が少なくなるので、例えば100μm程度で良い。幅
寸法はレーザバーやスペーサバーを治具にセットする際
の位置のバラツキ考慮してレーザバーの端面よりスペー
サバーの端面が突出しない様にしなければならない。そ
して、あまりにも小さくするとレーザバーの表面の露出
する面積が多くなり、電極の面積が減少する。そこで、
例えば片側20μm分小さくして460μmとする。長
さはスペーサバーを位置決めする治具のスペーサバー保
持体が成膜時に陰を作らない様に十分に広い間隔とされ
ているので、それに合わせた寸法とする。
【0010】この発明の端面処理方法において、レーザ
バーとスペーサバーとをレーザバーの端面からスペーサ
バーの端面が両端面共に内方に位置するように交互に積
ねた状態を固定保持するために、スペーサバーが位置規
制されて挿入可能なスリットを有する一対のスペーサバ
ー保持体がスリットを対向して配置され、その一端側が
連結固定されコの字状をなす枠体と、そのスリットに複
数のスペーサバーを順次挿入して間にレーザーバーを挟
んで重ねた物をコの字の開いた側から押さえる押え部品
とを備えた端面コート用治具を用いる。これら枠体や押
え部品はスパッタリング等成膜時の陰となるのを避ける
ために成るべく薄くすると共に、載置されたレーザバー
から充分遠ざかるように大きい枠体とする必要がある。
バーとスペーサバーとをレーザバーの端面からスペーサ
バーの端面が両端面共に内方に位置するように交互に積
ねた状態を固定保持するために、スペーサバーが位置規
制されて挿入可能なスリットを有する一対のスペーサバ
ー保持体がスリットを対向して配置され、その一端側が
連結固定されコの字状をなす枠体と、そのスリットに複
数のスペーサバーを順次挿入して間にレーザーバーを挟
んで重ねた物をコの字の開いた側から押さえる押え部品
とを備えた端面コート用治具を用いる。これら枠体や押
え部品はスパッタリング等成膜時の陰となるのを避ける
ために成るべく薄くすると共に、載置されたレーザバー
から充分遠ざかるように大きい枠体とする必要がある。
【0011】この治具にレーザバーやスペーサバーを乗
せるにはコの字状の枠体を開いた方を上に向けて配置
し、スペーサバーをスリットを通して挿入載置し、その
表面中央にレーザバーを置く、そうするとスペーサバー
に比較して長さLが短く、幅wが若干大きいレーザバー
の端面は両側共にスペーサバーの端面から突出すると共
に長さ方向の端部も枠体を構成するスペーサバー保持体
から成膜時の陰にならないようにはなれている。その上
にスペーサバーを同様に置き、さらに、その上にレーザ
バーを置く作業を繰り返して、スペーサバーとレーザバ
ーとを交互に重ねた状態とし、最後に押え部品で押さえ
て保持する。押え部品も成膜時の陰を作らないようにス
ペーサバーと同様な幅寸法としてスリットに嵌めて押さ
えるようにするのが好ましい。
せるにはコの字状の枠体を開いた方を上に向けて配置
し、スペーサバーをスリットを通して挿入載置し、その
表面中央にレーザバーを置く、そうするとスペーサバー
に比較して長さLが短く、幅wが若干大きいレーザバー
の端面は両側共にスペーサバーの端面から突出すると共
に長さ方向の端部も枠体を構成するスペーサバー保持体
から成膜時の陰にならないようにはなれている。その上
にスペーサバーを同様に置き、さらに、その上にレーザ
バーを置く作業を繰り返して、スペーサバーとレーザバ
ーとを交互に重ねた状態とし、最後に押え部品で押さえ
て保持する。押え部品も成膜時の陰を作らないようにス
ペーサバーと同様な幅寸法としてスリットに嵌めて押さ
えるようにするのが好ましい。
【0012】このような、治具にスペーサバーやレーザ
バーを載置する作業は精度を要すので機械化するのが好
ましい。そして、レーザバーの端面への膜形成は多くの
場合スパッタリングが用いられるが、真空蒸着法、CV
D法であってもこの発明の方法は有効である。
バーを載置する作業は精度を要すので機械化するのが好
ましい。そして、レーザバーの端面への膜形成は多くの
場合スパッタリングが用いられるが、真空蒸着法、CV
D法であってもこの発明の方法は有効である。
【0013】
【実施例】この発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。図1はそれに使用するこの発明の端面コート用治具
50を概念的に示す斜視図である。この治具50はコの
字状の枠体51を備える。枠体51はスペーサバーが位
置規制されて挿入可能なスリット52を有する一対のス
ペーサバー保持体53がスリット52を対向して配置さ
れ、その一端側が連結固定されてコの字形状となってい
る。連結部54にはスリット52の幅程度の支え面55
がスリット52,52の位置に対応して設けられ、載置
されたスペーサバー(又はレーザバー)を支える。従っ
て、連結部54は機械的強度の関係で支え面55の幅よ
りも大きい幅で作られる連結部54の主部に向かって拡
大するテーパ形状として、成膜時の陰となるのを防止す
る。そして、載置されたスペーサバー(又はレーザバ
ー)を押さえる押え面56を備える押え部品57が図示
しない取り付け部品に図面下方に向け弾性的に付勢され
た状態で取り付けられた蓋をそなえる。押え部品57は
その押え面56がスペーサバーの表面と同じ寸法とさ
れ、従って、スリット52,52に嵌まり込む。そし
て、押え部品57の図面上下方向寸法は取りつけ部品
(図示せず)が成膜時にレーザバーに陰を作らない様に
充分長くする。そして、スペーサバーとレーザバーを交
互に積み上げた後に、押え部品57をスリット52に挿
入するように蓋をして、取り付け部品(図示せず)を枠
体51に固定(固定手段は図示せず)することによりス
ペーサバーとレーザバーとを支え面55と押え面56と
で弾性的に挟みつけるようにして保持する。
る。図1はそれに使用するこの発明の端面コート用治具
50を概念的に示す斜視図である。この治具50はコの
字状の枠体51を備える。枠体51はスペーサバーが位
置規制されて挿入可能なスリット52を有する一対のス
ペーサバー保持体53がスリット52を対向して配置さ
れ、その一端側が連結固定されてコの字形状となってい
る。連結部54にはスリット52の幅程度の支え面55
がスリット52,52の位置に対応して設けられ、載置
されたスペーサバー(又はレーザバー)を支える。従っ
て、連結部54は機械的強度の関係で支え面55の幅よ
りも大きい幅で作られる連結部54の主部に向かって拡
大するテーパ形状として、成膜時の陰となるのを防止す
る。そして、載置されたスペーサバー(又はレーザバ
ー)を押さえる押え面56を備える押え部品57が図示
しない取り付け部品に図面下方に向け弾性的に付勢され
た状態で取り付けられた蓋をそなえる。押え部品57は
その押え面56がスペーサバーの表面と同じ寸法とさ
れ、従って、スリット52,52に嵌まり込む。そし
て、押え部品57の図面上下方向寸法は取りつけ部品
(図示せず)が成膜時にレーザバーに陰を作らない様に
充分長くする。そして、スペーサバーとレーザバーを交
互に積み上げた後に、押え部品57をスリット52に挿
入するように蓋をして、取り付け部品(図示せず)を枠
体51に固定(固定手段は図示せず)することによりス
ペーサバーとレーザバーとを支え面55と押え面56と
で弾性的に挟みつけるようにして保持する。
【0014】次に、この端面コート用治具50へスペー
サバー58やレーザバー1を載せる方法を説明する。図
2は枠体51へスペーサバー58やレーザバー1を交互
に載せる途中を示す平面図である。枠体51をコに字状
の開いた方を上方に向け配置し、スペーサバー58をス
リット52,52に嵌め込むように挿入載置する。次に
その上にレーザバー1を載せる。この作業を繰り返して
スペーサバー58とレーザバー1とを交互に積み上げ
る。ここで、スペーサバー58の幅はレーザバー1の幅
wに比較して例えば40μm程度幅を狭いものとする。
そして、その長さ(即ちスペーサバー保持体53,53
の間隔)はスペーサバー保持体53が成膜時にレーザバ
ー1に陰を作らない様に成膜装置に応じて充分長くして
おく。そして、レーザバーの発光端面2a、反対側端面
2b共にスペーサバー58から突出するようにレーザバ
ー1はスペーサバー58に中心線(図示せず)を合わせ
て載置する。このようにして所定量(レーザバー1が不
足する場合は代わりにスペーサバーを積む)積み上げて
押え部品57をスリット52に挿入してその押え面56
で押さえて枠体51に蓋(図示せず)を固定してスペー
サバー58とレーザバー1との積層物を固定保持する。
サバー58やレーザバー1を載せる方法を説明する。図
2は枠体51へスペーサバー58やレーザバー1を交互
に載せる途中を示す平面図である。枠体51をコに字状
の開いた方を上方に向け配置し、スペーサバー58をス
リット52,52に嵌め込むように挿入載置する。次に
その上にレーザバー1を載せる。この作業を繰り返して
スペーサバー58とレーザバー1とを交互に積み上げ
る。ここで、スペーサバー58の幅はレーザバー1の幅
wに比較して例えば40μm程度幅を狭いものとする。
そして、その長さ(即ちスペーサバー保持体53,53
の間隔)はスペーサバー保持体53が成膜時にレーザバ
ー1に陰を作らない様に成膜装置に応じて充分長くして
おく。そして、レーザバーの発光端面2a、反対側端面
2b共にスペーサバー58から突出するようにレーザバ
ー1はスペーサバー58に中心線(図示せず)を合わせ
て載置する。このようにして所定量(レーザバー1が不
足する場合は代わりにスペーサバーを積む)積み上げて
押え部品57をスリット52に挿入してその押え面56
で押さえて枠体51に蓋(図示せず)を固定してスペー
サバー58とレーザバー1との積層物を固定保持する。
【0015】このような、枠体51にスペーサバー58
やレーザバー1を載置して積み上げる作業はある程度の
位置精度を必要とし、しかもスペーサバー58に付いて
はスリット52が位置規制するが、レーザバー1に付い
ては途中は水平方向に位置規制するものは端面コート用
治具50自体にはなく微妙な作業であるから機械化する
のが好ましい。その場合、レーザバーの端面とスペーサ
バーの端面がなす凹凸が許容範囲にあるかどうかを自動
的に確認するセンサも備えるのが好ましい。
やレーザバー1を載置して積み上げる作業はある程度の
位置精度を必要とし、しかもスペーサバー58に付いて
はスリット52が位置規制するが、レーザバー1に付い
ては途中は水平方向に位置規制するものは端面コート用
治具50自体にはなく微妙な作業であるから機械化する
のが好ましい。その場合、レーザバーの端面とスペーサ
バーの端面がなす凹凸が許容範囲にあるかどうかを自動
的に確認するセンサも備えるのが好ましい。
【0016】このように端面コート用治具50にレーザ
バー1とスペーサバー58の積層物を保持させた状態
で、スパッタリング装置のような成膜装置に供給して一
方の端面(例えば発光端面2a)に所定の成膜を行う。
その後、端面コート用治具50によるスペーサバー58
やレーザバー1の固定保持を崩さずに反対側端面への成
膜のため成膜装置へ供給を行う。
バー1とスペーサバー58の積層物を保持させた状態
で、スパッタリング装置のような成膜装置に供給して一
方の端面(例えば発光端面2a)に所定の成膜を行う。
その後、端面コート用治具50によるスペーサバー58
やレーザバー1の固定保持を崩さずに反対側端面への成
膜のため成膜装置へ供給を行う。
【0017】上記実施例の方法によれば、端面コート用
治具に固定保持したスペーサバー58やレーザバー1を
途中で崩さずに両端面への成膜を行うので間にゴミを噛
むチャンスが少なくなる。
治具に固定保持したスペーサバー58やレーザバー1を
途中で崩さずに両端面への成膜を行うので間にゴミを噛
むチャンスが少なくなる。
【0018】なお、上記説明ではまずスペーサバーを載
せ次にレーザバーを載せる動作を繰り返すように説明し
たが、まずレーザバーを載せ次にスペーサバーを載せる
動作を繰り返しても良い。
せ次にレーザバーを載せる動作を繰り返すように説明し
たが、まずレーザバーを載せ次にスペーサバーを載せる
動作を繰り返しても良い。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の方法に
よればレーザバーの両端面が共にスペーサバーより突出
した状態で端面コート用治具に保持して、その状態を途
中で崩さずに両端面に成膜することができるので、第1
の端面の成膜作業が終わり、第2の端面の成膜にあた
り、スペーサバーがレーザバーより高く位置して成膜時
に陰を作り、膜厚を薄くすることが生じるチャンスが少
なくなる。さらに、スペーサバーとレーザバーとの間に
ゴミが挟まり、成膜する際に、ゴミの作った隙間から電
極の表面に成膜されるチャンスも少なくなる。
よればレーザバーの両端面が共にスペーサバーより突出
した状態で端面コート用治具に保持して、その状態を途
中で崩さずに両端面に成膜することができるので、第1
の端面の成膜作業が終わり、第2の端面の成膜にあた
り、スペーサバーがレーザバーより高く位置して成膜時
に陰を作り、膜厚を薄くすることが生じるチャンスが少
なくなる。さらに、スペーサバーとレーザバーとの間に
ゴミが挟まり、成膜する際に、ゴミの作った隙間から電
極の表面に成膜されるチャンスも少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の端面コート用治具の一実施例を概
念的に示す斜視図。
念的に示す斜視図。
【図2】 それに、レーザバーとスペーサバーと載置す
る作業途中を示す平面図。
る作業途中を示す平面図。
【図3】 レーザバーの斜視図。
【図4】 従来の端面コート処理の方法例を説明する側
面図。
面図。
【図5】 従来の他の端面コート処理方法を説明する側
面図。
面図。
1 レーザバー 2a 発光端面 2b 反対側端面 50 端面コート用治具(治具) 51 枠体 52 スリット 53 スペーサバー保持体 54 連結部 55 支持面 56 押え面 57 押え部品 58 スペーサバー L レーザバーの長さ w レーザバーの幅
Claims (5)
- 【請求項1】半導体レーザ素子が端面を露出して複数個
連なったレーザバーを準備する工程と、 前記レーザーバーの幅より所定寸法幅の狭いスペーサバ
ーを準備する工程と、 前記レーザバーと前記スペーサバーとを前記レーザバー
の端面から前記スペーサバーの端面が両端面共内方に位
置するように交互に積み重ねた状態を治具により表裏か
ら挟み付けて保持する工程と、 前記のように複数のレーザバーを保持している治具を成
膜装置に供給して端面に所定の膜を形成する工程とを有
することを特徴とする半導体レーザ素子の端面処理方
法。 - 【請求項2】前記所定の膜を形成する工程は一方の端面
に対する成膜が終わって前記治具がレーザバーを保持し
た状態を維持して他方の端面に対する成膜を行うことを
特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子の端面処
理方法。 - 【請求項3】前記成膜工程がスパッタリングである請求
項1又は2に記載の半導体レーザ素子の端面処理方法。 - 【請求項4】レーザバーより幅が所定寸法狭く且つ長さ
が所定寸法長いスペーサバーが位置規制されて挿入可能
なスリットを有する一対のスペーサバー保持体がスリッ
トを対向して配置され、その一端側が連結固定されコの
字状をなす枠体と、 前記枠体のコの字状に開いた側から前記スリットに複数
のスペーサバーを順次挿入して間にレーザバーを挟んで
重ねた物を押さえて前記枠体と一体に固定されて積層状
態を保持する押え部品とを具備した半導体レーザ素子の
端面コート用治具。 - 【請求項5】半導体レーザ素子が端面を露出して複数個
連なったレーザバーを準備する工程と、 前記レーザーバーの幅より所定寸法幅が狭く、前記レー
ザバーより長い所定長さのスペーサバーを準備する工程
と、 前記請求項4に記載の治具を準備する工程と前記スペー
サバーを前記治具のスリットに挿入し、その表面に前記
レーザバーをその両端面がはみだすように載置する作業
を繰り返して、前記レーザバーと前記スペーサバーとを
前記レーザバーの端面から前記スペーサバーの端面が両
端面共内方に位置するように交互に積み重ねた状態を作
り、前記押え部品で押さえて保持させる工程と、 前記のように複数のレーザバーを保持している治具をス
パッタリング装置に供給して一方の端面に所定の膜を形
成する工程と、 その成膜が終わって、前記治具がレーザバーを保持した
状態を維持して他方の端面に対してスパッタリング成膜
を行う工程とを特徴とする半導体レーザ素子の端面処理
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26974899A JP2001094194A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 半導体レーザ素子の端面処理方法及びそれに用いる治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26974899A JP2001094194A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 半導体レーザ素子の端面処理方法及びそれに用いる治具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001094194A true JP2001094194A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17476615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26974899A Pending JP2001094194A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 半導体レーザ素子の端面処理方法及びそれに用いる治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001094194A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002344070A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザバー保持装置 |
JP2004354674A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | 光モジュール及びその製造方法 |
US7112460B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, production method therefor, and jig for use in the production method |
EP3595104A1 (en) | 2018-05-18 | 2020-01-15 | HORIBA, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor laser element, and semiconductor laser device thereof and gas analyzer |
-
1999
- 1999-09-24 JP JP26974899A patent/JP2001094194A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002344070A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザバー保持装置 |
US7112460B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, production method therefor, and jig for use in the production method |
JP2004354674A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | 光モジュール及びその製造方法 |
EP3595104A1 (en) | 2018-05-18 | 2020-01-15 | HORIBA, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor laser element, and semiconductor laser device thereof and gas analyzer |
US11056853B2 (en) | 2018-05-18 | 2021-07-06 | Horiba, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor laser element, and semiconductor laser device thereof and gas analyzer |
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