JPS5974642A - 個別の集積回路からフイルムマウント形集積回路を製作するための方法および装置 - Google Patents
個別の集積回路からフイルムマウント形集積回路を製作するための方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、個別の集積回路(個別チップ)からフィルム
にマウントされた集積回路(マイクロパック)を製作す
るだめの方法および装置に関する。
にマウントされた集積回路(マイクロパック)を製作す
るだめの方法および装置に関する。
接続バンプを備えだ集積回路からフィルムにマウントさ
れた集積回路Cマイクロパック)を組立てるだめの従来
の方法においては、集積回路を含んでおりかつ細分され
ていない円板が支持板上に成長させられ、のこぎりで個
別のチップに分割される。ばらばらにされたチップ(こ
のチップは円板によって予め設定された元の位置にワッ
クス層により正確に固定されている)を備えた支持板は
、自動ボンディングマシン(イン力・リード・ボンダ)
のX−Y工程テーブル上に置かれ、良品チップは支持板
からおろされて直接的にさらに加工され、つまり所謂フ
ィルムピッの接続脚片とボンディングされる。
れた集積回路Cマイクロパック)を組立てるだめの従来
の方法においては、集積回路を含んでおりかつ細分され
ていない円板が支持板上に成長させられ、のこぎりで個
別のチップに分割される。ばらばらにされたチップ(こ
のチップは円板によって予め設定された元の位置にワッ
クス層により正確に固定されている)を備えた支持板は
、自動ボンディングマシン(イン力・リード・ボンダ)
のX−Y工程テーブル上に置かれ、良品チップは支持板
からおろされて直接的にさらに加工され、つまり所謂フ
ィルムピッの接続脚片とボンディングされる。
この公知の方法においては、多極の大面積チップの場合
に特に問題がある。すなわち、たとえば、円板内で隣り
合うチップの接続バンプ列の間隔が僅かであるので、フ
ィルムピンの接続脚片がボンディングの際に隣接するチ
ップの接続バンプと接触し、そこで同様にろう付けされ
るという危険がある。さらに、細分されて供給される円
板は使用者に良品チップの歩留りがわかってしまうので
、集積回路を完全な円板の形で供給させることはかかる
集積回路のすべての製造業者と取り決めすることができ
ない。
に特に問題がある。すなわち、たとえば、円板内で隣り
合うチップの接続バンプ列の間隔が僅かであるので、フ
ィルムピンの接続脚片がボンディングの際に隣接するチ
ップの接続バンプと接触し、そこで同様にろう付けされ
るという危険がある。さらに、細分されて供給される円
板は使用者に良品チップの歩留りがわかってしまうので
、集積回路を完全な円板の形で供給させることはかかる
集積回路のすべての製造業者と取り決めすることができ
ない。
従って本発明は、個別の集積回路(チップ)をも円板加
工のために標準的に備えられている自動ポンディソゲマ
シン内でマイクロパックとさらに加工処理することがで
きるような方法および装置を提供することを目的とする
。
工のために標準的に備えられている自動ポンディソゲマ
シン内でマイクロパックとさらに加工処理することがで
きるような方法および装置を提供することを目的とする
。
この目的は、本発明によれば、方法に関[7ては、熱伝
導率の悪い材料から成り平面平行性が非常に良い支持板
上に、個別チップの大きさでマトリクス状に配設された
切欠孔を備えだ板が固定きれ、個別チップがその板の切
欠孔内だ入れられ、次に装置全体が自動ボンディングマ
シン内に入れられ、そこで公知の方法にてさらに処理さ
れるようにすることによって達成される。
導率の悪い材料から成り平面平行性が非常に良い支持板
上に、個別チップの大きさでマトリクス状に配設された
切欠孔を備えだ板が固定きれ、個別チップがその板の切
欠孔内だ入れられ、次に装置全体が自動ボンディングマ
シン内に入れられ、そこで公知の方法にてさらに処理さ
れるようにすることによって達成される。
さらに上記目的は本発明によれば、装置に関しては、熱
伝導率の悪い材料から成り平面平行性が高い支持板と、
この上に固定されがつボンディングすべきチップを収容
するためにマトリクス状に配設された切欠孔を有する板
(マトリクス板)とを備えることによって達成される。
伝導率の悪い材料から成り平面平行性が高い支持板と、
この上に固定されがつボンディングすべきチップを収容
するためにマトリクス状に配設された切欠孔を有する板
(マトリクス板)とを備えることによって達成される。
しかしてこのような本発明によれば、個別のチップも、
エピタキシャル成長させられたチップを備えた公知の支
持板と同じように、マイクロパックのイン力・ボンディ
ングを製作するだめの通常の自動ボンディングマシン内
で加工することができるという利点が得られる。
エピタキシャル成長させられたチップを備えた公知の支
持板と同じように、マイクロパックのイン力・ボンディ
ングを製作するだめの通常の自動ボンディングマシン内
で加工することができるという利点が得られる。
次に、本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第1図には本発明による装置の断面図が示されている。
この装置においては、特に、高い平面平行性を持つ支持
板1と、マトリクス状に配設された切欠孔4を有する板
(マトリクス板)3とが備えられ、その板3の切欠孔4
内に個別チップ5が配置されている。支持板1は熱伝導
率の悪い材料、特にガラスから構成されている。マトリ
クス板3は支持板1とほぼ同じ膨張係数を有するろう付
けできない材料から構成されている。マトリクス板3は
たとえばエポキシ樹脂から成る接着剤層2あるいはウェ
ハ・ワックスによって支持板1上に貼シ付けられる。ま
だ、マトリクス板3をコバール寸たはセラミックから作
ることは特に有利であることが判明している。
板1と、マトリクス状に配設された切欠孔4を有する板
(マトリクス板)3とが備えられ、その板3の切欠孔4
内に個別チップ5が配置されている。支持板1は熱伝導
率の悪い材料、特にガラスから構成されている。マトリ
クス板3は支持板1とほぼ同じ膨張係数を有するろう付
けできない材料から構成されている。マトリクス板3は
たとえばエポキシ樹脂から成る接着剤層2あるいはウェ
ハ・ワックスによって支持板1上に貼シ付けられる。ま
だ、マトリクス板3をコバール寸たはセラミックから作
ることは特に有利であることが判明している。
接着剤層2を含めたマトリクス板3の厚さはボンディン
グすべき個別チップ5の最小厚さよりも小さいのが好ま
しい。さらに、マトリクス板3内の切欠孔4の相互間隔
は、隣り合うチップ5同士が意図しないのにボンディン
グされるのが確実に避けられるような大きさにすべきで
ある。
グすべき個別チップ5の最小厚さよりも小さいのが好ま
しい。さらに、マトリクス板3内の切欠孔4の相互間隔
は、隣り合うチップ5同士が意図しないのにボンディン
グされるのが確実に避けられるような大きさにすべきで
ある。
第2図には、マトリクス板3を備えた支持板1と、チッ
プ5のインナ・ボンディング用の接続脚片を備えだフィ
ルム・キャリヤ6との相互位置関係が概略的に示でれて
いる。
プ5のインナ・ボンディング用の接続脚片を備えだフィ
ルム・キャリヤ6との相互位置関係が概略的に示でれて
いる。
第3図aには本発明による装置の平面図が示されておシ
、この平面図から、特に個別チップの大きさでマトリク
ス状に配設されだ切欠孔4を有する板3の概略を理解で
きる。第3図すには第3図aの平面図で示した部分の要
部が拡大図で示されており、この拡大図から、切欠孔4
ばほぼ長方形状に形成されているが、周辺から内部に向
けて突き出た台形状の突起7,8,9.10を有してい
ることが判る。切欠孔4の縦辺の1つおよびそれに隣り
合う横辺の1つにそれぞれ1個の突起7および8を設け
、切欠孔4の縦辺の残りの1つおよび横辺の残りの1つ
にそれぞれ2個の突起9および10を設けるようにする
と有利である。切欠孔4の寸法は、一方ではチップの機
械的公差を考慮して、他方ではその考慮をしたがだめに
生じた切欠孔4内でのチップの種々異なった角度姿勢修
正装置によって調整することできる角度姿勢よりも太き
くならないようにして(第4図)、選定すべきである。
、この平面図から、特に個別チップの大きさでマトリク
ス状に配設されだ切欠孔4を有する板3の概略を理解で
きる。第3図すには第3図aの平面図で示した部分の要
部が拡大図で示されており、この拡大図から、切欠孔4
ばほぼ長方形状に形成されているが、周辺から内部に向
けて突き出た台形状の突起7,8,9.10を有してい
ることが判る。切欠孔4の縦辺の1つおよびそれに隣り
合う横辺の1つにそれぞれ1個の突起7および8を設け
、切欠孔4の縦辺の残りの1つおよび横辺の残りの1つ
にそれぞれ2個の突起9および10を設けるようにする
と有利である。切欠孔4の寸法は、一方ではチップの機
械的公差を考慮して、他方ではその考慮をしたがだめに
生じた切欠孔4内でのチップの種々異なった角度姿勢修
正装置によって調整することできる角度姿勢よりも太き
くならないようにして(第4図)、選定すべきである。
円板全体を加工する場合に比べて、本発明による方法お
よび本発明による装置によって得られる利点は、一般に
1つの円板上だ比較的少ない個数のシステムが配設され
ているたけであってかつ円板ごとのその歩留りが比較的
低い大面積の多極膨大規模集積回路の場合には、良品チ
ップを多数の円板からマトリクス板を備えだ1つの共通
の支持板」二に才とめることができることである。この
ことは特に、加工すべき円板の直径が自動ボンディング
マシンを用いて最大に加工可能である円板直径よりも小
さい場合に得られる。ざら九自動ボンディングマシンに
関しては、円板全体について加エする場合と本発明によ
る装置によって個別テップ尾ついて加工する場合とで自
動ボンディングマシンを取替える必要がないことである
。
よび本発明による装置によって得られる利点は、一般に
1つの円板上だ比較的少ない個数のシステムが配設され
ているたけであってかつ円板ごとのその歩留りが比較的
低い大面積の多極膨大規模集積回路の場合には、良品チ
ップを多数の円板からマトリクス板を備えだ1つの共通
の支持板」二に才とめることができることである。この
ことは特に、加工すべき円板の直径が自動ボンディング
マシンを用いて最大に加工可能である円板直径よりも小
さい場合に得られる。ざら九自動ボンディングマシンに
関しては、円板全体について加エする場合と本発明によ
る装置によって個別テップ尾ついて加工する場合とで自
動ボンディングマシンを取替える必要がないことである
。
第1図は本発明による装置の断面図、第2図はイン力・
ボンディングのプロセスを示す概略図、第3図a、bは
所謂マトリクス板肉の切欠孔の配置および形状を説明す
るだめのマトリクス板の平面図およびその一部拡大図、
第4図はマトリクス板の切欠孔内の1つのチップの姿勢
を示す概略図である。 1・・・支持板、 2・・・エボキン樹脂製接着剤層、
3・・・マトリクス板、 4・・・切欠孔、 5・・・
テップ、6・・・フィルム・キャリヤ、 7,8,9.
10・・・突起。 IG I IG 2
ボンディングのプロセスを示す概略図、第3図a、bは
所謂マトリクス板肉の切欠孔の配置および形状を説明す
るだめのマトリクス板の平面図およびその一部拡大図、
第4図はマトリクス板の切欠孔内の1つのチップの姿勢
を示す概略図である。 1・・・支持板、 2・・・エボキン樹脂製接着剤層、
3・・・マトリクス板、 4・・・切欠孔、 5・・・
テップ、6・・・フィルム・キャリヤ、 7,8,9.
10・・・突起。 IG I IG 2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■)個別の集積回路(個別チップ)からフィルムにマウ
ントされた集積回路(マイクロパック)を製作するだめ
の方法において、熱伝導率の悪い材料から成り平面平行
性が非常に良い支持板(1)上に、前記個別チップ(5
)の大きさでマトリクス状に配設されだ切欠孔(4)を
備えだ板(3)が固定され、前記個別チップ(5)が前
記板(3)の切欠孔内に入れられ、装置全体が自動ボン
ディングマシン内に入れられ、そこで公知の方法でさら
に処理されることを特徴とする個別の集積回路からフィ
ルムマウント形集積回路を製作するだめの方法。 2)個別の集積回路(個別チップ)からフィルムにマウ
ントされた集積回路(マイクロパック)を製作するだめ
の装置において、熱伝導率の悪い材料から成り平面平行
性が高い支持板(1)と、この上に固定されかつボンデ
ィングすべきチップ(5)を収容するためにマトリクス
状に配設されだ切欠孔(4)を有する板(3)とを備え
ることを特徴とする個別集積回路からフィルムマウント
形集積回路を製作するだめの装置。 3)前記支持板(1)はガラスから成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第2項記載の装置。 4)前記マトリクス板(3)はろう付けすることができ
ない材料から成り、前記支持板(1)とほぼ同じ膨張係
数を有することを特徴とする特許請求の範囲第2項まだ
は第3項記載の装置。 5)前記マトリクス板(3)はエポキシ樹脂から成る接
着剤層(2)によって前記支持板(1)上に貼り付けら
れることを特徴とする特許請求の範囲第2項ないし第4
項のいずれかに記載の装置。 6)前記マトリクス板(3)はウェハ・ワックス(2)
によって前記支持板(1)上に貼り付けられることを特
徴とする特許請求の範囲第2項ないし第4項のいずれか
に記載の装置。 7)前記マトリクス板(3)はコバールから成ることを
特徴とする特許請求の範囲第2項ないし第6項のいずれ
かに記載の装置。 8)前記マトリクス板(3)はセラミックから成ること
を特徴とする特許請求の範囲第2項ないし第6項のいず
れかr記載の装置。 9)前記接着剤層(2)を含んだ前記マトリクス板(3
)の厚さはボンディングされる前記個別チップ(5)の
最小厚さよりも小さいことを特徴とする特許請求の範囲
第2項ないし第8項のいずれかに記載の装置。 10) 前記マトリクス板(3)内の切欠孔(4)の
相互間隔は、隣り合うチップ(5)同士が意図しないの
にボンディングされるのが確実に回避されるような大き
さであることを特徴とする特許請求の範囲第2項ないし
第9項のいずれかに記載の装置。 11)府記切欠孔(4)はほぼ長方形に形成され、前記
チツフ責5)に当接するために周辺から内部に向かって
突き出だ台形状の突起(7゜8’、9.10)を備えて
いることを特徴とする特許請求の範囲第2項ないし第1
0項のいずれかに記載の装置。 12)前記切欠孔(4)の各辺ては前記チップ(5)に
当接するだめに2個の台形状の突起(9,10)が備え
られていることを特徴とする特許請求の範囲第2項ない
し第11項のいずれかに記載の装置。 13)前記切欠孔(4)の1つの縦辺およびそれだ隣り
合う横辺の1つにはそれぞれ1個の突起(7+ s )
が備えられ、前記切欠孔(4)の残りの縦辺および残り
の横辺にはそれぞれ2個の突起(9,10)が備えられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第2項ないし第
11項のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE32347448 | 1982-09-20 | ||
DE3234744A DE3234744C2 (de) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | Einrichten zum Halten mehrerer, jeweils mit integrierten Schaltkreisen versehenen Halbleiterplättchen beim Kontaktieren mit auf einem filmförmigen Substrat ausgebildeten Streifenleitern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5974642A true JPS5974642A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=6173639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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US4630096A (en) * | 1984-05-30 | 1986-12-16 | Motorola, Inc. | High density IC module assembly |
DE3534502A1 (de) * | 1985-09-27 | 1987-04-09 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen einer klebekontaktierung |
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DE3740594A1 (de) * | 1986-12-01 | 1988-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren und vorrichtung zum montieren elektronischer komponenten |
US5111935A (en) * | 1986-12-03 | 1992-05-12 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Universal leadframe carrier |
JP2529171B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1996-08-28 | エスジーエス―トムソン マイクロエレクトロニクス インク. | 半導体チップの保持と該半導体チップのリ―ドフレ―ムのリ―ドへのボンディングをするための汎用リ―ドフレ―ムキャリアとインサ―ト |
US4916807A (en) * | 1989-01-05 | 1990-04-17 | Wiese Paul H | Method and apparatus for assembling circuits having surface mounted components |
EP0384704A3 (en) * | 1989-02-21 | 1991-05-08 | General Electric Company | Die attach material and die attach process |
FR2666173A1 (fr) * | 1990-08-21 | 1992-02-28 | Thomson Csf | Structure hybride d'interconnexion de circuits integres et procede de fabrication. |
JP2867690B2 (ja) * | 1990-11-20 | 1999-03-08 | 松下電器産業株式会社 | レンズアレイ光学系の製造方法 |
US6251219B1 (en) | 1998-09-17 | 2001-06-26 | Intermedics Inc. | Method and apparatus for use in assembling electronic devices |
US6505665B1 (en) * | 1998-09-17 | 2003-01-14 | Intermedics, Inc. | Method and apparatus for use in assembling electronic devices |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS50137679A (ja) * | 1974-04-19 | 1975-10-31 | ||
JPS5596645A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Nec Corp | Method of fabricating semiconductor device |
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GB1089514A (en) * | 1964-01-31 | 1967-11-01 | Ultra Electronics Ltd | Transistor circuits |
DE1805174A1 (de) * | 1968-10-25 | 1970-05-14 | Telefunken Patent | Verfahren zum Aufbringen von Einzelkoerpern auf einen Grundkoerper |
US3590462A (en) * | 1968-11-18 | 1971-07-06 | Western Electric Co | Method and apparatus for expanding an array of articles |
US3634930A (en) * | 1969-06-12 | 1972-01-18 | Western Electric Co | Methods for bonding leads and testing bond strength |
DE2151765C2 (de) * | 1970-11-05 | 1983-06-16 | Honeywell Information Systems Italia S.p.A., Caluso, Torino | Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Schaltungen mit Beam-Lead-Anschlüssen |
CA915318A (en) * | 1971-04-27 | 1972-11-21 | M. Dupuis Jean | Method and apparatus for manufacture of integrated circuit devices |
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US4007479A (en) * | 1976-03-29 | 1977-02-08 | Honeywell Information Systems, Inc. | Fixture for an integrated circuit chip |
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Patent Citations (2)
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JPS50137679A (ja) * | 1974-04-19 | 1975-10-31 | ||
JPS5596645A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Nec Corp | Method of fabricating semiconductor device |
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