JPH07131141A - フラックスの転写方法 - Google Patents
フラックスの転写方法Info
- Publication number
- JPH07131141A JPH07131141A JP27203293A JP27203293A JPH07131141A JP H07131141 A JPH07131141 A JP H07131141A JP 27203293 A JP27203293 A JP 27203293A JP 27203293 A JP27203293 A JP 27203293A JP H07131141 A JPH07131141 A JP H07131141A
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- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はフラックスの転写方法に関し、フラ
ックス転写用のピンが狭ピッチで且つ不規則な配列であ
っても容易にフラックスの転写を行うことができるフラ
ックスの転写方法を実現することを目的とする。 【構成】 絶縁基板上に設けられた多数のパッドに半田
バンプを形成するとき、予め前記パッドにフラックスを
塗布するためのフラックスの転写方法であって、それぞ
れ板２の一方の端面に転写ピン３が形成されたユニット
４の複数枚を、それぞれの転写ピン３が同一面で且つ所
定の位置に配置されるように重ね合わせて１つのブロッ
クとしたフラックス転写用治具を用い、その転写ピン３
にフラックスを付着させ、該フラックスを前記パッドに
転写するように構成する。
ックス転写用のピンが狭ピッチで且つ不規則な配列であ
っても容易にフラックスの転写を行うことができるフラ
ックスの転写方法を実現することを目的とする。 【構成】 絶縁基板上に設けられた多数のパッドに半田
バンプを形成するとき、予め前記パッドにフラックスを
塗布するためのフラックスの転写方法であって、それぞ
れ板２の一方の端面に転写ピン３が形成されたユニット
４の複数枚を、それぞれの転写ピン３が同一面で且つ所
定の位置に配置されるように重ね合わせて１つのブロッ
クとしたフラックス転写用治具を用い、その転写ピン３
にフラックスを付着させ、該フラックスを前記パッドに
転写するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフラックスの転写方法に
関する。詳しくは、絶縁基板に形成された多数の小型、
高密度のパッドのそれぞれに半田バンプを形成するとき
に、予めパッドにフラックスを塗布するためのフラック
スの転写方法に関する。
関する。詳しくは、絶縁基板に形成された多数の小型、
高密度のパッドのそれぞれに半田バンプを形成するとき
に、予めパッドにフラックスを塗布するためのフラック
スの転写方法に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩを始めとする電子デバイスの
開発は、高集積化、高速化を急速に押し進めている。そ
のため、各種要素技術の見直しおよび開発が急務となっ
ており、特に、高密度、低コスト、高信頼性実装できる
アセンブリ技術の開発が不可欠である。それらの中で
も、２つの部品間、あるいは電極間を接続する接合技術
は、ＬＳＩやＩＣを高集積化する半導体プロセス技術が
進歩しても、それらを実装する接合技術によってＬＳＩ
等の組み込まれた電子機器が所定の性能を発揮できない
場合が生ずるため、注目されている。
開発は、高集積化、高速化を急速に押し進めている。そ
のため、各種要素技術の見直しおよび開発が急務となっ
ており、特に、高密度、低コスト、高信頼性実装できる
アセンブリ技術の開発が不可欠である。それらの中で
も、２つの部品間、あるいは電極間を接続する接合技術
は、ＬＳＩやＩＣを高集積化する半導体プロセス技術が
進歩しても、それらを実装する接合技術によってＬＳＩ
等の組み込まれた電子機器が所定の性能を発揮できない
場合が生ずるため、注目されている。
【０００３】接合技術として一般に広く利用されている
のがワイヤボンディング技術であるが、最近では狭ピッ
チ化に対応可能なワイヤレスボンディング技術として、
転写バンプ方式やマイクロバンプボンディング方式が関
心を集めるようになって来ている。
のがワイヤボンディング技術であるが、最近では狭ピッ
チ化に対応可能なワイヤレスボンディング技術として、
転写バンプ方式やマイクロバンプボンディング方式が関
心を集めるようになって来ている。
【０００４】
【従来の技術】電子部品の高密度化を可能にする最近の
実装技術の一つに、半田ボール搭載技術がある。多数の
パッドのそれぞれに形成する半田バンプの半田量が少な
くてよい場合には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）
等の方法が適用できる。しかし、半田量が多くなり、か
つ、半田量のばらつきを少なくする必要があるときに
は、半田ボールを搭載する方式が現実的である。
実装技術の一つに、半田ボール搭載技術がある。多数の
パッドのそれぞれに形成する半田バンプの半田量が少な
くてよい場合には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）
等の方法が適用できる。しかし、半田量が多くなり、か
つ、半田量のばらつきを少なくする必要があるときに
は、半田ボールを搭載する方式が現実的である。
【０００５】図３に半田ボールを搭載する方式の１例を
示す。この方式を図により説明すると、先ず図３（ａ）
に示すように吸着ヘッド１１の下部に設けられ、ヘッド
本体１２の内部と透孔１３で連通した透孔１４を有する
半田ボールマスク１５の該透孔１４に半田ボール１６を
真空吸着させる。それと平行して図３（ｂ）に示すよう
に、所要の絶縁基板１７の表面に設けられた半田バンプ
形成用のパッド１８に、半田フラックス転写用治具１９
の転写ピン２０の下端に付着させたフラックス２１を転
写する。
示す。この方式を図により説明すると、先ず図３（ａ）
に示すように吸着ヘッド１１の下部に設けられ、ヘッド
本体１２の内部と透孔１３で連通した透孔１４を有する
半田ボールマスク１５の該透孔１４に半田ボール１６を
真空吸着させる。それと平行して図３（ｂ）に示すよう
に、所要の絶縁基板１７の表面に設けられた半田バンプ
形成用のパッド１８に、半田フラックス転写用治具１９
の転写ピン２０の下端に付着させたフラックス２１を転
写する。
【０００６】次いで図３（ｃ）に示すように、吸着ヘッ
ド１１を絶縁基板１７の上方に位置させ、半田ボール１
６がフラックス２１に接する状態で半田ボールの吸着を
解除する。これにより半田ボール１６はフラックス２１
の粘着力によってパッド１８上に搭載されることにな
る。
ド１１を絶縁基板１７の上方に位置させ、半田ボール１
６がフラックス２１に接する状態で半田ボールの吸着を
解除する。これにより半田ボール１６はフラックス２１
の粘着力によってパッド１８上に搭載されることにな
る。
【０００７】次いで図３（ｄ）の如く、絶縁基板１７を
適当な温度に加熱したホットプレート２２上に載置し、
パッド１８を半田ボール１６の溶融温度に加熱した後、
冷却することにより、半田ボール１６はパッド１８に融
着され、半田バンプとなる。
適当な温度に加熱したホットプレート２２上に載置し、
パッド１８を半田ボール１６の溶融温度に加熱した後、
冷却することにより、半田ボール１６はパッド１８に融
着され、半田バンプとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半田ボール
搭載方式において、絶縁基板１７のパッド１８へのフラ
ックス２１を転写する工程で使用するフラックス転写用
治具１９は、その転写ピン２０の配列ピッチが０．４５
mm程度の格子状配列の場合は、その加工に問題はなかっ
たが、ピッチが０．４mm以下になると、機械加工は勿
論、放電加工でも困難になる。さらに転写ピンの配列が
不規則な配列になると一体加工は一層困難となる。
搭載方式において、絶縁基板１７のパッド１８へのフラ
ックス２１を転写する工程で使用するフラックス転写用
治具１９は、その転写ピン２０の配列ピッチが０．４５
mm程度の格子状配列の場合は、その加工に問題はなかっ
たが、ピッチが０．４mm以下になると、機械加工は勿
論、放電加工でも困難になる。さらに転写ピンの配列が
不規則な配列になると一体加工は一層困難となる。
【０００９】本発明は、フラックス転写用のピンが狭ピ
ッチの配列、又は狭ピッチで且つ不規則な配列であって
も容易にフラックスの転写ができるフラックスの転写方
法を実現しようとする。
ッチの配列、又は狭ピッチで且つ不規則な配列であって
も容易にフラックスの転写ができるフラックスの転写方
法を実現しようとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のフラックスの転
写方法に於いては、絶縁基板上に設けられた多数のパッ
ドに半田バンプを形成するとき、予め前記パッドにフラ
ックスを塗布するためのフラックスの転写方法であっ
て、それぞれ板２の一方の端面に転写ピン３が形成され
たユニット４の複数枚を、それぞれの転写ピン３が同一
面で且つ所定の位置に配置されるように重ね合わせて１
つのブロックとしたフラックス転写用治具を用い、その
転写ピン３にフラックスを付着させ、該フラックスを前
記パッドに転写することを特徴とする。
写方法に於いては、絶縁基板上に設けられた多数のパッ
ドに半田バンプを形成するとき、予め前記パッドにフラ
ックスを塗布するためのフラックスの転写方法であっ
て、それぞれ板２の一方の端面に転写ピン３が形成され
たユニット４の複数枚を、それぞれの転写ピン３が同一
面で且つ所定の位置に配置されるように重ね合わせて１
つのブロックとしたフラックス転写用治具を用い、その
転写ピン３にフラックスを付着させ、該フラックスを前
記パッドに転写することを特徴とする。
【００１１】この構成を採ることにより、絶縁基板上の
パッドが狭ピッチの配列、又は狭ピッチで且つ不規則な
配列であっても容易にフラックスの転写ができるフラッ
クスの転写方法が得られる。
パッドが狭ピッチの配列、又は狭ピッチで且つ不規則な
配列であっても容易にフラックスの転写ができるフラッ
クスの転写方法が得られる。
【００１２】
【作用】本発明では図２に示すように、フラックス転写
用のパターンを平行した複数の線で分割し、分割された
パターンをそれぞれ位置決め孔１を有する板の端面に形
成してユニット４となし、その各ユニットを位置決めし
て重ね合わせてフラックス転写用治具を構成し、この転
写用治具を用いてフラックスを転写することによりパッ
ドの配列が狭ピッチで且つ不規則であっても容易にフラ
ックスの転写を行うことが可能となる。
用のパターンを平行した複数の線で分割し、分割された
パターンをそれぞれ位置決め孔１を有する板の端面に形
成してユニット４となし、その各ユニットを位置決めし
て重ね合わせてフラックス転写用治具を構成し、この転
写用治具を用いてフラックスを転写することによりパッ
ドの配列が狭ピッチで且つ不規則であっても容易にフラ
ックスの転写を行うことが可能となる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明のフラックスの転写方法に用い
るフラックス転写用治具を示す図で、（ａ）はユニット
の１つを示す斜視図、（ｂ）は位置出しブロックの一部
を除いて示した斜視図である。本フラックス転写用治具
は、図１（ａ）に示すように、位置決めピン孔１を有す
る板２の側面に、所定の位置に所定の大きさの転写ピン
３を形成してユニット４とし、このようなユニット４の
複数枚を図１（ｂ）に示すように、位置決めピン５を有
する位置出しブロック６に重ね合わせて収容した後、固
定手段で固定したものである。
るフラックス転写用治具を示す図で、（ａ）はユニット
の１つを示す斜視図、（ｂ）は位置出しブロックの一部
を除いて示した斜視図である。本フラックス転写用治具
は、図１（ａ）に示すように、位置決めピン孔１を有す
る板２の側面に、所定の位置に所定の大きさの転写ピン
３を形成してユニット４とし、このようなユニット４の
複数枚を図１（ｂ）に示すように、位置決めピン５を有
する位置出しブロック６に重ね合わせて収容した後、固
定手段で固定したものである。
【００１４】なお固定手段としては、位置出しブロック
６に押え板と固定ねじを用いてユニット４を押圧して固
定する方法等を用いることができる。また、各ユニット
４の転写ピン３は（ｂ）図の如く組立てた場合にそれぞ
れ所定位置に配置されるように形成しておく必要がある
ことは勿論である。
６に押え板と固定ねじを用いてユニット４を押圧して固
定する方法等を用いることができる。また、各ユニット
４の転写ピン３は（ｂ）図の如く組立てた場合にそれぞ
れ所定位置に配置されるように形成しておく必要がある
ことは勿論である。
【００１５】このように構成された本フラックス転写用
治具は、転写ピン３が縦、横に二次元的に配列されたブ
ロックを複数枚のユニット４に分割したことにより、各
ユニット４はその端面に一次元的な配列で転写ピン３を
形成することができるので、その製作は一体で製作する
よりも極めて容易となる。特に転写ピン３が不規則な配
置、例えば格子状の交点のある選択された点に配置され
たような場合に特に有利である。
治具は、転写ピン３が縦、横に二次元的に配列されたブ
ロックを複数枚のユニット４に分割したことにより、各
ユニット４はその端面に一次元的な配列で転写ピン３を
形成することができるので、その製作は一体で製作する
よりも極めて容易となる。特に転写ピン３が不規則な配
置、例えば格子状の交点のある選択された点に配置され
たような場合に特に有利である。
【００１６】次に本発明のフラックスの転写方法に用い
るフラックス転写用治具の製造方法を図２により説明す
る。本フラックス転写用治具の製造方法は、先ず図２
（ａ）の如く、複数のパッド７が形成される絶縁基板の
パターン８を、複数の平行した線９で分割する。この場
合、パッド７が格子状に配列されているときは、縦又は
横に１列毎に分割することが好ましい。なお図はパター
ンを裏側から見た図である。
るフラックス転写用治具の製造方法を図２により説明す
る。本フラックス転写用治具の製造方法は、先ず図２
（ａ）の如く、複数のパッド７が形成される絶縁基板の
パターン８を、複数の平行した線９で分割する。この場
合、パッド７が格子状に配列されているときは、縦又は
横に１列毎に分割することが好ましい。なお図はパター
ンを裏側から見た図である。
【００１７】次いで図２（ｂ）の如く、前記切断した各
パターンをそれぞれ位置決め孔１が予め形成された板２
の端面に移し、そのパターンに従って転写ピン３を形成
してユニット４とする。転写ピン３の加工は機械加工、
放電加工等何れでも良い。なお、板２の厚さは分割した
パターンの幅に対応させる必要がある。
パターンをそれぞれ位置決め孔１が予め形成された板２
の端面に移し、そのパターンに従って転写ピン３を形成
してユニット４とする。転写ピン３の加工は機械加工、
放電加工等何れでも良い。なお、板２の厚さは分割した
パターンの幅に対応させる必要がある。
【００１８】次いで前記のように作成された各ユニット
４を図２（ｃ）の如く、位置決めピン５を有する位置出
しブロック６を用い、その位置決めピン５に位置決め孔
１を嵌合させ、重ね合わせる。この場合、各ユニット４
は各転写ピン３が図２（ａ）の所定の配置となるように
重ね合わせる必要がある。次いで押え板１０を固定ねじ
１０ａで位置出しブロック６に固定し、ユニット４を押
圧固定する。
４を図２（ｃ）の如く、位置決めピン５を有する位置出
しブロック６を用い、その位置決めピン５に位置決め孔
１を嵌合させ、重ね合わせる。この場合、各ユニット４
は各転写ピン３が図２（ａ）の所定の配置となるように
重ね合わせる必要がある。次いで押え板１０を固定ねじ
１０ａで位置出しブロック６に固定し、ユニット４を押
圧固定する。
【００１９】本フラックス転写用治具の製造方法は、フ
ラックス転写用のパターンを平行した複数の線で分割
し、それぞれ分割されたパターンを板の端面に形成する
ため、パターン全体を一度に加工する場合に比べ極めて
容易となる。特に転写ピンのピッチが狭ピッチ（例えば
０．４mm以下）で且つ不規則な配列の場合、従来不可能
であった加工が可能になる。
ラックス転写用のパターンを平行した複数の線で分割
し、それぞれ分割されたパターンを板の端面に形成する
ため、パターン全体を一度に加工する場合に比べ極めて
容易となる。特に転写ピンのピッチが狭ピッチ（例えば
０．４mm以下）で且つ不規則な配列の場合、従来不可能
であった加工が可能になる。
【００２０】本発明のフラックスの転写方法は前述のフ
ラックス転写用治具を用い、その転写ピン３の先端にフ
ラックスを付着させ、これを絶縁基板上のパッドに転写
するのである。この本発明方法によれば、パッドの配列
が狭ピッチ、あるいは不規則であっても、前述のフラッ
クス転写用治具を用いることにより容易に転写を行うこ
とができる。
ラックス転写用治具を用い、その転写ピン３の先端にフ
ラックスを付着させ、これを絶縁基板上のパッドに転写
するのである。この本発明方法によれば、パッドの配列
が狭ピッチ、あるいは不規則であっても、前述のフラッ
クス転写用治具を用いることにより容易に転写を行うこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明に依れば、絶縁基板上のパッドが
狭ピッチで且つ不規則な配列であっても容易にフラック
スの転写を行うことができ、電子部品の高密度化に寄与
することができる。
狭ピッチで且つ不規則な配列であっても容易にフラック
スの転写を行うことができ、電子部品の高密度化に寄与
することができる。
【図１】本発明のフラックスの転写方法に用いるフラッ
クス転写用治具を示す図で、（ａ）はユニットの１つを
示す斜視図、（ｂ）は組立斜視図である。
クス転写用治具を示す図で、（ａ）はユニットの１つを
示す斜視図、（ｂ）は組立斜視図である。
【図２】本発明のフラックスの転写方法に用いるフラッ
クス転写用治具の製造方法を説明するための図である。
クス転写用治具の製造方法を説明するための図である。
【図３】従来の半田ボールを搭載する方式の１例を説明
するための図である。
するための図である。
１…位置決め孔 ２…板 ３…転写ピン ４…ユニット ５…位置決めピン ６…位置出しブロック ７…パッド ８…パターン ９…分割線 １０…押え板
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に設けられた多数のパッドに
半田バンプを形成するとき、予め前記パッドにフラック
スを塗布するためのフラックスの転写方法であって、 それぞれ板（２）の一方の端面に転写ピン（３）が形成
されたユニット（４）の複数枚を、それぞれの転写ピン
（３）が同一面で且つ所定の位置に配置されるように重
ね合わせて１つのブロックとしたフラックス転写用治具
を用い、その転写ピン（３）にフラックスを付着させ、
該フラックスを前記パッドに転写することを特徴とする
フラックスの転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27203293A JPH07131141A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | フラックスの転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27203293A JPH07131141A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | フラックスの転写方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131141A true JPH07131141A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17508183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27203293A Withdrawn JPH07131141A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | フラックスの転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131141A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256713A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Samsung Electron Co Ltd | Ｉｃパッケージの実装方法 |
| KR100779451B1 (ko) * | 2007-05-11 | 2007-11-26 | 주식회사 고려반도체시스템 | 솔더볼 어태치 머신용 플럭스 카트리지 및 이에 사용되는가압부재의 가이드 블록 |
| US20190295976A1 (en) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor fabrication apparatus and semiconductor fabrication method |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27203293A patent/JPH07131141A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256713A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Samsung Electron Co Ltd | Ｉｃパッケージの実装方法 |
| KR100779451B1 (ko) * | 2007-05-11 | 2007-11-26 | 주식회사 고려반도체시스템 | 솔더볼 어태치 머신용 플럭스 카트리지 및 이에 사용되는가압부재의 가이드 블록 |
| US20190295976A1 (en) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor fabrication apparatus and semiconductor fabrication method |
| CN110310902A (zh) * | 2018-03-20 | 2019-10-08 | 东芝存储器株式会社 | 半导体制造装置及半导体制造方法 |
| US10892240B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-01-12 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor fabrication apparatus and semiconductor fabrication method |
| CN110310902B (zh) * | 2018-03-20 | 2023-08-25 | 铠侠股份有限公司 | 半导体制造装置及半导体制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |