JPS6386535A - ボンデイングツ−ル - Google Patents
ボンデイングツ−ルInfo
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- JPS6386535A JPS6386535A JP23234886A JP23234886A JPS6386535A JP S6386535 A JPS6386535 A JP S6386535A JP 23234886 A JP23234886 A JP 23234886A JP 23234886 A JP23234886 A JP 23234886A JP S6386535 A JPS6386535 A JP S6386535A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、例えばテープキXアリア方式によりフィル
ムキャリアに半導体チップを接合するボンディングツー
ルに関する。
ムキャリアに半導体チップを接合するボンディングツー
ルに関する。
(従来の技術)
近年、半導体技術の発展により、電子装置を小型で高機
能に覆る要求から、半導体チップの薄型高密度実装化が
進んでいる。この薄型高密度実装化を実現するための手
段として、例えば半導体チップをフィルムキャリアに取
付+−J ’U実装する所謂テープキャリア方式(TA
B)がある。
能に覆る要求から、半導体チップの薄型高密度実装化が
進んでいる。この薄型高密度実装化を実現するための手
段として、例えば半導体チップをフィルムキャリアに取
付+−J ’U実装する所謂テープキャリア方式(TA
B)がある。
このようなテープキャリ76式は、例えば第4図および
第5図に示すようにフィルムキャリアに半導体チップを
搭載する。すなわち、フィルムキャリア101には半導
体チップ103を搭載する孔部105が形成され、フィ
ルムキャリア101の一面には回路パターンから孔部1
05に突出するリード107が設(プられている。リー
ド107は例えば銅等の金属おからなり、すず(3n
)メッキが施されている。一方、半導体チップ103は
ステージ109上に載置され、中央部に半4(本素子が
形成された領域111と周縁部にアルミニウA(AC)
等からなる電極パッド113が形成されたf+ l或1
15とを備えている。また、電極パラE’ 113上に
は金〈△IJ )等far +うなる接続媒体としてバ
ンブ117が設けられている3、そして、フィルムキX
・リア101の孔部105と半導体チップ103との位
置合わせを行なった後、ホンディングツール119によ
り電極バラ1へ113どリード107とを接続する。ボ
ンディングツール119にはカロ熱用のヒータ121が
KU +−1られていると共に押圧用の平坦なツール面
123が形成されている。前記接続は例えばこのような
ボンディングツール119の熱く例えば500℃)と押
圧力によるAu−3nおよびA L+ −△9の共晶結
合により行なわれる。
第5図に示すようにフィルムキャリアに半導体チップを
搭載する。すなわち、フィルムキャリア101には半導
体チップ103を搭載する孔部105が形成され、フィ
ルムキャリア101の一面には回路パターンから孔部1
05に突出するリード107が設(プられている。リー
ド107は例えば銅等の金属おからなり、すず(3n
)メッキが施されている。一方、半導体チップ103は
ステージ109上に載置され、中央部に半4(本素子が
形成された領域111と周縁部にアルミニウA(AC)
等からなる電極パッド113が形成されたf+ l或1
15とを備えている。また、電極パラE’ 113上に
は金〈△IJ )等far +うなる接続媒体としてバ
ンブ117が設けられている3、そして、フィルムキX
・リア101の孔部105と半導体チップ103との位
置合わせを行なった後、ホンディングツール119によ
り電極バラ1へ113どリード107とを接続する。ボ
ンディングツール119にはカロ熱用のヒータ121が
KU +−1られていると共に押圧用の平坦なツール面
123が形成されている。前記接続は例えばこのような
ボンディングツール119の熱く例えば500℃)と押
圧力によるAu−3nおよびA L+ −△9の共晶結
合により行なわれる。
ところでこのような従来のボンディングツールにあって
は、ツール面123は平坦に形成されており、しかも一
般にツール面123の湿度分布は中央部が高く周縁部で
低く電極パッド113が形成された領域115で共晶結
合に必要な温度を確保するために中央部の温度はざらに
高くなっている。このため、ボンディングツール119
にJ、る接合時に、フィルムキX・リア101と半導体
デツプ103とのツール面123の高:晶が≧l’導体
導体素形成された領域111に作用し・て半I K V
−了が熱によっC変質したり破壊される恐れがある。ま
た、ツール面123にバンブ117又(Jレジス1−の
破片等が付着していた場合、ホンディングツール119
が゛r導体素子が形成された領域111をも押圧してし
まい半導体チップ103にクラックが発生する恐れがあ
る。
は、ツール面123は平坦に形成されており、しかも一
般にツール面123の湿度分布は中央部が高く周縁部で
低く電極パッド113が形成された領域115で共晶結
合に必要な温度を確保するために中央部の温度はざらに
高くなっている。このため、ボンディングツール119
にJ、る接合時に、フィルムキX・リア101と半導体
デツプ103とのツール面123の高:晶が≧l’導体
導体素形成された領域111に作用し・て半I K V
−了が熱によっC変質したり破壊される恐れがある。ま
た、ツール面123にバンブ117又(Jレジス1−の
破片等が付着していた場合、ホンディングツール119
が゛r導体素子が形成された領域111をも押圧してし
まい半導体チップ103にクラックが発生する恐れがあ
る。
これに対し、ツール面123の中央部に単に凹部125
を形成しCツール而123と半)9体素子が形成された
領域111との隙間を確保し、接合時にツール面123
の熱および押圧ツノが半導体素子に伝達されないように
したものがある(121公昭60−20896号公報参
照)。
を形成しCツール而123と半)9体素子が形成された
領域111との隙間を確保し、接合時にツール面123
の熱および押圧ツノが半導体素子に伝達されないように
したものがある(121公昭60−20896号公報参
照)。
しかしながらこのようなボンディングツールでは、半導
体デツプ103の人きさに係わらず四部125の大きさ
は一定であるため、各種の大ささの半導体デツプ103
に適用4ることがCさず、半導体チップ103の大きさ
が異なるどツール部全体を交換する必要があり作業が大
変煩雑である。
体デツプ103の人きさに係わらず四部125の大きさ
は一定であるため、各種の大ささの半導体デツプ103
に適用4ることがCさず、半導体チップ103の大きさ
が異なるどツール部全体を交換する必要があり作業が大
変煩雑である。
(発明が解決しようとする問題点)
以上説明したように従来のボンディングツールでは、4
′導体素子を保護覆るためにツール面の中央部に甲に凹
部を形成したので、1′導体チップの犬きざに対応し−
C大きさを変えることができずツール部全体を交換覆る
必要性があった。
′導体素子を保護覆るためにツール面の中央部に甲に凹
部を形成したので、1′導体チップの犬きざに対応し−
C大きさを変えることができずツール部全体を交換覆る
必要性があった。
この発明は上記問題に着目してなされたもので、ツール
部全体を交換することなく半導体チップの大きさに対応
して半導体素子を保護することができるボンディングツ
ールの促供を目的とする。
部全体を交換することなく半導体チップの大きさに対応
して半導体素子を保護することができるボンディングツ
ールの促供を目的とする。
[発明の構成1
(間匹点を解決するための手段)
」ニ記目的を達成するためにこの発明は、フィル1、キ
ャリアに設けられ先端部が半導体チップ搭載用の孔部に
臨む複数のリードと前記半導体チップに配設された複数
の電極パッドとをツール面により押圧して接合させるボ
ンディングツールであ−)で、前記ツール面を面方向に
相対移動可能な複数の部材で構成し、この各部材間で前
記ツール面に四部を形成することとした。
ャリアに設けられ先端部が半導体チップ搭載用の孔部に
臨む複数のリードと前記半導体チップに配設された複数
の電極パッドとをツール面により押圧して接合させるボ
ンディングツールであ−)で、前記ツール面を面方向に
相対移動可能な複数の部材で構成し、この各部材間で前
記ツール面に四部を形成することとした。
(作用)
上記構成において、フィルムキャリアのリードと半導体
チップの電仲バッドとをツール面により押圧しても、ツ
ール面に凹部が形成されていることにより、ツール面と
半導体素子との間には隙間があるため熱や押圧力が半導
体素子に伝わるのを抑えることができる。しかも、凹部
はツール面の面方向に相対移動可能IcK複数の部材間
で構成されているので、凹部を種々の半導体チップに適
応した大ささに変更づ−ることができる。
チップの電仲バッドとをツール面により押圧しても、ツ
ール面に凹部が形成されていることにより、ツール面と
半導体素子との間には隙間があるため熱や押圧力が半導
体素子に伝わるのを抑えることができる。しかも、凹部
はツール面の面方向に相対移動可能IcK複数の部材間
で構成されているので、凹部を種々の半導体チップに適
応した大ささに変更づ−ることができる。
〈実施例)
以下図面に基づき、この発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第1図乃至第3図は、この発明の一実施例に係わるボン
ディングツールを示している。ここで、第1図はボンデ
ィングツールのri視図、第2図は同底面図、第3図は
第2図の■−■断面図である。
ディングツールを示している。ここで、第1図はボンデ
ィングツールのri視図、第2図は同底面図、第3図は
第2図の■−■断面図である。
第1図乃至第3図において、ボンディングッ−ル1は上
下動自在なツール本体363よびツール本体3を駆動さ
せる図外のラム部等からなっている。
下動自在なツール本体363よびツール本体3を駆動さ
せる図外のラム部等からなっている。
ツール本体3は円!4状に形成され、ツール本体3の下
面5には例えば十文字状のあり溝7が形成されている。
面5には例えば十文字状のあり溝7が形成されている。
このあり満7には第1乃至第4可動ベース9,11,1
3.15がツール本体3の下面5に対して移動可能に係
合されており、第1および第3可動ベース9.13の移
動方向と第2および第4可動ベース11.15の移動方
向とは互いに直交することになる。
3.15がツール本体3の下面5に対して移動可能に係
合されており、第1および第3可動ベース9.13の移
動方向と第2および第4可動ベース11.15の移動方
向とは互いに直交することになる。
第1乃至第4可動ベース9.11,13.15の下部に
は、第1乃至第4可動ベース9,11゜13.15それ
ぞれの移動方向と直交づる方向にあり1fi17,19
,21.23が形成されている。
は、第1乃至第4可動ベース9,11゜13.15それ
ぞれの移動方向と直交づる方向にあり1fi17,19
,21.23が形成されている。
このあり満17.19,21.23には第1乃至第4可
動片25,27,29.31が係合している。従−)で
、第1および第3可動片25.29の移動方向は第1お
よび第3可動ベース9,13の移動方向と直交し、第2
おJ、び第4可動片27゜310移動方向は第2および
第4可動ベース11゜15の移動方向と直交覆ることに
なる。
動片25,27,29.31が係合している。従−)で
、第1および第3可動片25.29の移動方向は第1お
よび第3可動ベース9,13の移動方向と直交し、第2
おJ、び第4可動片27゜310移動方向は第2および
第4可動ベース11゜15の移動方向と直交覆ることに
なる。
第1乃至第4可動片25,27,29.31は、移動方
向に長い四I′I′J(1状に形成され、各端面が隣合
う第1乃至第4可動片25,27,29.31の各側面
に当接11−るように組まれている。第1乃至第4可動
片25,27.29.31の下部には、人工ダイヤモン
ドヤ)In −GO−Ni (インジウム−」バルト
−ニッケル)合金等からなる押圧部材33,35,37
.39がロウイqけ等ににり固定されている。この押圧
部材33 、35 、37 。
向に長い四I′I′J(1状に形成され、各端面が隣合
う第1乃至第4可動片25,27,29.31の各側面
に当接11−るように組まれている。第1乃至第4可動
片25,27.29.31の下部には、人工ダイヤモン
ドヤ)In −GO−Ni (インジウム−」バルト
−ニッケル)合金等からなる押圧部材33,35,37
.39がロウイqけ等ににり固定されている。この押圧
部材33 、35 、37 。
39は第1乃至第4可動片25,27,29.31と略
同様の形状を持っており、ツール本体3の下面5の面方
向に相対移動可能な部材を構成している。そして、この
押圧部材33,35,37゜39の下面にツール面41
が形成されることになる。しかも、ツール面41には押
圧部U33,35.37.39間に凹部43(例えば深
さ0.5mm)が形成され−Cいる。従って、凹部43
の大きさは押圧部材33,35,37.39を相対移動
させることにより、任意に変えることができる。
同様の形状を持っており、ツール本体3の下面5の面方
向に相対移動可能な部材を構成している。そして、この
押圧部材33,35,37゜39の下面にツール面41
が形成されることになる。しかも、ツール面41には押
圧部U33,35.37.39間に凹部43(例えば深
さ0.5mm)が形成され−Cいる。従って、凹部43
の大きさは押圧部材33,35,37.39を相対移動
させることにより、任意に変えることができる。
第1可動ベース9と第3可動ベース13どの間に1、t
、両者をLR合可能な固定ねじ45がワッシP47を介
し−C設(Jられている。
、両者をLR合可能な固定ねじ45がワッシP47を介
し−C設(Jられている。
次に作用な説明する。
上記構成において、まず半導体チップの大きさに15じ
、ツール面41が゛V導体チップの電極パッドが形成さ
れた領域に、凹部43が半導体素子が形成された領域に
それぞれ位置するように押圧部材33.35,37.3
9を組む。次に、第1可動片25の端面を第4可動片3
1の側面に、第2可動片27の端面を第1可動片25の
側面に、第3可動片29の端面を第2可動片27の側面
に、第4可動片31の端面を第3可動片29の側面にそ
れぞれ圧着させ、この状態を保持したまま固定ねじ45
を第1可動ベース9おj、び第3可動ベース13に螺合
させる。この結果、あり溝7.17゜19.21.23
と、これに係合する各部材との間の摩擦により、抑圧部
材33,35,37.39は固定されることになる。
、ツール面41が゛V導体チップの電極パッドが形成さ
れた領域に、凹部43が半導体素子が形成された領域に
それぞれ位置するように押圧部材33.35,37.3
9を組む。次に、第1可動片25の端面を第4可動片3
1の側面に、第2可動片27の端面を第1可動片25の
側面に、第3可動片29の端面を第2可動片27の側面
に、第4可動片31の端面を第3可動片29の側面にそ
れぞれ圧着させ、この状態を保持したまま固定ねじ45
を第1可動ベース9おj、び第3可動ベース13に螺合
させる。この結果、あり溝7.17゜19.21.23
と、これに係合する各部材との間の摩擦により、抑圧部
材33,35,37.39は固定されることになる。
そして、このようなツール面41により、フィルムキャ
リアのリードと半59体チップの電極バッドとを熱およ
び押LF力で接合させるのである。この際、ツール面4
1の半導体素子が形成された領域と対向する部分には凹
部43が形成され−Cいるため、ツール面41の熱おJ
、び押圧力が半)9体素了に与えるF33 費を抑える
ことがてさる。従っC1半導体素子が変質したり破壊さ
れる恐れや半導体チップにクラックが発生するのを抑え
ることができる。
リアのリードと半59体チップの電極バッドとを熱およ
び押LF力で接合させるのである。この際、ツール面4
1の半導体素子が形成された領域と対向する部分には凹
部43が形成され−Cいるため、ツール面41の熱おJ
、び押圧力が半)9体素了に与えるF33 費を抑える
ことがてさる。従っC1半導体素子が変質したり破壊さ
れる恐れや半導体チップにクラックが発生するのを抑え
ることができる。
その後、ホンディングツール1を大きさが胃なる半導体
チップに適用する場合は、固定ねじ45を例えば第3可
動ベース13から外し−Cあり満7゜17.19.21
における摩擦を解いた後に、押圧部材33.35,37
.39を相対移動させC凹部43の大きざを変える。こ
れにより、半導体チップの大きさが異なってもツール部
全体を交換することなく各種の大きさに対応することが
でき、作業工程が煩雑になるのを抑えることができる。
チップに適用する場合は、固定ねじ45を例えば第3可
動ベース13から外し−Cあり満7゜17.19.21
における摩擦を解いた後に、押圧部材33.35,37
.39を相対移動させC凹部43の大きざを変える。こ
れにより、半導体チップの大きさが異なってもツール部
全体を交換することなく各種の大きさに対応することが
でき、作業工程が煩雑になるのを抑えることができる。
また、ツール面41を構成する抑圧部材は、人工ダイ)
フしン1ンや1n−co−Ni合金等の硬v1の材料か
らな−)でいるのでツール面41表面の荒れを抑えろこ
とができ、ツール面41にイ」看(る金14亡酸化物を
除去するために行なう研磨回数を少なくすることができ
作業性が良好である。しかも、ツール面41には凹部4
3が形成されCいるので研磨部分を減らすことができ、
さらに作業性に寄与することができる。
フしン1ンや1n−co−Ni合金等の硬v1の材料か
らな−)でいるのでツール面41表面の荒れを抑えろこ
とができ、ツール面41にイ」看(る金14亡酸化物を
除去するために行なう研磨回数を少なくすることができ
作業性が良好である。しかも、ツール面41には凹部4
3が形成されCいるので研磨部分を減らすことができ、
さらに作業性に寄与することができる。
なお、この発明は上記実施例のものに限定されず、例え
ばツール本体3として四角柱状のものに適用してもよい
ことはいうまでもない。この場合、あり溝7を対角線上
に形成すれば大きな半導体チップ3に対応する自由度を
確保することができる。
ばツール本体3として四角柱状のものに適用してもよい
ことはいうまでもない。この場合、あり溝7を対角線上
に形成すれば大きな半導体チップ3に対応する自由度を
確保することができる。
また、押圧部11133,35,37.39を直接ツー
ル本体3の下面で組みろう例げにより固定し−でも半導
体チップ3の大きさに適応した接合をすることができる
。
ル本体3の下面で組みろう例げにより固定し−でも半導
体チップ3の大きさに適応した接合をすることができる
。
[発明の効果]
以上説明したようにこの発明によれば、ツール面を面方
向に相対移動可能な複数の部材で構成し、この各部材間
でツール面に凹部を形成したため、フィルム−Vヤルア
と半導体ヂッゾとの接合時にツール面の熱や押圧力が半
導体素子に伝達されるのを抑えることができ、半導体素
子が変質しL:り破壊される恐れや半導体チップにクラ
ックが発生Jるのを抑えることができろ。しかし、凹部
は種々の半導体チップに適応した大きさにすることがで
き、半導体チップの大きさがF!?、なってもツール部
全体を交換しなくてよく作業工程が煩雑になるのを抑え
ることができる。
向に相対移動可能な複数の部材で構成し、この各部材間
でツール面に凹部を形成したため、フィルム−Vヤルア
と半導体ヂッゾとの接合時にツール面の熱や押圧力が半
導体素子に伝達されるのを抑えることができ、半導体素
子が変質しL:り破壊される恐れや半導体チップにクラ
ックが発生Jるのを抑えることができろ。しかし、凹部
は種々の半導体チップに適応した大きさにすることがで
き、半導体チップの大きさがF!?、なってもツール部
全体を交換しなくてよく作業工程が煩雑になるのを抑え
ることができる。
第1図はこの発明の一実施例に係るボンディングツール
の斜視図、第2図は同底面図、第3図は工 第2図の零=才票面図、第4図は従来例の作用説明図、
第5図は同斜視図である。 33.35.37.39・・・抑圧部材41・・・ツー
ル面 43・・・凹部
の斜視図、第2図は同底面図、第3図は工 第2図の零=才票面図、第4図は従来例の作用説明図、
第5図は同斜視図である。 33.35.37.39・・・抑圧部材41・・・ツー
ル面 43・・・凹部
Claims (2)
- (1)フィルムキャリアに設けられ先端部が半導体チッ
プ搭載用の孔部に臨む複数のリードと前記半導体チップ
に配設された複数の電極パッドとをツール面により押圧
して接合させるボンディングツールであって、前記ツー
ル面を面方向に相対移動可能な複数の部材で構成し、こ
の各部材間で前記ツール面に凹部を形成してなることを
特徴とするボンディングツール。 - (2)前記相対移動可能な複数の部材は、各部材間の摩
擦により固定されることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のボンディングツール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23234886A JPS6386535A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | ボンデイングツ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23234886A JPS6386535A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | ボンデイングツ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6386535A true JPS6386535A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16937799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23234886A Pending JPS6386535A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | ボンデイングツ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6386535A (ja) |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23234886A patent/JPS6386535A/ja active Pending
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