JPS60137038A - 半導体ウエ−ハのへき開方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハのへき開方法Info
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- JPS60137038A JPS60137038A JP58246134A JP24613483A JPS60137038A JP S60137038 A JPS60137038 A JP S60137038A JP 58246134 A JP58246134 A JP 58246134A JP 24613483 A JP24613483 A JP 24613483A JP S60137038 A JPS60137038 A JP S60137038A
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- Japan
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- semiconductor wafer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は半導体ウェーハのへぎ開方法に係り、特にレ
ーザータイオード（ＬＤ）を作る場合に有用なＩ＼き開
方法に関する。
ーザータイオード（ＬＤ）を作る場合に有用なＩ＼き開
方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
半導体ウェーハから半導体素子チップを作り出す方法に
は、ダイシングによる切断方法、スクライブによるへき
開方法などがある。半導体素子の切口が損傷せずに且つ
平−坦面の得られるのはスクライブによるべき開方法で
ある。
は、ダイシングによる切断方法、スクライブによるへき
開方法などがある。半導体素子の切口が損傷せずに且つ
平−坦面の得られるのはスクライブによるべき開方法で
ある。
従来のスクライブによるへき開方法を第１図（ａ）、（
ｂ）を参照して以下に説明する。まず第１図（ａ＞に示
すように、粘着テープ１１の粘着面に半導体エウーハ１
２を貼り合わせる。次にスクライブマシンによってウェ
ーハ１２の面のいわゆるスクライブラインに沿って傷１
３をつける。
ｂ）を参照して以下に説明する。まず第１図（ａ＞に示
すように、粘着テープ１１の粘着面に半導体エウーハ１
２を貼り合わせる。次にスクライブマシンによってウェ
ーハ１２の面のいわゆるスクライブラインに沿って傷１
３をつける。
次にウェーハ１２の表裏を逆にして粘着テープ１１に貼
りつけ、第１図（ｂ ）に示すように、離型紙１４をウ
ェーハ１２上にかぶせて弾力性のあるゴム１６上でロー
ラー１５を加圧しながらつ工−ハ１２上を回転させる。
りつけ、第１図（ｂ ）に示すように、離型紙１４をウ
ェーハ１２上にかぶせて弾力性のあるゴム１６上でロー
ラー１５を加圧しながらつ工−ハ１２上を回転させる。
このようにしてウェーハ１２をへき間分割して素子チッ
プ１７を作り出す。この後、有機溶剤洗浄によって粘着
テープ１１から素子チップ１７を剥離する。
プ１７を作り出す。この後、有機溶剤洗浄によって粘着
テープ１１から素子チップ１７を剥離する。
以上述べたスクライブによるべき開方法は、例えば集積
回路や発光ダイオードなどには有効な方法であり一般的
に行なわれている。しかしながらＬＤを作る場合には最
適な方法とはいえなかった。
回路や発光ダイオードなどには有効な方法であり一般的
に行なわれている。しかしながらＬＤを作る場合には最
適な方法とはいえなかった。
その最大の理由は、素子の切り口即ちへき開面の平坦性
がＬＤとしては不充分なためである。これはスクライブ
ラインに沿ってつけた傷がその深さや傷口の向きにより
、へき開面に影響を与えることによる。ＬＤは素子のへ
ぎ開面を反射鏡として光増幅を行なうものであって、へ
き開面の平坦性が極めて重要となり、へき開面の良否が
ＬＤの特性、品質に直接影響するものである。
がＬＤとしては不充分なためである。これはスクライブ
ラインに沿ってつけた傷がその深さや傷口の向きにより
、へき開面に影響を与えることによる。ＬＤは素子のへ
ぎ開面を反射鏡として光増幅を行なうものであって、へ
き開面の平坦性が極めて重要となり、へき開面の良否が
ＬＤの特性、品質に直接影響するものである。
［発明の目的〕
この発明の目的は、良好なへき開面を安定して得るため
の半導体ウェーへのへき開方法を提供することにある。
の半導体ウェーへのへき開方法を提供することにある。
［発明の概要コ
この発明は、直線状の支点となる支持体を利用し、支持
体の支点上に２枚の透明フィルムで挟持された半導体ウ
ェーハを配置して、２枚のフィルムを引張りながら半導
体ウェーハに折り曲げるような力を加えてへき開動作を
行なう。この場合半導体ウェーハの面には、端部に小さ
な傷をつけておく。
体の支点上に２枚の透明フィルムで挟持された半導体ウ
ェーハを配置して、２枚のフィルムを引張りながら半導
体ウェーハに折り曲げるような力を加えてへき開動作を
行なう。この場合半導体ウェーハの面には、端部に小さ
な傷をつけておく。
［発明の効果］
この発明によれば、半導体ウェーハに設けられる傷はへ
き開の方位を決定するためだけのわずかなものであって
、この傷の影響がへき開面に殆んど現われることなり、
極めて平坦性の優れたへき開面が安定して得られる。し
かも粘着テープを用いる必要もないので、へき開面を清
浄に保つことができる。従って、この発明によれば特性
の良いＬＤ素子の製造歩留りが向上し、低廉化が可能と
なる。
き開の方位を決定するためだけのわずかなものであって
、この傷の影響がへき開面に殆んど現われることなり、
極めて平坦性の優れたへき開面が安定して得られる。し
かも粘着テープを用いる必要もないので、へき開面を清
浄に保つことができる。従って、この発明によれば特性
の良いＬＤ素子の製造歩留りが向上し、低廉化が可能と
なる。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例を第２図（ａ’）、（１））を参照
して説明する。第２図（ａ ）は既に傷をつけた半導体
ウェーハ２１を２枚の透明フィルム２３゜２４で挾み込
む状態を斜視図で示したものである。
して説明する。第２図（ａ ）は既に傷をつけた半導体
ウェーハ２１を２枚の透明フィルム２３゜２４で挾み込
む状態を斜視図で示したものである。
ウェーハ２１に傷をつけるにはウェーハ２１を真空チャ
ックによってステージに固定し、ダイヤモンド針を用い
て行なう（図示せず〉。ｆｌ ２２は、ウェーハ２１の
一方の面の一端部に長さ約０．３ａｎの長さにわたって
設ける。（セ２２の方向はウェーハ２１の固有のへき開
し易い方位と平行にする。
ックによってステージに固定し、ダイヤモンド針を用い
て行なう（図示せず〉。ｆｌ ２２は、ウェーハ２１の
一方の面の一端部に長さ約０．３ａｎの長さにわたって
設ける。（セ２２の方向はウェーハ２１の固有のへき開
し易い方位と平行にする。
ダイヤモンド針に与える加重はウェーハ材料、厚みによ
って最適条件が異なり、例えば厚さ１５０μｍのＧａ
Ａｌ Ａｓの場合５ｇの加重で行なった。
って最適条件が異なり、例えば厚さ１５０μｍのＧａ
Ａｌ Ａｓの場合５ｇの加重で行なった。
次に傷２２をつけたウェーハ２１を２枚の透明フィルム
２３．２４で挾むが、これら２枚のフィルム２３．２４
は静電気によって密着し、ウェーハ２１を挟持すること
ができるようになる。実施例ではフィルムとして厚さ１
０μｍのポリエステルを材料としたものを用いたが、二
１〜フロン、カブＩ・ン等（いずれも商品名）でも良く
、弾力性の少ないもので裂けにくいものが望ましい。
２３．２４で挾むが、これら２枚のフィルム２３．２４
は静電気によって密着し、ウェーハ２１を挟持すること
ができるようになる。実施例ではフィルムとして厚さ１
０μｍのポリエステルを材料としたものを用いたが、二
１〜フロン、カブＩ・ン等（いずれも商品名）でも良く
、弾力性の少ないもので裂けにくいものが望ましい。
次に、へき開動作を第２図（ｂ）を参照して説明する。
第２図（ｂ）は、前述のフィルム２３゜２４に挟持され
た半導体ウェーハ２１を支持体２５の直線状支点を利用
してへき関するところの斜視図である。支持体２５は金
属製のブロックで、直線状支点となる稜２６がある。こ
の稜２６を構成するブロックの２つの面のなす角は、本
実施例では約６０度で行なった。種々、数多くの実験を
試みた結果によれば、稜を構成する角度は幅広く、数度
の鋭角から１５０度程度の鈍角でもへき開が良好にでき
ることが確認されている。又、稜の形が、厳密には稜と
はいえない、微小な曲率をもつ一曲面であっても良好な
へき開のできることも確認された。この支持体２５上に
前述したフィルム２３．２４に挟持された半導体ウェー
ハ２１を配置する。このとき、ウェーハ２１に設けた傷
２２を上にする。ウェーハ２１の（Ｉ２２と支持体２５
の稜２６とは透明フィルム２４を通して顕微鏡下で見る
ことができ、その両者の位置合わせを行なう。次にウェ
ーハ２１を挾持した２枚のフィルム２３．２４の両端を
同時に引張りながら、且つ支持体２５方向に折り曲げる
ごとく矢印Ａ、Ｂ方向に力を加える。ある程度以上の力
を加えることによって、ウェーハ２１は傷２２の部分と
稜２６とが合致した箇所で陵２６に沿ってへき関される
。
た半導体ウェーハ２１を支持体２５の直線状支点を利用
してへき関するところの斜視図である。支持体２５は金
属製のブロックで、直線状支点となる稜２６がある。こ
の稜２６を構成するブロックの２つの面のなす角は、本
実施例では約６０度で行なった。種々、数多くの実験を
試みた結果によれば、稜を構成する角度は幅広く、数度
の鋭角から１５０度程度の鈍角でもへき開が良好にでき
ることが確認されている。又、稜の形が、厳密には稜と
はいえない、微小な曲率をもつ一曲面であっても良好な
へき開のできることも確認された。この支持体２５上に
前述したフィルム２３．２４に挟持された半導体ウェー
ハ２１を配置する。このとき、ウェーハ２１に設けた傷
２２を上にする。ウェーハ２１の（Ｉ２２と支持体２５
の稜２６とは透明フィルム２４を通して顕微鏡下で見る
ことができ、その両者の位置合わせを行なう。次にウェ
ーハ２１を挾持した２枚のフィルム２３．２４の両端を
同時に引張りながら、且つ支持体２５方向に折り曲げる
ごとく矢印Ａ、Ｂ方向に力を加える。ある程度以上の力
を加えることによって、ウェーハ２１は傷２２の部分と
稜２６とが合致した箇所で陵２６に沿ってへき関される
。
この実施例によれば、予めウェーハにつける傷の影響が
殆んどなく、へき開面は極めて平坦で良好なものが得ら
れる。また、この方法によれば従来不可能であった次の
ような特殊なへき開ができることも実験的に確かめた。
殆んどなく、へき開面は極めて平坦で良好なものが得ら
れる。また、この方法によれば従来不可能であった次の
ような特殊なへき開ができることも実験的に確かめた。
即ち、長さ２０ＩｌＩ＃１１幅０．４ｍ、厚さ０．１ｔ
ｎｍの短冊状のウェーハを縦に三方して長さ２０ｍ、幅
０．２ｍｍの短冊を作ることができ、しかもそのへき開
面は極めて良好な平坦面であった。従来の方法では、ロ
ーラーと弾性体の間で半導体ウェーハに加わる力が分散
するため、このような細い短冊状にへき関することは困
難である。
ｎｍの短冊状のウェーハを縦に三方して長さ２０ｍ、幅
０．２ｍｍの短冊を作ることができ、しかもそのへき開
面は極めて良好な平坦面であった。従来の方法では、ロ
ーラーと弾性体の間で半導体ウェーハに加わる力が分散
するため、このような細い短冊状にへき関することは困
難である。
次に、この発明の別の実施例を説明する。２枚の透明フ
ィルムでウェーハを挾む際に、アルコール、水等、透明
な液体を同時に挾み込み、静電気によるフィルム密着に
代って、大気圧でウェーハを確実に固定した。この状態
で前述の実施例と同様のへき開動作を行なった。この実
施例によっても先の実施例と同様、良好なへき開面が得
られ、しかもへき開分離された短冊状のチップが移動す
ることなく整然と位置が保たれ、作業性が向上する効果
があった。
ィルムでウェーハを挾む際に、アルコール、水等、透明
な液体を同時に挾み込み、静電気によるフィルム密着に
代って、大気圧でウェーハを確実に固定した。この状態
で前述の実施例と同様のへき開動作を行なった。この実
施例によっても先の実施例と同様、良好なへき開面が得
られ、しかもへき開分離された短冊状のチップが移動す
ることなく整然と位置が保たれ、作業性が向上する効果
があった。
またこの発明の他の実施例として、支持体の平面部にフ
ィルムに挟持されたウェーハを配置固定し、支持体の端
部即ち直線状支点から突出させたウェーハ部分をフィル
ムの引張りと折り曲げによってへき開することも可能で
ある。これはウェーハのへき開部以外に応ノコを加えな
い点で有効であった。
ィルムに挟持されたウェーハを配置固定し、支持体の端
部即ち直線状支点から突出させたウェーハ部分をフィル
ムの引張りと折り曲げによってへき開することも可能で
ある。これはウェーハのへき開部以外に応ノコを加えな
い点で有効であった。
第１図（ａ）、（ｂ）は従来のへき開方法を説明するた
めの斜視図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の詳細な説
明するための斜視図である。 ２１・・・半導体ウェーハ、２２・・・傷、２３．２４
・・・透明フィルム、２５・・・支持体、２６・・・稜
（直線状支点）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
めの斜視図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の詳細な説
明するための斜視図である。 ２１・・・半導体ウェーハ、２２・・・傷、２３．２４
・・・透明フィルム、２５・・・支持体、２６・・・稜
（直線状支点）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (2)
- （１）半導体ウェーへの一方の面の端部に傷をつけ、こ
の半導体ウェーハを２枚の透明フィルムで挟持して直線
状支点を有した支持体上に配置し、前記半導体ウェーへ
の山部と前記直線状支点とを位置合わせして２枚のフィ
ルムを同時に引張りながら前記支持体方向に折り曲げる
ごとく力を加えることを特徴とする半導体ウェーへのへ
き開方法。 - （２） 前記２枚の透明フィルムの間に半導体つ工−ハ
と共に透明液体を挟持するようにした特許請求の範囲第
１項記載の半導体エウーハのへぎ開方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246134A JPS60137038A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体ウエ−ハのへき開方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246134A JPS60137038A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体ウエ−ハのへき開方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60137038A true JPS60137038A (ja) | 1985-07-20 |
| JPH0447459B2 JPH0447459B2 (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=17143984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58246134A Granted JPS60137038A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体ウエ−ハのへき開方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60137038A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254203A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
| JPS62296578A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶の分離方法 |
| JPS62296579A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基体の劈開方法 |
| JPS62296580A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザの劈開方法 |
| JP2019175927A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 株式会社東京精密 | ウェーハ分割装置及び方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913081U (ja) * | 1972-05-08 | 1974-02-04 | ||
| JPS50183A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-06 | ||
| JPS5763845A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Dividing device for semicondutor wafer |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58246134A patent/JPS60137038A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913081U (ja) * | 1972-05-08 | 1974-02-04 | ||
| JPS50183A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-06 | ||
| JPS5763845A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Dividing device for semicondutor wafer |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6254203A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
| JPS62296578A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶の分離方法 |
| JPS62296579A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基体の劈開方法 |
| JPS62296580A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザの劈開方法 |
| JP2019175927A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 株式会社東京精密 | ウェーハ分割装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447459B2 (ja) | 1992-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |