JPS62296578A - 半導体結晶の分離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 この発明は、半導体結晶基板を適当な単位の大きさに分
割する方法、すなわち、半導体結晶の分離方法に関する
ものである。

従来の技術 半導体装置の製造工程では、径大な半導体結晶基板に多
数の単位素子を配列して作り込んだものから、その単位
素子を小片に分離して取り出す工程がある。半導体レー
ザでは、この分離工程が重要であり、通常、半導体レー
ザ結晶基板に鋭利な刃物でけがき傷を入れ、この刃傷か
ら結晶の襞間面に沿って襞間分離する技術が用いられる
。このとき、半導体レーザ結晶基板を伸縮性を有するシ
ート上に接着し、このシートを分離線の方向と直角な方
向に引き伸ばした状態にして、この半導体レーザ結晶基
板に鋭利な刃を押し当てると、結晶の襞間がスムーズに
進行することが知られている（たとえば、公開特許公報
、昭５７−１６６０９２しかしながら、上述の従来技術
では、半導体レーザ結晶基板の裏面をシートに接着して
、そのシートの引き伸ばした状態で、同半導体レーザ結
晶基板の裏面側に引張り応力、同基板の表面側に圧縮応
力を生じており、この状態で半導体レーザ結晶基板の表
面に鋭利な刃物を押し当てるとき、その刃先にも同基板
の圧縮応力が作用するので、これに抗して、いっそう強
い圧力で刃物を押し当てなければ、基板表面に刃傷を与
えられず、したがって、このような状況では、基板表面
の襞間部分に微小なりラックが発生し易く、半導体レー
ザの特性を損うことも起こる。

この発明の目的は、基板表面の襞間部分に微小なりラッ
クの発生しない半導体結晶の分離方法を提供することに
ある。

問題点を解決するための手段 この発明は、半導体結晶基板の一表面に、分離のための
刃傷を付ける工程、前記半導体結晶基板を伸展可能なシ
ートで両面から固定する工程、前記半導体結晶基板の他
表面から、同半導体結晶基板の劈開方向に沿う押圧力を
加える工程および前記両面のシートに対して、前記半導
体結晶基板の一表面側のシートを相対的に大きく伸展し
、同半導体結晶基板の他表面側のシートを相対的に小さ
く伸展する力を加える工程をそなえた半導体結晶の分離
方法である。

作用 この発明によると、まず、半導体結晶基板の一表面に、
分離のための刃傷を局所的に付け、この半導体結晶基板
を両面からシートで固定し、つぎに、この状態で、半導
体結晶基板の他表面側がら劈開方向に押圧力を加え、併
せて、両面のシートに所定の伸展力を与えることにより
、半導体結晶に対しては、刃傷の部分がら襞間面を順次
押し開くように、外力を加えることになり、同勢開面に
機械的な損傷の生ずることがない。

実施例 つぎに、この発明を実施例によって詳しくのべる。

第１図は、この発明の詳細な説明するための断面図であ
り、半導体結晶基板１を両面から伸展可能なシート、た
とえば、塩化ポリビニールのシート２，３によって固定
した状態を示す。半導体結晶基板１には、その一表面側
に刃傷４が付けられている。この刃傷４は、たとえば、
第２図の概要斜視図で示すように、半導体結晶基板１の
一表面から、鋭利な刃物５を用いて、劈開方向に深さ２
０〜３０μｍ、長さ約５６０μｍで設ける。半導体結晶
基板１がＧａＡ１！Ａｓ半導体レーザの場合には、第３
図の断面図のように、ＧａＡｓ基板１１上に電流狭窄層
１２．Ｐ型クラッド層１３゜活性層１４．ｎ型クラッド
層１５およびｎ型コンタクト層１６の各層からなってお
り、ｎ型結晶面の電極１７おして、Ａ　ｕ　−Ｇ　ｅ　
／　Ａ　ｕ二層構造層、また、Ｐ型詰晶面の電極１８と
して、Ａｕ−Ｚｎの合金層を設けている。ｎ型結晶面の
電極１７は、襞間の目安となるパターンで、通常、約２
５０μｍに分離し、襞間用の刃傷はこの分離口に位置す
るように設ける。なお、ＧａＡｓ基板１１上に形成され
る各層の混晶Ｇａ（１−ｘ）ＡｅｘＡｓの混晶比Ｘは、
電流狭窄層１２がＯ，Ｐ型クラッド層１３が０．５．活
性層１４が０．０８．ｎ型クラッド層１５が０．５．ｎ
型コンタクト層１６が０．０４となるように、それぞれ
、液相エピタキシャル成長技術を用いて形成され、これ
ら各層の厚みは、１．０μｍ（電流狭窄層）、０．２μ
ｍ　（Ｐ型クラッド層）、０．０８ｔｔｍ　（活性層）
、２．０ｐｍ（ｎ型クラッド層）および２．０μｍ（ｎ
型コンタクト層）程度であり、ＧａＡｓ基板１１を含め
ても、全体の半導体結晶基板の厚みを１００μｍ程度に
する。

この半導体結晶基板１は、シート２，３は、厚さが、そ
れぞれ、約１２０μｍ、約８０μｍの塩化ポリビニール
を用い、これらの中に固定するが、このとき、シート２
を短く、シート３を長（なるように挟み合わせて、両端
の固定治具６，７によって固定する。これにより、両端
の固定治具６．７を水平方向、つまり、半導体結晶基板
１の劈開方向とは垂直な方向に引張り力を与えたとき、
半導体結晶基板１に対して、刃傷４のある面一　　６　
− 側では伸展率が大きく、同基板１の他山側では伸展率が
小さくなるような応力が加わる。実際の分離工程では、
半導体結晶基板１に対して、刃傷４を付けた面の反対側
の面から、各刃傷４の位置で襞間面に沿う方向の押圧を
押圧手段８によって加え、同基板１の襞間面を押し開く
ようにする。この過程で、シート２，３によって、半導
体結晶基板１の各表面に引張り応力が付加されていると
、この作用が重なり合って、好都合に襞間され、半導体
結晶基板１を短冊状に分離される。そして、これによっ
て襞間分離された各襞間面は、シート２．３の伸長によ
って、互いに引き離されるから、相互の擦れ合いによる
襞間面の損傷も起こらない。

半導体結晶基板１は、実施例のＧａＡｅＡｓ半導体レー
ザの場合に限らず、ＩｎＧａＡｓＰ系。

Ｐｂ５ｎＴｅ系の各結晶など、結晶の襞間面を利用する
ことができる結晶材料に置き換えても、本発明の適用が
可能である。

発明の効果 この発明によれば、半導体結晶基板の一表面に同基板分
割のための刃傷を設け、この基板の両面をシートでつつ
んで固定し、両面のシートのうち、基板に刃傷を付けた
側シートを相対的に大きく伸展し、同基板の他面側シー
トを相対的に小さく伸展するように、各シートに引張り
力を作用させて、この半導体結晶基板を、シートの引張
り方向と垂直な方向からの押圧力によって、襞間し、分
離することにより、襞間面に損傷を与えることなく、効
率よく、結晶の分離を達成することができる。また、こ
の発明を半導体レーザの製造工程に適用した場合、その
工程での製品の歩留り率が大幅に向上することが確認さ
れ、この発明の効果は大きいものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の詳細な説明するための断面図、第２
図は同じ〈実施例の工程を説明するための概要斜視図、
第３図はこの発明の実施例に用いた半導体レーザ用基板
の断面図である。 １・・・・・・半導体結晶基板、２，３・・・・・・シ
ート、４・・・・・・刃傷、５・・・・・・刃物、６，
７・・・・・・シート固定治具、８・・・・・・押圧手
段。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ばか１名第１図 第３図 ／’７

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体結晶基板の一表面に、分離のための刃傷を
   付ける工程、前記半導体結晶基板を伸展可能なシートで
   両面から固定する工程、前記半導体結晶基板の他表面か
   ら、同半導体結晶基板の劈開方向に沿う押圧力を加える
   工程および前記両面のシートに対して、前記半導体結晶
   基板の一表面側のシートを相対的に大きく伸展し、同半
   導体結晶基板の他表面側のシートを相対的に小さく伸展
   する力を加える工程をそなえた半導体結晶の分離方法。
2. （２）半導体結晶基板を両面から固定する各シートが、
   一表面側で短く、他表面側で長く設定され、各シートに
   対して単一の伸展力を加える工程をそなえた特許請求の
   範囲第１項記載の半導体結晶の分離方法。