JP2023037281A - 半導体ウェハ製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】インゴットからウェハを剥離する剥離工程における加工品質や加工容易性等を向上する技術を提供すること。【解決手段】半導体ウェハ製造方法は、第一主面（２１）とその裏側の第二主面（２２）とを有し第一主面に沿って剥離層（２３）が形成されたインゴット（２０）を用意し、第一主面に沿った面内方向における一端（２５）を支点（ＰＰ）とするモーメントがインゴットに作用するように、面内方向におけるインゴットの外側から荷重を印加することで、第一主面と剥離層との間に設けられた層状のウェハ前駆体（２４）をインゴットから剥離する。あるいは、第一主面と第二主面とを結びインゴットの中心軸（ＣＬ）と平行なインゴット厚方向に沿った引張応力が面内方向におけるインゴットの全体に作用するような動的な外力をインゴットに印加することで、ウェハ前駆体をインゴットから剥離する。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体ウェハ製造方法に関する。

特許文献１に記載のウェハ生成方法は、剥離面形成工程とウェハ剥離工程とを含む。剥離面形成工程は、改質層およびクラックから構成される剥離面を形成する。具体的には、剥離面形成工程は、インゴットの第１の面からウェハの厚みに相当する深さに集光点を位置付け、隣接する集光点が相互に重複するようにインゴットと集光点とを相対的に移動させながらレーザ光線をインゴットに照射する。ウェハ剥離工程は、インゴットの第２の面をテーブルに固定するテーブル固定ステップと、インゴットの第１の面にパッドを固定するパッド固定ステップと、剥離面を界面としてインゴットの一部を剥離する剥離ステップとを含む。剥離ステップは、パッドの一端部を作用点とし他端部を支点とするモーメントを作用させることによって、剥離面を界面としてインゴットの一部を剥離する。

特許第６６７８５２２号公報

この種の半導体ウェハ製造方法については、インゴットからウェハを剥離する剥離工程における加工品質や加工容易性等の観点から、まだまだ改善の余地がある。具体的には、例えば、剥離面における剥離により生じたウェハ表面である剥離断面の表面粗さを抑えることで、研削工程や研磨工程における加工代や加工時間を低減することが可能となり、歩留まりも向上する。あるいは、剥離工程を低荷重化することで、加工容易性が向上する。

本発明は、上記に例示した事情等に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、例えば、インゴットからウェハを剥離する剥離工程における加工品質や加工容易性等を向上する技術を提供する。

請求項１に記載の、半導体ウェハ製造方法は、
第一主面（２１）とその裏側の第二主面（２２）とを有し前記第一主面に沿って剥離層（２３）が形成されたインゴット（２０）を用意し、
前記第一主面に沿った面内方向における一端（２５）を支点（ＰＰ）とするモーメントが前記インゴットに作用するように、前記面内方向における前記インゴットの外側から荷重を印加することで、
および／または、
前記第一主面と前記第二主面とを結び前記インゴットの中心軸（ＣＬ）と平行なインゴット厚方向に沿った引張応力が前記面内方向における前記インゴットの全体に作用するような動的な外力を前記インゴットに印加することで、
前記第一主面と前記剥離層との間に設けられた層状のウェハ前駆体（２４）を前記インゴットから剥離する。

なお、出願書類中の各欄において、各要素に括弧付きの参照符号が付されている場合がある。この場合、参照符号は、同要素と後述する実施形態に記載の具体的構成との対応関係の単なる一例を示すものである。よって、本発明は、参照符号の記載によって、何ら限定されるものではない。

本発明の一実施形態に係る半導体ウェハ製造方法の概略図である。 本発明の一実施形態に係る半導体ウェハ製造方法の概略図である。 図２に示された半導体ウェハ製造方法におけるインゴット内部の応力分布を示す図である。 比較例に係る半導体ウェハ製造方法の概略図である。 図４に示された半導体ウェハ製造方法におけるインゴット内部の応力分布を示す図である。 本発明の他の一実施形態に係る半導体ウェハ製造方法の概略図である。 図６に示された半導体ウェハ製造方法におけるインゴット内部の応力分布を示す図である。 本発明のさらに他の一実施形態に係る半導体ウェハ製造方法の概略図である。 図８に示された半導体ウェハ製造方法におけるインゴット内部の応力分布を示す図である。 本発明のさらに他の一実施形態に係る半導体ウェハ製造方法の概略図である。 本発明のさらに他の一実施形態に係る半導体ウェハ製造方法の概略図である。

（実施形態）
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、一つの実施形態に対して適用可能な各種の変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中に挿入されると、当該実施形態の理解が妨げられるおそれがある。このため、変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中には挿入せず、その後にまとめて説明する。

（製造方法の概略）
図１を参照すると、本実施形態に係る、半導体ウェハ１０の製造方法は、ＳｉＣ等である半導体の単結晶体のインゴット２０から、いわゆるレーザスライス技術を用いて、半導体ウェハ１０を得る方法である。インゴット２０は、一対の主面である第一主面２１および第二主面２２を有している。「主面」とは、インゴット２０の厚さを規定するインゴット厚方向と直交する、インゴット２０の表面である。インゴット厚方向は、第一主面２１と第二主面２２とを結ぶ方向であって、インゴット２０の中心軸ＣＬと平行な方向である。第一主面２１は、インゴット２０における一対の主面のうちの一方である。第二主面２２は、インゴット２０における一対の主面のうちの他方、すなわち、第一主面２１の裏側の面である。具体的には、本製造方法は、剥離層形成工程と剥離工程とを有している。

剥離層形成工程は、インゴット２０に対して、第一主面２１側からレーザ光を照射することで、インゴット２０の内部における第一主面２１の近傍に剥離層２３を形成する工程である。剥離層２３は、特許文献１における「剥離面」に相当するものであって、改質部とクラックとを有している。改質部は、インゴット２０を形成する半導体材料がレーザ照射により改質された部分である。具体的には、例えば、改質部は、インゴット２０がＳｉＣ半導体の単結晶体である場合、レーザ照射によりＳｉＣがＳｉとＣとに分離した部分である。剥離層２３は、第一主面２１に沿って形成される。第一主面２１に沿った方向を、以下「面内方向」と称する。「面内方向」は、中心軸ＣＬと交差（すなわち典型的には直交）する任意の方向である。「面内方向」は、「径方向」を含む。「径方向」は、中心軸ＣＬと交差（すなわち典型的には直交）する任意の仮想平面と中心軸ＣＬとの交点を通り当該仮想平面と平行な仮想直線に沿った方向である。典型的には、「径方向」は、略円柱状のインゴット２０における、当該仮想平面によるインゴット２０の略円形状の断面の半径方向である。「径方向」のうち、中心軸ＣＬに向かう方向を「第一径方向Ｒ１」と称し、中心軸ＣＬから遠ざかる方向を「第二径方向Ｒ２」と称する。照射されるレーザ光は、インゴット２０に対して所定の透過性（すなわち例えば生成すべき剥離層２３あるいは半導体ウェハ１０の厚さに相当する深さ分の透過性）を有する波長を有するものであって、例えばパルスレーザ光を用いることが可能である。レーザ波長は、例えば、１０２８ｎｍ、１０６４ｎｍ、１０９９ｎｍ、等が用いられ得る。なお、レーザ照射によって形成された剥離層２３、および、これを形成するための剥離層形成工程については、本願の出願時点において既に公知あるいは周知となっている（例えば特許文献１等参照）。したがって、本明細書においては、剥離層２３および剥離層形成工程に関するこれ以上の詳細については記載を省略する。

剥離層形成工程により、剥離層２３とウェハ前駆体２４とを有するインゴット２０が用意される。ウェハ前駆体２４は、第一主面２１と剥離層２３との間に設けられた薄層状の部分であって、インゴット２０から剥離されることで半導体ウェハ１０となる。ウェハ前駆体２４は、面内方向について、ほぼ一定の厚さを有している。剥離工程は、インゴット２０からウェハ前駆体２４を剥離することで、半導体ウェハ１０を得る工程である。得られた半導体ウェハ１０は、その後の研削工程および研磨工程により、主面が平坦面化および平滑化される。

（第一実施形態）
以下、第一実施形態に係る製造方法について、図１に加えて図２を参照しつつ説明する。本実施形態においては、剥離工程にて、面内方向におけるインゴット２０の一端である第一端２５を支点ＰＰとするモーメントがインゴット２０に作用するように、面内方向におけるインゴット２０の外側から荷重が印加される。なお、インゴット２０の面内方向における他端を第二端２６と称する。

具体的には、本実施形態における剥離工程は、図２に示された剥離装置３０を用いて行われる。図２を参照すると、剥離装置３０は、支持テーブル３１と、剥離パッド３２と、駆動部材３３とを有している。

支持テーブル３１は、インゴット２０を下方から支持するように設けられている。具体的には、支持テーブル３１は、その上面である支持吸着面３１１にて開口する不図示の多数の吸引孔を有していて、空気の負圧によって支持吸着面３１１にインゴット２０における第二主面２２を吸着するように構成されている。支持テーブル３１は、面内方向における両端部である第一テーブル端部３１２および第二テーブル端部３１３を有している。面内方向における一方側（すなわち図中右側）の端部である第二テーブル端部３１３は、テーブル端面３１４を有している。テーブル端面３１４は、第一径方向Ｒ１に向かうにつれて上昇する傾斜面状に形成されている。すなわち、支持テーブル３１は、図２に示されているように、側面視にて、上底よりも下底の方が長い台形状に形成されている。

剥離パッド３２は、支持テーブル３１の上方にて、支持テーブル３１に対して接近および離隔自在に設けられている。剥離パッド３２は、その底面であるパッド吸着面３２１にて開口する不図示の多数の吸引孔を有していて、空気の負圧によってパッド吸着面３２１にインゴット２０における第一主面２１を吸着するように構成されている。剥離パッド３２は、面内方向における両端部である第一パッド端部３２２と第二パッド端部３２３とを有している。面内方向における一方側（すなわち図中右側）の端部である第二パッド端部３２３は、パッド端面３２４を有している。パッド端面３２４は、第一径方向Ｒ１とは反対側の第二径方向Ｒ２に向かうにつれて上昇する傾斜面状に形成されている。すなわち、剥離パッド３２は、図２に示されているように、側面視にて、上底よりも下底の方が短い台形状に形成されている。パッド端面３２４は、テーブル端面３１４に対応する位置（すなわち真上）に設けられている。

第一主面２１が吸着により剥離パッド３２に固定され且つ第二主面２２が吸着により支持テーブル３１に固定されることで、インゴット２０が支持テーブル３１と剥離パッド３２との間で挟持された状態を、以下「挟持状態」と称する。駆動部材３３は、挟持状態にて、支持テーブル３１と剥離パッド３２とをインゴット厚方向に沿って相対移動させるような外力を、支持テーブル３１と剥離パッド３２とのうちの少なくともいずれか一方に印加するように設けられている。具体的には、駆動部材３３は、第一駆動端面３３１と第二駆動端面３３２とを有している。第一駆動端面３３１は、第二径方向Ｒ２に向かうにつれて上昇する傾斜面状に形成されている。すなわち、第一駆動端面３３１は、パッド端面３２４と平行に設けられている。第二駆動端面３３２は、第一径方向Ｒ１に向かうにつれて上昇する傾斜面状に形成されている。すなわち、第二駆動端面３３２は、テーブル端面３１４と平行に設けられている。また、駆動部材３３は、挟持状態にて、第一駆動端面３３１がパッド端面３２４に当接するとともに第二駆動端面３３２がテーブル端面３１４に当接するように設けられている。すなわち、駆動部材３３は、図２に示されているように、側面視にて、上底よりも下底の方が長い台形を反時計回りに９０度回転させた形状に形成されている。そして、駆動部材３３は、不図示の駆動手段により、インゴット厚方向に沿った上方、および／または、インゴット２０に接近する方向である第一径方向Ｒ１に駆動されるように構成されている。すなわち、駆動部材３３は、上方および／または第一径方向Ｒ１に駆動されることで、第二パッド端部３２３を力点ＦＰとし第一端２５を支点ＰＰおよび作用点ＷＰとするモーメントをインゴット２０に作用させるように設けられている。

ウェハ前駆体２４をインゴット２０から剥離する剥離工程は、テーブル固定工程と、挟持工程と、剥離力印加工程とを含む。テーブル固定工程は、第二主面２２を支持吸着面３１１に吸着することでインゴット２０を支持テーブル３１に固定する工程である。挟持工程は、第一主面２１をパッド吸着面３２１に吸着してインゴット２０を剥離パッド３２に固定することで挟持状態を形成する工程である。剥離力印加工程は、面内方向における一方側に位置する第一端２５を支点ＰＰとするモーメントがインゴット２０に作用するように、面内方向における一方側の剥離パッド３２の端部である第二パッド端部３２３を力点ＦＰとして静的荷重を印加する工程である。具体的には、剥離力印加工程は、挟持状態にて駆動部材３３を上方および／または第一径方向Ｒ１に駆動することで、第二パッド端部３２３をインゴット厚方向に沿った上方に押圧する工程である。これにより、剥離層２３を界面として、インゴット２０の一部であるウェハ前駆体２４を剥離することができる。

図３は、剥離力印加工程における荷重印加直後、すなわち、剥離層２３にてウェハ前駆体２４の剥離の端緒となる破断が発生する直前の、インゴット２０の内部応力の分布を示す。図３において、縦軸σは、引張応力の大きさを示す。横軸Ｘは、第二端２６を起点とした面内方向位置を示す。横軸Ｘにおける値Ｄは、インゴット２０の径を示す。すなわち、Ｘ＝０は第二端２６を示し、Ｘ＝Ｄは第一端２５を示す。なお、図３に示す内部応力分布は、図２に示された駆動部材３３が上方に駆動された場合を示す。図３に示されているように、本実施形態に係る剥離方法によれば、第一端２５に応力が集中し、引張応力が印加される範囲は第一端２５およびその近傍の非常に狭い範囲となる。すると、剥離層２３において、応力集中が生じた第一端２５を端緒として微小な破断が発生し、かかる破断が瞬時に剥離層２３の全体に伝播する。すなわち、剥離層２３にて脆性的な破断が生じることで、剥離層２３における全面にて剥離が発生する。

図４は、比較例としての特許文献１に記載された剥離方法の概要を、図２の構成に即して再構成しつつ図示する。図４に示されているように、比較例においては、支持テーブル３１および剥離パッド３２は、単純な平板状に形成されている。また、比較例においては、支持テーブル３１に対して剥離パッド３２を接近または離隔させる離接手段として、第一支持部３４１と第二支持部３４２とを有している。第一支持部３４１は、屈曲可能に構成された連結機構であって、剥離パッド３２の一端部である第二パッド端部３２３の上面に固定されている。第二支持部３４２は、バネであって、下端部が剥離パッド３２の他端部である第一パッド端部３２２の上面に固定されている。

図４に示されているように、挟持状態にて、第一支持部３４１により第二パッド端部３２３に上向きの外力を作用させると、バネにより構成されている第二支持部３４２が伸びる。すると、第一端２５の近傍であって第一支持部３４１の直下の位置を作用点ＷＰとし、第二端２６の近傍であって第二支持部３４２の直下の位置を支点ＰＰとするモーメントが、インゴット２０に作用する。

図５は、比較例の場合の、インゴット２０の内部応力の分布を示す。図４および図５に示されているように、比較例においては、引張応力は、第一端２５よりも内側の作用点ＷＰにて最大となり、第二端２６よりも内側の支点ＰＰに向かって単調的に低下し、支点ＰＰにてゼロとなる。そして、支点ＰＰと第二端２６との間には、圧縮応力が発生する。

このように、比較例においては、インゴット２０すなわち剥離層２３の面内方向における端縁（すなわち図示の例では第一端２５）に応力を集中させることができない。このため、剥離層２３を界面とする剥離すなわちインゴット２０の破断を発生させるために、本実施形態よりもはるかに大きな荷重が必要となった。また、剥離層２３の広域に荷重が付与されるため、剥離亀裂位置が定まらず、部分的な未剥離部や、取り出された半導体ウェハ１０（すなわち図１参照）における破損が発生することがあった。さらに、剥離断面が粗くなり、研削や研磨の加工代が大きくなるという課題があった。したがって、比較例においては、低荷重化、歩留まり、等の点で、改善の余地があった。

これに対し、本実施形態においては、支点ＰＰおよび作用点ＷＰがインゴット２０における第一端２５となるように、力点ＦＰを面内方向における第一端２５側且つインゴット２０の外側に設けている。これにより、インゴット２０すなわち剥離層２３の面内方向における端縁（すなわち第一端２５）に応力を集中させることができる。したがって、剥離荷重を低荷重化することが可能となる。また、加工容易性が向上する。さらに、剥離層２３の全面において剥離が良好に発生することで、歩留まりが向上する。

（第二実施形態）
以下、第二実施形態に係る製造方法について説明する。なお、以下の第二実施形態の説明においては、主として、上記第一実施形態と異なる部分について説明する。また、第一実施形態と第二実施形態とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の第二実施形態の説明において、第一実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、上記第一実施形態における説明が適宜援用され得る。後述の第三実施形態以降の他の実施形態についても同様である。

本実施形態は、剥離工程にて、図６および図７に示されているように、インゴット厚方向に沿った引張応力が面内方向におけるインゴット２０の全体に作用するような動的な外力を、インゴット２０に印加する。具体的には、本実施形態の剥離力印加工程は、挟持状態にて、支持テーブル３１と剥離パッド３２とが互いに離間する方向の動的外力を支持テーブル３１および／または剥離パッド３２に印加する。なお、「動的」な力とは、瞬間的ではない或る程度の幅を有する期間内にて大きな変動なく作用する「静的」な力の反対概念であって、瞬間的に、あるいは、比較的短時間の間に衝撃的に（例えばパルス状に）作用する力をいうものとする。

具体的には、本実施形態においても、ウェハ前駆体２４をインゴット２０から剥離する剥離工程は、テーブル固定工程と、挟持工程と、剥離力印加工程とを含む。テーブル固定工程および挟持工程は、上記第一実施形態と同様である。テーブル固定工程および挟持工程により、インゴット２０を支持テーブル３１および剥離パッド３２に固定した挟持状態が形成される。そして、本実施形態における剥離力印加工程は、図６に示されているように、衝撃による瞬間的な引張応力がインゴット２０に印加されるような動的外力を、支持テーブル３１および／または剥離パッド３２に印加する。具体的には、例えば、剥離パッド３２に対して上向きの衝撃を与えたり、剥離パッド３２に対して下向きの衝撃を与えたりすることが可能である。あるいは、図２に示されたテーブル端面３１４、パッド端面３２４、および駆動部材３３の組を、面内方向における両側（すなわち図６における左右両側）に設け、左右一対の駆動部材３３に対して中心軸ＣＬに近づく第一径方向Ｒ１の衝撃を同時に与えることが可能である。これにより、剥離層２３を界面として、インゴット２０の一部であるウェハ前駆体２４を剥離することができる。

図７に示されているように、本実施形態に係る剥離方法によれば、インゴット２０すなわち剥離層２３の面内方向における全面に対して、ほぼ均等且つ瞬間的な引張応力が作用する。これにより、剥離層２３における全面にて剥離が発生する。また、剥離断面の表面粗さが低減される。したがって、本実施形態によれば、加工容易性および歩留まりが向上する。

（第三実施形態）
以下、第三実施形態に係る製造方法について説明する。本実施形態は、上記第一実施形態と上記第二実施形態とを組み合わせたものに相当する。具体的には、本実施形態においても、ウェハ前駆体２４をインゴット２０から剥離する剥離工程は、テーブル固定工程と、挟持工程と、剥離力印加工程とを含む。テーブル固定工程および挟持工程は、上記第一実施形態と同様である。テーブル固定工程および挟持工程により、インゴット２０を支持テーブル３１および剥離パッド３２に固定した挟持状態が形成される。そして、剥離力印加工程は、図８に示されているように、第一端２５を支点ＰＰとするモーメントと引張応力とがインゴット２０に作用するように、第二パッド端部３２３を力点ＦＰとして動的外力すなわち衝撃力を印加する。具体的には、例えば、図８に示されているように、駆動部材３３が剥離パッド３２における第二パッド端部３２３を瞬間的に押し上げるように、図中左方向すなわち第一径方向Ｒ１に向かう衝撃力を駆動部材３３に印加することが可能である。

図９に示されているように、本実施形態に係る剥離方法によれば、衝撃力による瞬間的な引張応力が第一端２５に集中する。これにより、剥離荷重のさらなる低荷重化が可能となる。また、剥離断面の表面粗さが低減される。したがって、本実施形態によれば、加工容易性および歩留まりが向上する。

（実施形態まとめ）
上記の各実施形態は、比較例と比べて、荷重や外力の付与面積や付与時間の点で、新規な特徴を有している。すなわち、上記の第一実施形態および第三実施形態は、比較例よりも、荷重や外力の付与面積が小さい。また、上記の第一実施形態～第三実施形態は、比較例よりも、荷重や外力の付与時間が短縮されている。これらにより、上記の第一実施形態～第三実施形態においては、剥離工程に必要な荷重や外力を低減することが可能となる。

（変形例）
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。故に、上記実施形態に対しては、適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態との相違点を主として説明する。また、上記実施形態と変形例とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。

本発明は、半導体ウェハ１０およびインゴット２０がＳｉＣ半導体である場合に限定されない。すなわち、本発明は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、等に対しても好適に適用され得る。また、本発明は、上記実施形態にて示された具体的な装置構成に限定されない。すなわち、図２等は、本発明に用いられる剥離装置３０、および、これを用いて実施可能な半導体ウェハ製造方法の概要を簡易に説明するための、簡素化された概略図である。したがって、実際に製造販売される剥離装置３０の構成は、必ずしも、図２等に示された例示的な構成と一致するとは限らない。また、実際に製造販売される剥離装置３０の構成は、図２等に示された例示的な構成から適宜変更され得る。具体的には、例えば、インゴット２０の支持テーブル３１や剥離パッド３２への固定方法は、上記実施形態のような吸着に限定されず、例えば、接着剤、接着テープ、等を用いてもよい。この場合、支持テーブル３１の上面（すなわち上記実施形態における支持吸着面３１１）は、インゴット２０を固定あるいは担持するための、固定面あるいは担持面として形成され得る。同様に、剥離パッド３２の底面（すなわち上記実施形態におけるパッド吸着面３２１）は、インゴット２０を固定あるいは担持するための、固定面あるいは担持面として形成され得る。かかる固定面あるいは担持面には、上記実施形態のような吸引孔は設けられていなくてもよい。レーザ光の波長等についても、上記実施形態にて示した具体例に限定されるものではない。

上記第一～第三実施形態において、図１０に示されているように、インゴット２０に超音波振動が印加されてもよい。具体的には、例えば、支持テーブル３１および／または剥離パッド３２が超音波振動子により励振されてもよい。これにより、剥離工程におけるウェハ前駆体２４の剥離が良好に促進され得る。

上記第一～第三実施形態において、図１１に示されているように、中心軸ＣＬ周りに第一主面２１と第二主面２２とを相対的に回転させるような捻転力がインゴット２０に印加されてもよい。これにより、剥離工程におけるウェハ前駆体２４の剥離が良好に促進され得る。なお、超音波振動と捻転力とは重畳的に適用され得る。

上記実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、構成要素の個数、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数値に限定される場合等を除き、その特定の数値に本発明が限定されることはない。同様に、構成要素等の形状、方向、位置関係等が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に特定の形状、方向、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、方向、位置関係等に本発明が限定されることはない。

変形例も、上記の例示に限定されない。すなわち、例えば、上記に例示した以外で、複数の実施形態同士が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。同様に、複数の変形例が、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わされ得る。

２０ インゴット
２１ 第一主面
２２ 第二主面
２３ 剥離層
２４ ウェハ前駆体
２５ 第一端
ＣＬ 中心軸
ＦＰ 力点
ＰＰ 支点
ＷＰ 作用点

Claims (10)

1. 半導体ウェハ製造方法であって、
   第一主面（２１）とその裏側の第二主面（２２）とを有し前記第一主面に沿って剥離層（２３）が形成されたインゴット（２０）を用意し、
   前記第一主面に沿った面内方向における一端（２５）を支点（ＰＰ）とするモーメントが前記インゴットに作用するように、前記面内方向における前記インゴットの外側から荷重を印加することで、
   および／または、
   前記第一主面と前記第二主面とを結び前記インゴットの中心軸（ＣＬ）と平行なインゴット厚方向に沿った引張応力が前記面内方向における前記インゴットの全体に作用するような動的な外力を前記インゴットに印加することで、
   前記第一主面と前記剥離層との間に設けられた層状のウェハ前駆体（２４）を前記インゴットから剥離する、
   半導体ウェハ製造方法。
2. 前記インゴットの前記第一主面を剥離パッド（３２）に固定するとともに、前記インゴットの前記第二主面を支持テーブル（３１）に固定し、
   前記面内方向における一方側に位置する前記インゴットの前記一端を前記支点とする前記モーメントが前記インゴットに作用するように、前記面内方向における前記一方側の前記剥離パッドの端部（３２３）を力点（ＦＰ）として静的荷重を印加することで、前記ウェハ前駆体を前記インゴットから剥離する、
   請求項１に記載の半導体ウェハ製造方法。
3. 前記インゴットの前記第一主面を剥離パッド（３２）に固定するとともに、前記インゴットの前記第二主面を支持テーブル（３１）に固定し、
   前記面内方向における一方側に位置する前記インゴットの前記一端を前記支点とする前記モーメントと前記引張応力とが前記インゴットに作用するように、前記面内方向における前記一方側の前記剥離パッドの端部（３２３）を力点（ＦＰ）として前記外力を印加することで、前記ウェハ前駆体を前記インゴットから剥離する、
   請求項１に記載の半導体ウェハ製造方法。
4. 前記面内方向と平行で前記中心軸を通る仮想直線に沿った径方向、および／または、前記インゴット厚方向に駆動される、駆動部材（３３）で、前記剥離パッドの前記端部を押圧することで、前記ウェハ前駆体を前記インゴットから剥離する、
   請求項２または３に記載の半導体ウェハ製造方法。
5. 前記インゴットの前記第一主面を剥離パッド（３２）に固定するとともに、前記インゴットの前記第二主面を支持テーブル（３１）に固定し、
   前記剥離パッドと前記支持テーブルとが互いに離間する方向の前記外力を前記剥離パッドおよび／または前記支持テーブルに印加することで、前記ウェハ前駆体を前記インゴットから剥離する、
   請求項１に記載の半導体ウェハ製造方法。
6. 前記荷重および／または前記外力とともに、前記インゴットに超音波振動を印加する、
   請求項１～５のいずれか１つに記載の半導体ウェハ製造方法。
7. 前記荷重および／または前記外力とともに、前記中心軸周りに前記第一主面と前記第二主面とを相対的に回転させるような捻転力を前記インゴットに印加する、
   請求項１～６のいずれか１つに記載の半導体ウェハ製造方法。
8. 前記剥離層は、レーザ照射によって形成されたものである、
   請求項１～７のいずれか１つに記載の半導体ウェハ製造方法。
9. 前記剥離層は、前記インゴットに対して透過性を有する波長のレーザ光もしくはパルスレーザ光を照射することによって形成されたものである、
   請求項８に記載の半導体ウェハ製造方法。
10. 前記インゴットはＳｉＣである。
    請求項１～9のいずれか１つに記載の半導体ウェハ製造方法。

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