JPH07201783A - 化合物半導体の分割方法 - Google Patents
化合物半導体の分割方法Info
- Publication number
- JPH07201783A JPH07201783A JP35322393A JP35322393A JPH07201783A JP H07201783 A JPH07201783 A JP H07201783A JP 35322393 A JP35322393 A JP 35322393A JP 35322393 A JP35322393 A JP 35322393A JP H07201783 A JPH07201783 A JP H07201783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- wafer
- compound semiconductor
- dividing
- chips
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハからチップを精度よく分割する
化合物半導体の分割方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ２に形成された複数の発光ダイ
オードアレイチップ１のウエハ２の結晶方位と平行な各
チップエッジ４にスクライバにより傷６をいれる工程
と、他の各チップエッジ５をダイシングにより分割する
工程と、傷６をいれた箇所をウエハ２裏面から突き上げ
て各チップ１に分割する工程とからなる。
化合物半導体の分割方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ２に形成された複数の発光ダイ
オードアレイチップ１のウエハ２の結晶方位と平行な各
チップエッジ４にスクライバにより傷６をいれる工程
と、他の各チップエッジ５をダイシングにより分割する
工程と、傷６をいれた箇所をウエハ２裏面から突き上げ
て各チップ１に分割する工程とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、精度の高い化合物半導
体ウェハの分割方法に関するものである。
体ウェハの分割方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体ウェハの分割方法は、特
開昭５３−９８９６号公報に開示されるように切断によ
るダイシング法と、劈開を利用するスクライブ法とがあ
る。最近の高密度発光ダイオードアレイチップ等のウエ
ハからの分割では、各発光部間距離が密になるにつれて
分割の精度も要求されるようになってきている。特に１
６００ＤＰＩ程度の密度になると、各発光部距離は１６
μｍ以下となり、各チップの分割及び突き合わせの精度
も５μｍ以下を要求される。
開昭５３−９８９６号公報に開示されるように切断によ
るダイシング法と、劈開を利用するスクライブ法とがあ
る。最近の高密度発光ダイオードアレイチップ等のウエ
ハからの分割では、各発光部間距離が密になるにつれて
分割の精度も要求されるようになってきている。特に１
６００ＤＰＩ程度の密度になると、各発光部距離は１６
μｍ以下となり、各チップの分割及び突き合わせの精度
も５μｍ以下を要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ダイシング
法による分割では、いわゆるチッピングやバリの発生に
より、突き合わせ精度を１０μｍ以下にするのは極めて
困難である。又、劈開を利用すると分割断面が非常にき
れいで突き合わせ精度も２μｍ以下を実現できるが、チ
ップパターンの形成方向が結晶方位と少しでもずれると
分割断面とパターンがずれてしまい、分割断面がのこ歯
状になったり、隣のチップに劈開がかかって発光部を分
断したりすることがあった。
法による分割では、いわゆるチッピングやバリの発生に
より、突き合わせ精度を１０μｍ以下にするのは極めて
困難である。又、劈開を利用すると分割断面が非常にき
れいで突き合わせ精度も２μｍ以下を実現できるが、チ
ップパターンの形成方向が結晶方位と少しでもずれると
分割断面とパターンがずれてしまい、分割断面がのこ歯
状になったり、隣のチップに劈開がかかって発光部を分
断したりすることがあった。
【０００４】そこで本発明は、上記問題点を解決すべ
く、半導体ウエハからチップを精度よく分割する化合物
半導体の分割方法を提供することを目的とする。
く、半導体ウエハからチップを精度よく分割する化合物
半導体の分割方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体の
分割方法は、化合物半導体ウエハにパターンニングした
複数の半導体チップを、夫々分割する化合物半導体の分
割方法であって、前記ウエハの結晶方位と平行方向の各
チップエッジにスクライバにより結晶方位と一致させて
部分的に傷をいれる工程と、他の各チップエッジをダイ
シングする工程と、前記傷をいれた箇所を加圧して各チ
ップを劈開分割する工程とからなることにより前述の目
的を達成するものである。
分割方法は、化合物半導体ウエハにパターンニングした
複数の半導体チップを、夫々分割する化合物半導体の分
割方法であって、前記ウエハの結晶方位と平行方向の各
チップエッジにスクライバにより結晶方位と一致させて
部分的に傷をいれる工程と、他の各チップエッジをダイ
シングする工程と、前記傷をいれた箇所を加圧して各チ
ップを劈開分割する工程とからなることにより前述の目
的を達成するものである。
【０００６】又、前記複数の半導体チップは、前記ウエ
ハの結晶方位と平行方向の各チップエッジがつながって
配列されたものであって、前記傷をいれた箇所の一か所
を加圧するのみで、その劈開方向の劈開分割を一度に行
うことにより前述の目的を達成するものである。
ハの結晶方位と平行方向の各チップエッジがつながって
配列されたものであって、前記傷をいれた箇所の一か所
を加圧するのみで、その劈開方向の劈開分割を一度に行
うことにより前述の目的を達成するものである。
【０００７】
【実施例】以下添付図面を参照して本発明の一実施例に
ついて説明する。図１は本発明の化合物半導体の分割方
法の一実施例である発光ダイオードアレイチップの分割
方法を示す図である。同図において、複数の発光ダイオ
ードアレイチップ１には、半導体ウエハ２の表面に複数
の発光部３がウエハ２の結晶方位と垂直方向に直線上に
配列されて形成されており、夫々の発光ダイオードチッ
プ１の一対のチップエッジ４はウエハ２の結晶方位と平
行で、他の対のチップエッジ５は一対のチップエッジ４
と直交してパターンニングされており、複数のチップの
一対のチップエッジが同じ方向に一直線につながってい
る。
ついて説明する。図１は本発明の化合物半導体の分割方
法の一実施例である発光ダイオードアレイチップの分割
方法を示す図である。同図において、複数の発光ダイオ
ードアレイチップ１には、半導体ウエハ２の表面に複数
の発光部３がウエハ２の結晶方位と垂直方向に直線上に
配列されて形成されており、夫々の発光ダイオードチッ
プ１の一対のチップエッジ４はウエハ２の結晶方位と平
行で、他の対のチップエッジ５は一対のチップエッジ４
と直交してパターンニングされており、複数のチップの
一対のチップエッジが同じ方向に一直線につながってい
る。
【０００８】以下、発光ダイオードアレイチップ１の分
割方法について説明する。夫々のチップ１において、ま
ず前記一対のチップエッジ４の、前記他の対のチップエ
ッジ５と交わる部分から、結晶方位と一致させて、その
一対のチップエッジ４に少なくとも一か所、スクライバ
により長さ１５０μｍ〜２００μｍの傷６をいれる。次
に、ウエハ２を図示しないダイシングシートに貼り、ウ
エハ２表面から前記他の対のチップエッジ５をダイシン
グする。ここで、７はダイシングによってできた溝であ
る。次に、ウエハ２をダイシングシートに貼り付けたま
ま突き上げ機にセットし、傷６をいれた箇所をウエハ２
裏面から約２μｍ程度突き上げる。この時、各チップ１
毎に突き上げを実施する必要は必ずしもなく、例えばあ
る一か所の傷６を突き上げるのみでも、ダイシングシー
トのゆがみを受けて、次々にチップ１は夫々の傷６をき
っかけにして劈開されていく。
割方法について説明する。夫々のチップ１において、ま
ず前記一対のチップエッジ４の、前記他の対のチップエ
ッジ５と交わる部分から、結晶方位と一致させて、その
一対のチップエッジ４に少なくとも一か所、スクライバ
により長さ１５０μｍ〜２００μｍの傷６をいれる。次
に、ウエハ２を図示しないダイシングシートに貼り、ウ
エハ２表面から前記他の対のチップエッジ５をダイシン
グする。ここで、７はダイシングによってできた溝であ
る。次に、ウエハ２をダイシングシートに貼り付けたま
ま突き上げ機にセットし、傷６をいれた箇所をウエハ２
裏面から約２μｍ程度突き上げる。この時、各チップ１
毎に突き上げを実施する必要は必ずしもなく、例えばあ
る一か所の傷６を突き上げるのみでも、ダイシングシー
トのゆがみを受けて、次々にチップ１は夫々の傷６をき
っかけにして劈開されていく。
【０００９】以上のような工程よりなる発光ダイオード
アレイチップ１の分割方法によれば、各チップ１毎の結
晶方位に平行なチップエッジ４の一部に劈開のきっかけ
となる傷６をいれて劈開させるので、各チップパターン
の微小なずれによる発光部３の損傷や、チップ欠けが生
じることなく、ほぼ完全な劈開面が露出し、突き合わせ
精度も２μｍ以下を達成することができる。又、複数の
チップにまたがって一直線状のスクライブラインをいれ
て劈開させる方法に比して、各チップ１に理想的な劈開
面を形成することができる。更に、一か所の傷を突き上
げるのみで、その劈開方向の劈開分割を一度に行うこと
ができる。従って、高い精度が要求される、発光部３が
高密度に集積された発光ダイオードアレイ１のウエハ２
からの分割にあたって、非常に有効で歩留まりよく分割
することができる。
アレイチップ１の分割方法によれば、各チップ１毎の結
晶方位に平行なチップエッジ４の一部に劈開のきっかけ
となる傷６をいれて劈開させるので、各チップパターン
の微小なずれによる発光部３の損傷や、チップ欠けが生
じることなく、ほぼ完全な劈開面が露出し、突き合わせ
精度も２μｍ以下を達成することができる。又、複数の
チップにまたがって一直線状のスクライブラインをいれ
て劈開させる方法に比して、各チップ１に理想的な劈開
面を形成することができる。更に、一か所の傷を突き上
げるのみで、その劈開方向の劈開分割を一度に行うこと
ができる。従って、高い精度が要求される、発光部３が
高密度に集積された発光ダイオードアレイ１のウエハ２
からの分割にあたって、非常に有効で歩留まりよく分割
することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の化合物半
導体の分割方法によれば、各チップ毎にほぼ完全な劈開
面が露出し、パターンの微小なずれによる発光部の損傷
や、チップ欠けが生じることなく非常に精度よくチップ
の分割ができる。従って、高い精度が要求される、発光
部が高密度に集積された発光ダイオードアレイ等の作製
にあたって、非常に有効で歩留まりよく作製することが
できる。
導体の分割方法によれば、各チップ毎にほぼ完全な劈開
面が露出し、パターンの微小なずれによる発光部の損傷
や、チップ欠けが生じることなく非常に精度よくチップ
の分割ができる。従って、高い精度が要求される、発光
部が高密度に集積された発光ダイオードアレイ等の作製
にあたって、非常に有効で歩留まりよく作製することが
できる。
【００１１】又、複数の半導体チップが、ウエハの結晶
方位と平行方向の各チップエッジがつながって配列され
た化合物半導体の分割方法においては、傷をいれた箇所
の一か所を加圧するのみで、その劈開方向の劈開分割を
一度に行うので、簡単に精度の良いチップの分割ができ
る。
方位と平行方向の各チップエッジがつながって配列され
た化合物半導体の分割方法においては、傷をいれた箇所
の一か所を加圧するのみで、その劈開方向の劈開分割を
一度に行うので、簡単に精度の良いチップの分割ができ
る。
【図１】本発明の化合物半導体の分割方法の一実施例で
ある発光ダイオードアレイチップの分割方法を示す図で
ある。
ある発光ダイオードアレイチップの分割方法を示す図で
ある。
１ 発光ダイオードアレイチップ（半導体チップ） ２ ウエハ（化合物半導体ウエハ） ３ 発光部 ４ チップエッジ ５ チップエッジ ６ 傷
Claims (2)
- 【請求項１】化合物半導体ウエハにパターンニングした
複数の半導体チップを、夫々分割する化合物半導体の分
割方法であって、 前記ウエハの結晶方位と平行方向の各チップエッジにス
クライバにより結晶方位と一致させて部分的に傷をいれ
る工程と、 他の各チップエッジをダイシングする工程と、 前記傷をいれた箇所を加圧して各チップを劈開分割する
工程とからなることを特徴とする化合物半導体の分割方
法。 - 【請求項２】前記複数の半導体チップは、前記ウエハの
結晶方位と平行方向の各チップエッジがつながって配列
されたものであって、 前記傷をいれた箇所の一か所を加圧するのみで、その劈
開方向の劈開分割を一度に行うことを特徴とする請求項
１記載の化合物半導体の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35322393A JPH07201783A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 化合物半導体の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35322393A JPH07201783A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 化合物半導体の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201783A true JPH07201783A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18429395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35322393A Pending JPH07201783A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 化合物半導体の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201783A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022202074A1 (ja) | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Tdk株式会社 | 酸化ガリウム基板の分割方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35322393A patent/JPH07201783A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022202074A1 (ja) | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Tdk株式会社 | 酸化ガリウム基板の分割方法 |
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