JP3807242B2 - デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マーカーの位置を基準にして劈開位置を決定する工程を有するデバイスの製造方法に関する。
【０００２】
たとえば、ＤＦＢ（distributed feedback）レーザは屈折率を周期的に変化させるためのコルゲーションを必要とするが、単一モードの制御性を向上させるためには、コルゲーションの周期をλ／４だけシフトするための位相シフトを設ける技術が有効である。
【０００３】
この位相シフトが１素子内の光軸上においてどの位置にあるかで素子の特性が大きく変わってくる。たとえば、位相シフトの位置によって出射方向に対する光出力が変化したり、モードの安定性が変わってくる。ゆえに、ＤＦＢレーザを製造する上で、位相シフトの位置制御は大変重要な課題である。
【０００４】
【従来の技術】
ＤＦＢレーザを製造する場合には、所定の基板にコルゲーションを形成し、コルゲーション上に所定の層を形成した後、この所定の層を形成した基板を劈開することが必要となるが、この劈開方法として、基板にコルゲーションを形成した後、劈開位置を示すマーカーを形成し、さらに、基板上に所定の層を形成した後に、マーカー内に劈開用の傷を形成し、この劈開用の傷を目安として基板の裏側から力を加え、所定の層を形成した基板を劈開する方法が考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図８はマーカー内に劈開用の傷を形成して劈開する方法が有する問題点を説明するための図である。図８中、１は所定の層を形成した基板、２は予定している劈開面、３は溝状のマーカー、４はマーカー３内に形成された劈開用の傷であり、このようにマーカー３内に劈開用の傷４があると、劈開時に力点が定まらず、正確な劈開を行うことができないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑み、正確な劈開を行うことができるデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マーカーの位置を基準にして劈開位置を決定する工程を有するデバイスの製造方法において、マーカーを劈開位置とは異なる位置に設けるというものである。
【０００８】
本発明によれば、マーカーを劈開位置とは異なる位置に設けるとしているので、劈開用の傷をマーカーを基準としてマーカーと異なる位置に形成することができ、劈開時に力点を定めることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図７を参照して、本発明の一実施形態について、本発明をＤＦＢレーザの製造方法に適用した場合を例にして説明する。
【００１０】
図１〜図６は本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法を示す図であり、図１Ａ、図２Ａ・・・図６Ａは概略的部分平面図、図１Ｂ、図２Ｂ・・・図６Ｂは概略的部分側面図である。
【００１１】
本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法においては、まず、図１に示すように、ＩnＰ基板５を用意し、ＩnＰ基板５上にＩnＧaＡsＰ層６、６Ａからなるコルゲーション７を作成する。但し、６Ａは位相シフトである。
【００１２】
次に、図２に示すように、位相シフト６Ａの端部にＩnＰ基板５を含めてドライエッチングにより溝状のマーカー８を作成する。その後、図３に示すように、ｎ-ＩnＰ層９、ＭＱＷ活性層１０、ｐ-ＩnＰ層１１、ｐ-ＩnＧaＡsＰ層１２を作成し、さらに、図４に示すように、Ｎ電極１３およびＰ電極１４を作成する。
【００１３】
ここに、マーカー８は上部表面に移動する。そこで、次に、図５に示すようにマーカー８を基準として所定の位置にダイヤモンドツールにより劈開用の傷１５を形成し、図６に示すように、劈開用の傷１５の反対側から力を加えて予定している劈開面１６に沿って劈開を行う。
【００１４】
以上のように、本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法によれば、マーカー８を劈開位置とは異なる位置に設けるとしたことにより、劈開用の傷１５をマーカー８を基準としてマーカー８と異なる位置に形成することができるので、劈開時に力点を定めることができ、正確な劈開を行うことができる。
【００１５】
なお、マーカー８の位置は、劈開位置から離れていれば良いが、マーカー８の位置決めを位相シフト６Ａの位置を基準にして行うことが好適であり、たとえば、マーカー８を位相シフト６Ａの位置に形成する場合には、位相シフト６Ａの位置制御を正確に行うことができると共に、図７に示すように、劈開後に、光出力が大きい端面を外形的に認識することができるので、光出力が大きい端面を認識するために通電を行う必要がないという利点がある。
【００１６】
また、マーカー８の数を劈開用の傷１５と同数とし、１個のマーカー８を基準として１個の劈開用の傷１５を形成するようにしても良いし、又は、マーカー８の数を劈開用の傷１５よりも少ない数とし、１個又は２個のマーカー８を基準として複数個の劈開用の傷１５を形成するようにしても良い。
【００１７】
また、マーカー８はコルゲーション７上に形成された層に形成しても良いが、このようにすると、コルゲーション７の形状を確認してマーカー８を形成できなくなるので、コルゲーション７の表面が確認できる段階で、マーカー８を設けることが好適である。コルゲーションがなく、ある場所を基準に劈開位置を決定する必要がある場合も、基準となるものが確認できる段階で、マーカーを形成することが好適である。
【００１８】
また、本発明は、コルゲーションが設けられた領域とコルゲーションが設けられない領域との識別のためにマーカーを設ける場合にも適用することができるし、更に、ＤＦＢレーザ以外のデバイスであっても、マーカーを基準に劈開する工程を有するデバイスであれば、その製造方法に広く適用することができる。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、マーカーを劈開位置とは異なる位置に設けるとしたことにより、劈開用の傷をマーカーを基準としてマーカーと異なる位置に形成することができるので、劈開時に力点を定めることができ、正確な劈開を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態であるＤＦＢレーザの製造方法が有する利点を説明するための図である。
【図８】マーカー内に劈開用の傷を形成して劈開する方法が有する問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 所定の層を形成した基板
２ 予定している劈開面
３ マーカー
４ 劈開用の傷
５ ＩnＰ基板
６ ＩnＧaＡsＰ層
６Ａ ＩnＧaＡsＰ層（位相シフト）
７ コルゲーション
８ マーカー
９ ｎ-ＩnＰ層
１０ ＭＱＷ活性層
１１ ｐ-ＩnＰ層
１２ ｐ-ＩnＧaＡsＰ層（コンタクト）
１３ Ｎ電極
１４ Ｐ電極
１５ 劈開用の傷
１６ 予定している劈開面

Claims (4)

1. 所定の基板上にコルゲーションを形成する工程と、
   マーカーを前記コルゲーションの位相シフトの位置に前記所定の基板の厚さ方向に溝状に形成する工程と、
   前記コルゲーション及び前記マーカーが形成された前記所定の基板上に所定の層を形成する工程と、
   前記マーカーの位置を基準にして前記マーカーと異なる位置に劈開用の傷を形成し、前記コルゲーション及び前記所定の層が形成された前記所定の基板を劈開する工程を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
2. 前記所定の基板１枚当たりの前記マーカーの数は、前記所定の基板１枚当たりの劈開用の傷と同数であることを特徴とする請求項１記載のデバイスの製造方法。
3. 前記所定の基板１枚当たりの前記マーカーの数は、前記所定の基板１枚当たりの劈開用の傷よりも少ない数であることを特徴とする請求項１記載のデバイスの製造方法。
4. 前記マーカーはコルゲーションが設けられた領域とコルゲーションが設けられない領域との識別のために設けられることを特徴とする請求項１記載のデバイスの製造方法。

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