JPH0451569A - 半導体集積化光源の製造方法 - Google Patents
半導体集積化光源の製造方法Info
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- JPH0451569A JPH0451569A JP2161622A JP16162290A JPH0451569A JP H0451569 A JPH0451569 A JP H0451569A JP 2161622 A JP2161622 A JP 2161622A JP 16162290 A JP16162290 A JP 16162290A JP H0451569 A JPH0451569 A JP H0451569A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体発光装置と光変調器、光増幅器、受光装
置等を１チツプに集積化した半導体集積化光源の製造方
法に関する。
置等を１チツプに集積化した半導体集積化光源の製造方
法に関する。
光通信用の半導体レーザ光源は近年めざましい進展を示
し、ますます通信容量の大容量化、中継間隔の拡大が図
られている。その状況下において分布帰還型半導体レー
ザと電界吸収型光変調器とを集積化した光源は従来の半
導体レーザを直接変調する場合と比べて変調時のスペク
トルの広がりがきわめて小さく、５ Ｇ ｂ ／ ｓ以
上の大容量システムの光源として大きな期待がもたれて
いる。
し、ますます通信容量の大容量化、中継間隔の拡大が図
られている。その状況下において分布帰還型半導体レー
ザと電界吸収型光変調器とを集積化した光源は従来の半
導体レーザを直接変調する場合と比べて変調時のスペク
トルの広がりがきわめて小さく、５ Ｇ ｂ ／ ｓ以
上の大容量システムの光源として大きな期待がもたれて
いる。
このような集積化光源を作製する上では半導体レーザの
活性層と光変調器の光吸収層とをいかに光学的に効率よ
く結合できるかが最も重要なカギとなっている。
活性層と光変調器の光吸収層とをいかに光学的に効率よ
く結合できるかが最も重要なカギとなっている。
従来、この種の半導体集積化光源の製造方法は、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板全面にＩ ｎＧａＡｓＰ活性Ａｓ上−ＩｎＰク
ラッド層を成長し、そのウェハにＳ ｉ Ｏｚ Ｊｌ！
をパターニングして、まずｐ −ＩｎＰクラッド層を、
続いてＩ ｎＧａＡｓＰ活性Ａｓ上れぞれ選択的にエツ
チングしていき、そこに気相成長法によりＩｎＰやＩｎ
ＧａＡｓＰ等をエピタキシャル成長して集積化光源を作
製していた。
ｎＰ基板全面にＩ ｎＧａＡｓＰ活性Ａｓ上−ＩｎＰク
ラッド層を成長し、そのウェハにＳ ｉ Ｏｚ Ｊｌ！
をパターニングして、まずｐ −ＩｎＰクラッド層を、
続いてＩ ｎＧａＡｓＰ活性Ａｓ上れぞれ選択的にエツ
チングしていき、そこに気相成長法によりＩｎＰやＩｎ
ＧａＡｓＰ等をエピタキシャル成長して集積化光源を作
製していた。
上述した従来の製造方法は、ｐ−ＩｎＰクラッド層を選
択的にエツチングした後で活性層を選択エツチングする
と、エツチング方法によってエツチング断面の形状が異
なる。断面の形状は良好な光学結合を得るために非常に
重要であり、形状によってエピタキシャル成長の仕方が
変わってくる。
択的にエツチングした後で活性層を選択エツチングする
と、エツチング方法によってエツチング断面の形状が異
なる。断面の形状は良好な光学結合を得るために非常に
重要であり、形状によってエピタキシャル成長の仕方が
変わってくる。
第２図はその例を示したものであるが、まず第２図（ａ
）は（１００）ｎ−ＩｎＰ基板１上に多層膜を成長した
後、＜ｏｉｉ＞方向に平行にマスク６を形成し塩酸系エ
ツチング液にてｐ−ＩｎＰクラッド層５を選択エツチン
グした後、活性層６をブロム−メタノール溶液にてエツ
チングしエピタキシャル成長をしたものである。＜０１
１＞方向に平行にマスクを形成したのは、通常、レーザ
の横モード制御として用いられるＢＨ槽構造形成する場
合に、メサストライプの方向が＜０１１＞方向である方
が望ましいからである。この方法ではブロム−メタノー
ル溶液にエツチングの選択性がないため活性層のみを容
易にエツチングすることが難しく、そうするためにはエ
ツチング時間や液温、仕方等を制御性良くコントロール
する必要が有る。また仮にそうしなとしてもエツチング
時に結合部のところでくぼみが生じてしまい活性層４と
光吸収層８とが一直線につながらず、高効率な光結合部
を得るのが難しい。
）は（１００）ｎ−ＩｎＰ基板１上に多層膜を成長した
後、＜ｏｉｉ＞方向に平行にマスク６を形成し塩酸系エ
ツチング液にてｐ−ＩｎＰクラッド層５を選択エツチン
グした後、活性層６をブロム−メタノール溶液にてエツ
チングしエピタキシャル成長をしたものである。＜０１
１＞方向に平行にマスクを形成したのは、通常、レーザ
の横モード制御として用いられるＢＨ槽構造形成する場
合に、メサストライプの方向が＜０１１＞方向である方
が望ましいからである。この方法ではブロム−メタノー
ル溶液にエツチングの選択性がないため活性層のみを容
易にエツチングすることが難しく、そうするためにはエ
ツチング時間や液温、仕方等を制御性良くコントロール
する必要が有る。また仮にそうしなとしてもエツチング
時に結合部のところでくぼみが生じてしまい活性層４と
光吸収層８とが一直線につながらず、高効率な光結合部
を得るのが難しい。
第２図（ｂ）は（ａ）と同様にｐ−ＩｎＰクラッド層５
を選択エツチングし、続けて活性層４をフェリシアンカ
リウム＋水酸化カリウム混合溶液（ステイニング液）に
て選択エツチングした後でエピタキシャル成長した例で
ある。この場合には活性層４をエツチングする際にかな
りのサイドエツチングが生じてしまいこのままでエピタ
キシャル成長すると図に示したように未成長な空洞領域
９が形成されてしまい、素子作製上非常に不都合である
。
を選択エツチングし、続けて活性層４をフェリシアンカ
リウム＋水酸化カリウム混合溶液（ステイニング液）に
て選択エツチングした後でエピタキシャル成長した例で
ある。この場合には活性層４をエツチングする際にかな
りのサイドエツチングが生じてしまいこのままでエピタ
キシャル成長すると図に示したように未成長な空洞領域
９が形成されてしまい、素子作製上非常に不都合である
。
本発明の半導体集積化光源の製造方法は、高効率な光学
的結合の得られる結合部を気相エピタキシャル成長によ
り制御性かつ再現性良く得られる製造方法を提供するこ
とを目的としている。
的結合の得られる結合部を気相エピタキシャル成長によ
り制御性かつ再現性良く得られる製造方法を提供するこ
とを目的としている。
本発明の半導体集積化光源の製造方法は、上述した課題
を解決するなめ、まず、ｎ−ＩｎＰ基板にｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ薄膜層、ｎ−１ｎＰ薄膜層ＩｎＧａＡｓＰ活性層
、ｐ−ＩｎＰクラッド層を順に連続成長しｐ−ＩｎＰク
ラッド層上一部に５ｉ０２等をパターニングし、これを
マスクとしてｐ−ＩｎＰクラッド層のみを選択エツチン
グする。そしてこのｐ−ＩｎＰクラッド層をマスクとし
てＰ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層のみを選択エツチングし、
続けてこの活性層をマスクとしてｐ−１ｎＰクラッド層
及びｎ−ＩｎＰ薄膜層を選択エツチングする。次にＳ
ｉ ０２マスクの一部をエツチングし、気相エピタキシ
ャル成長法により前記５ｉ０２をマスクとしてそれ以外
の部分にＩｎＰ及びＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ等から
なる多層膜を選択的に成長する。
を解決するなめ、まず、ｎ−ＩｎＰ基板にｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ薄膜層、ｎ−１ｎＰ薄膜層ＩｎＧａＡｓＰ活性層
、ｐ−ＩｎＰクラッド層を順に連続成長しｐ−ＩｎＰク
ラッド層上一部に５ｉ０２等をパターニングし、これを
マスクとしてｐ−ＩｎＰクラッド層のみを選択エツチン
グする。そしてこのｐ−ＩｎＰクラッド層をマスクとし
てＰ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層のみを選択エツチングし、
続けてこの活性層をマスクとしてｐ−１ｎＰクラッド層
及びｎ−ＩｎＰ薄膜層を選択エツチングする。次にＳ
ｉ ０２マスクの一部をエツチングし、気相エピタキシ
ャル成長法により前記５ｉ０２をマスクとしてそれ以外
の部分にＩｎＰ及びＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ等から
なる多層膜を選択的に成長する。
この製造方法を用いることによりｎ−ＩｎＰ薄膜層、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ−ＩｎＰクラッド層、５ｉ０２
マスクのエツチング側面に大きな凹凸ができに＜＜、か
つその側面が基板に対しほぼ垂直となることがら、ここ
に気相エピタキシャル成長をすると、その成長過程にお
いて基板（＜１００）面〉への成長速度がエツチング側
面（（０１１）面）への成長速度よりも大きいことより
制御性良く高効率な光学結合の得られる結合部を製造す
ることができる。
ｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ−ＩｎＰクラッド層、５ｉ０２
マスクのエツチング側面に大きな凹凸ができに＜＜、か
つその側面が基板に対しほぼ垂直となることがら、ここ
に気相エピタキシャル成長をすると、その成長過程にお
いて基板（＜１００）面〉への成長速度がエツチング側
面（（０１１）面）への成長速度よりも大きいことより
制御性良く高効率な光学結合の得られる結合部を製造す
ることができる。
次に本発明にって図面を参照して説明する。第１図は本
発明の実施例の半導体レーザと電界吸収型光変調器を集
積化した半導体集積化光源の製造方法を示したものであ
る。まずｎ−ＩｎＰ基板１上にＭＯＶＰＥにより全面に
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ薄膜層２（波長組成１．３ｔｔｍ、
層厚５００人）、ｎ−ＩｎＰ薄膜層（スペーサ層）３（
層厚４００人）、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４（波長組成１
．５μｍ、層厚１４００人）、ｐ−ＩｎＰクラッド層ら
（層厚８０００人）を連続成長した。続いてく０１丁〉
方向に平行に幅２０μｍのＳｉ○２膜６をパターニング
し［第１図（ａ）］、塩酸あるいは塩酸＋リン酸の混合
溶液にてエツチングした。ｐ−ＩｎＰクラッド層５のみ
が選択的にエツチングされ、ＳｉＯ□マスク６下のサイ
ドエツチングもほとんどなく、第１図（ｂ）のように活
性層表面及びＩｎＰの（１１１）Ａ面が出たところでエ
ツチングはストップした。次にＩｎＰへのエツチング速
度がＩｎＧａＡｓＰに比べ十分に小さいフェリシアンカ
リウム＋水溶化カリウム混合溶液（ステイニング液）を
用い、活性層４を選択的にエツチングした［第１図（Ｃ
）］。この場合は先の塩酸系とは異なり、エツチング速
度の置方異存性がないため、活性層をエツチングする間
にかなりのサイドエツチングが生じる。例えば層厚０．
２μｍ程度の活性層をエツチングする間に少なくとも０
．３μｍ程度はサイドエツチングでくぼみが生じる。エ
ツチング時間が長すぎるとサイドエッチ量は更に増加す
る。そしてこのウェハを再度光の塩酸系エツチング液で
処理すると、ＩｎＰスペーサ層３及びクラッド層５が第
１図（ｄ）のようにエツチングされ、くぼみが消えてＳ
ｉ○２膜６がひさしのように突き出た形状になる。この
塩酸系エツチングでは、活性層４がマスクの役目をして
クラッド層５及びスペーサ層３のみがエツチングされる
。猷な、ＩｎＰクラッド層５が５１０２Ｍ６に対してサ
イドエッチする。そのため、活性層のサイドエッチ量に
かかわらず、側面がほぼ垂直になることが重要である。
発明の実施例の半導体レーザと電界吸収型光変調器を集
積化した半導体集積化光源の製造方法を示したものであ
る。まずｎ−ＩｎＰ基板１上にＭＯＶＰＥにより全面に
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ薄膜層２（波長組成１．３ｔｔｍ、
層厚５００人）、ｎ−ＩｎＰ薄膜層（スペーサ層）３（
層厚４００人）、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４（波長組成１
．５μｍ、層厚１４００人）、ｐ−ＩｎＰクラッド層ら
（層厚８０００人）を連続成長した。続いてく０１丁〉
方向に平行に幅２０μｍのＳｉ○２膜６をパターニング
し［第１図（ａ）］、塩酸あるいは塩酸＋リン酸の混合
溶液にてエツチングした。ｐ−ＩｎＰクラッド層５のみ
が選択的にエツチングされ、ＳｉＯ□マスク６下のサイ
ドエツチングもほとんどなく、第１図（ｂ）のように活
性層表面及びＩｎＰの（１１１）Ａ面が出たところでエ
ツチングはストップした。次にＩｎＰへのエツチング速
度がＩｎＧａＡｓＰに比べ十分に小さいフェリシアンカ
リウム＋水溶化カリウム混合溶液（ステイニング液）を
用い、活性層４を選択的にエツチングした［第１図（Ｃ
）］。この場合は先の塩酸系とは異なり、エツチング速
度の置方異存性がないため、活性層をエツチングする間
にかなりのサイドエツチングが生じる。例えば層厚０．
２μｍ程度の活性層をエツチングする間に少なくとも０
．３μｍ程度はサイドエツチングでくぼみが生じる。エ
ツチング時間が長すぎるとサイドエッチ量は更に増加す
る。そしてこのウェハを再度光の塩酸系エツチング液で
処理すると、ＩｎＰスペーサ層３及びクラッド層５が第
１図（ｄ）のようにエツチングされ、くぼみが消えてＳ
ｉ○２膜６がひさしのように突き出た形状になる。この
塩酸系エツチングでは、活性層４がマスクの役目をして
クラッド層５及びスペーサ層３のみがエツチングされる
。猷な、ＩｎＰクラッド層５が５１０２Ｍ６に対してサ
イドエッチする。そのため、活性層のサイドエッチ量に
かかわらず、側面がほぼ垂直になることが重要である。
このエツチングでは、ＩｎＰ側面の（０１１）面が保持
されるため、制御性、再現性に優れている。ただし、あ
まり長くエツチングすると、５ｉ０２膜６とのサイドエ
ツチングが進んで側面が傾いてくるので注意が必要であ
る。
されるため、制御性、再現性に優れている。ただし、あ
まり長くエツチングすると、５ｉ０２膜６とのサイドエ
ツチングが進んで側面が傾いてくるので注意が必要であ
る。
最後に５ｉ０２のひさしを除去するために、バッフアー
トフッ酸を用いてひさしのみがなくなるようにエツチン
グしたし第１図（ｅ）］。ひさしがあると、第３図に示
すように、ひさし直下に空洞９ができて平坦に成長せず
、その後のパターニングの際に途切れが生じてしまう。
トフッ酸を用いてひさしのみがなくなるようにエツチン
グしたし第１図（ｅ）］。ひさしがあると、第３図に示
すように、ひさし直下に空洞９ができて平坦に成長せず
、その後のパターニングの際に途切れが生じてしまう。
このようにして選択エツチングを行った後、ＭＯＶＰＥ
によりＩｎＰ層７（層厚３００人）、ＩｎＧａＡｓＰ光
吸収層８（波長組成１．４μｍ、層厚３０００人）、ｐ
−ＩｎＰクラッド層５を連続成長した［第１図（ｆ）］
。クラッド層の層厚は先の活性領域のクラッド層と同じ
高さになるように設定した。このウェハを電子顕微鏡に
より観察したところ結合部は第１図（ｆ）のような良好
な形状が得られた。
によりＩｎＰ層７（層厚３００人）、ＩｎＧａＡｓＰ光
吸収層８（波長組成１．４μｍ、層厚３０００人）、ｐ
−ＩｎＰクラッド層５を連続成長した［第１図（ｆ）］
。クラッド層の層厚は先の活性領域のクラッド層と同じ
高さになるように設定した。このウェハを電子顕微鏡に
より観察したところ結合部は第１図（ｆ）のような良好
な形状が得られた。
さらに幅６μｍの５ｉ０２膜をマスクとしてメサエッチ
ングし、ＭＯＶＰＥによりＦｅドープ高抵抗ＩｎＰおよ
びｎ−ＩｎＰを埋め込み成長した。そしてここで電気的
な素子分離を行うため、各領域間およびチャンネル間の
ｎ−ＩｎＰ層をエツチングにより除去した。
ングし、ＭＯＶＰＥによりＦｅドープ高抵抗ＩｎＰおよ
びｎ−ＩｎＰを埋め込み成長した。そしてここで電気的
な素子分離を行うため、各領域間およびチャンネル間の
ｎ−ＩｎＰ層をエツチングにより除去した。
最終工程の成長として、先にｎ−ＩｎＰ層を除去した上
に幅２０μｍの５ｉＯｚ！ＩＩをパターニングして各領
域間およびチャンネル間を分離し、ｐ−ＩｎＰ層、ｐ”
−Ｉ ｎＧａＡｓキャップ層を島状に選択成長した。
に幅２０μｍの５ｉＯｚ！ＩＩをパターニングして各領
域間およびチャンネル間を分離し、ｐ−ＩｎＰ層、ｐ”
−Ｉ ｎＧａＡｓキャップ層を島状に選択成長した。
そして島状に成長したキャップ層及びｎ基板側にメタラ
イズして素子を作製した。光変調器のｐ側電極は容量低
減のためパッド電極とした（パッド直径１００μｍ）。
イズして素子を作製した。光変調器のｐ側電極は容量低
減のためパッド電極とした（パッド直径１００μｍ）。
上記のようにして作製したウェハから半導体レーザと光
変調器とを集積化した素子を切り出して評価したところ
半導体レーザ部は閾値が約２０ｍＡ程度で発振し、光変
調器側から１０ｍＷ以上の光出力が得られた。また光変
調器は一５Ｖの逆バイアスをかけることにより１５ｄＢ
の消光特性が得られた。
変調器とを集積化した素子を切り出して評価したところ
半導体レーザ部は閾値が約２０ｍＡ程度で発振し、光変
調器側から１０ｍＷ以上の光出力が得られた。また光変
調器は一５Ｖの逆バイアスをかけることにより１５ｄＢ
の消光特性が得られた。
尚、実施例は半導体レーザと光変調器の組合せについて
説明したが、他の素子の組合せ、例えば、半導体レーザ
あるいは発光ダイオードと受光素子、半導体レーザと光
スィッチ等、種々の組合せについても同様にして製造で
きる。
説明したが、他の素子の組合せ、例えば、半導体レーザ
あるいは発光ダイオードと受光素子、半導体レーザと光
スィッチ等、種々の組合せについても同様にして製造で
きる。
以上説明したように、本発明はＩｎＰ基板と活性層との
間にＩ ｎＧａＡｓＰ層、ＩｎＰ層の薄膜層を導入し、
活性層をエツチングするときにはＩｎＰ薄膜層が、更に
その後のクラッド層をエツチングするときにはＩｎＧａ
ＡｓＰ薄膜層がエツチングストップ層の働きをするため
に容易に選択エツチングが可能となり、かつその後５ｉ
０２膜のひさし状に突き出た部分のみをエツチングによ
り除去することによりエツチング側面が垂直になＭＯ−
ＶＰＢによる成長が可能となるような形状に容易に加工
でき、かつ制御性、再現性の点においても優れるという
利点を有する。
間にＩ ｎＧａＡｓＰ層、ＩｎＰ層の薄膜層を導入し、
活性層をエツチングするときにはＩｎＰ薄膜層が、更に
その後のクラッド層をエツチングするときにはＩｎＧａ
ＡｓＰ薄膜層がエツチングストップ層の働きをするため
に容易に選択エツチングが可能となり、かつその後５ｉ
０２膜のひさし状に突き出た部分のみをエツチングによ
り除去することによりエツチング側面が垂直になＭＯ−
ＶＰＢによる成長が可能となるような形状に容易に加工
でき、かつ制御性、再現性の点においても優れるという
利点を有する。
成長不良の例を示す図、第３図は５ｉ０２のひさしがあ
るときの成長不良の例を示した図である。
るときの成長不良の例を示した図である。
１−−− ｎ −Ｉ ｎ Ｐ基板、２−・ｎ−Ｉ ｎＧ
ａＡｓＰ薄膜層、３・・・ｎ−ＩｎＰスペーサ層、４・
・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、５−ｐ−ＩｎＰクラッド層
、６・・・５ｉ０２７・・・ｎ−ＩｎＰバッファ層、８
・・・ｒ ｎＧａＡｓＰ光吸収層、９・・・空洞（未成
長領域）。
ａＡｓＰ薄膜層、３・・・ｎ−ＩｎＰスペーサ層、４・
・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、５−ｐ−ＩｎＰクラッド層
、６・・・５ｉ０２７・・・ｎ−ＩｎＰバッファ層、８
・・・ｒ ｎＧａＡｓＰ光吸収層、９・・・空洞（未成
長領域）。
Claims (1)
- ｎ型ＩｎＰ基板上に少なくともｎ−ＩｎＧａＡｓＰ薄
膜層、ｎ−ＩｎＰ薄膜層ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層をこの順に連続エピタキシャル成長する
工程と、前記ｐ−ＩｎＰクラッド層上一部領域にエッチ
ング用のマスクをパターニングする工程と、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層のみを選択エッチングする工程と、ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層のみを選択エッチングする工程と、前記の
エッチングした活性層をマスクとしてｐ−ＩｎＰクラッ
ド層及びｎ−ＩｎＰ薄膜層を選択エッチングする工程と
、前記マスクの一部をエッチングする工程と、前記マス
ク以外の部分に気相エピタクシャル成長法にてＩｎＰ及
びＩｎＧａＡｓＰ等からなる多層膜を選択的に成長する
工程とを含むことを特徴とする半導体集積化光源の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161622A JPH0451569A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体集積化光源の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161622A JPH0451569A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体集積化光源の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451569A true JPH0451569A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15738683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161622A Pending JPH0451569A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体集積化光源の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451569A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189523A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2002232069A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2018101675A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| WO2024157434A1 (ja) * | 2023-01-27 | 2024-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161622A patent/JPH0451569A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189523A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP4514868B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2010-07-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002232069A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2018101675A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US11205739B2 (en) | 2016-12-20 | 2021-12-21 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| WO2024157434A1 (ja) * | 2023-01-27 | 2024-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 |
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