JPH11251686A - 変調器付半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
変調器付半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH11251686A JPH11251686A JP10053386A JP5338698A JPH11251686A JP H11251686 A JPH11251686 A JP H11251686A JP 10053386 A JP10053386 A JP 10053386A JP 5338698 A JP5338698 A JP 5338698A JP H11251686 A JPH11251686 A JP H11251686A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡｌＩｎＡｓ層を含む量子井戸を吸収層に備
えた変調器を有するバットジョイント型の変調器付半導
体レーザにおいて、コンタクト層の形成を可能とし、吸
収層と活性層との接続部におけるずれをなくした変調器
付半導体レーザを提供する。 【解決手段】 選択成長用ＳｉＯ2マスクの幅を１０μ
ｍ以下とすることにより、該ＳｉＯ2マスク上からＡｌ
原子が逃れ易くして多結晶生成物の形成を抑え、コンタ
クト層の形成を可能とする。また、ＳｉＯ2マスクを用
いた選択エッチングによりＩｎＰ基板表面を露出させ
て、該ＩｎＰ基板表面を基準として、その上に吸収層を
形成することにより、吸収層と活性層との接続部におけ
るずれを防止できる。
えた変調器を有するバットジョイント型の変調器付半導
体レーザにおいて、コンタクト層の形成を可能とし、吸
収層と活性層との接続部におけるずれをなくした変調器
付半導体レーザを提供する。 【解決手段】 選択成長用ＳｉＯ2マスクの幅を１０μ
ｍ以下とすることにより、該ＳｉＯ2マスク上からＡｌ
原子が逃れ易くして多結晶生成物の形成を抑え、コンタ
クト層の形成を可能とする。また、ＳｉＯ2マスクを用
いた選択エッチングによりＩｎＰ基板表面を露出させ
て、該ＩｎＰ基板表面を基準として、その上に吸収層を
形成することにより、吸収層と活性層との接続部におけ
るずれを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バットジョイント
型の変調器付半導体レーザ及びその製造方法に関する。
型の変調器付半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、分布帰還型半導体レーザと変調
器とを、ＩｎＰ基板１上に形成した変調器付半導体レー
ザの斜視図である。かかる変調器付半導体レーザでは、
分布帰還型レーザの活性層３から出射されたレーザ光
は、活性層３と連続して設けられた変調器の吸収層９に
入射する。変調器では、吸収層９に電界を加えると、シ
ュタルク効果によりバンドが変形し、実効的に吸収層９
のバンドキャップが小さくなるために、吸収波長が変化
する。従って、吸収層９に電界を変化させることによ
り、吸収層９を透過するレーザ光の強度を変調すること
ができる。かかる変調器付半導体レーザでは、半導体レ
ーザ部の活性層３と、変調器部の吸収層９とは構造が異
なるため、別々の工程で形成する必要がある。このう
ち、バットジョイント型の変調器付半導体レーザでは、
半導体レーザ部の活性層３を形成した後に、ＳｉＯ2マ
スクを選択成長用マスクに用いた選択成長により、該活
性層３に連続して接続するように変調器部の吸収層９が
形成され、変調器付半導体レーザが作製される。
器とを、ＩｎＰ基板１上に形成した変調器付半導体レー
ザの斜視図である。かかる変調器付半導体レーザでは、
分布帰還型レーザの活性層３から出射されたレーザ光
は、活性層３と連続して設けられた変調器の吸収層９に
入射する。変調器では、吸収層９に電界を加えると、シ
ュタルク効果によりバンドが変形し、実効的に吸収層９
のバンドキャップが小さくなるために、吸収波長が変化
する。従って、吸収層９に電界を変化させることによ
り、吸収層９を透過するレーザ光の強度を変調すること
ができる。かかる変調器付半導体レーザでは、半導体レ
ーザ部の活性層３と、変調器部の吸収層９とは構造が異
なるため、別々の工程で形成する必要がある。このう
ち、バットジョイント型の変調器付半導体レーザでは、
半導体レーザ部の活性層３を形成した後に、ＳｉＯ2マ
スクを選択成長用マスクに用いた選択成長により、該活
性層３に連続して接続するように変調器部の吸収層９が
形成され、変調器付半導体レーザが作製される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】変調器の高周波帯域に
おける周波数応答特性を向上させるために、ＡｌＩｎＡ
ｓ層を含む量子井戸を吸収層に用いた場合、ＳｉＯ2マ
スク上に多結晶生成物が付着することから、設計通りの
構造が得られなくなった。かかる原因について、発明者
らが検討した結果、通常の選択成長では、ＳｉＯ 2マス
ク上に到達した原子は、ＳｉＯ2マスク上を移動して該
ＳｉＯ2マスク外に逃れるために、ＳｉＯ2マスク上には
付着物が生成しないが、Ａｌ原子は移動速度が遅く、Ｓ
ｉＯ2マスク上で他のＡｓ原子等と結び付き、多結晶生
成物となり、この結果、この多結晶生成物をＳｉＯ2マ
スク上から除去することができないために、コンタクト
層が形成できないことを見出した。更に、活性層形成後
に、該活性層に連続するように吸収層を形成するが、か
かる活性層と吸収層との接続部の位置がずれて接続が不
連続となることにより、レーザ光の伝送損失が発生する
ため、かかる接続部の不連続を防止する必要もあった。
そこで、本発明は、ＡｌＩｎＡｓ層を含む量子井戸を吸
収層に備えた変調器を有するバットジョイント型の変調
器付半導体レーザにおいて、コンタクト層の形成を可能
とし、吸収層と活性層との接続部における位置ずれをな
くした変調器付半導体レーザを提供することを目的とす
る。
おける周波数応答特性を向上させるために、ＡｌＩｎＡ
ｓ層を含む量子井戸を吸収層に用いた場合、ＳｉＯ2マ
スク上に多結晶生成物が付着することから、設計通りの
構造が得られなくなった。かかる原因について、発明者
らが検討した結果、通常の選択成長では、ＳｉＯ 2マス
ク上に到達した原子は、ＳｉＯ2マスク上を移動して該
ＳｉＯ2マスク外に逃れるために、ＳｉＯ2マスク上には
付着物が生成しないが、Ａｌ原子は移動速度が遅く、Ｓ
ｉＯ2マスク上で他のＡｓ原子等と結び付き、多結晶生
成物となり、この結果、この多結晶生成物をＳｉＯ2マ
スク上から除去することができないために、コンタクト
層が形成できないことを見出した。更に、活性層形成後
に、該活性層に連続するように吸収層を形成するが、か
かる活性層と吸収層との接続部の位置がずれて接続が不
連続となることにより、レーザ光の伝送損失が発生する
ため、かかる接続部の不連続を防止する必要もあった。
そこで、本発明は、ＡｌＩｎＡｓ層を含む量子井戸を吸
収層に備えた変調器を有するバットジョイント型の変調
器付半導体レーザにおいて、コンタクト層の形成を可能
とし、吸収層と活性層との接続部における位置ずれをな
くした変調器付半導体レーザを提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、発明者らは鋭意
研究の結果、ＳｉＯ2マスクの幅を１０μｍ以下とする
ことにより、該ＳｉＯ2マスク上からＡｌ原子等が逃れ
易くして多結晶生成物の形成を抑え、コンタクト層の形
成ができること、ＳｉＯ2マスクを用いた選択エッチン
グによりＩｎＰ基板表面を露出させて、該ＩｎＰ層表面
を基準として、その上に吸収層を形成することにより、
吸収層と活性層との接続部における位置ずれを防止でき
ることを見出し、本発明を完成した。
研究の結果、ＳｉＯ2マスクの幅を１０μｍ以下とする
ことにより、該ＳｉＯ2マスク上からＡｌ原子等が逃れ
易くして多結晶生成物の形成を抑え、コンタクト層の形
成ができること、ＳｉＯ2マスクを用いた選択エッチン
グによりＩｎＰ基板表面を露出させて、該ＩｎＰ層表面
を基準として、その上に吸収層を形成することにより、
吸収層と活性層との接続部における位置ずれを防止でき
ることを見出し、本発明を完成した。
【０００５】即ち、本発明は、ＩｎＰ基板上に、レーザ
光を発振するための活性層を有する半導体レーザ部と、
該レーザ光が入射するように該活性層と連続して接続形
成された吸収層を有する変調器部とを備えたバットジョ
イント型の変調器付半導体レーザであって、上記吸収層
が、幅が１０μｍ以下の絶縁層で上記活性層を覆いなが
ら、上記ＩｎＰ層上に選択成長させたＡｌＩｎＡｓ層を
含む量子井戸を備えた吸収層からなることを特徴とする
変調器付半導体レーザである。かかる構造の変調器付半
導体レーザでは、活性層と吸収層との接続部におけるず
れがなく、接続部におけるレーザ光の減衰を防止するこ
とができる。また、吸収層にＡｌＩｎＡｓを含む量子井
戸構造を用いた場合でも、吸収層の組成が、設計した組
成どおりとなり、設計通りの素子特性を得ることが可能
となる。
光を発振するための活性層を有する半導体レーザ部と、
該レーザ光が入射するように該活性層と連続して接続形
成された吸収層を有する変調器部とを備えたバットジョ
イント型の変調器付半導体レーザであって、上記吸収層
が、幅が１０μｍ以下の絶縁層で上記活性層を覆いなが
ら、上記ＩｎＰ層上に選択成長させたＡｌＩｎＡｓ層を
含む量子井戸を備えた吸収層からなることを特徴とする
変調器付半導体レーザである。かかる構造の変調器付半
導体レーザでは、活性層と吸収層との接続部におけるず
れがなく、接続部におけるレーザ光の減衰を防止するこ
とができる。また、吸収層にＡｌＩｎＡｓを含む量子井
戸構造を用いた場合でも、吸収層の組成が、設計した組
成どおりとなり、設計通りの素子特性を得ることが可能
となる。
【０００６】上記半導体レーザは、上記レーザ光の発振
方向に垂直な方向に、上記活性層に積層して形成された
回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザであることが
好ましい。光ファイバを用いた信号伝送等に用いられる
分布帰還型半導体レーザを備えた変調器付半導体レーザ
では、特に、吸収層の組成が設計した組成からずれるこ
とによる変調器の吸収波長のずれを防止する必要がある
からである。
方向に垂直な方向に、上記活性層に積層して形成された
回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザであることが
好ましい。光ファイバを用いた信号伝送等に用いられる
分布帰還型半導体レーザを備えた変調器付半導体レーザ
では、特に、吸収層の組成が設計した組成からずれるこ
とによる変調器の吸収波長のずれを防止する必要がある
からである。
【０００７】また、本発明は、ＩｎＰ基板上に、レーザ
光を発振するための活性層を有する半導体レーザ部と、
該レーザ光が入射するように該活性層と連続して接続形
成された吸収層を有する変調器部とを形成するバットジ
ョイント型の変調器付半導体レーザの製造方法であっ
て、ＩｎＰ層上に、少なくとも活性層と絶縁層とを順次
積層し、該絶縁層をパターニングして絶縁層マスクを形
成する工程と、上記絶縁層マスクを用いた選択エッチン
グにより、上記ＩｎＰ層表面を露出させる選択エッチン
グ工程と、上記ＩｎＰ層表面上に、上記絶縁層マスクを
選択成長マスクに用いて、少なくとも、ＡｌＩｎＡｓ層
を含む量子井戸を備えた上記吸収層を、上記活性層と略
同じ膜厚で連続するように選択的に成長させる選択成長
工程とを備え、上記選択成長工程が、上記絶縁層マスク
の幅を１０μｍ以下として、該絶縁層マスク上への多結
晶生成物の付着を生じさせずに、上記吸収層を成長させ
る工程であることを特徴とする変調器付半導体レーザの
製造方法である。かかる方法を用いることにより、活性
層と吸収層との接続部におけるずれがなく、吸収層の組
成が設計した組成通りとなる変調器付半導体レーザを得
ることが可能となる。
光を発振するための活性層を有する半導体レーザ部と、
該レーザ光が入射するように該活性層と連続して接続形
成された吸収層を有する変調器部とを形成するバットジ
ョイント型の変調器付半導体レーザの製造方法であっ
て、ＩｎＰ層上に、少なくとも活性層と絶縁層とを順次
積層し、該絶縁層をパターニングして絶縁層マスクを形
成する工程と、上記絶縁層マスクを用いた選択エッチン
グにより、上記ＩｎＰ層表面を露出させる選択エッチン
グ工程と、上記ＩｎＰ層表面上に、上記絶縁層マスクを
選択成長マスクに用いて、少なくとも、ＡｌＩｎＡｓ層
を含む量子井戸を備えた上記吸収層を、上記活性層と略
同じ膜厚で連続するように選択的に成長させる選択成長
工程とを備え、上記選択成長工程が、上記絶縁層マスク
の幅を１０μｍ以下として、該絶縁層マスク上への多結
晶生成物の付着を生じさせずに、上記吸収層を成長させ
る工程であることを特徴とする変調器付半導体レーザの
製造方法である。かかる方法を用いることにより、活性
層と吸収層との接続部におけるずれがなく、吸収層の組
成が設計した組成通りとなる変調器付半導体レーザを得
ることが可能となる。
【０００８】上記選択成長工程は、有機金属気相成長法
を用いた選択成長であることが好ましい。
を用いた選択成長であることが好ましい。
【０００９】上記選択エッチング工程は、上記活性層の
途中までドライエッチングを行った後に、残った該活性
層をウエットエッチングにより除去する工程であること
が好ましい。ドライエッチングにより垂直なエッチング
を行った後に、ウエットエッチングを併用することによ
り、基板表面に発生するエッチング損傷を低減でき、基
板上に形成される吸収層の導波効率を向上させることが
可能となる。
途中までドライエッチングを行った後に、残った該活性
層をウエットエッチングにより除去する工程であること
が好ましい。ドライエッチングにより垂直なエッチング
を行った後に、ウエットエッチングを併用することによ
り、基板表面に発生するエッチング損傷を低減でき、基
板上に形成される吸収層の導波効率を向上させることが
可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本実施の形態にか
かるバットジョイント型の変調器付半導体レーザについ
て、図１、２を参照しながら説明する。図１、２は、本
実施の形態にかかる変調器付半導体レーザの製造工程で
あり、図８に、完成した変調器付半導体レーザを示す。
図８は、ＩｎＰ基板１上に、レーザ光を発振するための
活性層３を有する半導体レーザ部と、該レーザ光が入射
するように該活性層３と連続して接続形成された吸収層
９を有する変調器部とを備えたバットジョイント型の変
調器付半導体レーザであって、上記活性層３が、幅が１
０μｍ以下の絶縁層８をマスクにエッチング形成され
た、幅が１０μｍ以下の活性層３からなり、上記吸収層
９が、上記活性層３を上記絶縁層８で覆いながら上記Ｉ
ｎＰ基板１上に選択成長させた、ＡｌＩｎＡｓ層を含む
量子井戸を備えた吸収層９からなることを特徴とする変
調器付半導体レーザである。このように、絶縁層８、即
ち、ＳｉＯ2マスクの幅を１０μｍ以下とすることによ
り、吸収層９の選択成長において、該ＳｉＯ2マスク上
から主にＡｌ原子が逃れ易くなり、該ＳｉＯ2マスク上
への多結晶生成物の形成がなくなり、この結果、コンタ
クト層を形成することが可能となる。また、ＳｉＯ2マ
スクを用いた選択エッチングによりｎ−ＩｎＰクラッド
層２の表面を露出させて、該ｎ−ＩｎＰクラッド層２の
表面を基準として吸収層９を形成することにより、吸収
層９と活性層３との接続部における位置ずれの発生を防
止することができる。
かるバットジョイント型の変調器付半導体レーザについ
て、図１、２を参照しながら説明する。図１、２は、本
実施の形態にかかる変調器付半導体レーザの製造工程で
あり、図８に、完成した変調器付半導体レーザを示す。
図８は、ＩｎＰ基板１上に、レーザ光を発振するための
活性層３を有する半導体レーザ部と、該レーザ光が入射
するように該活性層３と連続して接続形成された吸収層
９を有する変調器部とを備えたバットジョイント型の変
調器付半導体レーザであって、上記活性層３が、幅が１
０μｍ以下の絶縁層８をマスクにエッチング形成され
た、幅が１０μｍ以下の活性層３からなり、上記吸収層
９が、上記活性層３を上記絶縁層８で覆いながら上記Ｉ
ｎＰ基板１上に選択成長させた、ＡｌＩｎＡｓ層を含む
量子井戸を備えた吸収層９からなることを特徴とする変
調器付半導体レーザである。このように、絶縁層８、即
ち、ＳｉＯ2マスクの幅を１０μｍ以下とすることによ
り、吸収層９の選択成長において、該ＳｉＯ2マスク上
から主にＡｌ原子が逃れ易くなり、該ＳｉＯ2マスク上
への多結晶生成物の形成がなくなり、この結果、コンタ
クト層を形成することが可能となる。また、ＳｉＯ2マ
スクを用いた選択エッチングによりｎ−ＩｎＰクラッド
層２の表面を露出させて、該ｎ−ＩｎＰクラッド層２の
表面を基準として吸収層９を形成することにより、吸収
層９と活性層３との接続部における位置ずれの発生を防
止することができる。
【００１１】次に、本実施の形態にかかるバットジョイ
ント型の変調器付半導体レーザの製造方法について説明
する。まず、図１（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板
１（面方位は（００１））上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）を１．８μｍ、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸
（ＭＱＷ）活性層３（光ガイド層を含む）を０．２４μ
ｍ、ｐ−ＩｎＰクラッド層４（不純物濃度：１×１０18
ｃｍ-3）を０．１２μｍ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層
５（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）を４０ｎｍ、ｐ−
ＩｎＰキャップ層６（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）
を１０ｎｍを、ＭＯＣＶＤ法を用いた結晶成長により、
順次積層形成する。
ント型の変調器付半導体レーザの製造方法について説明
する。まず、図１（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板
１（面方位は（００１））上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）を１．８μｍ、ア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸
（ＭＱＷ）活性層３（光ガイド層を含む）を０．２４μ
ｍ、ｐ−ＩｎＰクラッド層４（不純物濃度：１×１０18
ｃｍ-3）を０．１２μｍ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層
５（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）を４０ｎｍ、ｐ−
ＩｎＰキャップ層６（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）
を１０ｎｍを、ＭＯＣＶＤ法を用いた結晶成長により、
順次積層形成する。
【００１２】続いて、図１（ｂ）に示すように、干渉露
光技術とエッチング技術を用いて、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層５をエッチングして、回折格子２１を形成す
る。
光技術とエッチング技術を用いて、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層５をエッチングして、回折格子２１を形成す
る。
【００１３】続いて、図１（ｃ）に示すように、回折格
子２１を埋め込むように、ｐ−ＩｎＰクラッド層７（不
純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）を、０．５μｍ、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いて成長させる。
子２１を埋め込むように、ｐ−ＩｎＰクラッド層７（不
純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）を、０．５μｍ、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いて成長させる。
【００１４】続いて、図１（ｄ）に示すように、スパッ
タ法により、表面全体にＳｉＯ2膜を形成した後、フォ
トリソグラフィ技術を用いて、幅１０μｍのストライプ
状のＳｉＯ2膜８とする。
タ法により、表面全体にＳｉＯ2膜を形成した後、フォ
トリソグラフィ技術を用いて、幅１０μｍのストライプ
状のＳｉＯ2膜８とする。
【００１５】続いて、図１（ｅ）に示すように、ＳｉＯ
2膜８をエッチングマスクに用いたドライエッチングに
より、ｐ−ＩｎＰクラッド層７の上面から活性層３の途
中までエッチングを行う。更に、酒石酸系のエッチング
液を用いて、残りの活性層をエッチングして、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２の表面を露出させる。かかる酒石酸系の
エッチング液は、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重
量子井戸（ＭＱＷ）活性層３と、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２との間で、エッチング選択性を有するため、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２の表面が露出した段階でエッチングが停
止し、ｎ−ＩｎＰクラッド層２の表面を正確に露出させ
ることができる。
2膜８をエッチングマスクに用いたドライエッチングに
より、ｐ−ＩｎＰクラッド層７の上面から活性層３の途
中までエッチングを行う。更に、酒石酸系のエッチング
液を用いて、残りの活性層をエッチングして、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２の表面を露出させる。かかる酒石酸系の
エッチング液は、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重
量子井戸（ＭＱＷ）活性層３と、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２との間で、エッチング選択性を有するため、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２の表面が露出した段階でエッチングが停
止し、ｎ−ＩｎＰクラッド層２の表面を正確に露出させ
ることができる。
【００１６】続いて、図２（ｆ）に示すように、エッチ
ングにより露出したｎ−ＩｎＰクラッド層２上に、ＭＯ
ＣＶＤ法を用いて、アンドープのＩｎＧａＡｓＰ／Ａｌ
ＩｎＡｓＭＱＷ吸収層９、ｐ−ＩｎＰクラッド層（不純
物濃度：０．５×１０18ｃｍ-3）１０を０．８μｍ、順
次、選択的に成長させる。吸収層９は、光ガイド層を含
むものであっても構わない。また、ＩｎＧａＡｓＰ／Ａ
ｌＩｎＡｓＭＱＷの代わりに、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＩｎ
ＡｓＭＱＷを用いても構わない。
ングにより露出したｎ−ＩｎＰクラッド層２上に、ＭＯ
ＣＶＤ法を用いて、アンドープのＩｎＧａＡｓＰ／Ａｌ
ＩｎＡｓＭＱＷ吸収層９、ｐ−ＩｎＰクラッド層（不純
物濃度：０．５×１０18ｃｍ-3）１０を０．８μｍ、順
次、選択的に成長させる。吸収層９は、光ガイド層を含
むものであっても構わない。また、ＩｎＧａＡｓＰ／Ａ
ｌＩｎＡｓＭＱＷの代わりに、ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＩｎ
ＡｓＭＱＷを用いても構わない。
【００１７】一般に、バットジョイント型の変調器付半
導体レーザでは、半導体レーザ部の活性層３を作製した
後に、該活性層３で発振したレーザ光が、変調器の吸収
層９に入射するように、活性層３に連続して吸収層９を
形成するため、活性層３と吸収層９との接続部が、膜厚
方向に、不連続となってしまう場合も発生する。図３
は、活性層３と吸収層９との接続部にずれが生じた場合
のバッドジョイント型変調器付半導体レーザの断面の概
略図であり、活性層３及び吸収層９の厚さは約０．２４
μｍ、活性層３と吸収層９との高さの差をΔＹで表す。
図４は、活性層３と吸収層９との結合効率と、ΔＹとの
関係である。図４より明らかなように、ΔＹが大きくな
ると、結合効率は単調に減少し、ΔＹが０．１μｍより
大きくなると、結合効率は９５％以下になる。従って、
かかるバットジョイント型の変調器付半導体レーザで
は、ΔＹを出来る限り小さくすることが、重要となる。
導体レーザでは、半導体レーザ部の活性層３を作製した
後に、該活性層３で発振したレーザ光が、変調器の吸収
層９に入射するように、活性層３に連続して吸収層９を
形成するため、活性層３と吸収層９との接続部が、膜厚
方向に、不連続となってしまう場合も発生する。図３
は、活性層３と吸収層９との接続部にずれが生じた場合
のバッドジョイント型変調器付半導体レーザの断面の概
略図であり、活性層３及び吸収層９の厚さは約０．２４
μｍ、活性層３と吸収層９との高さの差をΔＹで表す。
図４は、活性層３と吸収層９との結合効率と、ΔＹとの
関係である。図４より明らかなように、ΔＹが大きくな
ると、結合効率は単調に減少し、ΔＹが０．１μｍより
大きくなると、結合効率は９５％以下になる。従って、
かかるバットジョイント型の変調器付半導体レーザで
は、ΔＹを出来る限り小さくすることが、重要となる。
【００１８】従来の製造方法では、吸収層９を形成する
前の、活性層３等のエッチング除去工程では、選択エッ
チングを用いずに、ｎ−ＩｎＰクラッド層２も０．５μ
ｍ程度エッチングしていたため、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２のエッチング深さに依存して、ΔＹの値が変化するこ
ととなっていた。かかる場合、ｎ−ＩｎＰクラッド層２
のエッチング深さを測定し、それに応じて、活性層３の
底面の高さまでｎ−ＩｎＰバッファ層を再度形成し、そ
の後に吸収層９を形成すれば、ΔＹは０．１μｍ以下と
することも可能であるが、各ウエハごとにｎ−ＩｎＰク
ラッド層２のエッチング深さを測定していたのでは、量
産工程への適用が困難である。また、エッチング深さや
再度成長するｎ−ＩｎＰバッファ層２の膜厚は、ウエハ
面内でばらつきがあるため、ウエハ面内全面にわたって
ΔＹを０．１μｍ以下に制御することは困難であった。
前の、活性層３等のエッチング除去工程では、選択エッ
チングを用いずに、ｎ−ＩｎＰクラッド層２も０．５μ
ｍ程度エッチングしていたため、ｎ−ＩｎＰクラッド層
２のエッチング深さに依存して、ΔＹの値が変化するこ
ととなっていた。かかる場合、ｎ−ＩｎＰクラッド層２
のエッチング深さを測定し、それに応じて、活性層３の
底面の高さまでｎ−ＩｎＰバッファ層を再度形成し、そ
の後に吸収層９を形成すれば、ΔＹは０．１μｍ以下と
することも可能であるが、各ウエハごとにｎ−ＩｎＰク
ラッド層２のエッチング深さを測定していたのでは、量
産工程への適用が困難である。また、エッチング深さや
再度成長するｎ−ＩｎＰバッファ層２の膜厚は、ウエハ
面内でばらつきがあるため、ウエハ面内全面にわたって
ΔＹを０．１μｍ以下に制御することは困難であった。
【００１９】これに対して、特開平７−２６３６５５号
公報には、ドライエッチングでｐ−ＩｎＰクラッド層及
び活性層を選択的に除去する方法が提案されている。か
かる方法では、本発明と異なって活性層直下にＩｎＧａ
ＡｓＰ光ガイド層を残してエッチングを停止し、その上
に吸収層を成長している。従って、吸収層を成長する際
の基板温度の昇温時に、かかるＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層から、ＡｓとＰの２つの５族元素が脱離するため、ア
ルシンとフォスフィンを流して、ＡｓとＰの蒸気圧を高
く保ち、これらの５族元素の脱離を防止することが必要
となる。しかし、フォスフィンは、アルシンより高温で
分解するため、Ａｓ及びＰの脱離を同時に抑えることは
困難であり、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層表面に１０ｎｍ
以上の凹凸が発生してしまう。従って、この凹凸が、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層上に形成される吸収層にも伝搬
することにより、吸収層のＭＱＷの各ウェル／バリア層
も凹凸を有するようになり、ＭＱＷでの量子効果が不十
分となり、シュタルク効果を用いた光強度の変調も不十
分なものとなってしまう。また、再成長界面には、シリ
コンやカーボンなどの不純物が多く存在するために、ア
ンドープである吸収層に不純物が多く入り込み、吸収層
に電界が印加しにくくもなる。このように、特開平７−
２６３６５５号公報で提案されている方法では、変調器
の特性が低下するという問題点があった。
公報には、ドライエッチングでｐ−ＩｎＰクラッド層及
び活性層を選択的に除去する方法が提案されている。か
かる方法では、本発明と異なって活性層直下にＩｎＧａ
ＡｓＰ光ガイド層を残してエッチングを停止し、その上
に吸収層を成長している。従って、吸収層を成長する際
の基板温度の昇温時に、かかるＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層から、ＡｓとＰの２つの５族元素が脱離するため、ア
ルシンとフォスフィンを流して、ＡｓとＰの蒸気圧を高
く保ち、これらの５族元素の脱離を防止することが必要
となる。しかし、フォスフィンは、アルシンより高温で
分解するため、Ａｓ及びＰの脱離を同時に抑えることは
困難であり、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層表面に１０ｎｍ
以上の凹凸が発生してしまう。従って、この凹凸が、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層上に形成される吸収層にも伝搬
することにより、吸収層のＭＱＷの各ウェル／バリア層
も凹凸を有するようになり、ＭＱＷでの量子効果が不十
分となり、シュタルク効果を用いた光強度の変調も不十
分なものとなってしまう。また、再成長界面には、シリ
コンやカーボンなどの不純物が多く存在するために、ア
ンドープである吸収層に不純物が多く入り込み、吸収層
に電界が印加しにくくもなる。このように、特開平７−
２６３６５５号公報で提案されている方法では、変調器
の特性が低下するという問題点があった。
【００２０】これに対して、本実施の形態では、正確に
ｎ−ＩｎＰクラッド層２の表面でエッチングが停止し、
その上に吸収層９を成長させるため、活性層３と吸収層
９との膜厚方向のずれΔＹを、容易に０．１μｍ以下と
することができ、図４に示すように、結合効率をほぼ１
とすることができ、半導体レーザの活性層３から出射さ
れたレーザ光は、効率良く変調器領域に導波される。な
お、結合効率を損なわない範囲で、即ち、結合効率が、
０．９５以上となるような範囲で、吸収層９の下部に、
薄膜のｎ−ＩｎＰバッファ層を形成して、吸収層９の結
晶性を高めることも可能である。例えば、０．１μｍ以
下の薄膜ｎ−ＩｎＰバッファ層を吸収層９の下部に成長
すればよい。また、吸収層９の成長に伴う基板の昇温時
においても、ｎ−ＩｎＰクラッド層２からのＰの離脱を
防止すれば足り、即ち、フォスフィン雰囲気で昇温すれ
ば、５族元素の離脱に伴う表面の凹凸の発生を防止する
ことが可能となる。
ｎ−ＩｎＰクラッド層２の表面でエッチングが停止し、
その上に吸収層９を成長させるため、活性層３と吸収層
９との膜厚方向のずれΔＹを、容易に０．１μｍ以下と
することができ、図４に示すように、結合効率をほぼ１
とすることができ、半導体レーザの活性層３から出射さ
れたレーザ光は、効率良く変調器領域に導波される。な
お、結合効率を損なわない範囲で、即ち、結合効率が、
０．９５以上となるような範囲で、吸収層９の下部に、
薄膜のｎ−ＩｎＰバッファ層を形成して、吸収層９の結
晶性を高めることも可能である。例えば、０．１μｍ以
下の薄膜ｎ−ＩｎＰバッファ層を吸収層９の下部に成長
すればよい。また、吸収層９の成長に伴う基板の昇温時
においても、ｎ−ＩｎＰクラッド層２からのＰの離脱を
防止すれば足り、即ち、フォスフィン雰囲気で昇温すれ
ば、５族元素の離脱に伴う表面の凹凸の発生を防止する
ことが可能となる。
【００２１】更に、ＡｌＩｎＡｓ層を含む量子井戸を吸
収層に用いた場合、ＳｉＯ2層８（ＳｉＯ2マスク）上に
多結晶生成物が付着し、コンタクト層が形成できず、設
計通りの構造が得られなくなるという問題がある。かか
る原因については、上述のように、発明者らが検討した
結果、通常の選択成長では、ＳｉＯ2層８上に到達した
原子は、ＳｉＯ2層８上を移動して該ＳｉＯ2層８外に逃
れるために、ＳｉＯ2層８上には付着物が生成しない
が、Ａｌ原子は移動速度が遅く、ＳｉＯ2層８上で他の
Ａｓ原子等と結び付き、多結晶生成物となることが判明
している。
収層に用いた場合、ＳｉＯ2層８（ＳｉＯ2マスク）上に
多結晶生成物が付着し、コンタクト層が形成できず、設
計通りの構造が得られなくなるという問題がある。かか
る原因については、上述のように、発明者らが検討した
結果、通常の選択成長では、ＳｉＯ2層８上に到達した
原子は、ＳｉＯ2層８上を移動して該ＳｉＯ2層８外に逃
れるために、ＳｉＯ2層８上には付着物が生成しない
が、Ａｌ原子は移動速度が遅く、ＳｉＯ2層８上で他の
Ａｓ原子等と結び付き、多結晶生成物となることが判明
している。
【００２２】図５は、活性層３でのレーザ光の発振方向
に垂直な方向のＳｉＯ2層８（ＳｉＯ2マスク）のマスク
幅と、その時のＳｉＯ2層８（ＳｉＯ2マスク）上に付着
する多結晶生成物（ポリ）の数との関係である。図５か
ら明らかなように、ＳｉＯ2層８の幅を広くするほど、
ＳｉＯ2層８上からＡｌ原子が逃げにくくなり、ポリ数
が増加するが、ＳｉＯ2層８の幅を１０μｍ以下とする
ことにより、ポリの発生数をほぼ０とすることができ
る。これより、ＳｉＯ2層８の幅を１０μｍ以下とする
ことにより、吸収層９の組成のずれも防止することが可
能となる。従って、本実施の形態では、ＳｉＯ2層８の
幅を１０μｍ以下とすることにより、吸収層９の組成の
ずれの防止を図っている。なお、ＳｉＯ2層８の長さ
は、素子設計上、いずれの変調器付半導体レーザでも３
００〜４００μｍ程度となる。
に垂直な方向のＳｉＯ2層８（ＳｉＯ2マスク）のマスク
幅と、その時のＳｉＯ2層８（ＳｉＯ2マスク）上に付着
する多結晶生成物（ポリ）の数との関係である。図５か
ら明らかなように、ＳｉＯ2層８の幅を広くするほど、
ＳｉＯ2層８上からＡｌ原子が逃げにくくなり、ポリ数
が増加するが、ＳｉＯ2層８の幅を１０μｍ以下とする
ことにより、ポリの発生数をほぼ０とすることができ
る。これより、ＳｉＯ2層８の幅を１０μｍ以下とする
ことにより、吸収層９の組成のずれも防止することが可
能となる。従って、本実施の形態では、ＳｉＯ2層８の
幅を１０μｍ以下とすることにより、吸収層９の組成の
ずれの防止を図っている。なお、ＳｉＯ2層８の長さ
は、素子設計上、いずれの変調器付半導体レーザでも３
００〜４００μｍ程度となる。
【００２３】続いて、図２（ｇ）に示すように、ＳｉＯ
2膜８をフッ酸で除去した後、表面全体にスパッタによ
り再度ＳｉＯ2膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を
用いて、幅１．５μｍのストライプ状のＳｉＯ2膜１１
を形成し、ＳｉＯ2膜１１をエッチングマスクに用い
て、ドライエッチングにより、上面から３．５μｍの深
さまでエッチングする。
2膜８をフッ酸で除去した後、表面全体にスパッタによ
り再度ＳｉＯ2膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を
用いて、幅１．５μｍのストライプ状のＳｉＯ2膜１１
を形成し、ＳｉＯ2膜１１をエッチングマスクに用い
て、ドライエッチングにより、上面から３．５μｍの深
さまでエッチングする。
【００２４】続いて、図２（ｈ）に示すように、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いて、ＦｅドープのＩｎＰ電流ブロック層１
２を３μｍ、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１３を０．５μ
ｍ、順次積層形成する。
ＶＤ法を用いて、ＦｅドープのＩｎＰ電流ブロック層１
２を３μｍ、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１３を０．５μ
ｍ、順次積層形成する。
【００２５】続いて、図２（ｉ）に示すように、ＳｉＯ
2膜１１をフッ酸で除去した後、ＭＯＣＶＤ法を用いて
ｐ−ＩｎＰクラッド層１４（不純物濃度：１×１０18ｃ
ｍ-3）を３μｍ、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１５
（不純物濃度：１×１０19ｃｍ-3）を０．５μｍを、全
面に順次積層成長する。最後に、表面に分離溝等を形成
した後、ｐ型電極及びｎ型電極（図示せず）をそれぞれ
上面、下面に形成して、バットジョイント型の変調器付
半導体レーザが得られる。
2膜１１をフッ酸で除去した後、ＭＯＣＶＤ法を用いて
ｐ−ＩｎＰクラッド層１４（不純物濃度：１×１０18ｃ
ｍ-3）を３μｍ、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１５
（不純物濃度：１×１０19ｃｍ-3）を０．５μｍを、全
面に順次積層成長する。最後に、表面に分離溝等を形成
した後、ｐ型電極及びｎ型電極（図示せず）をそれぞれ
上面、下面に形成して、バットジョイント型の変調器付
半導体レーザが得られる。
【００２６】実施の形態２．本実施の形態２にかかるバ
ットジョイント型の変調器付半導体レーザについて、図
６、７を参照しながら説明する。本実施の形態２にかか
るバットジョイント型の変調器付半導体レーザでは、半
導体レーザ部に形成される回折格子が、活性層２３より
下部に形成されている点を除いて、上記実施の形態１に
かかる変調器付半導体レーザと同じ構造である。
ットジョイント型の変調器付半導体レーザについて、図
６、７を参照しながら説明する。本実施の形態２にかか
るバットジョイント型の変調器付半導体レーザでは、半
導体レーザ部に形成される回折格子が、活性層２３より
下部に形成されている点を除いて、上記実施の形態１に
かかる変調器付半導体レーザと同じ構造である。
【００２７】図６、７を用いて、本実施の形態２にかか
る変調器付レーザの製造方法について説明する。図中、
図１、２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。ま
ず、図６（ａ）に示すように、干渉露光技術とエッチン
グ技術を用いて、ｎ−ＩｎＰ基板１の半導体レーザ形成
領域のみに、回折格子２１を形成する。
る変調器付レーザの製造方法について説明する。図中、
図１、２と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。ま
ず、図６（ａ）に示すように、干渉露光技術とエッチン
グ技術を用いて、ｎ−ＩｎＰ基板１の半導体レーザ形成
領域のみに、回折格子２１を形成する。
【００２８】続いて、図６（ｂ）に示すように、回折格
子２１を形成したｎ−ＩｎＰ基板１上に、ＭＯＣＶＤ法
を用いて、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層（不純物濃度：
１×１０18ｃｍ-3）２２、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド
層（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）２４を０．７μ
ｍ、順次積層形成する。
子２１を形成したｎ−ＩｎＰ基板１上に、ＭＯＣＶＤ法
を用いて、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層（不純物濃度：
１×１０18ｃｍ-3）２２、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層２３、ｐ−ＩｎＰクラッド
層（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）２４を０．７μ
ｍ、順次積層形成する。
【００２９】続いて、図６（ｃ）に示すように、全面
に、スパッタ法によりＳｉＯ2膜を形成した後、フォト
リソグラフィ技術を用いて、幅１０μｍのストライプ状
のＳｉＯ2膜８を形成する。この場合、ＳｉＯ2膜８の端
部と回折格子２１の端部とが揃うように、ＳｉＯ2膜８
を形成する。
に、スパッタ法によりＳｉＯ2膜を形成した後、フォト
リソグラフィ技術を用いて、幅１０μｍのストライプ状
のＳｉＯ2膜８を形成する。この場合、ＳｉＯ2膜８の端
部と回折格子２１の端部とが揃うように、ＳｉＯ2膜８
を形成する。
【００３０】続いて、図６（ｄ）に示すように、まず、
ＳｉＯ2膜８をエッチングマスクに用いて、ドライエッ
チング法により、上面から活性層３の途中までエッチン
グし、続いて、上記実施の形態１の場合と同様に、酒石
酸系の選択エッチング液を用いて、残りの活性層３を選
択的にエッチングし、ｎ−ＩｎＰ基板１の表面（回折格
子２１形成領域を含む）を露出させる。
ＳｉＯ2膜８をエッチングマスクに用いて、ドライエッ
チング法により、上面から活性層３の途中までエッチン
グし、続いて、上記実施の形態１の場合と同様に、酒石
酸系の選択エッチング液を用いて、残りの活性層３を選
択的にエッチングし、ｎ−ＩｎＰ基板１の表面（回折格
子２１形成領域を含む）を露出させる。
【００３１】続いて、図６（ｅ）に示すように、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１の表面が露出した領域に、ＭＯＣＶＤ法を用
いて、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＡｌＩｎＡｓＭＱＷ
吸収層９、ｐ−ＩｎＰクラッド層（不純物濃度：０．５
×１０18ｃｍ-3）１０、０．８μｍを順次積層形成す
る。なお、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＡｌＩｎＡｓＭ
ＱＷに代えて、アンドープＩｎＧａＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ
ＭＱＷを用いることも可能である。
ｎＰ基板１の表面が露出した領域に、ＭＯＣＶＤ法を用
いて、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＡｌＩｎＡｓＭＱＷ
吸収層９、ｐ−ＩｎＰクラッド層（不純物濃度：０．５
×１０18ｃｍ-3）１０、０．８μｍを順次積層形成す
る。なお、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＡｌＩｎＡｓＭ
ＱＷに代えて、アンドープＩｎＧａＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ
ＭＱＷを用いることも可能である。
【００３２】続いて、図６（ｆ）に示すように、ＳｉＯ
2膜８をフッ酸で除去した後、全面にスパッタによりＳ
ｉＯ2膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてマ
スク幅１．５μｍのストライプ状のＳｉＯ2膜１１を形
成し、かかるＳｉＯ2膜１１をマスクに用いて、表面か
ら３．５μｍの深さまでドライエッチングによりエッチ
ングする。続いて、ＭＯＣＶＤ法を用いて、Ｆｅドープ
−ＩｎＰ電流ブロック層１１を３μｍ、ｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層１３を０．５μｍ、順次形成する。最後に、
図２に示す実施の形態１の場合と同様に、ＳｉＯ2膜１
１をフッ酸で除去した後、ＭＯＣＶＤ法を用いてｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）１４
を３μｍ、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層（不純物濃
度：１×１０19ｃｍ-3）１５を０．５μｍ、順次積層形
成する。更に、表面に分離溝等を形成した後、最後にｐ
型電極及びｎ型電極（図示せず）をそれぞれ上面及び下
面に形成して、変調器付レーザ構造が完成する。
2膜８をフッ酸で除去した後、全面にスパッタによりＳ
ｉＯ2膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてマ
スク幅１．５μｍのストライプ状のＳｉＯ2膜１１を形
成し、かかるＳｉＯ2膜１１をマスクに用いて、表面か
ら３．５μｍの深さまでドライエッチングによりエッチ
ングする。続いて、ＭＯＣＶＤ法を用いて、Ｆｅドープ
−ＩｎＰ電流ブロック層１１を３μｍ、ｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層１３を０．５μｍ、順次形成する。最後に、
図２に示す実施の形態１の場合と同様に、ＳｉＯ2膜１
１をフッ酸で除去した後、ＭＯＣＶＤ法を用いてｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層（不純物濃度：１×１０18ｃｍ-3）１４
を３μｍ、ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層（不純物濃
度：１×１０19ｃｍ-3）１５を０．５μｍ、順次積層形
成する。更に、表面に分離溝等を形成した後、最後にｐ
型電極及びｎ型電極（図示せず）をそれぞれ上面及び下
面に形成して、変調器付レーザ構造が完成する。
【００３３】このように、活性層３の下部に回折格子２
１を備えた半導体レーザ部を有するバットジョイント型
の変調器付半導体レーザにおいても、上記実施の形態１
と同様の製造方法を用いることにより、活性層３と吸収
層９との接続部におけるずれの発生、及び吸収層９の組
成のずれの発生を防止しながら変調器付半導体レーザの
作製が可能となる。
１を備えた半導体レーザ部を有するバットジョイント型
の変調器付半導体レーザにおいても、上記実施の形態１
と同様の製造方法を用いることにより、活性層３と吸収
層９との接続部におけるずれの発生、及び吸収層９の組
成のずれの発生を防止しながら変調器付半導体レーザの
作製が可能となる。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかるバットジョイント型の変調器付半導体レーザの
製造方法では、活性層と吸収層との接続部におけるずれ
の発生を防止することにより、活性層と吸収層との結合
効率をほぼ１とすることができ、レーザ光の減衰を防止
した変調器付半導体レーザを得ることができる。
にかかるバットジョイント型の変調器付半導体レーザの
製造方法では、活性層と吸収層との接続部におけるずれ
の発生を防止することにより、活性層と吸収層との結合
効率をほぼ１とすることができ、レーザ光の減衰を防止
した変調器付半導体レーザを得ることができる。
【００３５】また、本発明にかかるバットジョイント型
の変調器付半導体レーザの製造方法では、特に、吸収層
にＡｌＩｎＡｓを含む量子井戸構造を用いた場合でも、
ＳｉＯ2膜上の多結晶の生成を制御して、コンタクト層
の形成が可能となる。
の変調器付半導体レーザの製造方法では、特に、吸収層
にＡｌＩｎＡｓを含む量子井戸構造を用いた場合でも、
ＳｉＯ2膜上の多結晶の生成を制御して、コンタクト層
の形成が可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態１にかかる変調器付半導
体レーザの製造工程図である。
体レーザの製造工程図である。
【図２】 本発明の実施の形態１にかかる変調器付半導
体レーザの製造工程図である。
体レーザの製造工程図である。
【図３】 活性層と吸収層との接続部にずれが生じた場
合の変調器付半導体レーザの断面の概略図である。
合の変調器付半導体レーザの断面の概略図である。
【図４】 活性層と吸収層とのずれ量ΔＹと、活性層と
吸収層との結合効率の関係である。
吸収層との結合効率の関係である。
【図５】 ＳｉＯ2マスクの幅と、該マスク上のポリ数
との関係である。
との関係である。
【図６】 本発明の実施の形態２にかかる変調器付半導
体レーザの製造工程図である。
体レーザの製造工程図である。
【図７】 本発明の実施の形態２にかかる変調器付半導
体レーザの製造工程図である。
体レーザの製造工程図である。
【図８】 変調器付半導体レーザの斜視図である。
１ ｎ−ＩｎＰ（００１）基板、２ ｎ−ＩｎＰバッフ
ァ層、３ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性
層、４ ｐ−ＩｎＰクラッド層、５ ｐ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐガイド層、６ ｐ−ＩｎＰキャップ層、７ ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層、８ ＳｉＯ2膜、９ ＩｎＧａＡｓＰ／
ＡｌＩｎＡｓＭＱＷ吸収層、１０ ｐ−ＩｎＰクラッド
層、１１ ＳｉＯ2膜、１２ Ｆｅドープ−ＩｎＰ電流
ブロック層、１３ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層、１４
ｐ−ＩｎＰクラッド層、１５ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタ
クト層。
ァ層、３ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性
層、４ ｐ−ＩｎＰクラッド層、５ ｐ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐガイド層、６ ｐ−ＩｎＰキャップ層、７ ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層、８ ＳｉＯ2膜、９ ＩｎＧａＡｓＰ／
ＡｌＩｎＡｓＭＱＷ吸収層、１０ ｐ−ＩｎＰクラッド
層、１１ ＳｉＯ2膜、１２ Ｆｅドープ−ＩｎＰ電流
ブロック層、１３ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層、１４
ｐ−ＩｎＰクラッド層、１５ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタ
クト層。
Claims (5)
- 【請求項１】 ＩｎＰ基板上に、レーザ光を発振するた
めの活性層を有する半導体レーザ部と、該レーザ光が入
射するように該活性層と連続して接続形成された吸収層
を有する変調器部とを備えたバットジョイント型の変調
器付半導体レーザであって、 上記吸収層が、選択エッチングで露出させたＩｎＰ層上
に、幅が１０μｍ以下の絶縁層で上記活性層を覆いなが
ら選択成長させたＡｌＩｎＡｓ層を含む量子井戸を備え
た吸収層からなることを特徴とする変調器付半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 上記半導体レーザが、上記レーザ光の発
振方向に垂直な方向に、上記活性層に積層して形成され
た回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザであること
を特徴とする請求項１に記載の変調器付半導体レーザ。 - 【請求項３】 ＩｎＰ基板上に、レーザ光を発振するた
めの活性層を有する半導体レーザ部と、該レーザ光が入
射するように該活性層と連続して接続形成された吸収層
を有する変調器部とを形成するバットジョイント型の変
調器付半導体レーザの製造方法であって、 ＩｎＰ層上に、少なくとも活性層と絶縁層とを順次積層
し、該絶縁層をパターニングして絶縁層マスクを形成す
る工程と、 上記絶縁層マスクを用いた選択エッチングにより、上記
ＩｎＰ層表面を露出させる選択エッチング工程と、 上記ＩｎＰ層表面上に、上記絶縁層マスクを選択成長マ
スクに用いて、少なくとも、ＡｌＩｎＡｓ層を含む量子
井戸を備えた上記吸収層を、上記活性層と略同じ膜厚で
連続するように選択成長させる選択成長工程とを備え、 上記選択成長工程が、上記絶縁層マスクの幅を１０μｍ
以下として、該絶縁層マスク上への多結晶生成物の付着
を生じさせずに、上記吸収層を成長させる工程であるこ
とを特徴とする変調器付半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 上記選択成長工程が、有機金属気相成長
法を用いた選択成長であることを特徴とする請求項３に
記載の変調器付半導体レーザの製造方法。 - 【請求項５】 上記選択エッチング工程が、上記活性層
の途中までドライエッチングを行った後に、残った該活
性層をウエットエッチングにより除去する工程であるこ
とを特徴とする請求項３に記載の変調器付半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10053386A JPH11251686A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 変調器付半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10053386A JPH11251686A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 変調器付半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251686A true JPH11251686A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12941397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10053386A Pending JPH11251686A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 変調器付半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251686A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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