JPH0529708A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH0529708A JPH0529708A JP3184558A JP18455891A JPH0529708A JP H0529708 A JPH0529708 A JP H0529708A JP 3184558 A JP3184558 A JP 3184558A JP 18455891 A JP18455891 A JP 18455891A JP H0529708 A JPH0529708 A JP H0529708A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性領域の機械的強度の低下を招くことな
く、ｐｎ接合に起因する容量及び金属電極とのコンタク
ト抵抗の低減をはかることができ、高速変調特性に優れ
た半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 ｎ型ＩｎＰ基板上１１にストライプ状に形成
された活性領域１５と、この活性領域１５上に形成され
たｐ型のＩｎＰ第１クラッド層１３ａと、この第１クラ
ッド層１３ａの上面，側面及び活性領域１５の側面に形
成されたｐ型のＩｎＰ第２クラッド層１３ｂと、この第
２クラッド層１３ｂの上面及び側面に形成された、金属
電極とのコンタクトを取るためのｐ型ＩｎＧａＡｓコン
タクト層１４とを具備してなることを特徴とする。
く、ｐｎ接合に起因する容量及び金属電極とのコンタク
ト抵抗の低減をはかることができ、高速変調特性に優れ
た半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 ｎ型ＩｎＰ基板上１１にストライプ状に形成
された活性領域１５と、この活性領域１５上に形成され
たｐ型のＩｎＰ第１クラッド層１３ａと、この第１クラ
ッド層１３ａの上面，側面及び活性領域１５の側面に形
成されたｐ型のＩｎＰ第２クラッド層１３ｂと、この第
２クラッド層１３ｂの上面及び側面に形成された、金属
電極とのコンタクトを取るためのｐ型ＩｎＧａＡｓコン
タクト層１４とを具備してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速変調特性に優れた
半導体レーザに係わり、特に電極コンタクト部の改良を
はかった半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
半導体レーザに係わり、特に電極コンタクト部の改良を
はかった半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信システムの分野において
は、高速変調のための半導体レーザの研究が盛んに行わ
れている。特に、長距離大容量光ファイバ通信システム
においては、伝達情報量の増大に伴い、毎秒１０Ｇビッ
ト以上の変調帯域を有する半導体レーザの開発が必要と
なっている。
は、高速変調のための半導体レーザの研究が盛んに行わ
れている。特に、長距離大容量光ファイバ通信システム
においては、伝達情報量の増大に伴い、毎秒１０Ｇビッ
ト以上の変調帯域を有する半導体レーザの開発が必要と
なっている。
【０００３】従来、半導体レーザの本質的な応答限界は
３０〜４０ＧＨｚと見積もられている。これはレーザの
活性領域材料の内的要因による見積もりであるが、実際
の半導体レーザでは、高速変調特性がｐｎ接合での寄生
容量及び半導体と電極の接触抵抗（コンタクト抵抗）に
依存するために、これらが変調速度に支配的な制限を与
えてしまう。従って、変調速度増大のためには、寄生容
量及びコンタクト抵抗の低減が必要である。
３０〜４０ＧＨｚと見積もられている。これはレーザの
活性領域材料の内的要因による見積もりであるが、実際
の半導体レーザでは、高速変調特性がｐｎ接合での寄生
容量及び半導体と電極の接触抵抗（コンタクト抵抗）に
依存するために、これらが変調速度に支配的な制限を与
えてしまう。従って、変調速度増大のためには、寄生容
量及びコンタクト抵抗の低減が必要である。
【０００４】ＳＡ−ＣＭ（Self-aligned Constricted M
esa ）半導体レーザは、特開昭６３−８６５９４号公報
に論じられているように、ｐｎ接合に起因する容量を低
減でき、且つｐ型半導体層と金属の接触を低減できるた
め、高速変調特性に優れており変調帯域１５ＧＨｚ以上
（Y.Hirayama et al; Electron. Let.,Vol.27 No.3,pp2
41-243, 1991 ）を達成している。
esa ）半導体レーザは、特開昭６３−８６５９４号公報
に論じられているように、ｐｎ接合に起因する容量を低
減でき、且つｐ型半導体層と金属の接触を低減できるた
め、高速変調特性に優れており変調帯域１５ＧＨｚ以上
（Y.Hirayama et al; Electron. Let.,Vol.27 No.3,pp2
41-243, 1991 ）を達成している。
【０００５】しかしながら、この種のレーザにあっては
次のような問題があった。即ち、より高速に変調するた
めにはｐｎ接合断面を狭くする必要があるが、コンタク
ト抵抗の問題からレーザ上部の金属とｐ型半導体の接触
面積はあまり狭くできない。このため、活性領域に比し
てその上部は相対的に大きくなり、活性領域が物理的に
壊れ易くなる欠点があった。
次のような問題があった。即ち、より高速に変調するた
めにはｐｎ接合断面を狭くする必要があるが、コンタク
ト抵抗の問題からレーザ上部の金属とｐ型半導体の接触
面積はあまり狭くできない。このため、活性領域に比し
てその上部は相対的に大きくなり、活性領域が物理的に
壊れ易くなる欠点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体レーザにあっては、ｐｎ接合に起因する容量を低減
するには活性領域を狭くし、金属電極とのコンタクト抵
抗の低減をはかるためには活性領域の上面を広くする必
要があり、活性領域の機械的強度が低下する問題があっ
た。
導体レーザにあっては、ｐｎ接合に起因する容量を低減
するには活性領域を狭くし、金属電極とのコンタクト抵
抗の低減をはかるためには活性領域の上面を広くする必
要があり、活性領域の機械的強度が低下する問題があっ
た。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、活性領域の機械的強度
の低下を招くことなく、ｐｎ接合に起因する容量及び金
属電極とのコンタクト抵抗の低減をはかることができ、
高速変調特性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方
法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、活性領域の機械的強度
の低下を招くことなく、ｐｎ接合に起因する容量及び金
属電極とのコンタクト抵抗の低減をはかることができ、
高速変調特性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、活性領
域上部のクラッド層を活性領域幅とほぼ同一幅で形成
し、さらに金属電極と半導体の接触領域をクラッド層側
面にも設けることで、金属と半導体との低コンタクト抵
抗を実現しつつ、寄生容量を低く抑えることにある。
域上部のクラッド層を活性領域幅とほぼ同一幅で形成
し、さらに金属電極と半導体の接触領域をクラッド層側
面にも設けることで、金属と半導体との低コンタクト抵
抗を実現しつつ、寄生容量を低く抑えることにある。
【０００９】即ち本発明（請求項１）は、半導体レーザ
装置において、第１導電型の半導体基板上に形成された
活性領域と、この活性領域上に形成された第２導電型の
クラッド層と、このクラッド層の上面及び側面に形成さ
れた、電極とのコンタクトを取るためのコンタクト層と
を具備してなることを特徴とする。
装置において、第１導電型の半導体基板上に形成された
活性領域と、この活性領域上に形成された第２導電型の
クラッド層と、このクラッド層の上面及び側面に形成さ
れた、電極とのコンタクトを取るためのコンタクト層と
を具備してなることを特徴とする。
【００１０】また、本発明（請求項２）は、半導体レー
ザ装置において、第１導電型の半導体基板上にストライ
プ状に形成された活性領域と、この活性領域上に形成さ
れた第２導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド
層の上面，側面及び活性領域の側面に形成された第２導
電型の第２クラッド層と、この第２クラッド層の上面及
び側面に形成された、電極とのコンタクトを取るための
コンタクト層とを具備してなることを特徴とする。
ザ装置において、第１導電型の半導体基板上にストライ
プ状に形成された活性領域と、この活性領域上に形成さ
れた第２導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド
層の上面，側面及び活性領域の側面に形成された第２導
電型の第２クラッド層と、この第２クラッド層の上面及
び側面に形成された、電極とのコンタクトを取るための
コンタクト層とを具備してなることを特徴とする。
【００１１】また、本発明（請求項３）は、半導体レー
ザ装置の製造方法において、第１導電型の半導体基板上
に活性領域を形成したのち、この活性領域上に第２導電
型の第１クラッド層を形成し、次いで第１クラッド層及
び活性領域をストライプ状に加工し、次いで第１クラッ
ド層の上面，側面及び活性領域の側面に第２導電型の第
２クラッド層を形成し、次いで第２クラッド層の上面及
び側面に電極とのコンタクトを取るための第２導電型の
コンタクト層を形成し、次いで活性領域の近傍を除くコ
ンタクト層及び第２クラッド層をエッチング除去するよ
うにした方法である。
ザ装置の製造方法において、第１導電型の半導体基板上
に活性領域を形成したのち、この活性領域上に第２導電
型の第１クラッド層を形成し、次いで第１クラッド層及
び活性領域をストライプ状に加工し、次いで第１クラッ
ド層の上面，側面及び活性領域の側面に第２導電型の第
２クラッド層を形成し、次いで第２クラッド層の上面及
び側面に電極とのコンタクトを取るための第２導電型の
コンタクト層を形成し、次いで活性領域の近傍を除くコ
ンタクト層及び第２クラッド層をエッチング除去するよ
うにした方法である。
【００１２】また、本発明（請求項５）は、半導体レー
ザ装置の製造方法において、第１導電型の半導体基板上
に活性領域を形成したのち、この活性領域上に第２導電
型の第１クラッド層を形成し、次いで第１クラッド層上
にストライプ状のエッチングマスクを形成し、次いで第
１クラッド層及び活性領域をエッチングマスクより狭い
幅に加工し、次いでエッチングマスクを残した状態で絶
縁膜を形成し、次いでエッチングマスク及び該マスク上
に形成した絶縁膜を除去し、次いで第１クラッド層の上
面，側面及び活性領域の側面に第２導電型の第２クラッ
ド層を形成し、次いで第２クラッド層の上面及び側面に
電極とのコンタクトを取るためのコンタクト層を形成す
るようにした方法である。
ザ装置の製造方法において、第１導電型の半導体基板上
に活性領域を形成したのち、この活性領域上に第２導電
型の第１クラッド層を形成し、次いで第１クラッド層上
にストライプ状のエッチングマスクを形成し、次いで第
１クラッド層及び活性領域をエッチングマスクより狭い
幅に加工し、次いでエッチングマスクを残した状態で絶
縁膜を形成し、次いでエッチングマスク及び該マスク上
に形成した絶縁膜を除去し、次いで第１クラッド層の上
面，側面及び活性領域の側面に第２導電型の第２クラッ
ド層を形成し、次いで第２クラッド層の上面及び側面に
電極とのコンタクトを取るためのコンタクト層を形成す
るようにした方法である。
【００１３】
【作用】前述したように、半導体レーザの高速変調特性
を向上させるには、活性領域及びその近傍のｐｎ接合幅
を狭くして寄生容量を減らし、且つ活性領域上部のクラ
ッド層と金属の接触面積を広げることで抵抗を減らすこ
とが重要である。そのために従来の半導体レーザでは、
活性領域に平行な面の幅より活性領域上部のクラッド層
及び金属とのコンタクト層の幅の方が大きくなるという
不安定な構造にしていた。このようなメサ型構造は、構
造的に壊れ易いばかりか、製造工程が複雑になる。これ
は、金属と半導体の接触部が平面であるためによるもの
である。
を向上させるには、活性領域及びその近傍のｐｎ接合幅
を狭くして寄生容量を減らし、且つ活性領域上部のクラ
ッド層と金属の接触面積を広げることで抵抗を減らすこ
とが重要である。そのために従来の半導体レーザでは、
活性領域に平行な面の幅より活性領域上部のクラッド層
及び金属とのコンタクト層の幅の方が大きくなるという
不安定な構造にしていた。このようなメサ型構造は、構
造的に壊れ易いばかりか、製造工程が複雑になる。これ
は、金属と半導体の接触部が平面であるためによるもの
である。
【００１４】これに対し本発明では、クラッド層の上面
のみならず、側面にも金属と半導体の接触部を形成して
いるので、活性領域に平行な面の幅より活性領域上部の
クラッド層及び金属とのコンタクト層の幅の方が大きく
なるという不安定な構造にしなくても、十分な低コンタ
クト抵抗を実現することができる。つまり、金属と半導
体の接触面積を考慮した膜厚の第１のクラッド層を結晶
成長し、さらに活性領域幅で垂直に活性領域までエッチ
ングすることで所望の金属／半導体接触幅及び活性領域
幅を設定でき、第２のクラッド層及びコンタクト層の結
晶成長とその次のエッチングにより寄生容量の原因とな
るｐｎ接合幅の制御が可能なばかりか、第２クラッド層
の結晶成長中に活性領域のエッチング断面を埋め込むこ
とができる。
のみならず、側面にも金属と半導体の接触部を形成して
いるので、活性領域に平行な面の幅より活性領域上部の
クラッド層及び金属とのコンタクト層の幅の方が大きく
なるという不安定な構造にしなくても、十分な低コンタ
クト抵抗を実現することができる。つまり、金属と半導
体の接触面積を考慮した膜厚の第１のクラッド層を結晶
成長し、さらに活性領域幅で垂直に活性領域までエッチ
ングすることで所望の金属／半導体接触幅及び活性領域
幅を設定でき、第２のクラッド層及びコンタクト層の結
晶成長とその次のエッチングにより寄生容量の原因とな
るｐｎ接合幅の制御が可能なばかりか、第２クラッド層
の結晶成長中に活性領域のエッチング断面を埋め込むこ
とができる。
【００１５】従って、ｐｎ接合幅の低減、半導体と金属
との接触面積増大により、寄生容量及び接触抵抗を低減
し、さらに活性領域の機械的強度も十分保持して高速変
調特性の向上をはかることが可能となる。また、電極配
線のための絶縁膜形成とレーザ光出射端面の反射率設定
のための工程を同時に行うことにより、チップ化する前
のウェハ状態での特性評価が可能となる。
との接触面積増大により、寄生容量及び接触抵抗を低減
し、さらに活性領域の機械的強度も十分保持して高速変
調特性の向上をはかることが可能となる。また、電極配
線のための絶縁膜形成とレーザ光出射端面の反射率設定
のための工程を同時に行うことにより、チップ化する前
のウェハ状態での特性評価が可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１７】図１は、本発明の第１の実施例に係わる半
導体レーザ装置の概略構造を示す斜視図である。図中１
１はｎ型ＩｎＰ基板であり、このＩｎＰ基板１１上に１
次の回折格子２０が形成され、この回折格子２０上にＩ
ｎＧａＡｓＰ光導波層１２ａ及びＩｎＧａＡｓウェルと
ＩｎＧａＡｓＰバリアからなる量子井戸活性層１２ｂが
形成されている。量子井戸活性層１２ｂ上にはｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層（第１クラッド層）１３ａが形成されてい
る。
導体レーザ装置の概略構造を示す斜視図である。図中１
１はｎ型ＩｎＰ基板であり、このＩｎＰ基板１１上に１
次の回折格子２０が形成され、この回折格子２０上にＩ
ｎＧａＡｓＰ光導波層１２ａ及びＩｎＧａＡｓウェルと
ＩｎＧａＡｓＰバリアからなる量子井戸活性層１２ｂが
形成されている。量子井戸活性層１２ｂ上にはｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層（第１クラッド層）１３ａが形成されてい
る。
【００１８】また、活性領域１２（１２ａ，１２ｂ）及
びｐ型ＩｎＰクラッド層１３ａを囲むようにｐ型ＩｎＰ
クラッド層（第２クラッド層）１３ｂが形成され、この
ｐ型ＩｎＰクラツド層１３ｂを囲むようにｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層１４が形成されている。そして、この
ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４を囲むようにｐ側オ
ーミック電極１５ａが形成されている。
びｐ型ＩｎＰクラッド層１３ａを囲むようにｐ型ＩｎＰ
クラッド層（第２クラッド層）１３ｂが形成され、この
ｐ型ＩｎＰクラツド層１３ｂを囲むようにｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層１４が形成されている。そして、この
ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４を囲むようにｐ側オ
ーミック電極１５ａが形成されている。
【００１９】ｐ型ＩｎＰクラッド層１３ｂ上を除く領域
には、素子分離及び配線のためにＳｉＯ2 絶縁膜１６が
形成され、さらにｐ型ＩｎＰクラッド層１３ｂを囲むよ
うにｐ側配線金属１５ｂが形成されている。また、基板
１１の下面にはｎ側オーミック電極１７が形成され、光
出射面にはＳｉＮ無反射膜１８が形成され、さらにチッ
プ表面にはボンディングパッド１９が形成されている。
には、素子分離及び配線のためにＳｉＯ2 絶縁膜１６が
形成され、さらにｐ型ＩｎＰクラッド層１３ｂを囲むよ
うにｐ側配線金属１５ｂが形成されている。また、基板
１１の下面にはｎ側オーミック電極１７が形成され、光
出射面にはＳｉＮ無反射膜１８が形成され、さらにチッ
プ表面にはボンディングパッド１９が形成されている。
【００２０】次に、上記構成の半導体レーザ装置の製造
方法について、図２及び図３を参照して説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に
２光束干渉露光法により周期２４０ｎｍの１次の回折格
子２０を形成する。次いで、この回折格子２０の上部を
平坦に埋め込むために、１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ
光導波層１２ａ（厚さ５０ｎｍ）を形成し、さらにＩｎ
ＧａＡｓウェル（厚さ８ｎｍ）と１．３μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰバリア（厚さ１０ｎｍ）からなる量子井戸活
性層（ウェルは１０層）１２ｂを形成する。続いて、量
子井戸活性層12bの表面にｐ型ＩｎＰクラッド層１３ａ
（厚さ１．５μｍ）を形成する。ここで、各層１１〜１
３ａは、減圧有機金属気相成長法（ＬＰ−ＭＯＣＶＤ）
（成長条件：６２０℃、２００Torr）で連続して、成長
形成した。その後、共振器を形成するために幅１μｍの
ストライプ状に、エッチングマスクとなるＳｉＯ2 膜２
１を形成する。
方法について、図２及び図３を参照して説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に
２光束干渉露光法により周期２４０ｎｍの１次の回折格
子２０を形成する。次いで、この回折格子２０の上部を
平坦に埋め込むために、１．３μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ
光導波層１２ａ（厚さ５０ｎｍ）を形成し、さらにＩｎ
ＧａＡｓウェル（厚さ８ｎｍ）と１．３μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰバリア（厚さ１０ｎｍ）からなる量子井戸活
性層（ウェルは１０層）１２ｂを形成する。続いて、量
子井戸活性層12bの表面にｐ型ＩｎＰクラッド層１３ａ
（厚さ１．５μｍ）を形成する。ここで、各層１１〜１
３ａは、減圧有機金属気相成長法（ＬＰ−ＭＯＣＶＤ）
（成長条件：６２０℃、２００Torr）で連続して、成長
形成した。その後、共振器を形成するために幅１μｍの
ストライプ状に、エッチングマスクとなるＳｉＯ2 膜２
１を形成する。
【００２１】次いで、図２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
2 膜２１をマスクにＥＣＲプラズマエッチングにより、
ｎ型ＩｎＰ基板１１に達するまで垂直にエッチングす
る。このとき、プラズマ分光によりＧａ原子をエッチン
グモニタすることで、活性領域に存在するＧａ原子が全
てエッチングされた時点、言い換えればｎ型ＩｎＰ基板
１１までエッチングが到達した時点で、エッチングを終
了することができる。次いで、ＳｉＯ2 マスク２１を弗
化アンモニウム溶液で充分に取り除き、さらに充分に水
洗し、乾燥させて、再びＭＯＣＶＤ炉に搬入する。
2 膜２１をマスクにＥＣＲプラズマエッチングにより、
ｎ型ＩｎＰ基板１１に達するまで垂直にエッチングす
る。このとき、プラズマ分光によりＧａ原子をエッチン
グモニタすることで、活性領域に存在するＧａ原子が全
てエッチングされた時点、言い換えればｎ型ＩｎＰ基板
１１までエッチングが到達した時点で、エッチングを終
了することができる。次いで、ＳｉＯ2 マスク２１を弗
化アンモニウム溶液で充分に取り除き、さらに充分に水
洗し、乾燥させて、再びＭＯＣＶＤ炉に搬入する。
【００２２】次いで、図２（ｃ）に示すように、クラッ
ド層１３ａの上面，側面及び活性領域の側面にｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１３ｂ（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層１４（厚さ０．３μｍ）を順次ＭＯＣ
ＶＤにより成長形成する。さらに、電子ビーム蒸着法に
よりコンタクト層１４の表面に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ
側オーミック電極１５ａを形成する。
ド層１３ａの上面，側面及び活性領域の側面にｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１３ｂ（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層１４（厚さ０．３μｍ）を順次ＭＯＣ
ＶＤにより成長形成する。さらに、電子ビーム蒸着法に
よりコンタクト層１４の表面に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ
側オーミック電極１５ａを形成する。
【００２３】次いで、図３（ａ）に示すように、３層レ
ジストの手法により、段差基板上に活性領域を覆うよう
に幅２μｍのマスク２２を形成し、マスク２２で覆われ
ていない部分をＥＣＲプラズマエッチング法で選択エッ
チングする。これにより、クラッド層１３ｂ，コンタク
ト層１４及びオーミック電極１５ａは、活性領域の近傍
のみに存在することになる。
ジストの手法により、段差基板上に活性領域を覆うよう
に幅２μｍのマスク２２を形成し、マスク２２で覆われ
ていない部分をＥＣＲプラズマエッチング法で選択エッ
チングする。これにより、クラッド層１３ｂ，コンタク
ト層１４及びオーミック電極１５ａは、活性領域の近傍
のみに存在することになる。
【００２４】次いで、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
2 絶縁膜１６をＣＶＤ法により堆積し、さらに図３
（ｃ）に示すように、ｐ側オーミック電極の一部が露出
するように、ＳｉＯ2 絶縁膜１６の一部をエッチングす
る。その後、配線のためにＣｒ／Ａｕ膜１５ｂを蒸着
し、基板１１の裏面は研磨し基板全厚を１００μｍとす
る。さらに、研磨した裏面を鏡面にして、その後にＡｕ
Ｇｅ／Ａｕを蒸着し、ｎ側オーミック電極１７を形成す
る。最後に、へき開によりチップ化し光出射面にはｐ−
ＣＶＤ法によりＳｉＮ無反射膜１８を２４１ｎｍ（屈折
率１．８６）堆積する。
2 絶縁膜１６をＣＶＤ法により堆積し、さらに図３
（ｃ）に示すように、ｐ側オーミック電極の一部が露出
するように、ＳｉＯ2 絶縁膜１６の一部をエッチングす
る。その後、配線のためにＣｒ／Ａｕ膜１５ｂを蒸着
し、基板１１の裏面は研磨し基板全厚を１００μｍとす
る。さらに、研磨した裏面を鏡面にして、その後にＡｕ
Ｇｅ／Ａｕを蒸着し、ｎ側オーミック電極１７を形成す
る。最後に、へき開によりチップ化し光出射面にはｐ−
ＣＶＤ法によりＳｉＮ無反射膜１８を２４１ｎｍ（屈折
率１．８６）堆積する。
【００２５】この実施例において、活性領域のエッチン
グとｐｎ接合のエッチングにＥＣＲプラズマエッチング
法を用いているのは、垂直加工且つ微細加工が可能なの
でマスクマージンを小さくできるためと、エッチングに
よる基板損傷が少ないためである。また、図３（ｂ）で
形成したＳｉＯ2 絶縁膜１６の代用として導電率の低い
感光性ポリイミドを用いてもよい。
グとｐｎ接合のエッチングにＥＣＲプラズマエッチング
法を用いているのは、垂直加工且つ微細加工が可能なの
でマスクマージンを小さくできるためと、エッチングに
よる基板損傷が少ないためである。また、図３（ｂ）で
形成したＳｉＯ2 絶縁膜１６の代用として導電率の低い
感光性ポリイミドを用いてもよい。
【００２６】このように本実施例によれば、第１クラッ
ド層１３ａと共に活性領域１２を垂直にエッチングし、
クラッド層１３ａの上面，側面及び活性領域１２の側面
に第２クラッド層１３ｂを形成し、このクラッド層１３
ｂにコンタクト層１４を介して金属電極１５（１５ａ，
１５ｂ）を形成しているので、活性領域１２の幅は十分
狭くなり、電極１５とコンタクト層１４の接触面積は十
分広くなる。従って、活性領域１２の機械的強度の低下
を招くことなく、ｐｎ接合容量及びコンタクト抵抗の低
減をはかることができる。
ド層１３ａと共に活性領域１２を垂直にエッチングし、
クラッド層１３ａの上面，側面及び活性領域１２の側面
に第２クラッド層１３ｂを形成し、このクラッド層１３
ｂにコンタクト層１４を介して金属電極１５（１５ａ，
１５ｂ）を形成しているので、活性領域１２の幅は十分
狭くなり、電極１５とコンタクト層１４の接触面積は十
分広くなる。従って、活性領域１２の機械的強度の低下
を招くことなく、ｐｎ接合容量及びコンタクト抵抗の低
減をはかることができる。
【００２７】本発明者らの実験によれば、活性領域１５
を含むｐｎ接合幅２μｍ以下、ｐ半導体と金属の接触幅
４μｍ以上が可能となり、寄生容量０．５ｐＦ以下、コ
ンタクト抵抗５Ω以下を容易に達成できた。これは、長
距離大容量光通信の光源として極めて有望な半導体レー
ザである。
を含むｐｎ接合幅２μｍ以下、ｐ半導体と金属の接触幅
４μｍ以上が可能となり、寄生容量０．５ｐＦ以下、コ
ンタクト抵抗５Ω以下を容易に達成できた。これは、長
距離大容量光通信の光源として極めて有望な半導体レー
ザである。
【００２８】図４は、本発明の第２の実施例に係わる半
導体レーザ装置の製造工程の一部を説明するもので、
（ａ）は光出射端面の断面図、（ｂ）は軸方向断面図で
ある。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、そ
の詳しい説明は省略する。
導体レーザ装置の製造工程の一部を説明するもので、
（ａ）は光出射端面の断面図、（ｂ）は軸方向断面図で
ある。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、そ
の詳しい説明は省略する。
【００２９】この実施例が先に説明した実施例と異なる
点は、活性領域及びｐｎ接合のエッチング時に、レーザ
光出射端面を形成することにある。即ち、図２（ｃ）に
示す工程までは第１の実施例と同様であり、この後に３
層レジストの手法により段差基板上に幅２μｍ、共振器
方向に３００μｍのマスクを形成する。そして、ＥＣＲ
プラズマエッチング法で、図３（ａ）の活性領域１２及
びｐｎ接合をエッチングをするとき同時に、光出射端面
もエッチングする。
点は、活性領域及びｐｎ接合のエッチング時に、レーザ
光出射端面を形成することにある。即ち、図２（ｃ）に
示す工程までは第１の実施例と同様であり、この後に３
層レジストの手法により段差基板上に幅２μｍ、共振器
方向に３００μｍのマスクを形成する。そして、ＥＣＲ
プラズマエッチング法で、図３（ａ）の活性領域１２及
びｐｎ接合をエッチングをするとき同時に、光出射端面
もエッチングする。
【００３０】次いで、図４（ａ）（ｂ）に示すように、
ｐ−ＣＶＤ（成長条件：２００℃、０．３Torr、ＲＦパ
ワー２００Ｗ）でＳｉＮ膜１８を堆積する。堆積膜厚は
ウェハ上面で４００ｎｍ，出射端面で２１０ｎｍであ
り、屈折率１．８６である。これにより、光出射端面は
反射率０．１％の無反射膜コートされ、さらにウェハ上
面のＳｉＮ膜１８はｐ電極配線のための絶縁膜として用
いることができる。
ｐ−ＣＶＤ（成長条件：２００℃、０．３Torr、ＲＦパ
ワー２００Ｗ）でＳｉＮ膜１８を堆積する。堆積膜厚は
ウェハ上面で４００ｎｍ，出射端面で２１０ｎｍであ
り、屈折率１．８６である。これにより、光出射端面は
反射率０．１％の無反射膜コートされ、さらにウェハ上
面のＳｉＮ膜１８はｐ電極配線のための絶縁膜として用
いることができる。
【００３１】これ以降は、先の実施例と同様に、ｐ側オ
ーミック電極１５ａの一部が露出するように、ＳｉＮ膜
１８の一部をエッチングする。その後、配線のためにＣ
ｒ／Ａｕを蒸着する。さらに、基板１１の下面にはＡｕ
Ｇｅ／Ａｕを蒸着しｎ側オーミック電極１７を形成す
る。
ーミック電極１５ａの一部が露出するように、ＳｉＮ膜
１８の一部をエッチングする。その後、配線のためにＣ
ｒ／Ａｕを蒸着する。さらに、基板１１の下面にはＡｕ
Ｇｅ／Ａｕを蒸着しｎ側オーミック電極１７を形成す
る。
【００３２】第２の実施例においては、光出射端面形成
とｐｎ接合幅決定のためにエッチングを同時に行うこと
により、製造工程が大幅に容易になること、さらにへき
開により光出射端面を形成しないのでウェハ状態で特性
検査が可能になることが長所となるが、一方で段差メサ
形状を一気にエッチングしているのでその段差の影響が
残るという欠点もある。しかしながら、この時生じる段
差はＥＣＲプラズマエッチングを２回に分割することで
回避でき、またエッチングにより深い溝ができた場合は
ポリイミドで埋め込み平坦化することが可能である。
とｐｎ接合幅決定のためにエッチングを同時に行うこと
により、製造工程が大幅に容易になること、さらにへき
開により光出射端面を形成しないのでウェハ状態で特性
検査が可能になることが長所となるが、一方で段差メサ
形状を一気にエッチングしているのでその段差の影響が
残るという欠点もある。しかしながら、この時生じる段
差はＥＣＲプラズマエッチングを２回に分割することで
回避でき、またエッチングにより深い溝ができた場合は
ポリイミドで埋め込み平坦化することが可能である。
【００３３】図５及び図６は、本発明の第３の実施例に
係わる半導体レーザ装置の製造工程を示す断面図であ
る。なお、図２及び図３と同一部分には同一符号を付し
て、その詳しい説明は省略する。
係わる半導体レーザ装置の製造工程を示す断面図であ
る。なお、図２及び図３と同一部分には同一符号を付し
て、その詳しい説明は省略する。
【００３４】まず、図５（ａ）に示すように、先の第１
の実施例と同様に、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に１次の回折
格子２０を形成し、さらにＩｎＧａＡｓＰ光導波層１２
ａ，量子井戸活性層１２ｂを形成する。続いて、量子井
戸活性層１２ｂ上にｐ型ＩｎＰクラッド層１３ａ（厚さ
１μｍ）を形成する。その後、共振器を形成するために
幅３〜５μｍのＳｉＯ2 マスク５１を１００ｎｍの厚さ
に選択的に形成する。このＳｉＯ2 マスク５１は常圧Ｃ
ＶＤ方法で形成した後にＰＥＰ工程で選択的に残す。
の実施例と同様に、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に１次の回折
格子２０を形成し、さらにＩｎＧａＡｓＰ光導波層１２
ａ，量子井戸活性層１２ｂを形成する。続いて、量子井
戸活性層１２ｂ上にｐ型ＩｎＰクラッド層１３ａ（厚さ
１μｍ）を形成する。その後、共振器を形成するために
幅３〜５μｍのＳｉＯ2 マスク５１を１００ｎｍの厚さ
に選択的に形成する。このＳｉＯ2 マスク５１は常圧Ｃ
ＶＤ方法で形成した後にＰＥＰ工程で選択的に残す。
【００３５】次いで、図５（ｂ）に示すように、ＨＢｒ
混酸、或いはＣＨ3ＣＯＯＨ系混酸（ＫＫＩ）によるエ
ッチングにより、ｎ型ＩｎＰ基板１１に達するまでエッ
チング加工して活性領域メサ３０を構成する。このと
き、深さ方向と共に横方向にもエッチングされてマスク
５１が庇状に残るようにする。庇の突出幅は片側１〜３
μｍとする。庇の突出部は後述の絶縁膜形成時に絶縁膜
が活性領域メサの側面に付着しないか、付着したとして
も基板１１上の膜厚の１／３以下となることが望まし
い。一方、マスク５１の下部をサイドエッチングして庇
を形成することは、活性領域メサ３０の幅を制御し難く
なるので庇突出幅を３μｍ以上に広くしてはならない。
混酸、或いはＣＨ3ＣＯＯＨ系混酸（ＫＫＩ）によるエ
ッチングにより、ｎ型ＩｎＰ基板１１に達するまでエッ
チング加工して活性領域メサ３０を構成する。このと
き、深さ方向と共に横方向にもエッチングされてマスク
５１が庇状に残るようにする。庇の突出幅は片側１〜３
μｍとする。庇の突出部は後述の絶縁膜形成時に絶縁膜
が活性領域メサの側面に付着しないか、付着したとして
も基板１１上の膜厚の１／３以下となることが望まし
い。一方、マスク５１の下部をサイドエッチングして庇
を形成することは、活性領域メサ３０の幅を制御し難く
なるので庇突出幅を３μｍ以上に広くしてはならない。
【００３６】次いで、図５（ｃ）に示すように、マスク
５１を残した状態でアモルファスＳｉとＳｉＮ4 膜から
なる多層絶縁膜５６を７００ｎｍの厚さに形成する。ア
モルファスＳｉとＳｉＮ4 膜はスパッタ真空蒸着法によ
って一方向から被着させることが必要である。このよう
に形成した絶縁膜５６はマスク５１上と基板１１上との
間で段切れしている。アモルファスＳｉとＳｉＮ4 膜の
多層構造は後述のＭＯＣＶＤ時における耐熱性に優れ、
膜割れを起こさない。
５１を残した状態でアモルファスＳｉとＳｉＮ4 膜から
なる多層絶縁膜５６を７００ｎｍの厚さに形成する。ア
モルファスＳｉとＳｉＮ4 膜はスパッタ真空蒸着法によ
って一方向から被着させることが必要である。このよう
に形成した絶縁膜５６はマスク５１上と基板１１上との
間で段切れしている。アモルファスＳｉとＳｉＮ4 膜の
多層構造は後述のＭＯＣＶＤ時における耐熱性に優れ、
膜割れを起こさない。
【００３７】次いで、図６（ａ）に示すように、マスク
５１を下面側からエッチング除去して、マスク５１上の
絶縁膜５６をリフトオフにより除去する。エッチングに
は、弗化アンモニウム混液を用いた。この際、活性領域
メサ３０の側面に絶縁膜を残してはならない。
５１を下面側からエッチング除去して、マスク５１上の
絶縁膜５６をリフトオフにより除去する。エッチングに
は、弗化アンモニウム混液を用いた。この際、活性領域
メサ３０の側面に絶縁膜を残してはならない。
【００３８】次いで、図６（ｂ）に示すように、ｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層１３ｂ（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層１４（厚さ０．３μｍ）を、順次Ｍ
Ｏ−ＣＶＤにより形成する。この際、絶縁膜５６上には
結晶成長しないので活性領域メサ３０の上面及び側面に
選択的に結晶成長することになる。
ｎＰクラッド層１３ｂ（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層１４（厚さ０．３μｍ）を、順次Ｍ
Ｏ−ＣＶＤにより形成する。この際、絶縁膜５６上には
結晶成長しないので活性領域メサ３０の上面及び側面に
選択的に結晶成長することになる。
【００３９】次いで、図６（ｃ）に示すように、電子ビ
ーム蒸着法によりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ側オーミック電
極１５を形成する。さらに、基板１１の下面にはＡｕＧ
ｅ／Ａｕを蒸着し、ｎ側オーミック電極１７を形成す
る。最後に、へき開によりチップ化し、光出射端面には
ｐ−ＣＶＤ法によりＳｉＮ4 無反射膜を２４１ｎｍ（屈
折率１．８６）堆積する。以上のようにして、半導体レ
ーザ装置を完成する。
ーム蒸着法によりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ側オーミック電
極１５を形成する。さらに、基板１１の下面にはＡｕＧ
ｅ／Ａｕを蒸着し、ｎ側オーミック電極１７を形成す
る。最後に、へき開によりチップ化し、光出射端面には
ｐ−ＣＶＤ法によりＳｉＮ4 無反射膜を２４１ｎｍ（屈
折率１．８６）堆積する。以上のようにして、半導体レ
ーザ装置を完成する。
【００４０】図７は、本発明の第４の実施例に係わる半
導体レーザ装置の概略構造を示す断面図である。この実
施例が先の第３の実施例と異なる点は、活性領域メサを
逆メサに形成したことにある。
導体レーザ装置の概略構造を示す断面図である。この実
施例が先の第３の実施例と異なる点は、活性領域メサを
逆メサに形成したことにある。
【００４１】即ち、本実施例では先の第３の実施例にお
いて、活性領域メサを形成する際にＢｒ−ＣＨ3 ＯＨ混
酸を用いると共に、ｐ側オーミック電極としてＡｕＺｎ
電極７５を形成している。この場合、活性領域のメサの
形状は逆メサとなり、活性層幅が同一でありながら電極
面積は広がり、コンタクト抵抗がより低減される。従っ
て、第３の実施例に比べて、より高速の半導体レーザを
実現することが可能となる。
いて、活性領域メサを形成する際にＢｒ−ＣＨ3 ＯＨ混
酸を用いると共に、ｐ側オーミック電極としてＡｕＺｎ
電極７５を形成している。この場合、活性領域のメサの
形状は逆メサとなり、活性層幅が同一でありながら電極
面積は広がり、コンタクト抵抗がより低減される。従っ
て、第３の実施例に比べて、より高速の半導体レーザを
実現することが可能となる。
【００４２】図８は、本発明の第５の実施例に係わる半
導体レーザ装置の概略構造を示す断面図である。この実
施例は、第３の実施例における図６（ｃ）の絶縁膜５６
の代りに、アモルファスＳｉを単層若しくはアモルファ
スＳｉ／Ｓｉ3 Ｎ4 膜８６を用いたものである。この場
合、図８に示すようにアモルファスＳｉ／Ｓｉ3 Ｎ4膜
８６上にも第２のクラッド層１３ｂ及びコンタクト層１
４が結晶成長する。従って、メサ部の平坦性に優れ、加
工がし易い利点がある。
導体レーザ装置の概略構造を示す断面図である。この実
施例は、第３の実施例における図６（ｃ）の絶縁膜５６
の代りに、アモルファスＳｉを単層若しくはアモルファ
スＳｉ／Ｓｉ3 Ｎ4 膜８６を用いたものである。この場
合、図８に示すようにアモルファスＳｉ／Ｓｉ3 Ｎ4膜
８６上にも第２のクラッド層１３ｂ及びコンタクト層１
４が結晶成長する。従って、メサ部の平坦性に優れ、加
工がし易い利点がある。
【００４３】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では、ＩｎＰ基板を用いた半
導体レーザについて述べたが、他の化合物半導体材料、
例えばＧａＡｓ，ＳｉＣ，ＢＮを用いることも可能であ
る。また、活性層構造は上述した多重量子井戸構造に限
らず、自然超格子，バルク型，さらには量子細線，量子
箱等の低次元型や歪を導入しても構わない。また、発振
波長の単色性を上げるために、位相シフトを有する回折
格子を形成するか、活性層幅を部分的に変化させ屈折率
を制御する等の手段を用いても有効であることは言うま
でもない。回折格子は、実施例では量子井戸活性層の下
のｎ−ＩｎＰの上に形成しているが、ｐ−ＩｎＰ（第２
導電型の第１クラッド層）の下で量子井戸活性層の上で
も構わない。
れるものではない。実施例では、ＩｎＰ基板を用いた半
導体レーザについて述べたが、他の化合物半導体材料、
例えばＧａＡｓ，ＳｉＣ，ＢＮを用いることも可能であ
る。また、活性層構造は上述した多重量子井戸構造に限
らず、自然超格子，バルク型，さらには量子細線，量子
箱等の低次元型や歪を導入しても構わない。また、発振
波長の単色性を上げるために、位相シフトを有する回折
格子を形成するか、活性層幅を部分的に変化させ屈折率
を制御する等の手段を用いても有効であることは言うま
でもない。回折格子は、実施例では量子井戸活性層の下
のｎ−ＩｎＰの上に形成しているが、ｐ−ＩｎＰ（第２
導電型の第１クラッド層）の下で量子井戸活性層の上で
も構わない。
【００４４】また、図５の工程におけるエッチングマス
クとしてＳｉＯ2 に変えてフォトレジストを用いること
によって、絶縁膜としてＳｉＯ2膜を用いることが可能
となる。この場合、ＳｉＯ2 膜は方向性のある形成方法
を適用させることが必要であり、スパッタ蒸着法、電子
ビーム蒸着法が優れている。また、ＥＣＲプラズマを使
ったＣＶＤ装置は１００℃以下の温度でＳｉＯ2 膜，Ｓ
ｉ3 Ｎ4 膜，或いはこれらの中間組成の膜を形成するこ
とができるので、これに適用することが可能である。ま
た、絶縁膜として、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜を単層で形成
しても問題はない。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
クとしてＳｉＯ2 に変えてフォトレジストを用いること
によって、絶縁膜としてＳｉＯ2膜を用いることが可能
となる。この場合、ＳｉＯ2 膜は方向性のある形成方法
を適用させることが必要であり、スパッタ蒸着法、電子
ビーム蒸着法が優れている。また、ＥＣＲプラズマを使
ったＣＶＤ装置は１００℃以下の温度でＳｉＯ2 膜，Ｓ
ｉ3 Ｎ4 膜，或いはこれらの中間組成の膜を形成するこ
とができるので、これに適用することが可能である。ま
た、絶縁膜として、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜を単層で形成
しても問題はない。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上発明したように本発明によれば、活
性領域上部のクラッド層を活性領域幅とほぼ同一幅で形
成し、さらに金属電極と半導体の接触領域をクラッド層
側面にも設けることで、金属と半導体との低コンタクト
抵抗を実現しつつ、寄生容量を低く抑えることにより、
活性領域の機械的強度の低下を招くことなく、ｐｎ接合
に起因する容量及び金属電極とのコンタクト抵抗の低減
をはかることができ、高速変調特性に優れた半導体レー
ザ装置を実現することが可能となる。
性領域上部のクラッド層を活性領域幅とほぼ同一幅で形
成し、さらに金属電極と半導体の接触領域をクラッド層
側面にも設けることで、金属と半導体との低コンタクト
抵抗を実現しつつ、寄生容量を低く抑えることにより、
活性領域の機械的強度の低下を招くことなく、ｐｎ接合
に起因する容量及び金属電極とのコンタクト抵抗の低減
をはかることができ、高速変調特性に優れた半導体レー
ザ装置を実現することが可能となる。
【図１】本発明の第１実施例に係わる半導体レーザの概
略構成を示す斜視図、
略構成を示す斜視図、
【図２】第１の実施例に係わる半導体レーザの製造工程
の前半を示す断面図、
の前半を示す断面図、
【図３】第１の実施例に係わる半導体レーザの製造工程
の後半を示す断面図、
の後半を示す断面図、
【図４】第２の実施例に係わる半導体レーザの製造工程
の一部を示す断面図、
の一部を示す断面図、
【図５】第３の実施例に係わる半導体レーザの製造工程
の前半を示す断面図、
の前半を示す断面図、
【図６】第３の実施例に係わる半導体レーザの製造工程
の後半を示す断面図、
の後半を示す断面図、
【図７】第４の実施例に係わる半導体レーザの概略構造
を示す断面図、
を示す断面図、
【図８】第５の実施例に係わる半導体レーザの概略構造
を示す断面図。
を示す断面図。
１１…ＩｎＰ基板、
１２ａ…ＩｎＧａＡｓＰ光導波層、
１２ｂ…量子井戸活性層、
１３ａ…第１のｐ型ＩｎＰクラッド層、
１３ｂ…第２のｐ型ＩｎＰクラッド層、
１４…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、
１５ａ…ｐ側オーミック電極、
１５ｂ…ｐ側配線電極、
１６…ＳｉＯ2 絶縁膜（エッチングマスク）
１８…ＳｉＮ無反射膜、
１９…ボンディングパッド、
２０…１次の回折格子。
Claims (4)
- 【請求項１】第１導電型の半導体基板上に形成された活
性領域と、この活性領域上に形成された第２導電型のク
ラッド層と、このクラッド層の上面及び側面に形成され
た、電極とのコンタクトを取るためのコンタクト層とを
具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】第１導電型の半導体基板上にストライプ状
に形成された活性領域と、この活性領域上に形成された
第２導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド層の
上面と側面及び前記活性領域の側面に形成された第２導
電型の第２クラッド層と、この第２クラッド層の上面及
び側面に形成された、電極とのコンタクトを取るための
コンタクト層とを具備してなることを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項３】第１導電型の半導体基板上に活性領域を形
成する工程と、前記活性領域上に第２導電型の第１クラ
ッド層を形成する工程と、第１クラッド層及び前記活性
領域をストライプ状に加工する工程と、第１クラッド層
の上面，側面及び前記活性領域の側面に第２導電型の第
２クラッド層を形成する工程と、第２クラッド層の上面
及び側面に電極とのコンタクトを取るための第２導電型
のコンタクト層を形成する工程と、前記活性領域の近傍
を除くコンタクト層及び第２クラッド層をエッチング除
去する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置
の製造方法。 - 【請求項４】第１導電型の半導体基板上に活性領域を形
成する工程と、前記活性領域上に第２導電型の第１クラ
ッド層を形成する工程と、第１クラッド層上にストライ
プ状のエッチングマスクを形成する工程と、第１クラッ
ド層及び前記活性領域を前記エッチングマスクより狭い
幅に加工する工程と、前記エッチングマスクを残した状
態で絶縁膜を形成する工程と、前記エッチングマスク及
び該マスク上に形成した絶縁膜を除去する工程と、第１
クラッド層の上面，側面及び前記活性領域の側面に第２
導電型の第２クラッド層を形成する工程と、第２クラッ
ド層の上面及び側面に電極とのコンタクトを取るための
コンタクト層を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18455891A JP3192687B2 (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18455891A JP3192687B2 (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529708A true JPH0529708A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3192687B2 JP3192687B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=16155309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18455891A Expired - Fee Related JP3192687B2 (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3192687B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020004754A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体光素子及び光送信モジュール |
| JP6987322B1 (ja) * | 2021-03-05 | 2021-12-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18455891A patent/JP3192687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020004754A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体光素子及び光送信モジュール |
| JP6987322B1 (ja) * | 2021-03-05 | 2021-12-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3192687B2 (ja) | 2001-07-30 |
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