JPH01215083A - 光素子のへき開分離方法 - Google Patents
光素子のへき開分離方法Info
- Publication number
- JPH01215083A JPH01215083A JP63041056A JP4105688A JPH01215083A JP H01215083 A JPH01215083 A JP H01215083A JP 63041056 A JP63041056 A JP 63041056A JP 4105688 A JP4105688 A JP 4105688A JP H01215083 A JPH01215083 A JP H01215083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleavage
- light emitting
- cleaving
- optical device
- striate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 21
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体レーザなどの光素子のへき開分離方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の光素子のへき開分離方法を図について説明する。
第２図は半導体レーザが形成されたウェハの一部を示す
斜視図であり、この図において、１はｎ形の基板、２は
ｎ形のクラッド層、３は活性層、４はｐ形のクラッド層
、５は絶縁膜、６はｐ電極、７はｎ電極、８は発光領域
である。
斜視図であり、この図において、１はｎ形の基板、２は
ｎ形のクラッド層、３は活性層、４はｐ形のクラッド層
、５は絶縁膜、６はｐ電極、７はｎ電極、８は発光領域
である。
このウェハから得られる半導体レーザに正の電圧を印加
した場合、電流は絶縁膜５がストライブ状に除去された
部分に集中して流れる。したがって、活性層３の絶縁膜
５が除去された部分の下にあたる領域が発光領域８とな
る。
した場合、電流は絶縁膜５がストライブ状に除去された
部分に集中して流れる。したがって、活性層３の絶縁膜
５が除去された部分の下にあたる領域が発光領域８とな
る。
さて、このウェハを個々の半導体レーザ素子に分離する
従来の方法について述べる０通常、半導体レーザのスト
ライブ状の発光領域８の方向としては（１１０）や（１
１０）等の方向が選ばれる。この例ではストライブの方
向は［１１０］であるとすると、それに直交する方向は
［１１０１である。（１１０）や（１１０）等の低ミラ
ー指数の面ではへき開によって原子オーダの平坦な鏡面
を得ることができる。これを利用してこのウェハを個々
の半導体レーザ素子に分離する場合、まず素子の中間で
ストライブに垂直な方向、すなわち第２図においてｃ−
ｃ’線に沿ってメス等を用いてへき開をし、１素子分の
パー状に分離する。
従来の方法について述べる０通常、半導体レーザのスト
ライブ状の発光領域８の方向としては（１１０）や（１
１０）等の方向が選ばれる。この例ではストライブの方
向は［１１０］であるとすると、それに直交する方向は
［１１０１である。（１１０）や（１１０）等の低ミラ
ー指数の面ではへき開によって原子オーダの平坦な鏡面
を得ることができる。これを利用してこのウェハを個々
の半導体レーザ素子に分離する場合、まず素子の中間で
ストライブに垂直な方向、すなわち第２図においてｃ−
ｃ’線に沿ってメス等を用いてへき開をし、１素子分の
パー状に分離する。
この際、へき開により半導体の反射端面が形成される−
そして１さらに、バー状に横に並んだ素子をＤ二り’線
の方向にへき開すれば個々の素子が得られる。
そして１さらに、バー状に横に並んだ素子をＤ二り’線
の方向にへき開すれば個々の素子が得られる。
（発明が解決しようとする課題〕
上記のような従来の素子の分＊１ｙ法では、へき関する
線上のウェハ表面の穴などの不均一な部分を核として、
そこから傷が発生し、発光領域８にまで達することがあ
った。このように発光領域８の端面に傷がある場合、端
面の反射率が低下し、その結果、しきい値電流の上昇や
効率の低下などの特性の低下が生じる。また、発光領域
８の端面に非発光再結合中心が増加するため光の吸収に
よる端面劣化も生じやすかった。。
線上のウェハ表面の穴などの不均一な部分を核として、
そこから傷が発生し、発光領域８にまで達することがあ
った。このように発光領域８の端面に傷がある場合、端
面の反射率が低下し、その結果、しきい値電流の上昇や
効率の低下などの特性の低下が生じる。また、発光領域
８の端面に非発光再結合中心が増加するため光の吸収に
よる端面劣化も生じやすかった。。
この発明は、かかる課題を解消するためになされたもの
で、発光領域までへき開による傷が達することが無く、
特性の低下や信頼性の低下が生じない光素子のへき開分
離方法を得ることを目的とする。
で、発光領域までへき開による傷が達することが無く、
特性の低下や信頼性の低下が生じない光素子のへき開分
離方法を得ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係る光素子のへき開分離方法は、へキ開され
る光素子が形成されたウェハのへき開すべき線上にあり
、かつ光素子の発光領域の両側に位置する領域に溝を形
成し、さらにこれらの溝の外側にへき開すべき線に沿っ
たスクライブ線を形成した後にへき関するものである。
る光素子が形成されたウェハのへき開すべき線上にあり
、かつ光素子の発光領域の両側に位置する領域に溝を形
成し、さらにこれらの溝の外側にへき開すべき線に沿っ
たスクライブ線を形成した後にへき関するものである。
（作用）
この発明においては、へき開の際に生じる傷は、スクラ
イブ線から生じて溝で止り発光領域に到達しなくなる。
イブ線から生じて溝で止り発光領域に到達しなくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の光素子のへき開分離方法の一実施例
を説明するためのウェハの斜視図である。
を説明するためのウェハの斜視図である。
この図において、第２図と同一符号は同一のものを示し
、９はエツチング溝、１ｏはスクライブ線である。
、９はエツチング溝、１ｏはスクライブ線である。
この発明の光素子のへき開分離方法では、ストライブに
垂直方向、すなわち図においてＡ−Ａ’線の方向にへき
関する際に、あらかじめ、ストライブの両側に活性層３
に達する深さのエツチング溝９を形成し、さらにその外
側にＡ−Ａ’線に沿ってスクライブ線１０を入れる。こ
の後、八−Ａ′線に沿ってへき関する。
垂直方向、すなわち図においてＡ−Ａ’線の方向にへき
関する際に、あらかじめ、ストライブの両側に活性層３
に達する深さのエツチング溝９を形成し、さらにその外
側にＡ−Ａ’線に沿ってスクライブ線１０を入れる。こ
の後、八−Ａ′線に沿ってへき関する。
このようにすれば、へき開の際に生じる傷は、スクライ
ブ線１０のところで最も発生し易いため、スクライブ線
１０から生じ−それ以外の部分から傷が発生することは
ない。また、スクライブ線１０から発生してへき開面を
広がる傷は、エツチング溝９に達すればそこで止まるの
で発光領域８まで達することはない。
ブ線１０のところで最も発生し易いため、スクライブ線
１０から生じ−それ以外の部分から傷が発生することは
ない。また、スクライブ線１０から発生してへき開面を
広がる傷は、エツチング溝９に達すればそこで止まるの
で発光領域８まで達することはない。
そして、この後Ｂ−Ｂ’線の方向にへき関すれば個々の
素子が得られる。
素子が得られる。
したがって、この発明によれば、出射端面な形成するへ
き開の際に発光領域８の端面に傷が生じることがなく、
その結果、端面反射率の低下によるしきい値電流の上昇
や効率の低下を招くことが無く、また、端面劣化のない
信頼性の高い光素子を得ることができる。
き開の際に発光領域８の端面に傷が生じることがなく、
その結果、端面反射率の低下によるしきい値電流の上昇
や効率の低下を招くことが無く、また、端面劣化のない
信頼性の高い光素子を得ることができる。
なお、上記実施例では結晶成長した側の面にエツチング
溝９およびスクライブ線１０を形成してへき関したが、
裏側、すなわち基板１側の面に溝およびスクライブ線を
入れ基板１側からへき関してもよい。
溝９およびスクライブ線１０を形成してへき関したが、
裏側、すなわち基板１側の面に溝およびスクライブ線を
入れ基板１側からへき関してもよい。
（発明の効果）
この発明は以上説明したとおり、へき開きれる光素子が
形成されたウェハのへき開すべき線上にあり、かつ光素
子の発光領域の両側に位置する領域に溝を形成し、さら
にこれらの溝の外側にへき開すべき線に沿ったスクライ
ブ線を形成した後にへき関するので、へき開の際に生じ
る傷はスクライブ線から生じてそれ以外の部分から生じ
にくくなり、また、スクライブ線から生じた傷は溝のと
ころで止るため発光領域端面まで達しなくなる。
形成されたウェハのへき開すべき線上にあり、かつ光素
子の発光領域の両側に位置する領域に溝を形成し、さら
にこれらの溝の外側にへき開すべき線に沿ったスクライ
ブ線を形成した後にへき関するので、へき開の際に生じ
る傷はスクライブ線から生じてそれ以外の部分から生じ
にくくなり、また、スクライブ線から生じた傷は溝のと
ころで止るため発光領域端面まで達しなくなる。
このため発光領域の端面に傷ができず、特性の低下や信
頼性の低下の無い光素子が得られるという効果がある。
頼性の低下の無い光素子が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の光素子のへき開分離方法の一実施例
を説明するためのウェハの斜視図、第２図は従来の光素
子のへき開分離方法を説明するためのウェハの斜視図で
ある。 図において、１は基板、２．４はクラッド層、３は活性
層、５は絶縁膜、６はｐ電極、７はｎ電極、８は発光領
域、９はエツチング溝、１０はスクライブ線である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
を説明するためのウェハの斜視図、第２図は従来の光素
子のへき開分離方法を説明するためのウェハの斜視図で
ある。 図において、１は基板、２．４はクラッド層、３は活性
層、５は絶縁膜、６はｐ電極、７はｎ電極、８は発光領
域、９はエツチング溝、１０はスクライブ線である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- へき開される光素子が形成されたウェハのへき開すべ
き線上にあり、かつ前記光素子の発光領域の両側に位置
する領域に溝を形成し、さらにこれらの溝の外側に前記
へき開すべき線に沿ったスクライブ線を形成した後にへ
き開することを特徴とする光素子のへき開分離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041056A JPH01215083A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光素子のへき開分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041056A JPH01215083A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光素子のへき開分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215083A true JPH01215083A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12597754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041056A Pending JPH01215083A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光素子のへき開分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215083A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800244A2 (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-08 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| WO2002031863A3 (en) * | 2000-10-11 | 2003-10-23 | Nat Univ Ireland | A single frequency laser |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041056A patent/JPH01215083A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800244A2 (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-08 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| JPH1027942A (ja) * | 1996-04-04 | 1998-01-27 | Lucent Technol Inc | Ｉｉｉ／ｖ族半導体レーザの製造方法 |
| EP0800244A3 (en) * | 1996-04-04 | 1998-04-15 | Lucent Technologies Inc. | Method of making III/V semiconductor lasers |
| WO2002031863A3 (en) * | 2000-10-11 | 2003-10-23 | Nat Univ Ireland | A single frequency laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6258414B2 (ja) | 端面発光エッチングファセットレーザ | |
| US4901327A (en) | Transverse injection surface emitting laser | |
| US7746910B2 (en) | Semiconductor laser diode and its fabrication process | |
| US20040066817A1 (en) | High performance vertically emitting lasers | |
| KR960043369A (ko) | 반도체 레이저 장치 및 그의 제조방법 | |
| JPH01184892A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH01215083A (ja) | 光素子のへき開分離方法 | |
| JP3199594B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法 | |
| JPH02132844A (ja) | 化合物半導体ウェハの分割方法 | |
| JP4613395B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH0983081A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH01280388A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| CA2369680A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor element, and semiconductor element manufactured with this method | |
| JP3327179B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3671663B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ | |
| JPS5858784A (ja) | 分布帰還形半導体レ−ザ | |
| JPWO2005088790A1 (ja) | 半導体レーザ素子、およびその製造方法 | |
| JPS59155981A (ja) | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH02251181A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
| JPS6399588A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPH06140718A (ja) | 端面発光型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS63302587A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0485889A (ja) | 半導体レーザダイオードのペレット端面形成方法 | |
| JPS6350877B2 (ja) | ||
| JP2003332675A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 |