JPH0485889A - 半導体レーザダイオードのペレット端面形成方法 - Google Patents
半導体レーザダイオードのペレット端面形成方法Info
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- JPH0485889A JPH0485889A JP19991390A JP19991390A JPH0485889A JP H0485889 A JPH0485889 A JP H0485889A JP 19991390 A JP19991390 A JP 19991390A JP 19991390 A JP19991390 A JP 19991390A JP H0485889 A JPH0485889 A JP H0485889A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌｌ上叫机且分五
この発明は、半導体レーザダイオード（以下ＬＤと略記
する）におけるペレット端面の形成方法に関する。
する）におけるペレット端面の形成方法に関する。
従末旦改直
従来のＬＤの構造について図面を参照して説明する。
第４図はＬＤの平面図で、第５図はＬＤの断面図である
。図において、１は表面電極、２はキャップ層、３はク
ラッド層、４は活性層、５はクラッド層、６は基板、７
は裏面電極、８はレーザ光透過の反射兼用の端面コーテ
ィング膜であり、活性層４で発生した光は、端面コーテ
ィング膜８を通して出力光９として外部へ取り出される
。
。図において、１は表面電極、２はキャップ層、３はク
ラッド層、４は活性層、５はクラッド層、６は基板、７
は裏面電極、８はレーザ光透過の反射兼用の端面コーテ
ィング膜であり、活性層４で発生した光は、端面コーテ
ィング膜８を通して出力光９として外部へ取り出される
。
端面コーティング膜の製造方法は、ＬＤペレットが数十
個並んだバー状態ウェーハに形成して、両側発光端面が
出るように、へき開により割り出し、その後数本のバー
状態ウェーハの発光端面をそろえて、スパッタ法により
片面ずつコーティング膜を形成する。
個並んだバー状態ウェーハに形成して、両側発光端面が
出るように、へき開により割り出し、その後数本のバー
状態ウェーハの発光端面をそろえて、スパッタ法により
片面ずつコーティング膜を形成する。
ところで従来の端面はバー状態ウェーハをへき間抜にコ
ーティング膜を形成するために、発光端面に傷をつけた
り、表面および裏面電極にコーティング膜が回り込み、
組立のワイヤボンディングの際に、電極と電極ワイヤの
間に膜があるために融着しなくなったり、へき開の誤差
によりＬＤペレットの共振器長にバラツキが生じ、ＬＤ
特性の発振波長に発振しきい値電流のバラツキを発生さ
せるという問題点があった。
ーティング膜を形成するために、発光端面に傷をつけた
り、表面および裏面電極にコーティング膜が回り込み、
組立のワイヤボンディングの際に、電極と電極ワイヤの
間に膜があるために融着しなくなったり、へき開の誤差
によりＬＤペレットの共振器長にバラツキが生じ、ＬＤ
特性の発振波長に発振しきい値電流のバラツキを発生さ
せるという問題点があった。
、の
この発明は、バー状態のＬＤウェーハをへき開前に、エ
ツチング溝形成により発光端面を形成し、そのエツチン
グ溝内面にコーティング膜を形成し、表面電極上および
へき開部分のコーティング膜をＰＲ，エツチングで除去
した後に、溝底部を切り込むへき開を行いペレットにす
るものである。
ツチング溝形成により発光端面を形成し、そのエツチン
グ溝内面にコーティング膜を形成し、表面電極上および
へき開部分のコーティング膜をＰＲ，エツチングで除去
した後に、溝底部を切り込むへき開を行いペレットにす
るものである。
作且
上記の端面形成方法によると、へき開時やコーティング
時の治具等による発光端面の傷が防止され、また裏面電
極にコーティング膜が形成されないため、ボンディング
での電極の融着に問題を生じなくなり、さらにＬＤの共
振器長はペレット長さと無関係になり、バラツキを小さ
くすることができる。
時の治具等による発光端面の傷が防止され、また裏面電
極にコーティング膜が形成されないため、ボンディング
での電極の融着に問題を生じなくなり、さらにＬＤの共
振器長はペレット長さと無関係になり、バラツキを小さ
くすることができる。
しかもコーティングの膜形成は１回でできるため、同質
の膜を両端面に形成することができる。
の膜を両端面に形成することができる。
爽凰桝
以下、この発明について図面を参照して説明する。
第１図はこの一実施例のＬＤペレットの平面図、第２図
はＬＤペレットの断面図である。
はＬＤペレットの断面図である。
各図において、１は表面電極、２はＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層、３はＩｎＰクラッド層、４はＩｎＧａＡｓ活性
層、５はｌｎＰクラッド層、６は［ｎＰ基板、７は裏面
電極、８は端面コーティング膜である。
ップ層、３はＩｎＰクラッド層、４はＩｎＧａＡｓ活性
層、５はｌｎＰクラッド層、６は［ｎＰ基板、７は裏面
電極、８は端面コーティング膜である。
コーティング膜８の形成は、第３（ａ）図に示すように
、表裏面電極を形成したＬＤウェーハに、第３図（ｂ）
図のようにＰＲ法により幅Ｗ＝２０ｔ１ｍのストライプ
を発光端面に水平に設け、イオンエツチングにより、基
板に対して垂直に深さｄ＝３０〜５０μｍまでエツチン
グ溝１０を形成して、発光端面を形成する。深さｄが３
０μｍ以下では、ＩｎＰ基板６に溝底部が達しないため
、活性層４の光がクラッド層５の光閉じ込め不十分とな
り、レーザ発振しなくなる。
、表裏面電極を形成したＬＤウェーハに、第３図（ｂ）
図のようにＰＲ法により幅Ｗ＝２０ｔ１ｍのストライプ
を発光端面に水平に設け、イオンエツチングにより、基
板に対して垂直に深さｄ＝３０〜５０μｍまでエツチン
グ溝１０を形成して、発光端面を形成する。深さｄが３
０μｍ以下では、ＩｎＰ基板６に溝底部が達しないため
、活性層４の光がクラッド層５の光閉じ込め不十分とな
り、レーザ発振しなくなる。
一方、深さｄが５０μｍ以上では、溝底部でのウェーハ
厚が１００μｍ以下となるため、ウェーハが割れやすく
なり、実現性がな（なる。次に、第３（ｃ）図のように
、レーザ光透過性反射板材料となる酸化膜８を溝１０の
内壁にスパッタし、発光端面をコーティングし、表面電
極とスクライブライン上の酸化膜は、ウェットエツチン
グにより除去して第３（ｄ）図のようにへき開によりＬ
Ｄペレットにする。
厚が１００μｍ以下となるため、ウェーハが割れやすく
なり、実現性がな（なる。次に、第３（ｃ）図のように
、レーザ光透過性反射板材料となる酸化膜８を溝１０の
内壁にスパッタし、発光端面をコーティングし、表面電
極とスクライブライン上の酸化膜は、ウェットエツチン
グにより除去して第３（ｄ）図のようにへき開によりＬ
Ｄペレットにする。
上記の実施例の方法により、ＬＤの共振器長１はペレッ
ト長さしに無関係に一定となるので、そのバラツキは！
は±１μｍｌ Ｌは±１０μｍとなり、ｌ＝Ｌで形成し
ていた従来のバラツキに比べ、１／１０に低減される。
ト長さしに無関係に一定となるので、そのバラツキは！
は±１μｍｌ Ｌは±１０μｍとなり、ｌ＝Ｌで形成し
ていた従来のバラツキに比べ、１／１０に低減される。
また、発光端面がエツチングにより形成されるので、傷
が発生しないし、裏面電極へのコーティング膜は形成さ
れず、表面電極のコーティング膜は除去されるので、ボ
ンディングへの悪影響を防げるという利点がある。
が発生しないし、裏面電極へのコーティング膜は形成さ
れず、表面電極のコーティング膜は除去されるので、ボ
ンディングへの悪影響を防げるという利点がある。
発１λ炊呈−
以上説明したように、この発明は、発光端面を溝部に設
け、コーティング膜を形成したことにより、発光端面の
傷防止、電極上の膜形成によるボンディング不具合の防
止、ＬＤ共振器長のばらつきを低減させ、半導体レーザ
ダイオードの信頼性向上に大きく貢献する効果がある。
け、コーティング膜を形成したことにより、発光端面の
傷防止、電極上の膜形成によるボンディング不具合の防
止、ＬＤ共振器長のばらつきを低減させ、半導体レーザ
ダイオードの信頼性向上に大きく貢献する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すレーザダイオードペ
レットの平面図、第２図は第１図レーザダイオードのＡ
−Ａ’線に沿う断面図である。第３（ａ）図はレーザダ
イオードウェーハの斜視図、第３ （ｂ）図はこの発明
の溝形成したレーザダイオードウェーハの斜視図、第３
（ｃ）図は発光端面形成溝内部のコーティング膜の拡大
断面図、第３図（ｄ）はレーザダイオードウェーハから
レーザダイオードバー、レーザダイオードペレットの形
成を示す斜視図である。第４図は従来のレーザダイオー
ドペレットの平面図、第５図は第４図ペレットのＢ−Ｂ
”線に沿う断面図である。 １・・・・・・表面電極、 ２・・・・・・キャップ層、 ３．５・・・・・・クラッド層、 ４・・・・・・活性層、 ６・・・・・・基板、 ７・・・・・・裏面電極、 ８・・・・・・端面コーティング膜、 ９・・・・・・出力光（両端面にある）、１０・・・・
・・発光端面形成溝、 Ｌ・・・・・・レーザダイオードペレット長さ、！・・
・・・・共振器長、 Ｗ・・・・・・溝部幅、 ｄ・・・・・・溝部深さ。 表ｉ電籐 ６ ＬルＰ鬼」又 ７ 本ｌ（種
レットの平面図、第２図は第１図レーザダイオードのＡ
−Ａ’線に沿う断面図である。第３（ａ）図はレーザダ
イオードウェーハの斜視図、第３ （ｂ）図はこの発明
の溝形成したレーザダイオードウェーハの斜視図、第３
（ｃ）図は発光端面形成溝内部のコーティング膜の拡大
断面図、第３図（ｄ）はレーザダイオードウェーハから
レーザダイオードバー、レーザダイオードペレットの形
成を示す斜視図である。第４図は従来のレーザダイオー
ドペレットの平面図、第５図は第４図ペレットのＢ−Ｂ
”線に沿う断面図である。 １・・・・・・表面電極、 ２・・・・・・キャップ層、 ３．５・・・・・・クラッド層、 ４・・・・・・活性層、 ６・・・・・・基板、 ７・・・・・・裏面電極、 ８・・・・・・端面コーティング膜、 ９・・・・・・出力光（両端面にある）、１０・・・・
・・発光端面形成溝、 Ｌ・・・・・・レーザダイオードペレット長さ、！・・
・・・・共振器長、 Ｗ・・・・・・溝部幅、 ｄ・・・・・・溝部深さ。 表ｉ電籐 ６ ＬルＰ鬼」又 ７ 本ｌ（種
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザダイオードが多数並んだバー状ウェーハを形成し
て、上記ウェーハをへき開させて発光端面を有する個々
のペレットにするレーザダイオードの製造工程において
、 上記ウェーハをへき開前に、あらかじめエッチング溝を
形成して発光面とし、上記発光端面に光透性反射板材料
を、コーティング膜として形成させることを特徴とする
半導体レーザダイオードのペレット端面形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19991390A JPH0485889A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体レーザダイオードのペレット端面形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19991390A JPH0485889A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体レーザダイオードのペレット端面形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485889A true JPH0485889A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16415690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19991390A Pending JPH0485889A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 半導体レーザダイオードのペレット端面形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166945A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19991390A patent/JPH0485889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005166945A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 |
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