JP3335035B2 - 集積回路の作製プロセス - Google Patents
集積回路の作製プロセスInfo
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- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/028—Dicing
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は多くの集積回路を、単一の基板上
に作製し、次に方形切断により、個々のチップに分離す
るデバイス作製のプロセスに係る。
に作製し、次に方形切断により、個々のチップに分離す
るデバイス作製のプロセスに係る。
【０００２】
【技術背景】デバイス作製において、チップともよばれ
る多数の集積回路は、単一の基板又はウエハ上に、作製
される。また、単一の基板又はウエハ上に、複数のマル
チチップ・モジュール（ＭＣＭ）を形成することも、知
られている。これらの集積回路又はＭＣＭは、次に個々
の使用のため、分離される。チップ又はＭＣＭは、方形
切断のような技術により分離され、その場合、個々のデ
バイスを相互に分離するために、きわめて精密なのこぎ
りが用いられる。方形切断のこは基板を個々のチップに
方形切断するために用いられる装置の一例である。当業
者は、ここであげない他の多くの装置もまた、この目的
に使用されることを、認識するであろう。
る多数の集積回路は、単一の基板又はウエハ上に、作製
される。また、単一の基板又はウエハ上に、複数のマル
チチップ・モジュール（ＭＣＭ）を形成することも、知
られている。これらの集積回路又はＭＣＭは、次に個々
の使用のため、分離される。チップ又はＭＣＭは、方形
切断のような技術により分離され、その場合、個々のデ
バイスを相互に分離するために、きわめて精密なのこぎ
りが用いられる。方形切断のこは基板を個々のチップに
方形切断するために用いられる装置の一例である。当業
者は、ここであげない他の多くの装置もまた、この目的
に使用されることを、認識するであろう。
【０００３】方形切断中、破片が生じ、破片は切断され
るデバイス上に、堆積する。この破片はもしそれがデバ
イス領域上に堆積し、そこから除去されないなら、デバ
イスの特性に、悪影響を及ぼしうる。切断破片は使用中
基板から離れたデバイスの場合に、特に問題となる。そ
のようなデバイスの一例は、“フリップ・チップ”マル
チチップ・モジュールで、それは図１に示されている。
デバイス２０はたとえば、はんだバンプ２３により、基
板１０に固定されている。バンプ２３はデバイス２０よ
り小さな表面積を有するから、デバイス２０と基板１０
間に、間隙２５がある。シリコンチップ集積回路２０と
そのようなデバイス中のシリコン基板１０間の間隙２５
は、典型的な場合、数ミルである。切断中、もし破片が
間隙２５中に入り込むと、それはその後のプロセス中に
出て来て、デバイス表面上又は中への道を、見い出しう
る。しかし、一度破片がこの間隙に入り込むと、洗浄の
ような従来の手段を用いて、除去することは難しい。
るデバイス上に、堆積する。この破片はもしそれがデバ
イス領域上に堆積し、そこから除去されないなら、デバ
イスの特性に、悪影響を及ぼしうる。切断破片は使用中
基板から離れたデバイスの場合に、特に問題となる。そ
のようなデバイスの一例は、“フリップ・チップ”マル
チチップ・モジュールで、それは図１に示されている。
デバイス２０はたとえば、はんだバンプ２３により、基
板１０に固定されている。バンプ２３はデバイス２０よ
り小さな表面積を有するから、デバイス２０と基板１０
間に、間隙２５がある。シリコンチップ集積回路２０と
そのようなデバイス中のシリコン基板１０間の間隙２５
は、典型的な場合、数ミルである。切断中、もし破片が
間隙２５中に入り込むと、それはその後のプロセス中に
出て来て、デバイス表面上又は中への道を、見い出しう
る。しかし、一度破片がこの間隙に入り込むと、洗浄の
ような従来の手段を用いて、除去することは難しい。
【０００４】デバイスがポリイミド薄膜により保護され
る方形切断プロセスについては、カズヤス・ヨネヤマ
（Ｋａｚｕｙａｓｕ Ｙｏｎｅｙａｍａ）に承認された
日本特許出願第０２−１２４８号で、明らかにされてい
る。ポリイミド被覆は、方形切断前に、方形切断溝上に
形成され、方形切断後除去される。ポリイミド薄膜は、
方形切断プロセス中、基板に亀裂が入るのを防止する
が、ポリイミドは除去が困難である。ポリイミド薄膜は
切断部近くの基板上に亀裂が入るのを防止するが、ポリ
イミド薄膜は、方形切断溝上にのみ堆積させ、表面全体
に堆積させるのではないから、それはデバイスの被覆さ
れていない表面上に、切断破片が蓄積するのを防止しな
い。
る方形切断プロセスについては、カズヤス・ヨネヤマ
（Ｋａｚｕｙａｓｕ Ｙｏｎｅｙａｍａ）に承認された
日本特許出願第０２−１２４８号で、明らかにされてい
る。ポリイミド被覆は、方形切断前に、方形切断溝上に
形成され、方形切断後除去される。ポリイミド薄膜は、
方形切断プロセス中、基板に亀裂が入るのを防止する
が、ポリイミドは除去が困難である。ポリイミド薄膜は
切断部近くの基板上に亀裂が入るのを防止するが、ポリ
イミド薄膜は、方形切断溝上にのみ堆積させ、表面全体
に堆積させるのではないから、それはデバイスの被覆さ
れていない表面上に、切断破片が蓄積するのを防止しな
い。
【０００５】日本特許出願第昭６１〔１９８６〕−９６
５８５には、方形切断前にウエハ上に形成される感光材
料で被覆することにより、切断破片からウエハを保護す
るプロセスが、述べられている。感光材料は、シリコン
樹脂と述べられている。感光材料は方形切断前に、放射
に露出する。感光材料の露出された部分は、デバイスの
電極上にある。方形切断後、感光材料の露出された部分
は、電極へのアクセスを形成するため、除去される。感
光材料の露出されない部分は、除去されない。従って、
方形切断プロセス中感光材料の露出されない部分中に埋
め込まれた方形切断破片は、同様に除去されない。
５８５には、方形切断前にウエハ上に形成される感光材
料で被覆することにより、切断破片からウエハを保護す
るプロセスが、述べられている。感光材料は、シリコン
樹脂と述べられている。感光材料は方形切断前に、放射
に露出する。感光材料の露出された部分は、デバイスの
電極上にある。方形切断後、感光材料の露出された部分
は、電極へのアクセスを形成するため、除去される。感
光材料の露出されない部分は、除去されない。従って、
方形切断プロセス中感光材料の露出されない部分中に埋
め込まれた方形切断破片は、同様に除去されない。
【０００６】
【本発明の要約】本発明は、デバイス作製のプロセスに
係る。より具体的には、プロセスは基板、典型的な場
合、表面上に形成された集積回路のような複数のデバイ
スを有するシリコンウエを、方形切断することに係る。
マルチチップ・モジュール中で用いられる集積回路及び
“フリップ・チップ”は、そのようなデバイスの例であ
る。
係る。より具体的には、プロセスは基板、典型的な場
合、表面上に形成された集積回路のような複数のデバイ
スを有するシリコンウエを、方形切断することに係る。
マルチチップ・モジュール中で用いられる集積回路及び
“フリップ・チップ”は、そのようなデバイスの例であ
る。
【０００７】方形切断装置の切断動作により生じた破片
が、デバイス上に堆積したり、中に埋め込まれるのを防
止するため、方形切断前に、デバイス上に保護被膜を、
形成する。保護被膜は、切断中基板上に残るが、切断プ
ロセスが完了した後、基板から容易に除去される。保護
被膜は、これらの目的を達成する材料で、作られる。
が、デバイス上に堆積したり、中に埋め込まれるのを防
止するため、方形切断前に、デバイス上に保護被膜を、
形成する。保護被膜は、切断中基板上に残るが、切断プ
ロセスが完了した後、基板から容易に除去される。保護
被膜は、これらの目的を達成する材料で、作られる。
【０００８】基板は、たとえばダイヤモンドけがき、レ
ーザけがき、又はダイヤモンドのこぎりといった典型的
な装置を用いて、方形切断される。方形切断プロセス
中、方形切断装置を冷却するため、典型的な場合、水が
用いられる。保護被膜は本質的に、方形切断装置を冷却
するために用いる水によっては、溶解しない。被膜の１
０パーセント以下が、方形切断装置を冷却するために用
いる水によって除去されるなら、有利である。これは、
方形切断装置の切断動作により除去される被膜の部分は
含まない。従って、保護被膜は、水に本質的に不溶な材
料、すなわち被膜の１０パーセント以下が、方形切断装
置を冷却するために用いる水によって除去される材料で
作られる。
ーザけがき、又はダイヤモンドのこぎりといった典型的
な装置を用いて、方形切断される。方形切断プロセス
中、方形切断装置を冷却するため、典型的な場合、水が
用いられる。保護被膜は本質的に、方形切断装置を冷却
するために用いる水によっては、溶解しない。被膜の１
０パーセント以下が、方形切断装置を冷却するために用
いる水によって除去されるなら、有利である。これは、
方形切断装置の切断動作により除去される被膜の部分は
含まない。従って、保護被膜は、水に本質的に不溶な材
料、すなわち被膜の１０パーセント以下が、方形切断装
置を冷却するために用いる水によって除去される材料で
作られる。
【０００９】被膜はまた、基板が方形切断された後、基
板から容易に除去される。しかし、基板は典型的な場
合、方形切断プロセス中、切断される基板の位置を保つ
ため、固着材料、すなわち方形切断テープに固着されて
いるから、もし保護被膜が、固着材料に対する基板の固
着性に悪影響を与えない条件下で、基板から除去される
なら、有利である。また、固着材料を物理的に劣化させ
ない条件下で、被膜が除去されるなら、有利である。典
型的な場合、テープ固着剤は、低級アルキルアルコール
のようなより極性の有機溶媒によって、分解されない。
保護被膜を基板から洗浄するために、メタノール、エタ
ノール及びプロパノールといった低級アルキル・アルコ
ールを用いるなら、有利である。従って、もし保護被膜
を、そのような極性有機溶媒中に本質的に可溶性の材料
で作るなら、すなわち、保護被膜がこれらの溶媒によっ
て溶解するなら、有利である。
板から容易に除去される。しかし、基板は典型的な場
合、方形切断プロセス中、切断される基板の位置を保つ
ため、固着材料、すなわち方形切断テープに固着されて
いるから、もし保護被膜が、固着材料に対する基板の固
着性に悪影響を与えない条件下で、基板から除去される
なら、有利である。また、固着材料を物理的に劣化させ
ない条件下で、被膜が除去されるなら、有利である。典
型的な場合、テープ固着剤は、低級アルキルアルコール
のようなより極性の有機溶媒によって、分解されない。
保護被膜を基板から洗浄するために、メタノール、エタ
ノール及びプロパノールといった低級アルキル・アルコ
ールを用いるなら、有利である。従って、もし保護被膜
を、そのような極性有機溶媒中に本質的に可溶性の材料
で作るなら、すなわち、保護被膜がこれらの溶媒によっ
て溶解するなら、有利である。
【００１０】方形切断路は、切断装置を誘導するため、
基板表面上に置かれる。保護被膜はこれら方形切断路上
に形成されるから、保護被膜は切断路が見えるように、
十分透明でなければならない。従って、保護被膜は基板
表面上で少くとも半透明の被膜を形成する材料で、作ら
れる。
基板表面上に置かれる。保護被膜はこれら方形切断路上
に形成されるから、保護被膜は切断路が見えるように、
十分透明でなければならない。従って、保護被膜は基板
表面上で少くとも半透明の被膜を形成する材料で、作ら
れる。
【００１１】上で指定した特性を有する保護被膜は、有
機成分及び有極性基を、有する材料で作られる。適切な
有機成分には、脂肪族部分及び芳香族部分が含まれる。
適切な極性官能基には、水酸基、カルボニル基及びカル
ボキシル基が含まれる。極性官能基がカルボニル基であ
る材料の例には、アルデヒド、ケトン、エステル及びカ
ルボン酸の無水物が含まれる。
機成分及び有極性基を、有する材料で作られる。適切な
有機成分には、脂肪族部分及び芳香族部分が含まれる。
適切な極性官能基には、水酸基、カルボニル基及びカル
ボキシル基が含まれる。極性官能基がカルボニル基であ
る材料の例には、アルデヒド、ケトン、エステル及びカ
ルボン酸の無水物が含まれる。
【００１２】ロジンを含む材料は、これらの材料の一例
である。ロジンを含む材料は、ロジン又はロジン誘導体
を含む材料である。適切なロジンの具体例には、ロジン
ゴム、アジエチン酸、水素化ロジン及び二量重量ロジン
が含まれる。そのような材料の他の例としては、無水安
息香酸、２，２′−ビフェノール及び２−ヘキサデカノ
ンが含まれる。これら材料の被膜は、スピンコート、ブ
ラシング又は高温溶融技術といった周知の技術により、
基板上に形成される。たとえば、スピンコートのような
これらの技術のあるものの場合、もし被膜材料が基板上
への被膜の形成を容易にするために、溶媒中に溶解され
るなら、有利である。
である。ロジンを含む材料は、ロジン又はロジン誘導体
を含む材料である。適切なロジンの具体例には、ロジン
ゴム、アジエチン酸、水素化ロジン及び二量重量ロジン
が含まれる。そのような材料の他の例としては、無水安
息香酸、２，２′−ビフェノール及び２−ヘキサデカノ
ンが含まれる。これら材料の被膜は、スピンコート、ブ
ラシング又は高温溶融技術といった周知の技術により、
基板上に形成される。たとえば、スピンコートのような
これらの技術のあるものの場合、もし被膜材料が基板上
への被膜の形成を容易にするために、溶媒中に溶解され
るなら、有利である。
【００１３】
【詳細な記述】基板を方形切断するためのプロセスが、
明らかにされている。そのプロセスにおいて、保護被膜
を、基板上に堆積させる。基板は典型的な場合、その上
に形成された複数のデバイスを有する。被膜は基板上で
乾燥され、次に基板はその上に形成されたデバイスを分
離するため、方形切断される。保護被膜は本質的に水に
不溶性で、本質的に極性有機溶媒に可溶な材料で作ら
れ、基板上に本質的に透明な被膜を作る。
明らかにされている。そのプロセスにおいて、保護被膜
を、基板上に堆積させる。基板は典型的な場合、その上
に形成された複数のデバイスを有する。被膜は基板上で
乾燥され、次に基板はその上に形成されたデバイスを分
離するため、方形切断される。保護被膜は本質的に水に
不溶性で、本質的に極性有機溶媒に可溶な材料で作ら
れ、基板上に本質的に透明な被膜を作る。
【００１４】図２に描かれているように、保護被膜６５
が基板１０上に形成される。基板１０は典型的な場合、
その上に形成された複数のデバイス２０を有する。図２
中には２個のデバイス２０が描かれているが、２ないし
それ以上のデバイスが典型的な場合、基板上に形成され
ており、それらは本発明のプロセスにより、方形切断さ
れる。フリップ・チップ・モジュールがデバイスとして
図２に描かれているが、方形切断プロセス中、すべての
型の半導体デバイスを保護するために、このプロセスが
使用できると考えられる。従って、基板１０は典型的な
場合、（図２に描かれているように）その表面に固着さ
れるか、その表面に直接形成された集積回路チップ又は
他の個別デバイスを含む。
が基板１０上に形成される。基板１０は典型的な場合、
その上に形成された複数のデバイス２０を有する。図２
中には２個のデバイス２０が描かれているが、２ないし
それ以上のデバイスが典型的な場合、基板上に形成され
ており、それらは本発明のプロセスにより、方形切断さ
れる。フリップ・チップ・モジュールがデバイスとして
図２に描かれているが、方形切断プロセス中、すべての
型の半導体デバイスを保護するために、このプロセスが
使用できると考えられる。従って、基板１０は典型的な
場合、（図２に描かれているように）その表面に固着さ
れるか、その表面に直接形成された集積回路チップ又は
他の個別デバイスを含む。
【００１５】方形切断の前に、その上に形成された個々
のデバイス２０を有する被覆された基板１０を、固着切
断テープ５５上に置く。もし、保護被膜が粘着質になる
か、そうでなければ固着切断テープに固定する時、基板
が加熱される温度、すなわち約５０℃ないし約７０℃よ
り低い温度で溶け始めるなら、保護被膜をその上に形成
する前に、基板を切断テープに固着する。固着テープ５
５は、方形切断プロセス中、基板１０の位置を保つ。そ
のようなテープ５５は市販されており、基板切断の当業
者には、知られている。基板１０はテープ５５の固着剤
を有する側に、置かれる。被膜は少くとも半透明で、そ
のため基板１０上の方形切断線７０（図３）は、切断中
見ることができる。
のデバイス２０を有する被覆された基板１０を、固着切
断テープ５５上に置く。もし、保護被膜が粘着質になる
か、そうでなければ固着切断テープに固定する時、基板
が加熱される温度、すなわち約５０℃ないし約７０℃よ
り低い温度で溶け始めるなら、保護被膜をその上に形成
する前に、基板を切断テープに固着する。固着テープ５
５は、方形切断プロセス中、基板１０の位置を保つ。そ
のようなテープ５５は市販されており、基板切断の当業
者には、知られている。基板１０はテープ５５の固着剤
を有する側に、置かれる。被膜は少くとも半透明で、そ
のため基板１０上の方形切断線７０（図３）は、切断中
見ることができる。
【００１６】被覆された基板を、テープ上にマウントし
た後、それを方形切断装置中に置く。基板をいかに切断
装置中に置くか、またどの型の切断装置を用いるかとい
うことは、設計上の選択により、当業者には容易に行え
る。方形切断装置は典型的な場合、切断中基板を冷却す
るために、しばしば水を用いる。しかし、保護被膜は比
較的水に不溶性である。すなわち、それは水によって本
質的に溶解することはない。この点において、もし水が
ロジン含有材料の１０容量パーセント以下しか除去しな
ければ、有利である。そうであれば、切断のこぎりの動
作により、基板から除去されない。従って、方形切断プ
ロセス中、被膜は基板上に残る。
た後、それを方形切断装置中に置く。基板をいかに切断
装置中に置くか、またどの型の切断装置を用いるかとい
うことは、設計上の選択により、当業者には容易に行え
る。方形切断装置は典型的な場合、切断中基板を冷却す
るために、しばしば水を用いる。しかし、保護被膜は比
較的水に不溶性である。すなわち、それは水によって本
質的に溶解することはない。この点において、もし水が
ロジン含有材料の１０容量パーセント以下しか除去しな
ければ、有利である。そうであれば、切断のこぎりの動
作により、基板から除去されない。従って、方形切断プ
ロセス中、被膜は基板上に残る。
【００１７】基板が方形切断される間、保護被膜は切断
破片が、基板表面上に堆積するのを、防止する。もし、
基板上の被覆されるデバイスが、マルチチップモジュー
ルなら、被膜は基板１０及びシリコン・フリップチップ
２０間の空間２５中に、切断破片が埋込まれるのを、防
止する。切断破片は、基板上のデバイスに損傷を与える
か、そうでなければ、それらの特性に、悪影響を及ぼす
可能性がある。保護被膜中に埋込まれた破片は、方形切
断後、保護被膜それ自身が基板から除去される時、基板
から除去される。
破片が、基板表面上に堆積するのを、防止する。もし、
基板上の被覆されるデバイスが、マルチチップモジュー
ルなら、被膜は基板１０及びシリコン・フリップチップ
２０間の空間２５中に、切断破片が埋込まれるのを、防
止する。切断破片は、基板上のデバイスに損傷を与える
か、そうでなければ、それらの特性に、悪影響を及ぼす
可能性がある。保護被膜中に埋込まれた破片は、方形切
断後、保護被膜それ自身が基板から除去される時、基板
から除去される。
【００１８】多くの有機溶媒が、保護被膜を溶解する。
しかし、ある種の溶媒のみが、保護被膜を溶解し、基板
及び支持材料間の固着性には悪影響を与えない。そうで
ないと、かなりの程度テープを劣化させる。一般に、ア
ルキル類が約４かそれ以下の炭素原子を含む低級アルキ
ルアルコールは、保護被膜を溶解するが、テープあるい
は基板−テープ固着性に、顕著な悪影響を及ぼさない。
メタノール、エタノール、プロパノール及びイソプロパ
ノールは、適切な溶媒の例である。固着性に悪影響を及
ぼさない溶媒を用いることにより、方形切断される基板
は、個々の切断されたデバイスが用いられるまで、支持
材料上に残る。
しかし、ある種の溶媒のみが、保護被膜を溶解し、基板
及び支持材料間の固着性には悪影響を与えない。そうで
ないと、かなりの程度テープを劣化させる。一般に、ア
ルキル類が約４かそれ以下の炭素原子を含む低級アルキ
ルアルコールは、保護被膜を溶解するが、テープあるい
は基板−テープ固着性に、顕著な悪影響を及ぼさない。
メタノール、エタノール、プロパノール及びイソプロパ
ノールは、適切な溶媒の例である。固着性に悪影響を及
ぼさない溶媒を用いることにより、方形切断される基板
は、個々の切断されたデバイスが用いられるまで、支持
材料上に残る。
【００１９】上で指定された特性を有する保護被膜は、
有機成分及び極性基を有する材料で、作られる。適切な
有機部分の例には、脂肪族部分及び芳香族部分が含まれ
る。適切な極性官能基の例には、水酸基、カルボニル基
及びカルボキシル基が含まれる。一般に、極性カルボニ
ル官能基を含む材料には、アルデヒド、ケトン、エステ
ル及びカルボン酸の無水物が含まれる。
有機成分及び極性基を有する材料で、作られる。適切な
有機部分の例には、脂肪族部分及び芳香族部分が含まれ
る。適切な極性官能基の例には、水酸基、カルボニル基
及びカルボキシル基が含まれる。一般に、極性カルボニ
ル官能基を含む材料には、アルデヒド、ケトン、エステ
ル及びカルボン酸の無水物が含まれる。
【００２０】ロジン含有材料は、適切な保護被膜材料の
一例である。ロジンは典型的な場合、いくつかの異なる
化合物の混合物で、その１つは、典型的な場合、樹脂酸
である。これらの材料については、ザ・コンデンスト・
ケミカル・ディクショナリ（Ｔｈｅ Ｃｏｎｄｅｎｓｅ
ｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ）９００
頁（ゲスナー・ジー・ホーレイ（Ｇｅｓｓｎｅｒ Ｇ．
Ｈａｗｌｅｙ）編、１０編、１９８１）及びカーク・オ
スマ・エンサイクロペディア・オブ・ケミカル・テクノ
ロジー（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅ
ｄｉａ ｏｆＣｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ），２２：５３１−５３３（３編、１９８０）を含む
多くの文献に述べられている。これらの文献は、参照文
献として、ここに含まれている。樹脂酸の例には、アビ
エチン酸及びピマル酸が含まれる。ロジン誘導体は、二
量重合した樹脂酸又は水素化樹脂酸のような樹脂酸誘導
体を含むロジンである。
一例である。ロジンは典型的な場合、いくつかの異なる
化合物の混合物で、その１つは、典型的な場合、樹脂酸
である。これらの材料については、ザ・コンデンスト・
ケミカル・ディクショナリ（Ｔｈｅ Ｃｏｎｄｅｎｓｅ
ｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ）９００
頁（ゲスナー・ジー・ホーレイ（Ｇｅｓｓｎｅｒ Ｇ．
Ｈａｗｌｅｙ）編、１０編、１９８１）及びカーク・オ
スマ・エンサイクロペディア・オブ・ケミカル・テクノ
ロジー（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅ
ｄｉａ ｏｆＣｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ），２２：５３１−５３３（３編、１９８０）を含む
多くの文献に述べられている。これらの文献は、参照文
献として、ここに含まれている。樹脂酸の例には、アビ
エチン酸及びピマル酸が含まれる。ロジン誘導体は、二
量重合した樹脂酸又は水素化樹脂酸のような樹脂酸誘導
体を含むロジンである。
【００２１】本発明のプロセスで用いるのに適したロジ
ンを含む材料には、他のカルボン酸も含まれることが、
考えられる。本発明のプロセスで用いるのに適したすべ
てのロジン含有材料は、水には本質的に不溶で、有機溶
媒には本質的に可溶といった一般的特性をもつ。これら
の材料はまた、基板上の被膜中に形成することもでき
る。ロジンを含む材料は、これらの材料の被膜が基板上
に形成された時、少くとも半透明である。適切なロジン
含有材料は、市販されている。適切な材料の一例は、ロ
ジンゴムで、それはミルウォキー、ウィスコンシンのア
ルドリッヒ社から、入手できる。
ンを含む材料には、他のカルボン酸も含まれることが、
考えられる。本発明のプロセスで用いるのに適したすべ
てのロジン含有材料は、水には本質的に不溶で、有機溶
媒には本質的に可溶といった一般的特性をもつ。これら
の材料はまた、基板上の被膜中に形成することもでき
る。ロジンを含む材料は、これらの材料の被膜が基板上
に形成された時、少くとも半透明である。適切なロジン
含有材料は、市販されている。適切な材料の一例は、ロ
ジンゴムで、それはミルウォキー、ウィスコンシンのア
ルドリッヒ社から、入手できる。
【００２２】本発明のプロセスで用いる保護被膜として
用いるのに適した他の材料例には、無水安息香酸及び２
−ヘキサデカノンが含まれる。これらの材料の融点は、
約６０℃、すなわち、切断テープに固定する時、基板が
加熱される温度より低いため、これらの材料は切断テー
プに基板を固定した後、基板上を被覆する。もう１つの
適切な保護被膜材料である２，２′ビフェノールは、約
６０℃以上の融点をもつが、基板を切断テープに固定し
た後、この材料で基板を被覆するのが、有利である。そ
れは、２，２′ビフェノールは基板にウエハを固定させ
る温度において、粘着性を示すためである。ロジン含有
材料の融点は典型的な場合、約７０℃より十分上である
から、ロジン含有材料は基板を切断テープに固定する前
に、基板上に形成する。
用いるのに適した他の材料例には、無水安息香酸及び２
−ヘキサデカノンが含まれる。これらの材料の融点は、
約６０℃、すなわち、切断テープに固定する時、基板が
加熱される温度より低いため、これらの材料は切断テー
プに基板を固定した後、基板上を被覆する。もう１つの
適切な保護被膜材料である２，２′ビフェノールは、約
６０℃以上の融点をもつが、基板を切断テープに固定し
た後、この材料で基板を被覆するのが、有利である。そ
れは、２，２′ビフェノールは基板にウエハを固定させ
る温度において、粘着性を示すためである。ロジン含有
材料の融点は典型的な場合、約７０℃より十分上である
から、ロジン含有材料は基板を切断テープに固定する前
に、基板上に形成する。
【００２３】保護被膜は基板表面上に、スピン・コー
ト、スプレー、ブラシング及び基板表面上の固体材料の
高温溶融等の多くの様々な方法で、形成される。これら
の被覆方法のすべてが、従来行われているものである。
被膜材料は典型的な場合、室温で固体であるから、基板
に材料を形成する助けとなるよう、溶媒を被膜材料と混
合することが、考えられる。添加する溶媒の量は、所望
の被膜の堅さ及び被膜を基板に形成する方式に依存す
る。この溶媒は、被膜材料を固化させた後、追い出され
る。溶媒は、従来の方法で追い出される。
ト、スプレー、ブラシング及び基板表面上の固体材料の
高温溶融等の多くの様々な方法で、形成される。これら
の被覆方法のすべてが、従来行われているものである。
被膜材料は典型的な場合、室温で固体であるから、基板
に材料を形成する助けとなるよう、溶媒を被膜材料と混
合することが、考えられる。添加する溶媒の量は、所望
の被膜の堅さ及び被膜を基板に形成する方式に依存す
る。この溶媒は、被膜材料を固化させた後、追い出され
る。溶媒は、従来の方法で追い出される。
【００２４】たとえば、被膜材料で基板をスピンコート
するために、被膜はスピン用溶媒と混合する。スピン用
溶媒は、本質的に被膜材料を溶解するが、被膜が基板に
形成された後、蒸発する。溶媒に溶解させた被膜材料の
溶液は、スピンコート可能な材料とよばれる。メタノー
ル、エタノール、イソプロパノールのようなアルコール
及びアセトン及びメチル・エチルケトンのようなケトン
が、適切な溶媒と考えられる。他の適切な溶媒は、当業
者には明らかであろう。
するために、被膜はスピン用溶媒と混合する。スピン用
溶媒は、本質的に被膜材料を溶解するが、被膜が基板に
形成された後、蒸発する。溶媒に溶解させた被膜材料の
溶液は、スピンコート可能な材料とよばれる。メタノー
ル、エタノール、イソプロパノールのようなアルコール
及びアセトン及びメチル・エチルケトンのようなケトン
が、適切な溶媒と考えられる。他の適切な溶媒は、当業
者には明らかであろう。
【００２５】当業者は所望の堅さを有するスピンコート
可能な材料を形成するのに必要な溶媒の量を、決めるで
あろう。もし被膜材料を、ブラッシングのようなある技
術で形成するなら、被膜は基板により形成しやすくする
ため、溶媒と組合わされるであろう。もし、スプレーの
ような技術を用いるなら、スピンコート可能な材料よ
り、液体の堅さを有する被膜材料が、望ましい。
可能な材料を形成するのに必要な溶媒の量を、決めるで
あろう。もし被膜材料を、ブラッシングのようなある技
術で形成するなら、被膜は基板により形成しやすくする
ため、溶媒と組合わされるであろう。もし、スプレーの
ような技術を用いるなら、スピンコート可能な材料よ
り、液体の堅さを有する被膜材料が、望ましい。
【００２６】被膜の厚さは、基板の特性と、その上に形
成されるデバイスに依存して、変るであろう。プロセス
の目的は、デバイスを切断破片から保護することである
から、もし被膜の厚さが、基板上のデバイスを被覆する
のに十分であるなら、有利である。ポリプロピレン・グ
リコール又は他のポリアルキレン・グリコール又は表面
活性剤といった添加物を、被膜材料中に組込むことも、
考えられる。これらの添加物は被膜を柔らかにし、それ
に弾力性をもたせ、除去を容易にする。被膜材料と混合
されるそのような添加物の量は、当業者には、容易に明
らかになる。
成されるデバイスに依存して、変るであろう。プロセス
の目的は、デバイスを切断破片から保護することである
から、もし被膜の厚さが、基板上のデバイスを被覆する
のに十分であるなら、有利である。ポリプロピレン・グ
リコール又は他のポリアルキレン・グリコール又は表面
活性剤といった添加物を、被膜材料中に組込むことも、
考えられる。これらの添加物は被膜を柔らかにし、それ
に弾力性をもたせ、除去を容易にする。被膜材料と混合
されるそのような添加物の量は、当業者には、容易に明
らかになる。
【００２７】もし保護被膜を、ブラッシング又は高温溶
融といった技術を用いて、基板上に形成するなら、被膜
材料を溶媒と組合せる必要はない。たとえば、もしロジ
ン含有材料を基板に形成し、次に少くとも約１２０℃の
温度に加熱するなら、ロジン含有材料は基板上に溶けて
広がり、被膜を形成する。もし、この結果を得るため
に、ロジン含有材料を約１５０℃ないし１６０℃に加熱
するなら、有利である。
融といった技術を用いて、基板上に形成するなら、被膜
材料を溶媒と組合せる必要はない。たとえば、もしロジ
ン含有材料を基板に形成し、次に少くとも約１２０℃の
温度に加熱するなら、ロジン含有材料は基板上に溶けて
広がり、被膜を形成する。もし、この結果を得るため
に、ロジン含有材料を約１５０℃ないし１６０℃に加熱
するなら、有利である。
【００２８】ここで述べたプロセスには、各種の化学式
のものを使用することが、考えられる。当業者には特に
ここで述べたロジン含有材料だけでなく、各種のロジン
含有材料が、本プロセスで同様に効果的であることが、
明らかであろう。
のものを使用することが、考えられる。当業者には特に
ここで述べたロジン含有材料だけでなく、各種のロジン
含有材料が、本プロセスで同様に効果的であることが、
明らかであろう。
【００２９】
【実施例１】ロジン含有保護被膜を有するウエハの方形切断 アルコール中に４０重量パーセントのロジンを含む溶液
を、ロジンゴム（４０ｇ）及びイソプロパノール（６０
ｇ）の混合物を加熱することにより、作成した。溶液
は、ロジンが溶液中に溶解するまで、混合した。次に溶
液は、室温まで冷却した。次に、溶液の一部（１０ｇ）
を、上に１００マルチチップ・モジュールを組立てたシ
リコンウエハ上に、被膜として形成した。ロジンはアル
デリック社から得たロジンゴムであった。マルチチップ
・モジュール２０が、図１に示されている。ウエハはス
ピンコート装置中に置かれ、被膜をウエハ表面上に分散
させ、過剰な材料を除くため、１００ｒｐｍの速度で３
０秒間、回転させた。
を、ロジンゴム（４０ｇ）及びイソプロパノール（６０
ｇ）の混合物を加熱することにより、作成した。溶液
は、ロジンが溶液中に溶解するまで、混合した。次に溶
液は、室温まで冷却した。次に、溶液の一部（１０ｇ）
を、上に１００マルチチップ・モジュールを組立てたシ
リコンウエハ上に、被膜として形成した。ロジンはアル
デリック社から得たロジンゴムであった。マルチチップ
・モジュール２０が、図１に示されている。ウエハはス
ピンコート装置中に置かれ、被膜をウエハ表面上に分散
させ、過剰な材料を除くため、１００ｒｐｍの速度で３
０秒間、回転させた。
【００３０】被覆されたウエハは次に、高温プレート上
で約１００℃の温度に加熱し、その温度に約３又は４分
保った。次に、ウエハは高温プレートから除き、室温ま
で冷却させ、次にウエハのロジン被覆表面を上にして、
方形切断リング上に、マウントした。方形切断リングは
切断プロセス中に、ウエハの位置を保つ圧力に敏感な固
着テープを備えた。圧力に敏感なテープは、セミコンダ
クタ装置社から入手したニットー・テープであった。
で約１００℃の温度に加熱し、その温度に約３又は４分
保った。次に、ウエハは高温プレートから除き、室温ま
で冷却させ、次にウエハのロジン被覆表面を上にして、
方形切断リング上に、マウントした。方形切断リングは
切断プロセス中に、ウエハの位置を保つ圧力に敏感な固
着テープを備えた。圧力に敏感なテープは、セミコンダ
クタ装置社から入手したニットー・テープであった。
【００３１】次に、方形切断リングを方形切断装置、す
なわちディスコ社から入手したディスコ・ソー中に置
き、ウエハは典型的な方式で、方形切断した。ウエハを
方形切断した後、上にウエハをマウントした方形切断リ
ングは、イソプロパノールの槽中に、約３０秒間浸し
た。槽は方形切断プロセス中、ウエハ表面上に堆積した
粒子の除去を加速し、ウエハ表面上に保護被膜を溶解さ
せるため、方形切断リングにより、かく拌した。上にウ
エハがマウントされた方形切断リングを、メタノール槽
中に、約３０秒間浸した。今度は基板上に残った被膜部
分の除去を容易にするため、再びかく拌した。方形切断
リングを槽からとり出した後、ウエハの表面を、脱イオ
ン水で洗浄した。ウエハ表面は窒素をウエハ表面上に吹
きつけることにより、乾燥させた。方形切断されたウエ
ハは、プロセスがニットーテープを劣化させないため、
プロセス中、ニットーテープ上にマウントされたままで
ある。
なわちディスコ社から入手したディスコ・ソー中に置
き、ウエハは典型的な方式で、方形切断した。ウエハを
方形切断した後、上にウエハをマウントした方形切断リ
ングは、イソプロパノールの槽中に、約３０秒間浸し
た。槽は方形切断プロセス中、ウエハ表面上に堆積した
粒子の除去を加速し、ウエハ表面上に保護被膜を溶解さ
せるため、方形切断リングにより、かく拌した。上にウ
エハがマウントされた方形切断リングを、メタノール槽
中に、約３０秒間浸した。今度は基板上に残った被膜部
分の除去を容易にするため、再びかく拌した。方形切断
リングを槽からとり出した後、ウエハの表面を、脱イオ
ン水で洗浄した。ウエハ表面は窒素をウエハ表面上に吹
きつけることにより、乾燥させた。方形切断されたウエ
ハは、プロセスがニットーテープを劣化させないため、
プロセス中、ニットーテープ上にマウントされたままで
ある。
【００３２】
【実施例２】上に無水安息香酸の保護被膜を有するウエハの方形切断 シリコンウエハは圧力に敏感なテープにより、方形切断
リング上に、マウントした。イソプロパノール（１０重
量％溶液の３ｇ）中の無水安息香酸溶液を、シリコンウ
エハの表面上に注いだ。次にマウントされたウエハは、
溶液の広がりを均一にするため、傾けてまわした。次
に、マウントされたウエハは４５℃のオーブン中に１０
分間置き、イソプロパノールを蒸発させ、得られた被膜
はシリコンウエハの表面上のパターンを目視で認識でき
るよう、十分澄んでいた。次に、ウエハは実施例１で述
べた方形切断のこを用いて、切断された。方形切断の
後、マウントされた切断されたウエハは純粋なメタノー
ル槽中に１分間保ち、取り出した。湿った被膜の残留物
は、メタノールをしめらせた木綿の雑巾で静かにこすり
とり、被膜の残った部分を除去するため、方形切断され
たウエハを、再びメタノール槽中に置いた。マウントさ
れた方形切断ウエハは、槽からとり出し、脱イオン水で
洗浄し、シリコンの表面上に窒素を吹きつけることによ
り、乾燥させた。
リング上に、マウントした。イソプロパノール（１０重
量％溶液の３ｇ）中の無水安息香酸溶液を、シリコンウ
エハの表面上に注いだ。次にマウントされたウエハは、
溶液の広がりを均一にするため、傾けてまわした。次
に、マウントされたウエハは４５℃のオーブン中に１０
分間置き、イソプロパノールを蒸発させ、得られた被膜
はシリコンウエハの表面上のパターンを目視で認識でき
るよう、十分澄んでいた。次に、ウエハは実施例１で述
べた方形切断のこを用いて、切断された。方形切断の
後、マウントされた切断されたウエハは純粋なメタノー
ル槽中に１分間保ち、取り出した。湿った被膜の残留物
は、メタノールをしめらせた木綿の雑巾で静かにこすり
とり、被膜の残った部分を除去するため、方形切断され
たウエハを、再びメタノール槽中に置いた。マウントさ
れた方形切断ウエハは、槽からとり出し、脱イオン水で
洗浄し、シリコンの表面上に窒素を吹きつけることによ
り、乾燥させた。
【００３３】
【実施例３】２，２′−ビフェノール被膜を有するウエハの方形切断 ２，２′−ビフェノールの溶液を、イソプロパノール中
（１０重量％）中に作成した。２，２′ビフェノールは
アルデリック・ケミカル社から入手した。溶液をウエハ
上に供給し、ウエハは実施例２で述べたプロセスに従
い、方形切断した。
（１０重量％）中に作成した。２，２′ビフェノールは
アルデリック・ケミカル社から入手した。溶液をウエハ
上に供給し、ウエハは実施例２で述べたプロセスに従
い、方形切断した。
【００３４】
【実施例４】上に無水安息香酸の被膜を有するウエハの方形切断 イソプロパノール中の２−ヘキサデカノンの溶液（１０
重量％）を、作成した。２−ヘキサデカノンはアルデリ
ック・ケミカル社から入手した。溶液はウエハ上に供給
し、実施例２で述べたプロセスに従い、ウエハを方形切
断した。
重量％）を、作成した。２−ヘキサデカノンはアルデリ
ック・ケミカル社から入手した。溶液はウエハ上に供給
し、実施例２で述べたプロセスに従い、ウエハを方形切
断した。
【図１】フリップ−チップ・マルチチップ・モジュール
の側面図。
の側面図。
【図２】保護被膜をその上に有するフリップ−チップ・
マルチチップ・モジュールの側面図。
マルチチップ・モジュールの側面図。
【図３】個々のチップがその上に形成された方形切断テ
ープ上のウエハの上面図。
ープ上のウエハの上面図。
【符号の説明】 １０ 基板 ２０ デバイス、モジュール ２３ はんだバンプ、バンプ ２５ 空間 ５０ （本文中になし） ５５ 固着切断テープ、固着テープ ６５ 保護被膜 ７０ 方形切断線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 丸山 英行 (56)参考文献 特開 昭63−217642（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−124244（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/78 H01L 21/304
Claims (12)
- 【請求項１】 実質的に水に不要で、かつ実質的に低級
アルキルアルコール有機溶媒に可溶な材料で、少なくと
も半透明な皮膜を、複数のデバイスがその上に形成され
た基板上に形成することを含む、基板を方形切断（ダイ
シング）するためのプロセスにおいて、 材料は、脂肪族部分および芳香族部分を含む類から選択
された有機部分、および、水酸基、カルボニル基、およ
びカルボキシル基を含む類から選択された極性官能基を
有する化合物を含み、 ここで、化合物はロジン含有化
合物、無水安息香酸（benzoic anhydride）、２ヘキサ
デカノン（2-hexadecanone）あるいは２，２‘−ビフェ
ノール（2,2'-biphenol）であることを特徴とするプロ
セス。 - 【請求項２】 ロジン含有化合物は、ロジン含有材料
は、樹脂酸および樹脂酸の誘導体を含む類から選択され
た有機酸を含む、請求項１に記載のプロセス。 - 【請求項３】 基板は、デバイスの間に形成された方形
切断路を有する、請求項１に記載のプロセス。 - 【請求項４】 低級アルキルアルコール有機溶媒は、メ
タノール、エタノール、プロパノールおよびイソプロパ
ノールを含む類から選択される、請求項１に記載のプロ
セス。 - 【請求項５】 ロジン含有材料は、基板上に皮膜を形成
する前にスピン用溶媒に溶解させ、皮膜はスピンコート
により基板上に形成される、請求項１に記載のプロセ
ス。 - 【請求項６】 基板上のデバイス間に方形切断路を形成
し、方形切断路に沿って基板を方形切断し、方形切断路
は半透明材料を通して可視である、請求項１に記載のプ
ロセス。 - 【請求項７】 基板を被覆する前に、スピン用溶媒と材
料を組み合わせることを含む、請求項１に記載のプロセ
ス。 - 【請求項８】 皮膜材料は１０−８０重量パーセントの
ロジン含有材料を含むか、あるいは２０−６０重量パー
セントのロジン含有材料を含むか、または３０−５０重
量パーセントのロジン含有材料を含む、請求項７に記載
のプロセス。 - 【請求項９】 皮膜材料はさらに、皮膜を柔らかくする
ための添加物を含む、請求項７に記載のプロセス。 - 【請求項１０】 添加物は、ポリアルキレン・グリコー
ルである、請求項９に記載のプロセス。 - 【請求項１１】 ロジン含有材料を基板上に置き、ロジ
ン含有材料を、基板表面上に溶融したロジン含有材料の
皮膜が形成されるのに十分な温度に加熱することによ
り、ロジン含有材料で基板を皮膜する、請求項１に記載
のプロセス。 - 【請求項１２】 ロジン含有材料は、少なくとも１２０
℃に加熱される、請求項１１に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/220,771 US5516728A (en) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | Process for fabircating an integrated circuit |
| US220771 | 1994-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283175A JPH07283175A (ja) | 1995-10-27 |
| JP3335035B2 true JP3335035B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=22824902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07429595A Expired - Fee Related JP3335035B2 (ja) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | 集積回路の作製プロセス |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5516728A (ja) |
| EP (1) | EP0675536B1 (ja) |
| JP (1) | JP3335035B2 (ja) |
| KR (1) | KR100371120B1 (ja) |
| CA (1) | CA2143077C (ja) |
| DE (1) | DE69525273T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US5832585A (en) * | 1996-08-13 | 1998-11-10 | National Semiconductor Corporation | Method of separating micro-devices formed on a substrate |
| US5923995A (en) * | 1997-04-18 | 1999-07-13 | National Semiconductor Corporation | Methods and apparatuses for singulation of microelectromechanical systems |
| DE19756325A1 (de) * | 1997-12-18 | 1999-07-01 | Daimler Chrysler Ag | Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| US6150240A (en) * | 1998-07-27 | 2000-11-21 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for singulating semiconductor devices |
| JP3516592B2 (ja) * | 1998-08-18 | 2004-04-05 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6251705B1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-06-26 | Agere Systems Inc. | Low profile integrated circuit packages |
| US6507082B2 (en) * | 2000-02-22 | 2003-01-14 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
| US6656768B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip assembly of protected micromechanical devices |
| KR100332967B1 (ko) * | 2000-05-10 | 2002-04-19 | 윤종용 | 디지털 마이크로-미러 디바이스 패키지의 제조 방법 |
| US6335224B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-01-01 | Sandia Corporation | Protection of microelectronic devices during packaging |
| US6420206B1 (en) | 2001-01-30 | 2002-07-16 | Axsun Technologies, Inc. | Optical membrane singulation process utilizing backside and frontside protective coating during die saw |
| KR100451950B1 (ko) * | 2002-02-25 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법 |
| US6580054B1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-06-17 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
| US6582983B1 (en) * | 2002-07-12 | 2003-06-24 | Keteca Singapore Singapore | Method and wafer for maintaining ultra clean bonding pads on a wafer |
| US6759276B1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Material to improve CMOS image sensor yield during wafer sawing |
| US7071032B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Material to improve image sensor yield during wafer sawing |
| US20070065964A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-22 | Yinon Degani | Integrated passive devices |
| US7297567B2 (en) | 2006-01-10 | 2007-11-20 | Knowles Electronics, Llc. | Method for singulating a released microelectromechanical system wafer |
| DE102006025671B4 (de) * | 2006-06-01 | 2011-12-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen |
| JP5011981B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-08-29 | 富士通株式会社 | デバイス素子製造方法およびダイシング方法 |
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