JP2018129365A - ダイシング用保護膜基材、ダイシング用保護膜組成物、ダイシング用保護シート、及び被加工ウエーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態に係るダイシング用保護膜基材(以下、単に「基材」ということがある。)は、酸無水物由来のモノマー構成単位を含む共重合体からなる。
本実施形態に係るダイシング用保護膜組成物(以下、単に保護膜組成物ということがある。)は、上述した基材と、溶媒とを含む。本実施形態に係る保護膜組成物は、上述した基材を含むことから、ダイシング時の耐水性に優れ、かつ水系剥離剤による除去が容易である。
保護膜の膜厚の上限は、特に限定されるものではないが、好ましくは1000nm以下、より好ましくは800nm以下である。
本実施形態に係るダイシング用保護シート(以下、単に保護シートということがある。)は、上述した基材を含む保護層を備える。本実施形態に係る保護シートは、ウエーハの加工面上に貼付されて使用される。本実施形態に係る保護シートは、上述した基材を含むことから、ダイシング時の耐水性に優れ、かつアルカリ液による除去が容易である。
本実施形態に係る被加工ウエーハの製造方法は、上述した基材を含む保護膜がウエーハの加工面上に形成された状態で、保護膜及び加工面をダイシングする工程(以下、「ダイシング工程」ということがある。)と、保護膜をアルカリ液に接触させてウエーハの加工面から除去する工程(以下、「除去工程」ということがある。)と、を有する。
ダイシング工程は、ウエーハと保護膜とを一括して小片に切断してチップ化する工程であり、公知のダイシング装置を用いて行うことができる。例えば、以下のように行う。まず、保護膜が形成されたウエーハの加工面とは反対側の裏面全面にダイシングシートを貼着し、ダイシング装置のウエーハリングに取り付ける。そして、ダイシング装置のダイヤモンド微粒が貼付された回転ブレードによって切削部分に水を吐出させながら、ダイシングラインに沿ってウエーハと保護膜とを一括して切断する。これにより、ウエーハは、ダイシングシートに貼り付いている状態でチップ化されている。
除去工程は、保護膜をアルカリ液からなる剥離液に接触させてウエーハから除去する工程である。例えば、上述したウエーハリングに取り付けられた状態(ダイシングシートに貼着された状態)のままのウエーハを、アルカリ液からなる剥離液に浸漬し、必要に応じて撹拌する。これにより、保護膜とダイシング工程で発生した切削クズとダイヤモンド微粒を同時に容易に除去することができる。このとき、本発明で用いる保護膜はアルカリ液への溶解性に優れるため、除去は穏やかな条件でも短時間に行うことができ、例えば5〜30℃、5〜600秒(具体的には300秒以下、200秒以下、100秒以下、50秒以下、20秒以下、15秒以下であってよい。)で行うことができる。
(保護膜組成物の調製)
スチレン無水マレイン酸共重合体(分子量:5500、商品名:SMA−1000、川原油化社製)4質量部を、4質量%のアンモニア水溶液90質量部に溶解させ、孔径0.4μmのフィルターにより濾過して、保護膜組成物を調製した。
上記保護膜組成物をスピンコータで回転数を調整しながらシリコンウエーハ上に塗布し、100℃で30秒乾燥させ、膜厚110nmとなる保護膜を得た。
実施例1で得られた保護膜組成物をスピンコータで回転数を調整しながらシリコンウエーハ上に塗布し、100℃で30秒乾燥させ、膜厚170nmとなる保護膜を得た。
実施例1、2で得られたシリコンウエーハ上の保護膜を、23℃の各種液(脱イオン水、5質量%のアンモニア水溶液(NH3aq)、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(TMAH))に浸漬し、保護膜の溶解性を評価した。
実施例2で得られたシリコンウエーハ上の保護膜を、濃度及びpHが異なるアンモニア水溶液中(23℃)に浸漬し、保護膜の溶解試験を行った。その結果を図1に示す。
スチレン無水マレイン酸共重合体(分子量:9500、商品名:SMA−3000、川原油化社製)4質量部を、4質量%のアンモニア水溶液90質量部に溶解させ、孔径0.4μmのフィルターにより濾過して、保護膜組成物を調製した。そして、実施例1と同様に、スピンコータで回転数を調整しながらシリコンウエーハ上に塗布し、100℃で30秒乾燥させ、膜厚900nmとなる保護膜を得た。
特開2006−140311号公報の[0064]に記載のポリビニルアルコールを純水に溶解し固形分濃度10質量%の保護膜用組成物を得た。そして、実施例1と同様に、スピンコータで回転数を調整しながらシリコンウエーハ上に塗布し、100℃で30秒乾燥させ、膜厚1400nmとなる保護膜を得た。
有機溶剤剥離型のネガ系レジスト材料(商品名:OMR100、東京応化工業株式会社製)を、実施例1と同様に、スピンコータで回転数を調整しながらシリコンウエーハ上に塗布し、120℃で60秒乾燥、暴露(500mJ/cm2(ghi線))し、膜厚1300nmとなる保護膜を得た。
実施例3及び比較例1、2の保護膜を各種液(脱イオン水、5質量%のアンモニア水溶液(NH3aq)、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(TMAH))に23℃10分間浸漬し、各保護膜の溶解性をそれぞれ調べた。その結果を表1に示す。なお、表1中、評価基準は、下記の通りである。
◎:1秒以内に溶解しはじめる
〇:3秒以内に溶解しはじめる
×:溶解しない
Claims (10)
- 酸無水物由来のモノマー構成単位を含む共重合体からなるダイシング用保護膜基材。
- 前記共重合体は、疎水性モノマー由来のモノマー構成単位を更に含む請求項1記載の基材。
- 前記疎水性モノマーはスチレンを含む請求項2記載の基材。
- 前記共重合体は、重量平均分子量3000以上20000以下である請求項1から3いずれか記載の基材。
- 請求項1から4いずれか記載の基材と、溶媒と、を含むダイシング用保護膜組成物。
- 前記溶媒は、アルカリ性のアミン系溶媒を含む請求項5記載のダイシング用保護膜組成物。
- 請求項1から4いずれか記載の基材を含む保護層を備えるダイシング用保護シート。
- 請求項1から4いずれか記載の基材を含む保護膜がウエーハの加工面上に形成された状態で、前記保護膜及び前記加工面をダイシングする工程と、
前記保護膜をアルカリ液に接触させて前記加工面から除去する工程と、を有する被加工ウエーハの製造方法。 - 前記アルカリ液は、アルカリ性のアミン系溶媒を含む請求項8記載の方法。
- 前記除去は、60nm膜厚/秒以上の速度で行う請求項8又は9記載の方法。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
WO2020209127A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
WO2023002846A1 (ja) | 2021-07-20 | 2023-01-26 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | ダイシング保護層用の樹脂組成物及び半導体ウェハの加工方法 |
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---|---|---|---|---|
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02189384A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Kuraray Co Ltd | アルカリ水可溶性ホットメルト型接着剤 |
JPH05230433A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-07 | Kuraray Co Ltd | ラベル用接着剤 |
JP2008024771A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 半導体レジスト樹脂の保護膜用樹脂製造方法及び半導体の製造方法 |
JP2011045890A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Kansai Paint Co Ltd | レーザー加工方法 |
Family Cites Families (6)
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02189384A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Kuraray Co Ltd | アルカリ水可溶性ホットメルト型接着剤 |
JPH05230433A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-07 | Kuraray Co Ltd | ラベル用接着剤 |
JP2008024771A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 半導体レジスト樹脂の保護膜用樹脂製造方法及び半導体の製造方法 |
JP2011045890A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Kansai Paint Co Ltd | レーザー加工方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020209127A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
WO2023002846A1 (ja) | 2021-07-20 | 2023-01-26 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | ダイシング保護層用の樹脂組成物及び半導体ウェハの加工方法 |
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