KR20180109430A - 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법 - Google Patents
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Abstract
기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법이 개시되고, 이러한 방법은 다음 단계들: 1. 웨이퍼의 앞쪽 측면 상에 다이싱 보호 코팅의 층을 코팅하는 단계; 2. 상기 코팅된 웨이퍼를 웨이퍼 다이싱 기계 안에 배치하고 상기 웨이퍼를 기계식 절단 도구를 사용하여 절단하는 단계; 및 3. 수성 세정제 또는 아세톤에 담그거나 수정 세정제 또는 아세톤으로 스프레이함으로써 상기 다이싱 보호 코팅을 제거하는 단계를 포함한다. 레이저 절단과 비교하여, 상술한 방법을 이용하는 것의 비용이 현저히 더 낮고, 기계식 절단 공정 동안의 실리콘 먼지 오염 및 깨짐 손상 문제가 방지되거나 최소화된다. 더욱이, 그러한 다이싱 보호 코팅은 직접적인 스프레이 또는 담금을 사용하여 제거될 수 있고, 이러한 단순하고 편리한 접근법은 원래의 웨이퍼에 어떠한 손상도 야기하지 않는다.
Description
본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기술 분야에 관한 것으로, 더 구체적으로는 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱(dicing)하는 방법에 관한 것이다.
오늘날, 칩 패키징(chip packaging) 공정은 기능성 웨이퍼를 개별 칩들로 먼저 절단한 다음, 그 칩들을 반도체 컴포넌트로 패키지화하는 것을 포함한다. 웨이퍼 절단 공정은 매우 중요하고, 종래 기술에서는 종종 2가지 상이한 방법으로 행해진다. 한 가지 방법은 다이아몬드 쏘(saw)를 이용한 기계식 다이싱이다. 이러한 기계식 다이싱 공정은 비용면에서 저렴하지만, 특히 웨이퍼가 얇고 부서지기 쉬울 때에는 다이싱 스트리트(dicing street)를 따라 깨짐(chipping)을 야기하기가 쉽고, 웨이퍼 무결성(integrity)을 손상시킨다. 절단 후, 실리콘(silicon) 먼지는 웨이퍼 표면을 오염시킬 수 있고, 웨이퍼 다이싱 스트리트를 따라 커다란 크기의(large-sized) 깨짐이 발생할 수 있으며, 이것은 차례로 다이싱 수율에 부정적인 영향을 미칠 것이다. 다른 웨이퍼 다이싱 방법은 다이싱 라인들을 따라 웨이퍼를 애블레이팅(ablate)하기 위해 레이저를 사용하는 것이다. 레이저 다이싱은 흔히 기계식 절단과 연관된 위 결점들을 감소시키지만 비용이 훨씬 더 많이 들어, 그것의 광범위한 적용을 가로막는다.
본 발명은 종래 기술의 결점들을 극복하는, 기계식 다이싱 쏘(dicing saw)를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법을 제공한다. 이러한 방법은 웨이퍼 다이싱 스트리트에 손상을 주지 않고 또한 웨이퍼 표면에서의 실리콘 먼지 오염을 방지하면서, 웨이퍼를 다이싱하기 위한 저렴한 비용의 해결책을 제공한다.
깨짐 및 오염 과제들을 해결하기 위해, 본 발명은 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법을 제안하고, 이러한 방법은 다음 단계들:
S1) 웨이퍼의 앞쪽 기능 측면(front functional side) 상에 다이싱 보호 코팅의 층을 마련하는 단계;
S2) 상기 웨이퍼를 다이싱하기 위해, 상기 코팅된 웨이퍼를 기계식 웨이퍼 다이싱 기계 안에 배치하는 단계; 및
S3) 웨이퍼 다이싱 후 상기 웨이퍼 앞쪽 측면 상에 담금(soaking) 또는 스프레잉에 의해 상기 보호 코팅을 세정제로 제거하는 단계
를 포함한다.
이러한 보호 코팅은 투명하고, 방수가 되며, 수성(aqueous) 세정액에 녹을 수 있다. 단계 S3에서는, 다이싱 웨이퍼를 세정제에 담그거나 수성 세정액을 웨이퍼 앞면 상에 스프레이하는 것은 상기 다이싱 보호 코팅을 제거한다.
다이싱 보호 코팅은 하기 중량 백분율의 재료,
폴리머 수지 20~55%
용해 용매 40~70%
기능성 첨가제 1~10%
로 만들어진다.
상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%와 같다.
수성 세정액은 하기 중량 백분율의 재료,
탈이온수 80~90%
계면 활성제 1~5%
박리제 5~10%; 및
약알칼리성(alkalescency) 액체 혼합물 3~5%
로 만들어진다.
상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%와 같다.
다이싱 보호 코팅은 웨이퍼의 앞쪽 측면 상에 코팅 용액을 스핀 코팅, 스프레잉 또는 스크린 프린팅(screen printing)한 다음, 웨이퍼의 앞면 상에 부착하는 박막을 형성하기 위하여 베이킹(baking)을 통해 용매를 제거함으로써 형성될 수 있다.
위와 같은 방법으로, 본 발명은 다음과 같은 장점이 있다. 본 발명은 양호한 방수성과 수성 세정액에 녹을 수 있는 다이싱 보호 코팅을 가지고, 이러한 다이싱 보호 코팅은 다이싱 이전에 웨이퍼 상의 기능성 다이(die)들을 커버하는 웨이퍼의 앞면 상에 코팅되며, 그것으로서 다이싱될 웨이퍼가 향상된 강도를 갖고, 다이싱 후 웨이퍼의 표면은 어떠한 실리콘 먼지도 발생하지 않으면서 매우 매끄럽다. 다이싱 후, 웨이퍼는 수성 세정액 내에 직접 담그어 질 수 있거나, 수성 세정액으로 스프레이될 수 있다. 이러한 수성 세정액은 웨이퍼의 앞쪽 측면 상의 보호 코팅을 녹여서, 흠 없이 깨끗한 다이싱된 웨이퍼를 획득한다. 레이저 절단과 비교하여, 위 방법은 비용이 훨씬 덜 들고, 종래 기술과 연관된 오염 및 손상 문제점들을 최소화한다. 그리고 그러한 다이싱 보호 코팅은 직접적인 스프레잉이나 담금(soaking)에 의해 제거될 수 있고, 이것은 간단하며 편리하고, 원 웨이퍼 상의 칩들에 어떠한 손상도 일으키지 않을 것이다.
이제 전형적인 실시예와 함께 본 발명이 상세히 설명될 것이다.
본 발명은 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법을 제공하고, 이러한 방법은 다음 단계들을 포함한다.
S1) 웨이퍼의 앞쪽 측면 상에 다이싱 보호 코팅의 층을 마련하는 단계
상기 코팅은 방수이나, 수성 세정액에 녹을 수 있다.
다이싱 보호 코팅은 하기의 중량 백분율의 재료들,
폴리머 수지(들)
20-55%,
용해되는 용매(들)
40-70%, 및
기능성 첨가제
1-10%
로 이루어진다.
상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%이다.
상기 코팅에 적합한 폴리머 수지들은 코폴리에스테르(copolyesters), 코폴리아미드-에스테르(copolyamide-ester), 코폴리에테르-에스테르(copolyether-ester), 폴리아크릴레이트(polyacrylates), 폴리비닐아세테이트(polyvinylacetate), 개질된 폴리비닐알코올(modified polyvinylalcohol), 개질된 폴리비닐패로리돈(modified polyvinylparrolidone), 개질된 셀룰로오스(modified cellulose) 등, 및 상기 폴리머들의 임의의 조합을 포함한다. 바람직하게, 그러한 적용을 위한 폴리머 수지들은 물에 분산이 될 수 있는 수지 또는 수지 결합물들이다.
위 재료들에 적합한 용매들은 에탄올(ethanol), 프로판올(propanol), 이소-프로판올(iso-propanol), 부틸 알코올(butyl alcohol), 헥산 알코올(hexane alcohol), DMF, DMAC, DMSO, 아세톤(acetone), 메틸에틸 케톤(methylethyl ketone) 등, 및 이들의 결합물들과 같은 유기 용매들을 포함한다. 바람직한 용매는 30℃보다 높고 200℃보다 낮은 끓는점을 갖는다. 특히, 디메틸 설폭사이드(DMSO)는 무독성이고 무해한 재료라는 점에서 바람직하다.
첨가제들은 화학적 속성에서 실리콘(silicone), 플루오로 폴리머, 폴리아크릴레이트 또는 코폴리머계 거품제거제(defoamer), 유동제(flowing agent) 및 습윤제(wetting agent)일 수 있고, 폴리아크릴레이트 코폴리머들이 바람직하다.
S2) 다이싱을 위하여 상기 코팅된 웨이퍼를 웨이퍼 다이싱 기계 안에 배치하는 단계, 여기서, 다이싱 도구는 싱귤레이션(singulation) 및 드릴링(drilling)을 위하여 상기 웨이퍼의 코팅된 측면으로부터 절단한다.
S3) 다이싱된 웨이퍼를 세정 배스(cleaner bath)에 담그거나 다이싱된 웨이퍼 상의 보호 코팅 상에 수성 세정액을 스프레이함으로써 상기 보호 코팅을 제거하는 단계
상기 수성 세정액은 하기 중량 백분율의 재료들:
탈이온수
80~90%
계면 활성제
1~5%
박리제
5~10%; 및
약알칼리성 액체 혼합물
3~5%
로 만들어진다.
위 재료들의 중량 백분율의 합은 100%와 같다.
상기 계면 활성제는 지방족 술폰산염, 알킬-아릴-술폰산염, 및 알킬-나프틸-술폰산염 중 하나를 포함한다. 상기 약알칼리성 액체 혼합물은 NaOH 또는 KOH로 마련된다. 상기 박리제는 개질된 유기실란의 염기성 염을 포함한다. 개질된 유기실란의 염기성 염은, 폴리에테르 개질된 유기실록산의 4차 암모늄의 염, 폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산염의 염, 및 폴리에테르 개질된 폴리실록산 인산염의 염 중 하나 이상을 포함한다.
상기 다이싱 보호 코팅은 웨이퍼의 앞쪽 측면 상에 액체를 스핀-코팅, 스프레이 또는 스크린-프린팅한 다음, 고온 단계들 상에서의 베이킹(baking) 및 웨이퍼의 앞면에 부착된 코팅으로의 응고를 통해 용매를 제거함으로써 마련된다.
위 방법을 가지고, 본 발명에는 다음과 같은 장점이 있다. 즉, 본 발명은 양호한 방수성을 갖고 수성 세정액에 녹을 수 있는, 웨이퍼 상의 기능성 장치를 커버하는 웨이퍼의 앞면에 부착된 다이싱 보호 코팅을 갖는다. 그러한 웨이퍼는 향상된 기계적 강도를 갖고, 다이아몬드 쏘 커팅 시 웨이퍼의 다이싱 스트리트는 어떠한 먼지도 발생하지 않으면서 매우 매끄럽게 된다. 절단 후, 웨이퍼는 수성 세정액 내에 직접 담그어질 수 있거나, 수성 세정액으로 스프레이될 수 있다. 이러한 수성 세정액은 웨이퍼의 앞면 상의 다이싱 보호 코팅을 용해할 것이다. 다이싱된 웨이퍼는 결함들과 표면 오염이 없고, 훨씬 더 향상된 수율을 달성한다.
이제 실험 데이터와 연계된 설명이 이루어진다: 표 1은 다이싱 보호 코팅의 제1 실시예와 그것의 시험 데이터를 보여준다. 다이싱 보호 코팅은 웨이퍼의 앞쪽 측면 상에 스핀 코팅된 다음, 오븐에서 15분간 65℃의 온도로 베이킹되어, 투명한 코팅막을 형성한다. 상기 코팅의 방수성은 아래에 표시된 시간 기간 동안 90℃의 뜨거운 물에 담금으로써 테스트된다. 다이싱 보호 코팅을 가진 웨이퍼의 무게는 담그기 전후에 측정되어 다음의 데이터를 얻는다.
| 다이싱 보호 코팅의 제재 1 | |||
| 코폴리에스테르 | 40% |
|
|
| DMAC | 59.6% | ||
| 표면 조절제(surface control agent) | 0.4% | ||
| 90℃ 뜨거운 물 담금 테스트 | |||
| 표본 중량 (웨이퍼+보호 코팅)(g) | |||
| 담금 시간 | 담금 이전 | 담금 이후/100℃에서 10분 간 건조 | 방수 효과 |
| 5분 | 24.9802 | 24.9802 | OK |
| 10분 | 24.9802 | 24.9802 | OK |
| 15분 | 24.9802 | 24.9804 | OK |
| 20분 | 24.9802 | 24.9803 | OK |
20분 동안 90℃의 뜨거운 물에 담근 후, 표본 중량은 변화되지 않음을 알 수 있고, 이것은 보호 코팅이 물에 녹지 않는다는 점을 가리킨다.
표 2는 다이싱 보호 코팅의 제2 실시예와 그것의 시험 데이터를 보여준다. 다이싱 보호 코팅은 웨이퍼의 앞쪽 측면에 스핀 코팅된 다음, 오븐에서 10분간 100℃의 온도로 베이킹되어, 웨이퍼 상에 투명한 코팅을 형성한다. 코팅의 방수성은 아래에 표시된 시간 기간 동안 90℃의 뜨거운 물에 담금으로써 테스트된다. 다이싱 보호 코팅을 갖는 웨이퍼의 중량은 담그기 전후에 측정되어 다음의 데이터를 얻는다.
| 다이싱 보호 코팅의 제재 2 | |||
| 폴리아미드-에스테르 | 38% |
|
|
| DMF | 61.5% | ||
| 습윤제 | 0.5% | ||
| 90℃ 뜨거운 물 담금 테스트 | |||
| 표본 중량 (웨이퍼+보호 코팅)(g) | |||
| 담금 시간 | 담금 이전 | 담금 이후/100℃에서 10분 간 건조 | 방수 효과 |
| 5분 | 24.9799 | 24.9799 | OK |
| 10분 | 24.9799 | 24.9800 | OK |
| 15분 | 24.9799 | 24.9801 | OK |
| 20분 | 24.9799 | 24.9800 | OK |
20분 동안 90℃의 뜨거운 물에 담근 후, 웨이퍼 표본의 중량은 변화되지 않음을 알 수 있고, 이것은 다이싱 보호 코팅이 물에 손상되지 않은 채, 양호한 방수성을 가지며, 웨이퍼 다이싱 공정 또는 유사한 공정 동안에 기계식 절단 도구를 냉각시키기 위해 물을 스프레이하기 위한 요건들을 충족시킨다는 점을 나타낸다.
수성 세정액의 제재 1은,
탈이온수
83%
도데실 술폰산염 나트륨(Sodium Dodecyl Sulfonate; SDS) 4%
폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산 나트륨
9%
NaOH
4%
를 포함한다.
테스트는 제1 실시예의 다이싱 보호 코팅이 담금에 의해 완전히 제거될 수 있고, 제2 실시예의 다이싱 보호 코팅이 스프레이에 의해 완전히 제거될 수 있음을 보여준다.
수성 세정액의 제재 2는,
탈이온수
85%
도데실 술폰산염 칼륨(Potassium Dodecyl Sulfonate)
3%
폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산 칼륨
7%
KOH
5%
를 포함한다.
테스트는 제1 실시예의 다이싱 보호 코팅이 담금에 의해 완전히 제거될 수 있고, 제2 실시예의 다이싱 보호 코팅은 스프레잉에 의해 완전히 제거될 수 있음을 보여준다.
테스트는 또한 제재 1 및 2로부터 이루어진 다이싱 보호 코팅이 아세톤에 담그거나, 또는 코팅 상에 아세톤을 스프레이하고, IPA와 탈이온수로 헹굼으로써 또한 제거될 수 있음을 보여준다.
Claims (10)
- 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법으로서,
S1) 웨이퍼의 앞쪽 기능 측면 상에 다이싱 보호 코팅의 층을 코팅하는 단계;
S2) 상기 기계식 절단 도구로 절단하기 위하여 상기 코팅된 웨이퍼를 웨이퍼 다이싱 기계 안에 배치하는 단계; 및
S3) 다이싱 후, 담금(soaking) 세정법 또는 분무(spraying) 세정법 중 적어도 하나에 의해 상기 다이싱 보호 코팅을 제거하는 단계
를 포함하고,
상기 다이싱 보호 코팅은 하기의 코팅 재료들,
폴리머 수지(들) 20-55%,
용해되는 용매(들) 40-70%, 및
기능성 첨가제 1-10%
로 이루어지고, 상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%인
웨이퍼 다이싱 방법. - 제1항에 있어서,
상기 다이싱 보호 코팅은 방수이나, 수성 세정액에 녹을 수 있고, 상기 다이싱 보호 코팅은 상기 단계 S3에서 수성 세정액으로 담금 세척 또는 스프레이 세척에 의해 제거되는
웨이퍼 다이싱 방법. - 제1항에 있어서,
상기 보호 코팅을 위한 폴리머 수지들은 코폴리에스테르(copolyesters), 코폴리아미드-에스테르(copolyamide-ester), 코폴리에테르-에스테르(copolyether-ester), 폴리아크릴레이트(polyacrylates), 폴리비닐아세테이트(polyvinylacetate), 개질된 폴리비닐알코올(modified polyvinylalcohol), 개질된 폴리비닐패로리돈(modified polyvinylparrolidone), 개질된 셀룰로오스(modified cellulose), 및 이들의 임의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는
웨이퍼 다이싱 방법. - 제1항에 있어서,
적용을 위한 폴리머 수지들은 물에 분산이 가능한(waterdispersible) 수지 또는 수지 결합물들인
웨이퍼 다이싱 방법. - 제1항에 있어서,
상기 용매들은 에탄올(ethanol), 프로판올(propanol), 이소-프로판올(iso-propanol), 부틸 알코올(butyl alcohol), 헥산 알코올(hexane alcohol), DMF, DMAC, DMSO, 아세톤(acetone), 메틸에틸 케톤(methylethyl ketone), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는
웨이퍼 다이싱 방법. - 제2항에 있어서,
상기 수성 세정액은 하기 중량 백분율의 재료들:
탈이온수 80~90%
계면 활성제 1~5%
박리제 5~10%; 및
약알칼리성 액체 혼합물 3~5%
로 만들어지고,
상기 재료들의 중량 백분율의 합은 100%인
웨이퍼 다이싱 방법. - 제6항에 있어서,
상기 계면 활성제는 지방족 술폰산염, 알킬-아릴-술폰산염, 및 알킬-나프틸-술폰산염 중 하나를 포함하고, 상기 약알칼리성 액체 혼합물은 NaOH 또는 KOH로 마련되며, 상기 박리제는 개질된 유기실란의 염기성 염을 포함하는
웨이퍼 다이싱 방법. - 제6항에 있어서,
상기 개질된 유기실란의 염기성 염은, 폴리에테르 개질된 유기실록산(organosiloxane)의 4차 암모늄 염, 폴리에테르 개질된 폴리실록산 황산염의 염, 및 폴리에테르 개질된 폴리실록산 인산염의 염 중 하나 이상을 포함하는
웨이퍼 다이싱 방법. - 제1항에 있어서,
상기 다이싱 보호 코팅은 상기 단계 S3에서 아세톤으로 스프레이하거나 또는 아세톤에 담금으로써 제거되는
웨이퍼 다이싱 방법. - 제1항에 있어서,
상기 다이싱 보호 코팅은 상기 웨이퍼의 앞쪽 측면 상에 액체를 스핀-코팅, 스프레잉 또는 스크린-프린팅한 다음, 상기 웨이퍼에 부착된 막을 형성하도록 베이킹함으로써 형성되는
웨이퍼 다이싱 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170039165A KR101909045B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170039165A KR101909045B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180109430A true KR20180109430A (ko) | 2018-10-08 |
| KR101909045B1 KR101909045B1 (ko) | 2018-10-18 |
Family
ID=63864784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170039165A KR101909045B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101909045B1 (ko) |
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|---|---|---|---|---|
| KR102273359B1 (ko) | 2020-12-04 | 2021-07-06 | (주)네온테크 | 다이싱 장치, 그 제조방법 및 스텝컷된 전자 부품칩의 검사방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006191152A (ja) * | 2002-06-18 | 2006-07-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5454780B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2014-03-26 | 日産化学工業株式会社 | 半導体素子保護膜用塗布組成物 |
| KR20170003934A (ko) * | 2014-12-18 | 2017-01-10 | 저지앙 마이크로테크 머테리얼 컴퍼니 리미티드 | 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법 |
-
2017
- 2017-03-28 KR KR1020170039165A patent/KR101909045B1/ko active IP Right Grant
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| JP5454780B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2014-03-26 | 日産化学工業株式会社 | 半導体素子保護膜用塗布組成物 |
| KR20170003934A (ko) * | 2014-12-18 | 2017-01-10 | 저지앙 마이크로테크 머테리얼 컴퍼니 리미티드 | 기계식 절단 도구를 사용하여 웨이퍼를 절단하는 방법 |
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