JPS6018139B2 - マスク製作方法 - Google Patents
マスク製作方法Info
- Publication number
- JPS6018139B2 JPS6018139B2 JP58221102A JP22110283A JPS6018139B2 JP S6018139 B2 JPS6018139 B2 JP S6018139B2 JP 58221102 A JP58221102 A JP 58221102A JP 22110283 A JP22110283 A JP 22110283A JP S6018139 B2 JPS6018139 B2 JP S6018139B2
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- JP
- Japan
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- film
- chromium
- resist
- chromium oxide
- etching
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、主に半導体装置の製造工程において用いられ
るフオトマスクであるクロムマスクの製作方法に関する
。
るフオトマスクであるクロムマスクの製作方法に関する
。
近年半導体装鷹、特に微細パターンを要する半導体装置
の製造において、写真製版工程で使用されるフオトマス
ク材料としてのクロムプレートは、従来のェマルジョン
マスクに比較して寿命、微細パターンの可能性等の点に
おいて多くの利点を有する。
の製造において、写真製版工程で使用されるフオトマス
ク材料としてのクロムプレートは、従来のェマルジョン
マスクに比較して寿命、微細パターンの可能性等の点に
おいて多くの利点を有する。
このようなクロムプレートは、透明なガラス基板上にス
パッタ法又は黍着法等によりクロム膜を５００〜１００
０Ａ程度の厚さに形成したものである。このクロムプレ
ートは、更にその上にＯＭＲ，ＫＴＦＲ，ＡＺ等のフオ
トレジスト又はＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）
、ＰＢＳ（ポリプデンスルフオン）、ＣＯＰ（メタクリ
ル酸グリシジルーアクリル酸エチル共重合体）等の電子
線用レジストを塗布し、所望のパターンを光又は電子線
により照射してフオトマスクを製作する。パターンを形
成するとき、クロム膜のエッチングには、従釆、硝酸第
２セリウムアンモニウム〔Ｃｅ（ＮＨ４）２（ＮＱ）６
〕と、過塩素酸〔ＨＣ〆ｏ４〕との混合水溶液等による
則ち薬品によるウェットケミカルエッチングが適用され
ていたが、近年、ガスプラズマ又は反応性スパッタを利
用したドライエッチング技術が開発されたため、この技
術によるエッチングも適用されるようになっていた。と
ころで、クロム膜のドライエッチングは、主に塩素など
のハロゲン元素と酸素とを含んだ混合ガスをグロー放電
させることによって、Ｃｒ＋２０十次そ→Ｃｒ０２Ｃ夕
２と推測される反応によって達成される。
パッタ法又は黍着法等によりクロム膜を５００〜１００
０Ａ程度の厚さに形成したものである。このクロムプレ
ートは、更にその上にＯＭＲ，ＫＴＦＲ，ＡＺ等のフオ
トレジスト又はＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）
、ＰＢＳ（ポリプデンスルフオン）、ＣＯＰ（メタクリ
ル酸グリシジルーアクリル酸エチル共重合体）等の電子
線用レジストを塗布し、所望のパターンを光又は電子線
により照射してフオトマスクを製作する。パターンを形
成するとき、クロム膜のエッチングには、従釆、硝酸第
２セリウムアンモニウム〔Ｃｅ（ＮＨ４）２（ＮＱ）６
〕と、過塩素酸〔ＨＣ〆ｏ４〕との混合水溶液等による
則ち薬品によるウェットケミカルエッチングが適用され
ていたが、近年、ガスプラズマ又は反応性スパッタを利
用したドライエッチング技術が開発されたため、この技
術によるエッチングも適用されるようになっていた。と
ころで、クロム膜のドライエッチングは、主に塩素など
のハロゲン元素と酸素とを含んだ混合ガスをグロー放電
させることによって、Ｃｒ＋２０十次そ→Ｃｒ０２Ｃ夕
２と推測される反応によって達成される。
このようなクロム膜のエッチング即ちドライエッチング
が盛んに利用されるようになって理由は、超ＬＳＩの製
造で微細加工が必要とされるようになったところにある
。
が盛んに利用されるようになって理由は、超ＬＳＩの製
造で微細加工が必要とされるようになったところにある
。
つまり、ウエットエッチングでは、半導体装置の基板と
しジストとの接着性が問題となり、パターンの微細化が
困難となるためである。クロム膜のマスクを製作する際
、従釆はマスクの使用目的に応じて、ポジ型レジストと
ネガ型レジストを使い分けている。
しジストとの接着性が問題となり、パターンの微細化が
困難となるためである。クロム膜のマスクを製作する際
、従釆はマスクの使用目的に応じて、ポジ型レジストと
ネガ型レジストを使い分けている。
しかし、このような使い分けによって製作工程が煩雑と
なり、レジストの使い分けを誤る危険も少なくなかった
。このため、現像、エッチング等の各処理工程を分ける
必要が生じ、マスク製作工程の煩雑化を招く結果となつ
ていた。この場合、クロム膜のドライエッチングにおけ
るェッテングスピードは、クロム膜に含まれる不純物、
例えば酸素不純物に大きく関連していることが知られて
いる。
なり、レジストの使い分けを誤る危険も少なくなかった
。このため、現像、エッチング等の各処理工程を分ける
必要が生じ、マスク製作工程の煩雑化を招く結果となつ
ていた。この場合、クロム膜のドライエッチングにおけ
るェッテングスピードは、クロム膜に含まれる不純物、
例えば酸素不純物に大きく関連していることが知られて
いる。
この不純物は、タングステン、モリブデン等の金属の不
純物であってもよく、これによって更にエッチングスピ
−ドが変化することがわかった。このような不純物は、
蒸着工程においてヒータの材質等によってもたらされた
ものと思われる。オージェ分析によると、クロムに対し
てタングステン、モリブデン等が１／１０〜１／５の割
合で混入された場合には、クロム膜のエッチングスピー
ドが極端に低下することがわかつた。〔発明の概要〕 本発明は、前述の事実に注目して従来技術の改良を行な
うものであり、本発明のマスク製作方法は、ガラス基板
の上に形成されたクロム膜又は酸化クロム膜上に金属イ
オンを注入したイオン注入領域を形成し、この上にレジ
ストを塗布した後パターンをＸ線又は電子線の照射によ
って形成し、ガスプラズマにより上記しジストを塗布し
た領域の上記クロム膜又は酸化クロム膜を除去すること
により、製作方法が簡単なマスク製作方法を提供するこ
とを目的とするものである。
純物であってもよく、これによって更にエッチングスピ
−ドが変化することがわかった。このような不純物は、
蒸着工程においてヒータの材質等によってもたらされた
ものと思われる。オージェ分析によると、クロムに対し
てタングステン、モリブデン等が１／１０〜１／５の割
合で混入された場合には、クロム膜のエッチングスピー
ドが極端に低下することがわかつた。〔発明の概要〕 本発明は、前述の事実に注目して従来技術の改良を行な
うものであり、本発明のマスク製作方法は、ガラス基板
の上に形成されたクロム膜又は酸化クロム膜上に金属イ
オンを注入したイオン注入領域を形成し、この上にレジ
ストを塗布した後パターンをＸ線又は電子線の照射によ
って形成し、ガスプラズマにより上記しジストを塗布し
た領域の上記クロム膜又は酸化クロム膜を除去すること
により、製作方法が簡単なマスク製作方法を提供するこ
とを目的とするものである。
以下、この発明の一実施例を図面に基いて詳細に説明す
る。
る。
図において、ガラス基板１の上にスパッタ又は蒸着法に
より、酸化クロム膜２を被着形成する。
より、酸化クロム膜２を被着形成する。
次に、この酸化クロム膜２に対してイオン注入技術によ
り、タングステン、モリブデン、鉄、鋼等の金属イオン
を注入して第１図に示すようにイオン注入領域３を形成
する。このイオン注入領域３の上にレジスト膜４を第２
図に示すように選択的に形成する。このレジスト膜４は
、例えばポジ型のＡＺ１３５０ ネガ型のＯＭＲ、ＫＴ
ＦＲあるいは最近のパターン微細化の点で注目されてい
るＰＭＭ旧、Ｐ斑等の電子線用ポジ型レジスト、あるい
はＣＯＰ等の電子線用ネガ型レジストである。
り、タングステン、モリブデン、鉄、鋼等の金属イオン
を注入して第１図に示すようにイオン注入領域３を形成
する。このイオン注入領域３の上にレジスト膜４を第２
図に示すように選択的に形成する。このレジスト膜４は
、例えばポジ型のＡＺ１３５０ ネガ型のＯＭＲ、ＫＴ
ＦＲあるいは最近のパターン微細化の点で注目されてい
るＰＭＭ旧、Ｐ斑等の電子線用ポジ型レジスト、あるい
はＣＯＰ等の電子線用ネガ型レジストである。
そして、この基板に対してガスプラズマによるエッチン
グを行なう。このエッチングにおいては、レジスト膜４
が分解して、例えば水素、一酸化炭素等を生成し、酸化
クロム膜２及びイオン注入領域３と反応することによっ
てレジスト膜４の周辺からエッチングが進行する。これ
によって、第３図に示すような基板が形成され、更にエ
ッチングが進行すると、最終的には、第４図に示すよう
に、レジスト膜４で覆われていた部分の酸化クロム膜２
及びイオン注入領域３が全て除去された基板を得る。こ
のようにして、レジスト膜４で覆われていた部分の酸化
クロム膜２及びイオン注入領域３がエッチングされた理
由は、十分に解明されてはいない。
グを行なう。このエッチングにおいては、レジスト膜４
が分解して、例えば水素、一酸化炭素等を生成し、酸化
クロム膜２及びイオン注入領域３と反応することによっ
てレジスト膜４の周辺からエッチングが進行する。これ
によって、第３図に示すような基板が形成され、更にエ
ッチングが進行すると、最終的には、第４図に示すよう
に、レジスト膜４で覆われていた部分の酸化クロム膜２
及びイオン注入領域３が全て除去された基板を得る。こ
のようにして、レジスト膜４で覆われていた部分の酸化
クロム膜２及びイオン注入領域３がエッチングされた理
由は、十分に解明されてはいない。
しかし、前述のように、レジスト膜４がガスプラズマ中
で分解し、これによって生成された水素及び一酸化炭素
等の物質がタングステン等を含む酸化クロム膜２及びイ
オン注入領域３と反応し「更にこれに対してガスプラズ
マ中のハロゲン元素等と反応してエッチングが進むもの
と推測されている。なお、上述の実施例では酸化クロム
膜について説明したが、これがクロム膜であっても同様
である。
で分解し、これによって生成された水素及び一酸化炭素
等の物質がタングステン等を含む酸化クロム膜２及びイ
オン注入領域３と反応し「更にこれに対してガスプラズ
マ中のハロゲン元素等と反応してエッチングが進むもの
と推測されている。なお、上述の実施例では酸化クロム
膜について説明したが、これがクロム膜であっても同様
である。
本発明は、タングステン、モリブデン等の金属イオンを
注入した酸化クロムを用いることによって、レジストで
覆われている領域をエッチングする反転エッチングがで
きるので、本発明によればレジスト膜を除去する工程を
省略できるので、マスク製作工程を簡略化することがで
きる。
注入した酸化クロムを用いることによって、レジストで
覆われている領域をエッチングする反転エッチングがで
きるので、本発明によればレジスト膜を除去する工程を
省略できるので、マスク製作工程を簡略化することがで
きる。
第１図乃至第４図は本発明に係るマスク製作方法の各工
程における基板の断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・酸化クロム膜、３・・・
イオン注入領域、４・・・レジスト。 第１図 第２図 第３図 第４図
程における基板の断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・酸化クロム膜、３・・・
イオン注入領域、４・・・レジスト。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ ガラス基板の上にスパツタ又は蒸着法によりクロム
膜又は酸化クロム膜を形成する工程と、上記クロム膜又
な酸化クロム膜に金属イオンを注入してイオン注入の領
域を形成する工程と、上記イオン注入の領域上にレジス
トを塗布した後Ｘ線又は電子線を照射し現象によりパタ
ーンを形成する工程と、ガスプラズマによって上記レジ
ストを塗布した領域の上記クロム膜又は酸化クロム膜を
除去する工程とを備えたことを特徴とするマスク製作方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221102A JPS6018139B2 (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | マスク製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221102A JPS6018139B2 (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | マスク製作方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53003129A Division JPS5910055B2 (ja) | 1978-01-13 | 1978-01-13 | マスク製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016422A JPS6016422A (ja) | 1985-01-28 |
| JPS6018139B2 true JPS6018139B2 (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=16761519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221102A Expired JPS6018139B2 (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | マスク製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018139B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5516728A (en) * | 1994-03-31 | 1996-05-14 | At&T Corp. | Process for fabircating an integrated circuit |
| US7183201B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
| WO2003021659A1 (en) | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
| US6960413B2 (en) | 2003-03-21 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for etching photomasks |
| US7077973B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
| US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| JP4997501B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2012-08-08 | 株式会社インターパック | 反転搬送装置 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58221102A patent/JPS6018139B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6016422A (ja) | 1985-01-28 |
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