JPS6016422A - マスク製作方法 - Google Patents
マスク製作方法Info
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- JPS6016422A JPS6016422A JP58221102A JP22110283A JPS6016422A JP S6016422 A JPS6016422 A JP S6016422A JP 58221102 A JP58221102 A JP 58221102A JP 22110283 A JP22110283 A JP 22110283A JP S6016422 A JPS6016422 A JP S6016422A
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- Japan
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- film
- etching
- resist
- chromium
- oxide film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、主に半導体装置の製造工程において用いらｎ
るフォトマスクであるクロムマスクの製作方法に関する
。
るフォトマスクであるクロムマスクの製作方法に関する
。
近年半導体装置、特に微細パターン７要する半導体装置
の聴道において、写真製版工程で使用さｎるフォトマス
ク材料としてのクロムプレートは、従来のエマルジッン
マスクに比較して寿命、微測パターンの可能性等の点に
おいて多くの利点を有する。このようなりロムプレート
は、透明なガラス基板上にスパッタ法又は蒸着法等によ
りクロム膜？５００〜１００ＯＡ程度の厚さに形成しｔ
ものである。このクロムプレートは、更にその上にＱＭ
Ｒ。
の聴道において、写真製版工程で使用さｎるフォトマス
ク材料としてのクロムプレートは、従来のエマルジッン
マスクに比較して寿命、微測パターンの可能性等の点に
おいて多くの利点を有する。このようなりロムプレート
は、透明なガラス基板上にスパッタ法又は蒸着法等によ
りクロム膜？５００〜１００ＯＡ程度の厚さに形成しｔ
ものである。このクロムプレートは、更にその上にＱＭ
Ｒ。
ＫＴＦＲ，ＡＺ等のフォトレジスト又はＰＭＭＡ （ポ
リメチルメタクリレート）、ＰＢＳ（ポリプデンスルフ
ォン）ＩＧＯＰＣメタクリル酸グリシジル−アクリｌし
酸エチｌし共重合体）等の電子線用レジス）ｋ塗布し、
所望のパターンを光又は電子線により照射してフォトマ
スク？製作する。パターン會形成するとき、クロム膜の
エツチングには、従来、硝酸第２セリウムアンモニウム
（Ｃｅ （ＮＨ４）９ （ＮＯｓ）ｓ〕と、過塩素酸［
：ＨＣＬＯ４］との混合水溶液等による即ち薬品による
ウェットケミカルエツチングが適用されていたが、近年
、ガスプラズマ又は反応性スパッタを利用したドライエ
ツチング技術が開発さｎたため、この技術によるエツチ
ングも適用さｎるようになった。
リメチルメタクリレート）、ＰＢＳ（ポリプデンスルフ
ォン）ＩＧＯＰＣメタクリル酸グリシジル−アクリｌし
酸エチｌし共重合体）等の電子線用レジス）ｋ塗布し、
所望のパターンを光又は電子線により照射してフォトマ
スク？製作する。パターン會形成するとき、クロム膜の
エツチングには、従来、硝酸第２セリウムアンモニウム
（Ｃｅ （ＮＨ４）９ （ＮＯｓ）ｓ〕と、過塩素酸［
：ＨＣＬＯ４］との混合水溶液等による即ち薬品による
ウェットケミカルエツチングが適用されていたが、近年
、ガスプラズマ又は反応性スパッタを利用したドライエ
ツチング技術が開発さｎたため、この技術によるエツチ
ングも適用さｎるようになった。
ところで、クロム膜のドライエツチングは、主に塩素な
どのハロゲン元素と酸素とを含んだ混合ガスをグロー放
電させることによって・”ｒ＋２０＋２ ＣＬ−＊Ｃｒ
Ｏ，ＣＬ、と推測さ几る反応によって達成さｎる。
どのハロゲン元素と酸素とを含んだ混合ガスをグロー放
電させることによって・”ｒ＋２０＋２ ＣＬ−＊Ｃｒ
Ｏ，ＣＬ、と推測さ几る反応によって達成さｎる。
このようなりロム膜のエツチング即ちドライエツチング
が盛んに利用されるようになった理由は、超ＬＳＩの製
造で微細加工が必要とさ扛るようになったところにある
。つまり、ウェットエツチングでは、半導体装置の基板
とレジストとの接着性が問題となり、パターンの１ｌｌ
ｎ化が困難となるためである。
が盛んに利用されるようになった理由は、超ＬＳＩの製
造で微細加工が必要とさ扛るようになったところにある
。つまり、ウェットエツチングでは、半導体装置の基板
とレジストとの接着性が問題となり、パターンの１ｌｌ
ｎ化が困難となるためである。
クロム膜のマスクを製作する際、従来はマスクの使用目
的に応じて、ポジ型レジストとネガ型しジスト會使い分
けている。しかし、このような使い分けによって製作工
程が煩雑となり、レジスタの使い分け？誤る危険も少な
くなかった。このため、現像、エツチング等の各処埠工
程會分ける必要が生じ、マスク製作工程の煩雑化紮招く
結果となっていた。
的に応じて、ポジ型レジストとネガ型しジスト會使い分
けている。しかし、このような使い分けによって製作工
程が煩雑となり、レジスタの使い分け？誤る危険も少な
くなかった。このため、現像、エツチング等の各処埠工
程會分ける必要が生じ、マスク製作工程の煩雑化紮招く
結果となっていた。
この場合、クロム膜のドライエツチングにおけるエツチ
ングスピードは、クロム膜に含まれる不純物、例えば酸
素不純物に大きく関連していることが知られている。こ
の不純物は、タングステンｔモリグデン等の金属の不純
物であってもよく、これによって史にエツチングスピー
ドが変化することがわかった。このような不純物は、蒸
着工程においてヒータの材質等によってもたらさｆした
ものと恨わｎる。オージェ分析によると、クロムに対し
てタングステン、モリブデン等が１／１０〜１１５の割
合で混入さｎｙｔ場合には、クロム膜のエツチングスピ
ードが極端に凹下することがわかった。
ングスピードは、クロム膜に含まれる不純物、例えば酸
素不純物に大きく関連していることが知られている。こ
の不純物は、タングステンｔモリグデン等の金属の不純
物であってもよく、これによって史にエツチングスピー
ドが変化することがわかった。このような不純物は、蒸
着工程においてヒータの材質等によってもたらさｆした
ものと恨わｎる。オージェ分析によると、クロムに対し
てタングステン、モリブデン等が１／１０〜１１５の割
合で混入さｎｙｔ場合には、クロム膜のエツチングスピ
ードが極端に凹下することがわかった。
本発明は、前述の事実に注目して従来技術の改良全行な
うものであり、本発明のマスク製作方法は、ガラス基板
の上に形成されたクロム膜又は酸化クロム膜上に金属イ
オン全注入したイオン注入領域音形成し、この上にレジ
ストを塗布した後パターンｔｘｔａ又は電子線の照射に
よって形成し３、ガスプラズマにより上記Ｖシスト會塗
布した領域の上記クロム膜又は酸化クロム膜？除去する
ことによυ％製作方法が簡単なマスク製作方法を提供す
ること金目的とするものである。
うものであり、本発明のマスク製作方法は、ガラス基板
の上に形成されたクロム膜又は酸化クロム膜上に金属イ
オン全注入したイオン注入領域音形成し、この上にレジ
ストを塗布した後パターンｔｘｔａ又は電子線の照射に
よって形成し３、ガスプラズマにより上記Ｖシスト會塗
布した領域の上記クロム膜又は酸化クロム膜？除去する
ことによυ％製作方法が簡単なマスク製作方法を提供す
ること金目的とするものである。
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明
する。
する。
図において、ガラス基板（１）の上にスパッタ又は蒸着
法により・酸化クロム膜（２） ｆ １１着形成する。
法により・酸化クロム膜（２） ｆ １１着形成する。
次に、この酸化クロム膜（２）に対してイオン注入技術
により、タングステン、モリブデン、鉄、銅等の金属イ
オンを注入して図（Ａ）に示すようにイオン注入領域鳳
３）全形成する。このイオン注入領域１３）の上にレジ
スト膜（４）を図ＣＢ）に示すように選択的に形成する
。このレジスト膜（４）は、例えばポジ型のＡＺ１８５
０、ネガ型のＱＭＲ，ＫＴｐＲあるいは最近のパターン
１ｊＩｔｆａ化の点で注目さｎているＰ Ｍ Ｍ Ｒ。
により、タングステン、モリブデン、鉄、銅等の金属イ
オンを注入して図（Ａ）に示すようにイオン注入領域鳳
３）全形成する。このイオン注入領域１３）の上にレジ
スト膜（４）を図ＣＢ）に示すように選択的に形成する
。このレジスト膜（４）は、例えばポジ型のＡＺ１８５
０、ネガ型のＱＭＲ，ＫＴｐＲあるいは最近のパターン
１ｊＩｔｆａ化の点で注目さｎているＰ Ｍ Ｍ Ｒ。
ＰＢＳ等の電子線用ポジ型レジスト、あるいはＣＯＰ等
の電子線用ネガ型レジストである。そして、この基板に
対してガスプラズマによるエツチングを行なう。このエ
ツチングにおいては、レジスト膜（４）が分解して、例
えば水素、−酸化炭素等を生成し、酸化クロム膜（２）
及びイオン注入領域（３）と反応することによってレジ
スト膜（４）の周辺からエツチングが進行する。こ几に
よって、図（Ｃ）に示すような基板が形成さｎ、更にエ
ツチングが進行すると、最終的には、図ＣＤ）に示すよ
うに、レジスト膜（４）で覆わｎていた部分の酸化クロ
ム膜１２１及びイオン注入領域（３）が全て除去さｔ′
１．ｌと基板？得る。
の電子線用ネガ型レジストである。そして、この基板に
対してガスプラズマによるエツチングを行なう。このエ
ツチングにおいては、レジスト膜（４）が分解して、例
えば水素、−酸化炭素等を生成し、酸化クロム膜（２）
及びイオン注入領域（３）と反応することによってレジ
スト膜（４）の周辺からエツチングが進行する。こ几に
よって、図（Ｃ）に示すような基板が形成さｎ、更にエ
ツチングが進行すると、最終的には、図ＣＤ）に示すよ
うに、レジスト膜（４）で覆わｎていた部分の酸化クロ
ム膜１２１及びイオン注入領域（３）が全て除去さｔ′
１．ｌと基板？得る。
このようにし又、レジスト膜（４）でりわれていた部分
の酸化クロム膜（２）及びイオン注入領域（３）がエツ
チングさｎる理由は、十分に解明さｎてはいない。しか
じ％ １３ｉＪ述のように、レジスト膜（４）がガスプ
ラズマ中で分解し、こ扛によって生成さｔまた水素及び
−酸化炭素等の物質がタングステン等ケ含む酸化クロム
膜（２）及びイオン注入領域（３）と反応し、更にこれ
に対してガスプラズマ中のハロゲン元素等と反応してエ
ツチングが進むものと推測されている。
の酸化クロム膜（２）及びイオン注入領域（３）がエツ
チングさｎる理由は、十分に解明さｎてはいない。しか
じ％ １３ｉＪ述のように、レジスト膜（４）がガスプ
ラズマ中で分解し、こ扛によって生成さｔまた水素及び
−酸化炭素等の物質がタングステン等ケ含む酸化クロム
膜（２）及びイオン注入領域（３）と反応し、更にこれ
に対してガスプラズマ中のハロゲン元素等と反応してエ
ツチングが進むものと推測されている。
なお、上述の実施例では酸化クロム膜について説明した
が、こ肚がクロム膜であっても同様でおる。
が、こ肚がクロム膜であっても同様でおる。
本発明は、タングステン、モリブデン等の金属イオン會
注入した酸化クロム音用いることによって、レジストで
覆わｎている領域？エツチング゛する反転エツチングが
できるので、本発明によｎばレジスト膜を除去する工程
を省略できるので、マスク製作工程全簡略化すること力
五できる。
注入した酸化クロム音用いることによって、レジストで
覆わｎている領域？エツチング゛する反転エツチングが
できるので、本発明によｎばレジスト膜を除去する工程
を省略できるので、マスク製作工程全簡略化すること力
五できる。
図は酸化クロム膜を用いたいわゆる反転エツチングの各
工程における基板の断面図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）・・・酸化クロム膜、
（３）・・・イオン注入領域、（４）・・・レジスト。 代理人 大岩増雄 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−２２１１０２号２、発明
の名称 マスク製作方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正命令の日付 昭和６９年６月２９日１．・−／
’−＋Ｌ＼ べＬｉ、、 ；ＩＸ：ゝゝ−１ ５９・−）） ６、補正の対象 図面、明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の簡単な
説明の欄 ７、 補正の内容 （１）図面を別紙のとおり補正する。 （２）明細書第５頁第１４行目に［−図（４）Ｊとある
のを「第１図」と補正する。 （３）明細書第５頁第１６行目に「図（Ｂ）」とあるの
を「第２図」と補正する。 （４）明細書第６頁第７行目に「図（０」とあるのを「
−第８図」と補正する。 （５）明細書第６頁第９行目に１図（Ｄ）」とあるのを
「第４図」と補正する。 （６）明細書第７頁第１２行目乃至同頁第１８行目に「
図は・・・断面図である。」とあるのを「第１図乃至第
４図は本発明に係るマスク製作方法の各工程における基
板の断面図である。Ｊ 以上
工程における基板の断面図である。 （１）・・・ガラス基板、（２）・・・酸化クロム膜、
（３）・・・イオン注入領域、（４）・・・レジスト。 代理人 大岩増雄 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−２２１１０２号２、発明
の名称 マスク製作方法 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ６、補正命令の日付 昭和６９年６月２９日１．・−／
’−＋Ｌ＼ べＬｉ、、 ；ＩＸ：ゝゝ−１ ５９・−）） ６、補正の対象 図面、明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の簡単な
説明の欄 ７、 補正の内容 （１）図面を別紙のとおり補正する。 （２）明細書第５頁第１４行目に［−図（４）Ｊとある
のを「第１図」と補正する。 （３）明細書第５頁第１６行目に「図（Ｂ）」とあるの
を「第２図」と補正する。 （４）明細書第６頁第７行目に「図（０」とあるのを「
−第８図」と補正する。 （５）明細書第６頁第９行目に１図（Ｄ）」とあるのを
「第４図」と補正する。 （６）明細書第７頁第１２行目乃至同頁第１８行目に「
図は・・・断面図である。」とあるのを「第１図乃至第
４図は本発明に係るマスク製作方法の各工程における基
板の断面図である。Ｊ 以上
Claims (1)
- ガラス基板の上にスパッタ又は蒸着法によりクロム膜又
は酸化クロム膜？形成する工程と、上記クロム膜又は酸
化クロム膜に金属イオンを注入してイオン注入の領域全
形成する工程と、上記イオン注入の領域上にレジスト全
塗布した後Ｘ線又は電子線を照射し現像によりパターン
を形成する工程と、ガスプラズマによって上記レジスト
全塗布した領域の上記クロム膜又は酸化クロム膜全除去
する工程と？備えたことを特徴とするマスク製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221102A JPS6018139B2 (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | マスク製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221102A JPS6018139B2 (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | マスク製作方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53003129A Division JPS5910055B2 (ja) | 1978-01-13 | 1978-01-13 | マスク製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016422A true JPS6016422A (ja) | 1985-01-28 |
| JPS6018139B2 JPS6018139B2 (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=16761519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221102A Expired JPS6018139B2 (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | マスク製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018139B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371120B1 (ko) * | 1994-03-31 | 2003-03-19 | 에이티 앤드 티 코포레이션 | 기판다이싱프로세스 |
| US6960413B2 (en) | 2003-03-21 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for etching photomasks |
| US7018934B2 (en) | 2001-09-04 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
| US7077973B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
| US7183201B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
| JP2008063027A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Interpack Co Ltd | 反転搬送装置 |
| US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58221102A patent/JPS6018139B2/ja not_active Expired
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371120B1 (ko) * | 1994-03-31 | 2003-03-19 | 에이티 앤드 티 코포레이션 | 기판다이싱프로세스 |
| US7183201B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
| US7244672B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
| US7018934B2 (en) | 2001-09-04 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
| US6960413B2 (en) | 2003-03-21 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for etching photomasks |
| US7371485B2 (en) | 2003-03-21 | 2008-05-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for etching photomasks |
| US7077973B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
| US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| US7682518B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-03-23 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a metal layer suitable for use in photomask fabrication |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| JP2008063027A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Interpack Co Ltd | 反転搬送装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6018139B2 (ja) | 1985-05-09 |
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