JPS5994434A - 半導体素子の脱着方法 - Google Patents
半導体素子の脱着方法Info
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- JPS5994434A JPS5994434A JP20422182A JP20422182A JPS5994434A JP S5994434 A JPS5994434 A JP S5994434A JP 20422182 A JP20422182 A JP 20422182A JP 20422182 A JP20422182 A JP 20422182A JP S5994434 A JPS5994434 A JP S5994434A
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- adhesive layer
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- phenol resin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハ（以下ウェハという）を素子小片
に切断分離後脱着する方法及び該方法に用いるウェハ固
定用接着型薄板に関するものである０ 近時、印刷技術や不純物の選択拡散技術の飛躍的な進歩
と共に、ウニノ・の素子の集積度が向上し、６４にビッ
トの超ＬＳＴ用素子が開発されている０かかる素子は非
常に精密であるだめに、従来の如く、ウェハの素子形状
に沿って罫掻棒で傷を付け、その後折り曲げることによ
って素子小片に分割する手法では、分離精度が悪く、シ
かもかけたりするといった不都合が生じる。
に切断分離後脱着する方法及び該方法に用いるウェハ固
定用接着型薄板に関するものである０ 近時、印刷技術や不純物の選択拡散技術の飛躍的な進歩
と共に、ウニノ・の素子の集積度が向上し、６４にビッ
トの超ＬＳＴ用素子が開発されている０かかる素子は非
常に精密であるだめに、従来の如く、ウェハの素子形状
に沿って罫掻棒で傷を付け、その後折り曲げることによ
って素子小片に分割する手法では、分離精度が悪く、シ
かもかけたりするといった不都合が生じる。
そのだめに、ウェハの素子形状に沿って回転丸刃によっ
て基盤目状に切断分離する手法が用いられるようになっ
た。
て基盤目状に切断分離する手法が用いられるようになっ
た。
この手法は、ウェハを予め接着型薄板に仮着固定してお
き、ウェハを回転丸刃で素子形状に沿って垂直に切断す
るものであるが、この切断時丸刃は感圧接着剤層或いは
基材のプラスチックフィルムの一部まで切り入れられる
ことは屡々で、むしろ完全切断という意味から感圧接着
剤層或いは基材の一部まで切り入れられるのを常として
いるものである。
き、ウェハを回転丸刃で素子形状に沿って垂直に切断す
るものであるが、この切断時丸刃は感圧接着剤層或いは
基材のプラスチックフィルムの一部まで切り入れられる
ことは屡々で、むしろ完全切断という意味から感圧接着
剤層或いは基材の一部まで切り入れられるのを常として
いるものである。
一方、丸刃を用いてウェハを切断する際、摩擦によ、る
発熱を冷却する目的と、切断ぐずを除去する目的で、２
ｋｇ／−程度の水圧が加えられた水で洗浄するために、
この水圧に耐えるだけの接着力が要求される・そこで近
時プラスチックフィルムの片面に感圧接着剤層を設けた
粘着フィルムがウェハ固定用の薄板として用いられるよ
うになった。
発熱を冷却する目的と、切断ぐずを除去する目的で、２
ｋｇ／−程度の水圧が加えられた水で洗浄するために、
この水圧に耐えるだけの接着力が要求される・そこで近
時プラスチックフィルムの片面に感圧接着剤層を設けた
粘着フィルムがウェハ固定用の薄板として用いられるよ
うになった。
しかしながら、ウェハ切断後は、水などによる洗浄及び
乾燥工程を経て、マウント工程に送り込まれるものであ
るが、従来の粘着フィルムタイプの薄板では素子の保持
能力が不充分なために、洗浄工程での素子の脱落が多い
という欠点があり、反対に粘着フィルムの接着力を強め
ておくと、脱落はないが、マウント時吸引装置で吸引脱
着しようとしても間単に剥がれないという欠点を有する
ものであ、た。
乾燥工程を経て、マウント工程に送り込まれるものであ
るが、従来の粘着フィルムタイプの薄板では素子の保持
能力が不充分なために、洗浄工程での素子の脱落が多い
という欠点があり、反対に粘着フィルムの接着力を強め
ておくと、脱落はないが、マウント時吸引装置で吸引脱
着しようとしても間単に剥がれないという欠点を有する
ものであ、た。
本発明はかかる従来技術の欠点を解決した新規な半導体
素子の脱着方法を提供するもので、その要旨とするとこ
ろは、接着剤層と薄葉材料とからなる半導体ウェハ固足
用接着型薄板に仮着した半導体ウェハを切断などの加工
を施して半導体ウェハした後膣素子を吸引装置にて吸引
脱着するに際し、前記接着剤層を少なくとも５０ ’Ｃ
以上に加熱して半導体素子を脱着することにある。
素子の脱着方法を提供するもので、その要旨とするとこ
ろは、接着剤層と薄葉材料とからなる半導体ウェハ固足
用接着型薄板に仮着した半導体ウェハを切断などの加工
を施して半導体ウェハした後膣素子を吸引装置にて吸引
脱着するに際し、前記接着剤層を少なくとも５０ ’Ｃ
以上に加熱して半導体素子を脱着することにある。
本発明の方法によれば、ウェハを接着固定後、切断、洗
浄、乾燥などの工程を経る間は、ウニノ・（素子）を確
実に接着保持して脱落がなく、マウント工程に送り込ま
れたときに、５０℃以上、好壕しくは７０〜２００℃で
加熱操作を加えて、吸引装置で吸引することにより、接
着剤がウェハ（素子）に移着することなく簡単に剥せる
という特徴を有するものである。
浄、乾燥などの工程を経る間は、ウニノ・（素子）を確
実に接着保持して脱落がなく、マウント工程に送り込ま
れたときに、５０℃以上、好壕しくは７０〜２００℃で
加熱操作を加えて、吸引装置で吸引することにより、接
着剤がウェハ（素子）に移着することなく簡単に剥せる
という特徴を有するものである。
本発明に用いられる半導体ウェハ固だ用接着型薄板は、
ゴム及び／又は合成樹脂を主体とする接着性物質と、該
物質を層状で全面又は部分的に担持する薄葉材料好まし
くは耐熱性グラスチックフィルムなどから構成きれるも
のであるが、前記接着性物質からなる接着剤層は、切断
、洗浄、乾燥などの切断分離工程中においては少なくと
も２００９／２０ｚｍ（対ステンレス板）の接着力を有
し、脱着時は所定の加熱温度において１５０ ｉｉ’／
２０ ’ｉ以下、好ま己＜は１００ ｆ／２ｏ ｔｚ以
下の接着力で、また好ましくは加熱時の弾性率が０．２
９，１−以上（伸び５０チ時の応力で測定）であること
が、脱着時の接着剤移着防止という点から望゛ましいも
のである０本発明に用いられる接着物質としては、天然
ゴム、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレ
ンゴム、スチレン−ブタジェンゴム、スチレン−イング
レン−スチレンブロック共重合体ゴム、アクリルゴＬの
如きゴム類、父はアクリル酸メチル、アクリル酸エチル
、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、
アクリル酸デシルの如きアクリル酸エステルと（メタ）
アクリル酸、無水マレイン酸、イタコン酸、２−ヒドロ
キシエチルアクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチ
ルアクリレート、アクリルアミド、グリシジルアクリレ
ート、Ｎ−メチロールメタクリルアミドの如き官能基を
有する重合性モノマーと必要に応じてスチレン、アクリ
ロニトリル、酢酸ビニル、プロピオン峻ビニル、メタク
リル酸エステルの如き不飽和化合物とを共重合したアク
リル系共重合物（ポリイソシアネート化合物、メラミン
化合物の如き有機試薬を用いて架橋してなるものも含む
）、その化ポリビニルアルキルエーテルなどが挙げられ
る。
ゴム及び／又は合成樹脂を主体とする接着性物質と、該
物質を層状で全面又は部分的に担持する薄葉材料好まし
くは耐熱性グラスチックフィルムなどから構成きれるも
のであるが、前記接着性物質からなる接着剤層は、切断
、洗浄、乾燥などの切断分離工程中においては少なくと
も２００９／２０ｚｍ（対ステンレス板）の接着力を有
し、脱着時は所定の加熱温度において１５０ ｉｉ’／
２０ ’ｉ以下、好ま己＜は１００ ｆ／２ｏ ｔｚ以
下の接着力で、また好ましくは加熱時の弾性率が０．２
９，１−以上（伸び５０チ時の応力で測定）であること
が、脱着時の接着剤移着防止という点から望゛ましいも
のである０本発明に用いられる接着物質としては、天然
ゴム、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレ
ンゴム、スチレン−ブタジェンゴム、スチレン−イング
レン−スチレンブロック共重合体ゴム、アクリルゴＬの
如きゴム類、父はアクリル酸メチル、アクリル酸エチル
、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、
アクリル酸デシルの如きアクリル酸エステルと（メタ）
アクリル酸、無水マレイン酸、イタコン酸、２−ヒドロ
キシエチルアクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチ
ルアクリレート、アクリルアミド、グリシジルアクリレ
ート、Ｎ−メチロールメタクリルアミドの如き官能基を
有する重合性モノマーと必要に応じてスチレン、アクリ
ロニトリル、酢酸ビニル、プロピオン峻ビニル、メタク
リル酸エステルの如き不飽和化合物とを共重合したアク
リル系共重合物（ポリイソシアネート化合物、メラミン
化合物の如き有機試薬を用いて架橋してなるものも含む
）、その化ポリビニルアルキルエーテルなどが挙げられ
る。
しかして脱着時の接着剤移着防止という点からは、上記
物質中にレゾール型フェノール樹脂（軟化点７０〜１８
０℃）を配合させておくことが望ましいものである。該
樹脂の配合量は、物質の主成分がゴム類である場合１は
、ベース成分１００重量部に対して２０〜１５０重量部
、好ましくは５０〜１００ 重量部の範囲で、ペース成
分がアクリル系共重合物の如き樹脂系である場合は、５
〜８０重量部、好ましくは２０〜５０重量部の範囲で添
加混合されるものである。
物質中にレゾール型フェノール樹脂（軟化点７０〜１８
０℃）を配合させておくことが望ましいものである。該
樹脂の配合量は、物質の主成分がゴム類である場合１は
、ベース成分１００重量部に対して２０〜１５０重量部
、好ましくは５０〜１００ 重量部の範囲で、ペース成
分がアクリル系共重合物の如き樹脂系である場合は、５
〜８０重量部、好ましくは２０〜５０重量部の範囲で添
加混合されるものである。
レゾール型フェノール型樹脂を配合してなる接着剤層を
形成してなる接着型薄板は、要すれば熱を加えた状態で
半導体ウェハを貼り付けることにより、常態では強固な
接着状態を呈し、切断、洗浄、乾燥などの諸工程などに
充分に耐え、マウント工程においては、薄板全体又は脱
着する部分の薄板に熱を加えて、吸引装置にて吸引する
ことにより、接着剤の凝集破壊による移着かなく、簡単
に美麗な半導体素子を接着剤面から脱着して次工程へ移
すことができ乙ものである。
形成してなる接着型薄板は、要すれば熱を加えた状態で
半導体ウェハを貼り付けることにより、常態では強固な
接着状態を呈し、切断、洗浄、乾燥などの諸工程などに
充分に耐え、マウント工程においては、薄板全体又は脱
着する部分の薄板に熱を加えて、吸引装置にて吸引する
ことにより、接着剤の凝集破壊による移着かなく、簡単
に美麗な半導体素子を接着剤面から脱着して次工程へ移
すことができ乙ものである。
本発明の方法によれば、加工工程中における半導体ウニ
・・及び素子の脱落はなく、シかもマウント工程におい
ては、接着剤層を加熱することにより、接着剤を移着て
せず、小さい力で素子を吸引脱着できるという特徴を有
する。
・・及び素子の脱落はなく、シかもマウント工程におい
ては、接着剤層を加熱することにより、接着剤を移着て
せず、小さい力で素子を吸引脱着できるという特徴を有
する。
以下本発明の実施例を示す。
実施例１
アクリル酸ブチル：アクリロニトリル：アクリル酸−１
００： ５ ： ５ （重量比）からなる配合物を酢酸
エチル中で共重合した共重合物にポリインシアネート化
合物を２重量部配合したアクリル系接着性物質を、厚さ
２５μか１のポリエステルフィルムに１０μｍの厚さに
形成して、半導体ウニノ・固定用接着型薄板を作成した
。
００： ５ ： ５ （重量比）からなる配合物を酢酸
エチル中で共重合した共重合物にポリインシアネート化
合物を２重量部配合したアクリル系接着性物質を、厚さ
２５μか１のポリエステルフィルムに１０μｍの厚さに
形成して、半導体ウニノ・固定用接着型薄板を作成した
。
次にこの薄板に半導体ウニノ・を貼り付け、切断、洗浄
、乾燥などの加工を行ったが、ウニノ・及び素子の脱落
は全くみられず、次に８０℃中で素子を吸引装置を用い
て吸引すると、糊の移着はなく、簡単に脱着することが
できた。
、乾燥などの加工を行ったが、ウニノ・及び素子の脱落
は全くみられず、次に８０℃中で素子を吸引装置を用い
て吸引すると、糊の移着はなく、簡単に脱着することが
できた。
なお上記薄板の常温接着力（対ステンレス、９０度引き
剥がし接着力、引張速度３００ Ｒｒ；／＋ｍｉｎ ）
は２５０９／２０１２１で、８０℃では９０２７２０１
１肩であった。
剥がし接着力、引張速度３００ Ｒｒ；／＋ｍｉｎ ）
は２５０９／２０１２１で、８０℃では９０２７２０１
１肩であった。
また糸状の接着剤を８０℃雰囲気中でモジュラスカーブ
をとり、伸び５０％の応力を求めたところ０．５Ｖ旨で
あった。
をとり、伸び５０％の応力を求めたところ０．５Ｖ旨で
あった。
実施例２
アクリル酸ブチル：酢酸エチル−１００：５（重量比）
からなる配合物を酢酸エチル中で共重合した共重合物に
、固形分比で４０重１部のレゾール型フェノール樹脂を
配合したアクリル系接着性物質を、厚さ２５μｍのポリ
エステルフィルムに１０μｍの厚さに形成して、接着型
薄板を作成した。
からなる配合物を酢酸エチル中で共重合した共重合物に
、固形分比で４０重１部のレゾール型フェノール樹脂を
配合したアクリル系接着性物質を、厚さ２５μｍのポリ
エステルフィルムに１０μｍの厚さに形成して、接着型
薄板を作成した。
この薄板を用いて半導体ウェハの加工及び素子の分離を
行−７だが、切断時等における脱落がなく、また１２５
℃の加熱下で行−１た吸引作業では糊の移着は全く、簡
単に脱着することができた。
行−７だが、切断時等における脱落がなく、また１２５
℃の加熱下で行−１た吸引作業では糊の移着は全く、簡
単に脱着することができた。
なお薄板の常温接着力は６００９７２０ａｍ、１２５℃
での接着力は５５＆／２ｏ鎮、弾性率（１２５℃）は１
．４２Δ背であったＣ 実施例 アクリル酸ブチル：アクリロニトリル：アクリル酸＝
１００：３０ ： ５ （重量比）からなる配合物を酢
酸エチル中で共重合した共重合物に、固形比で６０３ｔ
： ％、部のレゾール型フェノール樹脂、４重量部のポ
リインシアネート化合物及び１．５重量部のメラミン化
合物を配合したアクリル系接着性物質を、厚さ２５μｍ
のポリエステルフィルムに１０μｍｎの厚さで形成して
、接着型薄板を作成した０この薄板を中いてのウェハの
加工及び素子の脱着は実施例２と同様に良好なものでろ
−また０なお薄板の常温接着力は５００ ｇ／２０ｉ、
ｘ、１２５℃で” 接ｍ カバ３０ Ｑ／２ｏｍ 、弾
性率（１２５’Ｃ）は１．７ Ｌｉ／ｍｄであった。
での接着力は５５＆／２ｏ鎮、弾性率（１２５℃）は１
．４２Δ背であったＣ 実施例 アクリル酸ブチル：アクリロニトリル：アクリル酸＝
１００：３０ ： ５ （重量比）からなる配合物を酢
酸エチル中で共重合した共重合物に、固形比で６０３ｔ
： ％、部のレゾール型フェノール樹脂、４重量部のポ
リインシアネート化合物及び１．５重量部のメラミン化
合物を配合したアクリル系接着性物質を、厚さ２５μｍ
のポリエステルフィルムに１０μｍｎの厚さで形成して
、接着型薄板を作成した０この薄板を中いてのウェハの
加工及び素子の脱着は実施例２と同様に良好なものでろ
−また０なお薄板の常温接着力は５００ ｇ／２０ｉ、
ｘ、１２５℃で” 接ｍ カバ３０ Ｑ／２ｏｍ 、弾
性率（１２５’Ｃ）は１．７ Ｌｉ／ｍｄであった。
実施例４
６０分間素練りした天然ゴムのトルエン５％溶液の固形
分１００Ｍ′ｊ＆部に対してレゾール型フェノール樹脂
を７０ｊｔｔｔ部添加したゴム系接着性物質を、厚さ２
５μｍのポリエステルフィルムの表面に１０μｍの厚さ
で形成し、接着型薄板を作成した０この薄板を用いての
ウニノ・の加工及び素子の脱着は実施例２と同様に良好
なものであった０なお薄板の常温接着力は２５１．１
＆／２ｏ＃ａ 、 １２５℃での接着力は３０１／２
０ｎ、弾性率（１２５℃）て１．ＯｇΔｍｌであった。
分１００Ｍ′ｊ＆部に対してレゾール型フェノール樹脂
を７０ｊｔｔｔ部添加したゴム系接着性物質を、厚さ２
５μｍのポリエステルフィルムの表面に１０μｍの厚さ
で形成し、接着型薄板を作成した０この薄板を用いての
ウニノ・の加工及び素子の脱着は実施例２と同様に良好
なものであった０なお薄板の常温接着力は２５１．１
＆／２ｏ＃ａ 、 １２５℃での接着力は３０１／２
０ｎ、弾性率（１２５℃）て１．ＯｇΔｍｌであった。
特許出願人
日東電気工業株式会社
代表者土方三部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）接着剤層と薄葉材料とからなる半導体ウニノ・固定
用接着型薄板に仮着した半導体ウニノ・を切断などの加
工を施して半導体素子としだ後該素子を吸引装置にて吸
引脱着するに際し、前記接着剤層を少なくとも５０℃以
上に加熱して半導体素子を脱着することを特徴とする半
導体素子り脱着方法。 ２）接着剤層がレゾール型フェノール樹脂を含有する接
着性物質である特許請求の範囲第１項記載の半導体素子
の膜層方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20422182A JPS5994434A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体素子の脱着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20422182A JPS5994434A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体素子の脱着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994434A true JPS5994434A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16486839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20422182A Pending JPS5994434A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体素子の脱着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994434A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6392038A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ供給方法 |
| US5516728A (en) * | 1994-03-31 | 1996-05-14 | At&T Corp. | Process for fabircating an integrated circuit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135280A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Exfoliating unit of semiconductor chip |
| JPS5423466A (en) * | 1977-07-25 | 1979-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for semiconductor device |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20422182A patent/JPS5994434A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135280A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Exfoliating unit of semiconductor chip |
| JPS5423466A (en) * | 1977-07-25 | 1979-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6392038A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ供給方法 |
| US5516728A (en) * | 1994-03-31 | 1996-05-14 | At&T Corp. | Process for fabircating an integrated circuit |
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