JP2019200344A - 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019200344A JP2019200344A JP2018095370A JP2018095370A JP2019200344A JP 2019200344 A JP2019200344 A JP 2019200344A JP 2018095370 A JP2018095370 A JP 2018095370A JP 2018095370 A JP2018095370 A JP 2018095370A JP 2019200344 A JP2019200344 A JP 2019200344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- film
- group
- resin composition
- independently
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
- C08G77/52—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages containing aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/46—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/54—Nitrogen-containing linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/10—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
- C09D183/12—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
- H05K3/287—Photosensitive compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/114—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1146—Plating
- H01L2224/11462—Electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/116—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
- H01L2224/11618—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material with selective exposure, development and removal of a photosensitive bump material, e.g. of a photosensitive conductive resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
Description
1.(A)下記式(1)〜(4)で表される繰り返し単位を含むシルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格含有ポリマー、及び
(B)光酸発生剤
を含む感光性樹脂組成物。
2.更に、(C)架橋剤を含む1の感光性樹脂組成物。
3.(C)架橋剤が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチル基を有するフェノール化合物、及び、1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上である2の感光性樹脂組成物。
4.更に、(D)溶剤を含む1〜3のいずれかの感光性樹脂組成物。
5.更に、(E)クエンチャーを含む1〜4のいずれかの感光性樹脂組成物。
6.1〜5のいずれかの感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
7.支持フィルムと、該支持フィルム上に6の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
8.(i)1〜5のいずれかの感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
9.(i')7の感光性ドライフィルムを用いて、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
10.更に、(iv)現像によりパターン形成された皮膜を、100〜250℃の温度で後硬化する工程を含む8又は9のパターン形成方法。
11.前記感光性樹脂組成物が、電気・電子部品保護用皮膜用材料である1〜5のいずれかの感光性樹脂組成物。
12.前記感光性樹脂組成物が、銅配線をめっき工程を用いて形成する際のめっき用レジスト材料である1〜5のいずれかの感光性樹脂組成物。
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)シルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格含有ポリマー、及び(B)光酸発生剤を含むものである。
(A)成分のシルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格含有ポリマー(以下、ポリマーAともいう。)は、下記式(1)〜(4)で表される繰り返し単位(以下、それぞれ繰り返し単位1〜4ともいう。)を含むものである。ポリマーAは、分子中に、エポキシ基、ヒドロキシ基等の架橋基又は架橋反応が生じる反応点を有するものである。
ポリマーAは、下記式(5)で表される化合物及び下記式(X1')で表される化合物、並びに下記式(X2')で表される化合物、下記式(X3')で表される化合物及び下記式(X4')で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物を、金属触媒存在下、付加重合させることにより製造することができる。
(B)成分の光酸発生剤は、特に限定されないが、190〜500nmの波長の光照射により酸を発生するものが好ましい。(B)成分の光酸発生剤は、硬化触媒として機能する。本発明の感光性樹脂組成物は、酸発生剤の相溶性が優れるため、幅広い酸発生剤を使用することができる。そのような酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イル−スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体、トリアジン誘導体等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、(C)成分として架橋剤を含むことが好ましい。前記架橋剤は、パターンの形成をより一層容易になし得ることができ、また、硬化物の強度を更に上げるものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、(D)成分として溶剤を含んでもよい。前記溶剤としては、前述した(A)〜(C)成分、後述する(E)クエンチャー、及びその他各種添加剤が溶解可能な溶剤であれば特に限定されないが、これら成分の溶解性に優れていることから、有機溶剤好ましい。
これらの1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。特に、光酸発生剤の溶解性が最も優れている乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン及びその混合溶剤が好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、(E)クエンチャーを含んでもよい。(E)クエンチャーとしては、光酸発生剤より発生した酸が感光性樹脂皮膜内を拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適している。そして、前記クエンチャーの配合により、解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制し、基板依存性又は環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターン形状を向上させることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、前述した各成分に加えて、更に添加剤を含んでもよい。添加剤としては、例えば、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物を用いるパターン形成方法は、
(i)前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むものである。
本発明の感光性ドライフィルムは、支持フィルムと、該支持フィルム上に感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜とを備えるものである。
感光性ドライフィルムを用いるパターン形成は、
(i')前記感光性ドライフィルムを用いて、基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むものである。
[実施例1−1]樹脂1の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−1)で表される化合物156.8g(0.40モル)及び式(S−3a)で表される化合物(日油(株)製ユニオックス)53.9g(0.10モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂1を得た。樹脂1のMwは、43,000であった。なお、樹脂1は、1H-NMR(Bluker社製)により、繰り返し単位1及び2を含むポリマーであることを確認した。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−7)で表される化合物172.0g(0.40モル)及び式(S−3a)で表される化合物53.9g(0.10モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂2を得た。樹脂2のMwは、25,000であった。なお、樹脂2は、1H-NMR(Bluker社製)により、繰り返し単位1及び3を含むポリマーであることを確認した。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−2)で表される化合物106.0g(0.40モル)及び式(S−3a)で表される化合物53.9g(0.10モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂3を得た。樹脂3のMwは、34,000であった。なお、樹脂3は、1H-NMR(Bluker社製)により、繰り返し単位1及び4を含むポリマーであることを確認した。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−1)で表される化合物9.8g(0.025モル)、式(S−7)で表される化合物10.8g(0.025モル)、式(S−2)で表される化合物13.3g(0.05モル)及び式(S−3a)で表される化合物215.6g(0.40モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂4を得た。樹脂4のMwは、50,000であった。なお、樹脂4は、1H-NMR(Bluker社製)により、繰り返し単位1、2、3及び4を含むポリマーであることを確認した。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−1)で表される化合物9.8g(0.025モル)及び式(S−7)で表される化合物10.8g(0.025モル)、式(S−2)で表される化合物13.3g(0.05モル)、式(S−3b)で表される化合物327.2g(0.40モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂5を得た。樹脂5のMwは、58,000であった。なお、樹脂5は、1H-NMR(Bluker社製)により、繰り返し単位1、2、3及び4を含むポリマーであることを確認した。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−1)で表される化合物196.0g(0.50モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物87.3g(0.45モル)及び式(S−6)で表される化合物(y=20)79.3g(0.05モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂6を得た。樹脂6のMwは、41,000であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−7)で表される化合物215.0g(0.50モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物48.5g(0.25モル)及び式(S−6)で表される化合物(y=20)396.3g(0.25モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂7を得た。樹脂7のMwは31,000であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−2)で表される化合物132.5g(0.50モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物77.6g(0.40モル)及び式(S−6)で表される化合物(y=20)158.5g(0.10モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂8を得た。樹脂8のMwは、44,000であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−1)で表される化合物9.8g(0.025モル)、式(S−7)で表される化合物10.8g(0.025モル)、式(S−2)で表される化合物13.3g(0.05モル)及び式(S−4)で表される化合物74.4g(0.40モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂9を得た。樹脂9のMwは39,000であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、式(S−1)で表される化合物78.4g(0.20モル)、式(S−7)で表される化合物43.0g(0.10モル)及び式(S−2)で表される化合物53.0g(0.20モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、式(S−5)で表される化合物97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加熱し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して、樹脂10を得た。樹脂10のMwは、29,000であった。
[実施例2−1〜2−11及び比較例2−1〜2−10]
表1及び2に記載した組成になるように、樹脂、光酸発生剤、架橋剤、溶剤及びクエンチャーを混合し、その後常温にて攪拌、溶解した後、テフロン(登録商標)製1.0μmフィルターで精密濾過を行い、実施例2−1〜2−11及び比較例2−1〜2−10の感光性樹脂組成物を得た。
フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)を用いて、実施例2−1〜2−11及び比較例2−1〜2−10の感光性樹脂組成物をそれぞれ前記支持フィルム上に塗布した。次いで、100℃に設定された熱風循環オーブン(長さ4m)を5分間で通過させることにより乾燥し、支持フィルム上に感光性樹脂皮膜を形成し、感光性ドライフィルムを得た。前記感光性樹脂皮膜の上に、保護フィルムとしてのポリエチレンフィルム(厚さ50μm)をラミネートロールで圧力1MPaにて貼り合わせ、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを作製した。各感光性樹脂皮膜の膜厚は表3及び4に記載した。なお、膜厚は、光干渉式厚膜測定機により測定した。
感光性樹脂皮膜の絶縁破壊強さを評価するため、実施例2−1〜2−11及び比較例2−1〜2−10の各感光性樹脂組成物を13cm×15cm、厚さ0.7mmの鉄板上にバーコーターにて塗布し、180℃のオーブンで2時間加熱して、感光性樹脂皮膜を得た。感光性樹脂組成物は、硬化後の膜厚が0.2μmとなるよう塗布した。この感光性樹脂皮膜を利用して、絶縁破壊試験機TM-5031AM(多摩電測(株)製)により、それぞれの感光性樹脂皮膜の絶縁破壊強さを測定した。結果を表3及び4に示す。
(1)でパターン形成した硬化後の各感光性樹脂皮膜付基板を、ダイシングブレードを備えるダイシングソー(DAD685、DISCO社製、スピンドル回転数は40,000rpm、切断速度は20mm/sec)を使用して10mm×10mm角の試験片を得た。得られた試験片(各10片づつ)をヒートサイクル試験(−25℃で10分間保持、125℃で10分間保持を1,000サイクル繰り返す)に供し、ヒートサイクル試験後の感光性樹脂皮膜の基板からの剥離状態、クラックの有無を確認した。全く剥離・クラックを生じなかったものを良好、1つでも剥離を生じたものを剥離、1つでもクラックが生じたものをクラックとした。結果を表3及び4に示す。
実施例2−1〜2−11の組成物をめっき用レジスト材料として用いた検討を行った。(1)と同様の方法で作製した保護フィルム付き感光性ドライフィルムは、保護フィルムを剥離し、真空ラミネーターTEAM-100RF((株)タカトリ製)を用いて、真空チャンバー内の真空度80Paに設定し、支持フィルム上の感光性樹脂皮膜をスパッタCu(400nm)が表面に形成されたシリコン基板に密着させた。温度条件は110℃とした。常圧に戻した後、前記基板を真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、基板との密着性を高めるため、ホットプレートにより130℃で5分間プリベークを行った。得られた感光性樹脂皮膜に対してラインアンドスペースパターン及びコンタクトホールパターンを形成するためにマスクを介し、405nmの露光条件でコンタクトアライナ型露光装置を使用して露光した。光照射後、ホットプレートにより120℃で5分間PEBを行った後冷却し、前記基板をPGMEAにてスプレー300秒現像を行い、パターンを形成した。その後、ミクロファブCu200をめっき液として用いて定電流でCuめっき工程を行ったところ、実施例2−1〜2−11ではCuめっきポストはきちんと形成されており、感光性樹脂皮膜の剥がれ等もなく、めっき用レジスト材料としても用いることができた。
Claims (12)
- (A)下記式(1)〜(4)で表される繰り返し単位を含むシルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格含有ポリマー、及び
(B)光酸発生剤
を含む感光性樹脂組成物。
- 更に、(C)架橋剤を含む請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- (C)架橋剤が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチル基を有するフェノール化合物、及び、1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上である請求項2記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(D)溶剤を含む請求項1〜3のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(E)クエンチャーを含む請求項1〜4のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
- 支持フィルムと、該支持フィルム上に請求項6記載の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
- (i)請求項1〜5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。 - (i')請求項7記載の感光性ドライフィルムを用いて、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を露光する工程、
(iii)前記露光した感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。 - 更に、(iv)現像によりパターン形成された皮膜を、100〜250℃の温度で後硬化する工程を含む請求項8又は9記載のパターン形成方法。
- 前記感光性樹脂組成物が、電気・電子部品保護用皮膜用材料である請求項1〜5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 前記感光性樹脂組成物が、銅配線をめっき工程を用いて形成する際のめっき用レジスト材料である請求項1〜5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018095370A JP6870657B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
EP19172971.4A EP3569640B1 (en) | 2018-05-17 | 2019-05-07 | Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, and pattern forming process |
US16/411,472 US11262655B2 (en) | 2018-05-17 | 2019-05-14 | Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, and pattern forming process |
KR1020190056013A KR102618980B1 (ko) | 2018-05-17 | 2019-05-14 | 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름 및 패턴 형성 방법 |
CN201910405085.4A CN110501876A (zh) | 2018-05-17 | 2019-05-16 | 感光性树脂组合物、感光性干膜和图案形成方法 |
TW108116851A TWI787510B (zh) | 2018-05-17 | 2019-05-16 | 感光性樹脂組成物、感光性乾薄膜及圖型形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018095370A JP6870657B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019200344A true JP2019200344A (ja) | 2019-11-21 |
JP6870657B2 JP6870657B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=66448366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018095370A Active JP6870657B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11262655B2 (ja) |
EP (1) | EP3569640B1 (ja) |
JP (1) | JP6870657B2 (ja) |
KR (1) | KR102618980B1 (ja) |
CN (1) | CN110501876A (ja) |
TW (1) | TWI787510B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023068175A1 (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 信越化学工業株式会社 | ポリマー、樹脂皮膜及びドライフィルム |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6866802B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-04-28 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
JP6874584B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
JP6870657B2 (ja) | 2018-05-17 | 2021-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
JP6919626B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格を含むポリマー |
US11548985B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-01-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Siloxane polymer containing isocyanuric acid and polyether skeletons, photosensitive resin composition, pattern forming process, and fabrication of opto-semiconductor device |
JP7056541B2 (ja) | 2018-12-19 | 2022-04-19 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 |
CN114600045A (zh) * | 2019-10-21 | 2022-06-07 | 信越化学工业株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性干膜及图案形成方法 |
JP7221578B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2023-02-14 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 |
CN113929900B (zh) * | 2021-10-15 | 2023-07-04 | 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 | 一种聚醚高聚物和抗反射涂层溶液及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1180362A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-26 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | シルフェニレンシルアルキレンポリマーの製造方法 |
JPH11199676A (ja) * | 1997-12-29 | 1999-07-27 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | シルフェニレン系ポリマーおよびその製造方法 |
JP2006267401A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
US20160358833A1 (en) * | 2015-06-08 | 2016-12-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3159662A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Addition reaction |
US3159601A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes |
US3220972A (en) | 1962-07-02 | 1965-11-30 | Gen Electric | Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst |
US3775452A (en) | 1971-04-28 | 1973-11-27 | Gen Electric | Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes |
US4470831A (en) | 1981-01-22 | 1984-09-11 | Toray Industries, Inc. | Permselective membrane |
US4990546A (en) | 1990-03-23 | 1991-02-05 | General Electric Company | UV-curable silphenylene-containing epoxy functional silicones |
US5240971A (en) | 1991-12-05 | 1993-08-31 | General Electric Company | UV-curable epoxysilicone-polyether block copolymers |
US5346980A (en) | 1992-04-14 | 1994-09-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Crosslinkable silarylene-siloxane copolymers |
DE4433139A1 (de) | 1994-09-16 | 1996-03-21 | Thera Ges Fuer Patente | Hydrophilierte Zahnabdruckmassen |
US6072016A (en) | 1997-12-29 | 2000-06-06 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silphenylene polymer and composition containing same |
JP3767676B2 (ja) | 2000-09-12 | 2006-04-19 | 信越化学工業株式会社 | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP4336999B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2009-09-30 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 |
JP4549382B2 (ja) | 2007-12-14 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 新規シルフェニレン化合物およびその製造方法 |
JP2009163189A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Canon Inc | 感光性ポリエーテルアミド組成物、それを用いたインクンクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
WO2009123032A1 (ja) | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Jsr株式会社 | 含ケイ素重合体を含む組成物およびその硬化物 |
JP5469062B2 (ja) | 2008-05-20 | 2014-04-09 | 株式会社カネカ | 新規なポリイミド前駆体組成物、その利用及びそれらの製造方法 |
JP5413340B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-02-12 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5459196B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-04-02 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5373696B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 新規シルフェニレン骨格含有シリコーン型高分子化合物及びその製造方法 |
JP5310656B2 (ja) | 2010-06-18 | 2013-10-09 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン含有光硬化性組成物、それを用いたパターン形成方法およびその方法により得られる光半導体素子 |
JP5691987B2 (ja) * | 2010-10-13 | 2015-04-01 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5373736B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着剤シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置 |
JP5630451B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-11-26 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着性ドライフィルム |
JP5512580B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-06-04 | 信越化学工業株式会社 | フィルム状モールド材、モールドされた半導体ウエハ、及び半導体装置 |
US8796410B2 (en) | 2011-05-23 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer having silphenylene and siloxane structures, a method of preparing the same, an adhesive composition, an adhesive sheet, a protective material for a semiconductor device, and a semiconductor device |
JP5846060B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP5958262B2 (ja) | 2011-10-28 | 2016-07-27 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP5788852B2 (ja) | 2011-11-01 | 2015-10-07 | 信越化学工業株式会社 | フルオロオキシアルキレン基含有ポリマー組成物、該組成物を含む表面処理剤、該表面処理剤で処理された物品及び光学物品 |
TWI428698B (zh) | 2011-11-25 | 2014-03-01 | Chi Mei Corp | 感光性樹脂組成物、黑色矩陣、彩色濾光片及其液晶顯示元件 |
JP5846110B2 (ja) | 2011-12-09 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5942859B2 (ja) | 2012-01-27 | 2016-06-29 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム |
JP5767161B2 (ja) | 2012-05-08 | 2015-08-19 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法 |
JP2014006507A (ja) | 2012-06-01 | 2014-01-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜並びに電気・電子部品 |
JP2014122276A (ja) | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | アダマンタン骨格含有化合物、シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5920232B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2016-05-18 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜の製造方法 |
JP6194862B2 (ja) | 2014-07-29 | 2017-09-13 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
US10114287B2 (en) | 2014-10-02 | 2018-10-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone skeleton-containing polymer compound and method for producing same, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and method for producing same, patterning process, layered product, and substrate |
JP6352853B2 (ja) | 2014-10-02 | 2018-07-04 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物及びその製造方法、化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、積層体、及び基板 |
WO2016076205A1 (ja) | 2014-11-14 | 2016-05-19 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子 |
CN107077068B (zh) * | 2014-11-17 | 2021-03-12 | 昭和电工材料株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法和印刷配线板的制造方法 |
JP6522951B2 (ja) | 2015-01-08 | 2019-05-29 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、積層体、基板、及び半導体装置 |
JP6361566B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2018-07-25 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法 |
JP6502754B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いた光硬化性ドライフィルム |
JP6602865B2 (ja) * | 2015-07-10 | 2019-11-06 | 住友精化株式会社 | エポキシ樹脂組成物、その製造方法、及び該組成物の用途 |
JP6613901B2 (ja) * | 2016-01-07 | 2019-12-04 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ変性シリコーン樹脂及びその製造方法、硬化性組成物及び電子部品 |
JP6534948B2 (ja) | 2016-02-26 | 2019-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、フリップチップ型半導体装置の製造方法、半導体装置及びフリップチップ型半導体装置 |
JP6499102B2 (ja) | 2016-03-04 | 2019-04-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、及び積層体 |
JP6616743B2 (ja) | 2016-06-30 | 2019-12-04 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
TWI608297B (zh) * | 2016-10-28 | 2017-12-11 | 長春人造樹脂廠股份有限公司 | 感光性樹脂組成物及含其之乾膜光阻 |
JP6805781B2 (ja) | 2016-12-09 | 2020-12-23 | 株式会社タダノ | クレーン |
JP6798513B2 (ja) | 2017-02-03 | 2020-12-09 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性樹脂皮膜、及びパターン形成方法 |
JP6915405B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2021-08-04 | 信越化学工業株式会社 | ポリ(メタ)アクリレート並びにそれを含むコーティング組成物および被覆物品 |
JP6866802B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-04-28 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
JP6919626B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格を含むポリマー |
JP6870657B2 (ja) | 2018-05-17 | 2021-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
US11548985B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-01-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Siloxane polymer containing isocyanuric acid and polyether skeletons, photosensitive resin composition, pattern forming process, and fabrication of opto-semiconductor device |
JP7056541B2 (ja) | 2018-12-19 | 2022-04-19 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 |
-
2018
- 2018-05-17 JP JP2018095370A patent/JP6870657B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-07 EP EP19172971.4A patent/EP3569640B1/en active Active
- 2019-05-14 US US16/411,472 patent/US11262655B2/en active Active
- 2019-05-14 KR KR1020190056013A patent/KR102618980B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-16 CN CN201910405085.4A patent/CN110501876A/zh active Pending
- 2019-05-16 TW TW108116851A patent/TWI787510B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1180362A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-26 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | シルフェニレンシルアルキレンポリマーの製造方法 |
JPH11199676A (ja) * | 1997-12-29 | 1999-07-27 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | シルフェニレン系ポリマーおよびその製造方法 |
JP2006267401A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
US20160358833A1 (en) * | 2015-06-08 | 2016-12-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same |
CN106249542A (zh) * | 2015-06-08 | 2016-12-21 | 信越化学工业株式会社 | 半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置、以及这些装置的制造方法 |
JP2017002279A (ja) * | 2015-06-08 | 2017-01-05 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023068175A1 (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 信越化学工業株式会社 | ポリマー、樹脂皮膜及びドライフィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190132233A (ko) | 2019-11-27 |
CN110501876A (zh) | 2019-11-26 |
TWI787510B (zh) | 2022-12-21 |
EP3569640B1 (en) | 2020-11-18 |
US11262655B2 (en) | 2022-03-01 |
US20190354014A1 (en) | 2019-11-21 |
KR102618980B1 (ko) | 2023-12-29 |
EP3569640A1 (en) | 2019-11-20 |
JP6870657B2 (ja) | 2021-05-12 |
TW201947325A (zh) | 2019-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6870657B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 | |
JP2017156685A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、及び積層体 | |
US11187982B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, and pattern forming process | |
JP7318542B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
JP7221578B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
JP7517234B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
JP7371566B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
WO2022270118A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
WO2022158283A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
WO2024166559A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
WO2023068177A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
JP2021173851A (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 | |
WO2019188379A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、プリント配線板および半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6870657 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |