JPS6024035A - 半導体ウエハの切断方法 - Google Patents
半導体ウエハの切断方法Info
- Publication number
- JPS6024035A JPS6024035A JP58132386A JP13238683A JPS6024035A JP S6024035 A JPS6024035 A JP S6024035A JP 58132386 A JP58132386 A JP 58132386A JP 13238683 A JP13238683 A JP 13238683A JP S6024035 A JPS6024035 A JP S6024035A
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- JP
- Japan
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- wafer
- film
- semiconductor
- gate oxide
- cutting
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は種々の半導体素子が形成された半導体ウェハの
切断方法（二関する。
切断方法（二関する。
口）従来技術
従来種々の半導体素子がその表面Ｃ：形成された半導体
ウェハを切断して多数の半導体テップ（：分断するとき
は通常ウェハ切断用カッターによって行っていた。とこ
ろが、このようなウェハ切断時１：おいてはウェハの切
りくずがウニへの切断Ｃ二より形成された半導体チップ
表面Ｌ：付着して絶縁状態（二あるべき電極配線間を短
絡してしまう危険性があった。このため現在では図示の
如く、ウェハ（１）表面に形成されたソース、ドレイン
領域（２１（３）、ソース、ドレイン電極（４）（５１
，ゲート電極（６）から成るＦ］１ｉｉＴ（７１等の半
導体素子を覆うよう（ニウエハ（１）全面に通常はレジ
ストとして使用される０ＦＰＲ８００（商品名）０ＭＲ
８５（商品名）等を切断時Ｃ二生じる切りくずの保護膜
（８）として設けた後導電性の切断用カッター（９）で
切断ｔするよう（：なっている。
ウェハを切断して多数の半導体テップ（：分断するとき
は通常ウェハ切断用カッターによって行っていた。とこ
ろが、このようなウェハ切断時１：おいてはウェハの切
りくずがウニへの切断Ｃ二より形成された半導体チップ
表面Ｌ：付着して絶縁状態（二あるべき電極配線間を短
絡してしまう危険性があった。このため現在では図示の
如く、ウェハ（１）表面に形成されたソース、ドレイン
領域（２１（３）、ソース、ドレイン電極（４）（５１
，ゲート電極（６）から成るＦ］１ｉｉＴ（７１等の半
導体素子を覆うよう（ニウエハ（１）全面に通常はレジ
ストとして使用される０ＦＰＲ８００（商品名）０ＭＲ
８５（商品名）等を切断時Ｃ二生じる切りくずの保護膜
（８）として設けた後導電性の切断用カッター（９）で
切断ｔするよう（：なっている。
断時上記切断用カッター（９）との摩擦により静電気が
発生し電荷住Ｉ（１Ｇが保護膜（７）内（二蓄積されこ
の蓄積電荷ＱＯＩ（ＩＩがゲート電極（６）、ゲート酸
化膜σＤを介して放電されてゲート酸化膜ｔｔｎを絶縁
破壊すると云う惧れがあった。このため保護膜（８）を
導電性材料で形成することが考えられるか金属等の導電
性材料を保護膜（８）とするとウニへ切断後Ｃ：その保
護膜（８）を剥離するのが難かしいと云う問題があった
。
発生し電荷住Ｉ（１Ｇが保護膜（７）内（二蓄積されこ
の蓄積電荷ＱＯＩ（ＩＩがゲート電極（６）、ゲート酸
化膜σＤを介して放電されてゲート酸化膜ｔｔｎを絶縁
破壊すると云う惧れがあった。このため保護膜（８）を
導電性材料で形成することが考えられるか金属等の導電
性材料を保護膜（８）とするとウニへ切断後Ｃ：その保
護膜（８）を剥離するのが難かしいと云う問題があった
。
八）発明の目的
本発明はこのような点に鑑みて為されたものであって、
保護膜の剥船Ｚ困難（二することなくゲート酸化膜の絶
縁破壊を防止することを目的とする。
保護膜の剥船Ｚ困難（二することなくゲート酸化膜の絶
縁破壊を防止することを目的とする。
二）発明の構成
本発明は半導体ウェハ上に導電性材料より成る粒子を含
有した高分子系材料を保護膜として設けた状態でこのク
エへ！機械的に切断−「る構成を採っている。
有した高分子系材料を保護膜として設けた状態でこのク
エへ！機械的に切断−「る構成を採っている。
ホ）実 施 例
まず、保護膜（８）のベースとなる高分子系材料として
イソプレンゴム環化物を用意し、このイソプレンゴム環
化物１００ｇに対して導電性材料より成る粒子、具体的
（二はカーボン粒子Ｙ５ｇ以上添加し、攪拌器を用いて
添加したカーボン粒子か均一（＝混った状態にする。尚
、このとき、カーボン粒子の粒径は数十μ以下にして導
電性向上を図る。
イソプレンゴム環化物を用意し、このイソプレンゴム環
化物１００ｇに対して導電性材料より成る粒子、具体的
（二はカーボン粒子Ｙ５ｇ以上添加し、攪拌器を用いて
添加したカーボン粒子か均一（＝混った状態にする。尚
、このとき、カーボン粒子の粒径は数十μ以下にして導
電性向上を図る。
本発明ではこのようにシてカーボン粒子が添加されたイ
ンプレンゴム環化物Ｚ保護膜（８）としてＦＫＴ（７）
等の孝子が形成された半導体ウェハ（１）上（：１μ厚
程度スピンナ塗布し、従来と同じ切断用カッター（９）
！用いて半導体チップに分断する。このとき、保護膜（
８）とカッター（９）との摩擦によって、静電気は殆ん
ど発生せず、たとえ発生したとじ又も、保護膜（８）を
介してウェハ（１）に放出されるためゲート電極（６）
部（二電荷が集中してゲート酸化膜（１１１が静電破壊
されると云うことはない。また、半導体チップ上の保護
膜（８）はアセトン等の剥離剤を用いた超音波洗浄によ
って容易に剥離される。
ンプレンゴム環化物Ｚ保護膜（８）としてＦＫＴ（７）
等の孝子が形成された半導体ウェハ（１）上（：１μ厚
程度スピンナ塗布し、従来と同じ切断用カッター（９）
！用いて半導体チップに分断する。このとき、保護膜（
８）とカッター（９）との摩擦によって、静電気は殆ん
ど発生せず、たとえ発生したとじ又も、保護膜（８）を
介してウェハ（１）に放出されるためゲート電極（６）
部（二電荷が集中してゲート酸化膜（１１１が静電破壊
されると云うことはない。また、半導体チップ上の保護
膜（８）はアセトン等の剥離剤を用いた超音波洗浄によ
って容易に剥離される。
尚、本発明の如（、イソプレンゴム環化物（＝カーボン
粒子を添加した保護膜を利用すると、従来５０チ〜７０
％の確率で発生していたゲート破壊が略０％になった。
粒子を添加した保護膜を利用すると、従来５０チ〜７０
％の確率で発生していたゲート破壊が略０％になった。
〜）発明の効果
以上述べた如く、本発明半導体ウニへの切断方法は、ウ
ェハ上（＝導電性材料より成る粒子を含有した高分子系
材料を保護膜として設けた状態でクエへを機械的Ｃ二切
断しているので、後の工程での保護膜の剥離は従来と同
様（：容易（：行え、保護膜の剥離を困難ｌ：すること
なく、ウニへ上に形成された半導体素子の破壊を防止す
ることが出来５半導体装置製造における歩留が向上する
。
ェハ上（＝導電性材料より成る粒子を含有した高分子系
材料を保護膜として設けた状態でクエへを機械的Ｃ二切
断しているので、後の工程での保護膜の剥離は従来と同
様（：容易（：行え、保護膜の剥離を困難ｌ：すること
なく、ウニへ上に形成された半導体素子の破壊を防止す
ることが出来５半導体装置製造における歩留が向上する
。
図は半導体ウニへの切断時における断面図である。
（ＩＪ・・・半導体ウェハ、（６）・・・ゲート電極、
（７）・・・Ｆ）ｅＴ、（８）・・・保護膜、（９）・
・・切断用カッター、任Ｄ・・・ゲート酸化膜。
（７）・・・Ｆ）ｅＴ、（８）・・・保護膜、（９）・
・・切断用カッター、任Ｄ・・・ゲート酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）種々の半導体素子が形成された半導体ウェハを切断
する【二際し、ウェハ表面に導電性材料より成る粒子を
含有した高分子原材料を保護膜として設けた状態でウェ
ハを機械的（：切断して成る半導体ウェハの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132386A JPS6024035A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132386A JPS6024035A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024035A true JPS6024035A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=15080171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132386A Pending JPS6024035A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02158564A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-19 | Gunze Ltd | フィルム剥離装置 |
| EP0675536A1 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-04 | AT&T Corp. | Process for fabricating an integrated circuit |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP58132386A patent/JPS6024035A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02158564A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-19 | Gunze Ltd | フィルム剥離装置 |
| EP0675536A1 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-04 | AT&T Corp. | Process for fabricating an integrated circuit |
| KR100371120B1 (ko) * | 1994-03-31 | 2003-03-19 | 에이티 앤드 티 코포레이션 | 기판다이싱프로세스 |
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