JPH01165114A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01165114A JPH01165114A JP32450487A JP32450487A JPH01165114A JP H01165114 A JPH01165114 A JP H01165114A JP 32450487 A JP32450487 A JP 32450487A JP 32450487 A JP32450487 A JP 32450487A JP H01165114 A JPH01165114 A JP H01165114A
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- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- gate electrode
- mask
- semiconductor substrate
- mask material
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯ８型半導体装置に関し、特にイオン注入に
おけるゲート酸化膜の破壊防止に関する。
おけるゲート酸化膜の破壊防止に関する。
従来、この種の半導体装置は第４図に示すように素子分
離領域１０２、ゲート電極１０４を形成した後アルミニ
ウム１０６あるいはレジスト等をマスクにしてソース拳
ドレイン形成の為のイオン注入を行っていた。
離領域１０２、ゲート電極１０４を形成した後アルミニ
ウム１０６あるいはレジスト等をマスクにしてソース拳
ドレイン形成の為のイオン注入を行っていた。
上述した従来の半導体装置ではゲート電極１０４は、ソ
ース・ドレイン形成のイオン注入時にどことも接続され
ていない、全くのフローティング状態である。
ース・ドレイン形成のイオン注入時にどことも接続され
ていない、全くのフローティング状態である。
ところが、イオン注入時はＡＩ、Ｐ、Ｂがイオン状態、
ＡＩ”、Ｐ”、Ｂ＋等で打ち込まｈるがゲート電極はこ
れらイオンの電荷によりチャージアップして電位が上昇
し、ゲート酸化膜１０３の破壊電圧以上となりゲート酸
化膜を破壊してしまうという欠点がある。この傾向は高
性能化の為ゲート酸化膜が薄くなっている近年、ますま
す顕著になってきている。
ＡＩ”、Ｐ”、Ｂ＋等で打ち込まｈるがゲート電極はこ
れらイオンの電荷によりチャージアップして電位が上昇
し、ゲート酸化膜１０３の破壊電圧以上となりゲート酸
化膜を破壊してしまうという欠点がある。この傾向は高
性能化の為ゲート酸化膜が薄くなっている近年、ますま
す顕著になってきている。
本発明の半導体装置はイオン注入のマスクとなる材料を
導電性材料で形成し、かつマスク材料とゲート電極を接
続する事によりゲート電極にチャージアップした電荷を
半導体基板あるいはイオン注入装置に逃がしてゲート酸
化膜の破壊を防止できるという相違点を有する。
導電性材料で形成し、かつマスク材料とゲート電極を接
続する事によりゲート電極にチャージアップした電荷を
半導体基板あるいはイオン注入装置に逃がしてゲート酸
化膜の破壊を防止できるという相違点を有する。
本発明の半導体装置はイオン注入のマスクが導電性材料
で形成されており、かつマスク材がゲート電極と電気的
に接続され、又半導体基板あるいはイオン注入装置の定
電位に接続されているという構造を有している。
で形成されており、かつマスク材がゲート電極と電気的
に接続され、又半導体基板あるいはイオン注入装置の定
電位に接続されているという構造を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
１．１′は活性領域、２はゲート電極、３，３′はゲー
ト電極とイオン注入のマスク材を接続するコンタクト孔
で４はイオン注入のマスク材のパターンである。またＢ
の部分はマスク材と基板との接続部である。酸化膜段に
よる線は図示していない。
ト電極とイオン注入のマスク材を接続するコンタクト孔
で４はイオン注入のマスク材のパターンである。またＢ
の部分はマスク材と基板との接続部である。酸化膜段に
よる線は図示していない。
第２図は第１図のＡ−Ａ’線の断面図を拡散工程順に示
したものである。
したものである。
以下第２図に従って説明する。
まず第２図（ａ）のように従来と同じように半導体基板
ｌｌ上に素子分離の為のフィールド酸化膜１２を形成す
る。そしてゲート酸化膜１３を熱酸化により２００人程
変形成し、全面にリン等をドープして低抵抗にしたポリ
シリコンを約４０００人形成しパターンニングしてゲー
ト電極１４を形成する。その後熱酸化法あるいはＣＶＤ
法等により全面にシリコン酸化膜１５を約２００人形成
する。
ｌｌ上に素子分離の為のフィールド酸化膜１２を形成す
る。そしてゲート酸化膜１３を熱酸化により２００人程
変形成し、全面にリン等をドープして低抵抗にしたポリ
シリコンを約４０００人形成しパターンニングしてゲー
ト電極１４を形成する。その後熱酸化法あるいはＣＶＤ
法等により全面にシリコン酸化膜１５を約２００人形成
する。
つづいて第２図（ｂ）のようにフォトレジスト法により
ゲート電極１４上のシリコン酸（１［１５を選択的にエ
ツチングしてフンタクト孔１６゜１６′を得る。
ゲート電極１４上のシリコン酸（１［１５を選択的にエ
ツチングしてフンタクト孔１６゜１６′を得る。
しかる後に第２図（Ｃ）のように全面にイオン注入のマ
スクとなるアルミニウム１７を０．５μ〜１．０μ程度
スパッタ法等で形成する。この時点でコンタクト孔１６
を介してゲート電極１４とマスク材のアルミニウム１７
と接続される。又コンタクト孔１６’によりマスク材の
アルミニウム１７と半導体基板１１とが接続されて、ゲ
ート電極１４と半導体基板が電気的に接続される。
スクとなるアルミニウム１７を０．５μ〜１．０μ程度
スパッタ法等で形成する。この時点でコンタクト孔１６
を介してゲート電極１４とマスク材のアルミニウム１７
と接続される。又コンタクト孔１６’によりマスク材の
アルミニウム１７と半導体基板１１とが接続されて、ゲ
ート電極１４と半導体基板が電気的に接続される。
この後不純物拡散層を形成する為のイオン注入（例えば
Ｎ＋形形成線Ａｓ＋を１５０ＫｅＶで１０１６／−）を
行う。イオン注入によりゲート電極１４にもＡｓが打ち
込まれるがその時生じた電荷は半導体基板上に逃がす事
が出来る為注入時の電荷によりゲート酸化膜１３が破壊
される事はない。また、Ｂ部分のマスク材と半導体基板
との接続部は半導体装置をチップに分けるための領域（
切りしろ）等を利用出来る為Ｂの部分により半導体装置
が大きくなる事もない。
Ｎ＋形形成線Ａｓ＋を１５０ＫｅＶで１０１６／−）を
行う。イオン注入によりゲート電極１４にもＡｓが打ち
込まれるがその時生じた電荷は半導体基板上に逃がす事
が出来る為注入時の電荷によりゲート酸化膜１３が破壊
される事はない。また、Ｂ部分のマスク材と半導体基板
との接続部は半導体装置をチップに分けるための領域（
切りしろ）等を利用出来る為Ｂの部分により半導体装置
が大きくなる事もない。
第３図は本発明や実施例２の縦断面図である。
図中１図と同一番号のものは第１図と同じものである。
この実施例ではマスクとなるＡ［１７との接続部２６が
コンタクト孔ではなくゲート電極の端全体となっている
。従ってゲート電極側面も利用出来る為より高密度な設
計にも対処出来るという利点がある。又、イオン注入装
置により半導体基板上下が同電位に押されていれば第１
図に於けるＢ部分は省略する事も出来る。
コンタクト孔ではなくゲート電極の端全体となっている
。従ってゲート電極側面も利用出来る為より高密度な設
計にも対処出来るという利点がある。又、イオン注入装
置により半導体基板上下が同電位に押されていれば第１
図に於けるＢ部分は省略する事も出来る。
以上説明したように本発明はイオン注入のマスクとなる
材料を導電性材料で形成し、かつゲート電極とイオン注
入のマスク材料を接続する事によりイオン注入時に打ち
込まれたイオンによる電荷をゲート酸化膜から逃がして
やる事が出来る為ゲート酸化膜のイオン電荷による絶縁
破壊を防止する事が出来る。
材料を導電性材料で形成し、かつゲート電極とイオン注
入のマスク材料を接続する事によりイオン注入時に打ち
込まれたイオンによる電荷をゲート酸化膜から逃がして
やる事が出来る為ゲート酸化膜のイオン電荷による絶縁
破壊を防止する事が出来る。
第１図は本発明の第１の実施例における平面図、第２図
（ａ）〜（ｃ）は第１図のＡ−Ａ’線断面における製造
工程を順次示す断面図、第３図は本発明の第２の実施例
における断面図であり、第４図は従来の半導体装置にお
ける断面図である。 ｌ、１′・・・・・・活性領域、２・・・・・・ゲート
電極、３，３′・・・・・・コンタクト孔、４・・・・
・・導電性マスク材、１１，１０１・・・・・・半導体
基板、１２，１０２・・・・・・フィールド酸化膜、１
３，１０３・・・・・・ゲート酸化膜、１４，１０４・
・・・・・ゲート電極、１５゜１０５・・・・・・シリ
コン酸化膜、１６，１６′・・・・・・コンタクト孔、
１７，１０６・・・・・・マスク材のアルミニウム、１
８，１０７・・・・・・Ａｓのイオン注入、２６・・・
・・・ゲート電極の酸化膜を除去した部分。 代理人 弁理士 内 原 音 箭１目 ／ｌ、 ｊｌ’−−−ｊンダクトｙ− β 箭Ｚ ＦｉＪ（＆） ′！１ＺＴｉＪＣＣ） １：ｌ−一一ケート喋乙松（〃 第３回
（ａ）〜（ｃ）は第１図のＡ−Ａ’線断面における製造
工程を順次示す断面図、第３図は本発明の第２の実施例
における断面図であり、第４図は従来の半導体装置にお
ける断面図である。 ｌ、１′・・・・・・活性領域、２・・・・・・ゲート
電極、３，３′・・・・・・コンタクト孔、４・・・・
・・導電性マスク材、１１，１０１・・・・・・半導体
基板、１２，１０２・・・・・・フィールド酸化膜、１
３，１０３・・・・・・ゲート酸化膜、１４，１０４・
・・・・・ゲート電極、１５゜１０５・・・・・・シリ
コン酸化膜、１６，１６′・・・・・・コンタクト孔、
１７，１０６・・・・・・マスク材のアルミニウム、１
８，１０７・・・・・・Ａｓのイオン注入、２６・・・
・・・ゲート電極の酸化膜を除去した部分。 代理人 弁理士 内 原 音 箭１目 ／ｌ、 ｊｌ’−−−ｊンダクトｙ− β 箭Ｚ ＦｉＪ（＆） ′！１ＺＴｉＪＣＣ） １：ｌ−一一ケート喋乙松（〃 第３回
Claims (3)
- （１）イオン注入のマスクとなる材料が導電性材料で形
成され、ゲート電極と前記マスク材が電気的に接続され
ている事を特徴とする半導体装置。 - （２）導電性材料は半導体基板と共にイオン注入装置の
定電位に接続されている事を特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の半導体装置。 - （３）導電性材料が半導体基板と接続されている事を特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32450487A JPH01165114A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32450487A JPH01165114A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165114A true JPH01165114A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18166541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32450487A Pending JPH01165114A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165114A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371625A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8789402B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-07-29 | Norgren Automation Solutions, Llc | Bending die with radial cam unit |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32450487A patent/JPH01165114A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371625A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8789402B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-07-29 | Norgren Automation Solutions, Llc | Bending die with radial cam unit |
| US9032771B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-05-19 | Norgren Automation Solutions, Llc | Bending die with radial cam unit |
| US9327330B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-05-03 | Norgren Automation Solutions, Llc | Bending die with radial cam unit |
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