JPS63160340A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63160340A JPS63160340A JP61309830A JP30983086A JPS63160340A JP S63160340 A JPS63160340 A JP S63160340A JP 61309830 A JP61309830 A JP 61309830A JP 30983086 A JP30983086 A JP 30983086A JP S63160340 A JPS63160340 A JP S63160340A
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- Japan
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- protective film
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- active oxygen
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- Pending
Links
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素
子領域表面に形成された保護膜および保良膜表面の保護
テープの残渣を活性な酸素と反応させ炭化して除去する
方法（乾式除去方法）に関するものである。
子領域表面に形成された保護膜および保良膜表面の保護
テープの残渣を活性な酸素と反応させ炭化して除去する
方法（乾式除去方法）に関するものである。
［従来の技術］
第２Ａ図〜第２Ｄ図は、従来の半導体装置の製造方法を
示す工程断面図である。
示す工程断面図である。
この製造方法について説明すると、まず、半導体Ｍ根１
の表側表面に半導体素子領域２を形成する。次に、半導
体素子領Ｉ４２を保護するために半導体素子領ｒｌｉ２
表面にスピン・オン法により保護膜３を形成する。次に
、半導体素子領域２を保護するためにさらに保護膜３表
面に保護テープ４を貼る（第２Ａ図）。次に、半導体基
板１の厚さを所定厚さにするために半導体基板１の裏側
表面をグラインダ５により研磨する（第２Ｂ図）。次に
、この研磨後、保５チー１４を剥がす。このとき、保護
膜３表面に保護テープ４の残渣４０が残る。
の表側表面に半導体素子領域２を形成する。次に、半導
体素子領Ｉ４２を保護するために半導体素子領ｒｌｉ２
表面にスピン・オン法により保護膜３を形成する。次に
、半導体素子領域２を保護するためにさらに保護膜３表
面に保護テープ４を貼る（第２Ａ図）。次に、半導体基
板１の厚さを所定厚さにするために半導体基板１の裏側
表面をグラインダ５により研磨する（第２Ｂ図）。次に
、この研磨後、保５チー１４を剥がす。このとき、保護
膜３表面に保護テープ４の残渣４０が残る。
次に、容器６内のトリクレンなどの有機溶剤７に残漬４
０が残った状態のウェハを浸けて残漬４０と保１！１１
３を溶かして除去する（第２Ｃ図）。次に、残漬４０と
保護膜３が除去された状態のウェハを水洗し乾燥する（
第２Ｄ図）。
０が残った状態のウェハを浸けて残漬４０と保１！１１
３を溶かして除去する（第２Ｃ図）。次に、残漬４０と
保護膜３が除去された状態のウェハを水洗し乾燥する（
第２Ｄ図）。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、従来の半導体装置の製造方法においては、保
護テープ４の残漬４０と保！１１１１！３を除去するの
にトリクレンなどの有別溶剤を使用しているが、この有
機溶剤は人体に有害であるという問題点があった。
護テープ４の残漬４０と保！１１１１！３を除去するの
にトリクレンなどの有別溶剤を使用しているが、この有
機溶剤は人体に有害であるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、人体に有害な有機溶剤を使わずに保慢テープ
の残漬と保ｍｆｆ１を除去できる半導体装置の製造方法
を得ることを目的とする。
たもので、人体に有害な有機溶剤を使わずに保慢テープ
の残漬と保ｍｆｆ１を除去できる半導体装置の製造方法
を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る半導体装置の製造方法は、保護テープの
残渣と保護膜を活性の酸素と反応させ炭化して除去する
方法（乾式除去方法）である。
残渣と保護膜を活性の酸素と反応させ炭化して除去する
方法（乾式除去方法）である。
［作用］
この発明においては、保護テープの残漬と保護膜を活性
の酸素と反応させ炭化して除去するため、保護テープの
残渣と保護膜の除去に人体に有害な有機溶剤を使用しな
くてすむ。
の酸素と反応させ炭化して除去するため、保護テープの
残渣と保護膜の除去に人体に有害な有機溶剤を使用しな
くてすむ。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
型槽する部分については適宜その説明を省略する。
型槽する部分については適宜その説明を省略する。
第１Ａ図〜第１Ｄ図は、この発明の実施例である半導体
装置の製造方法を示す工程断面図である。
装置の製造方法を示す工程断面図である。
この製造方法について説明すると、従来の製造方法と同
様な製造方法により第１八図、第１Ｂ図の工程を経て保
護テープ４を剥がした後、保護テープ４の残漬４０が残
った状態のウェハをオゾン（０，）雰囲気の反応チャン
バ８に入れオゾンに紫外線９を照射する。この紫外線９
の照射によりオゾンが酸素（０２）と活性な酸素（０）
に分かれ、残漬４０と保ｍｌ！Ｊ３が活性な酸素と反応
し炭化して除去される（乾式除去方法）（第１Ｃ図）。
様な製造方法により第１八図、第１Ｂ図の工程を経て保
護テープ４を剥がした後、保護テープ４の残漬４０が残
った状態のウェハをオゾン（０，）雰囲気の反応チャン
バ８に入れオゾンに紫外線９を照射する。この紫外線９
の照射によりオゾンが酸素（０２）と活性な酸素（０）
に分かれ、残漬４０と保ｍｌ！Ｊ３が活性な酸素と反応
し炭化して除去される（乾式除去方法）（第１Ｃ図）。
次に、残渣４０と保護ｇ１３が除去された状態のウェハ
を水洗し乾燥する（第１Ｄ図）。
を水洗し乾燥する（第１Ｄ図）。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、保護テープの残渣と保
護膜を活性な酸素と反応させ炭化して除去するので、保
護テープの残漬と保護膜の除去に人体に有害な有機溶剤
を使用しなくてすむ。
護膜を活性な酸素と反応させ炭化して除去するので、保
護テープの残漬と保護膜の除去に人体に有害な有機溶剤
を使用しなくてすむ。
第１Ａ図〜第１Ｄ図は、この発明の実施例である半導体
装置の製造方法を示す工程断面図である。 第２Ａ図〜第２Ｄ図は、従来の半導体装置の製造方法を
示す工程断面図である。 図において、１は半導体Ｗｉ、２は半導体素子領域、３
は保護膜、４は保護テープ、４０は保護テープの残渣、
８は反応チャンバ、９は紫外線である。 なお、各回中同−符号は同一または相当部分を示す。
装置の製造方法を示す工程断面図である。 第２Ａ図〜第２Ｄ図は、従来の半導体装置の製造方法を
示す工程断面図である。 図において、１は半導体Ｗｉ、２は半導体素子領域、３
は保護膜、４は保護テープ、４０は保護テープの残渣、
８は反応チャンバ、９は紫外線である。 なお、各回中同−符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体基板の表側表面に半導体素子領域が形成さ
れており、 前記半導体素子領域表面に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜表面に保護テープを貼る工程と、前記半導体
基板の裏側表面を研磨する工程と、前記保護テープを剥
がす工程と、 前記保護テープの残渣および前記保護膜を活性な酸素と
反応させ炭化して除去する工程とを備えた半導体装置の
製造方法。 - （２）前記活性な酸素はオゾンに紫外線を照射すること
によって得られる特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309830A JPS63160340A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309830A JPS63160340A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160340A true JPS63160340A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=17997777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309830A Pending JPS63160340A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270676A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61309830A patent/JPS63160340A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270676A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4497737B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2010-07-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
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