JP3327595B2 - ３軸加速度計 - Google Patents
３軸加速度計Info
- Publication number
- JP3327595B2 JP3327595B2 JP30170892A JP30170892A JP3327595B2 JP 3327595 B2 JP3327595 B2 JP 3327595B2 JP 30170892 A JP30170892 A JP 30170892A JP 30170892 A JP30170892 A JP 30170892A JP 3327595 B2 JP3327595 B2 JP 3327595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- axis
- layers
- substrate
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/082—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for two degrees of freedom of movement of a single mass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度計（ａｃｃｅｌ
ｅｒｏｍｅｔｅｒ）に関しかつ、より特定的には、３つ
の互いに直交する軸に沿った加速度を測定可能な加速度
計に関する。
ｅｒｏｍｅｔｅｒ）に関しかつ、より特定的には、３つ
の互いに直交する軸に沿った加速度を測定可能な加速度
計に関する。
【０００２】
【従来の技術】加速度計を小型化しかつコストを下げる
ために、多くの異なるタイプの加速度検出構造が考案さ
れている。これらの構造は容量デバイスおよび圧電抵抗
デバイスを含み、それらの内の幾つかは半導体製造技術
および／またはバルクマイクロ機械加工（ｂｕｌｋ ｍ
ｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）を用いて製作される。容
量デバイスは一般に金属などで形成され、基板上に装着
されて該基板に対して移動する、導電プレートからな
る。このプレートは基板の平坦な面に平行に配置されか
つ該基板とともに１つまたはそれ以上の容量を形成す
る。そこに加えられる加速力により、プレートが動く
と、容量が変化する。この変化が接続された電子回路に
よって検出されかつ前記加速度を表す信号に変換され
る。
ために、多くの異なるタイプの加速度検出構造が考案さ
れている。これらの構造は容量デバイスおよび圧電抵抗
デバイスを含み、それらの内の幾つかは半導体製造技術
および／またはバルクマイクロ機械加工（ｂｕｌｋ ｍ
ｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）を用いて製作される。容
量デバイスは一般に金属などで形成され、基板上に装着
されて該基板に対して移動する、導電プレートからな
る。このプレートは基板の平坦な面に平行に配置されか
つ該基板とともに１つまたはそれ以上の容量を形成す
る。そこに加えられる加速力により、プレートが動く
と、容量が変化する。この変化が接続された電子回路に
よって検出されかつ前記加速度を表す信号に変換され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】加速度計はすべての方
向における車両の運動、または加速度、を検出するため
の慣性誘導システムにおいて有用である。この情報か
ら、車両の位置が常時決定できる。上に述べたような、
加速度計は単一軸の装置として製造される。すべての方
向での運動の表示を得るためには、３つの従来技術の加
速度計が検出軸が互いに直交するように配置されなけれ
ばならない。このことは１つまたはそれ以上の加速度計
が他のものに対してある角度をもって配置されなければ
ならずかつパッケージ全体が単一の平坦なパッケージと
して形成できないため最終的なパッケージが依然として
かなり大きくなることを意味する。さらに、各々の加速
度計は別個の半導体基板上に構築されなけらばならない
から、信号を核チップの間で通信しなければならない。
信号を増幅し、バッファリングしかつチップ間で通信す
るためには多量の電力が必要なことはよく知られてい
る。
向における車両の運動、または加速度、を検出するため
の慣性誘導システムにおいて有用である。この情報か
ら、車両の位置が常時決定できる。上に述べたような、
加速度計は単一軸の装置として製造される。すべての方
向での運動の表示を得るためには、３つの従来技術の加
速度計が検出軸が互いに直交するように配置されなけれ
ばならない。このことは１つまたはそれ以上の加速度計
が他のものに対してある角度をもって配置されなければ
ならずかつパッケージ全体が単一の平坦なパッケージと
して形成できないため最終的なパッケージが依然として
かなり大きくなることを意味する。さらに、各々の加速
度計は別個の半導体基板上に構築されなけらばならない
から、信号を核チップの間で通信しなければならない。
信号を増幅し、バッファリングしかつチップ間で通信す
るためには多量の電力が必要なことはよく知られてい
る。
【０００４】従って、本発明の目的は、３つの互いに直
交する軸に沿った加速度を測定することができる新規な
かつ改良された加速度計を提供することにある。
交する軸に沿った加速度を測定することができる新規な
かつ改良された加速度計を提供することにある。
【０００５】本発明の他の目的は、半導体プロセスによ
って製造され、かつ比較的低価格でありかつ小型である
とともに、製造が容易な３軸加速度計を提供することに
ある。
って製造され、かつ比較的低価格でありかつ小型である
とともに、製造が容易な３軸加速度計を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】これらおよび
他の目的は１つの半導体基板上に形成される３軸加速度
計によって満たされる。
他の目的は１つの半導体基板上に形成される３軸加速度
計によって満たされる。
【０００７】これらおよび他の目的はさらに、半導体基
板と前記基板上に形成された少なくとも３つの導電材料
層とを含む３軸加速度計によって満たされる。前記導電
材料層の各々はそれぞれ１つの平面内に横たわりかつ各
導電材料層の前記平面が互いに平行でありかつ互いに間
隔をおくように装着され、前記層の内の第１の層（５
４）は固定的に装着され、第２の層（５６）は前記第１
の層と第３の層との間に配置されかつ複数のアーム（６
４）によって装着され、前記アームの各々は前記基板上
に支持された中央ポスト（５８）に取り付けられた第１
の端部と前記第１の層に対して前記第２の層の限られた
運動が可能なように前記第２の層を支持するように取り
付けられた第２の端部とを有し、そして第３の層（６
０）は前記半導体基板上に支持されかつ前記半導体基板
から電気的に絶縁されている。前記第１および第２の層
によって形成され前記第１、第２および第３の層に垂直
な第１の軸（Ｚ）に沿った加速度計の加速度の変化に応
じて変化する第１の可変容量と、前記第２及び第３の層
の間に存在し前記第１の軸に沿った加速度の変化に応じ
て前記第１の可変容量と反対方向に変化する第２の可変
容量が存在する。さらに、前記第２の層の一部分として
前記第２の層の平面内に形成された複数の第１の面と、
前記第３の層の一部分として前記第３の層の平面内に形
成された複数の電気的に絶縁されたプレートと、前記第
１の層の一部分として前記第１の層の平面内に形成され
た複数の電気的に絶縁されたプレートとが設けられ、前
記複数の第１の面は前記第２の層と共にかつ前記第１の
層および前記第３の層に対して移動可能であり、前記複
数の電気的に絶縁されたプレートと前記複数の第１の面
の平面はそれぞれ互いにかつ前記第１の軸（Ｚ）に対し
て相互に直交する第２（Ｘ）及び第３（Ｙ）の軸に沿っ
た加速度の検出を可能にする。そして、前記複数の第１
の面と前記複数の電気的に絶縁されたプレートとの間に
可変容量が形成され、該可変容量はそれぞれ前記第２
（Ｘ）および第３（Ｙ）の軸における加速度に従って変
化する。これらおよび他の目的はさらに、半導体基板、
導電材料の第１、第２および第３の層を含む３軸加速度
計によって満たされる。導電材料の第１の層は前記基板
上に形成されかつほぼ１つの平面内に横たわる。導電材
料の第２の層は複数のアームによって装着され、前記ア
ームの各々は前記基板上に支持された中央ポストに取り
付けられた第１の端部と前記第２の層を支持するために
取り付けられたカンチレバー構造の第２の端部とを有
し、前記第２の層の主要面が前記第１の層から離れかつ
絶縁体によって前記第１の層に接触することから保護さ
れており、前記第２の層の前記主要面は前記第１の層に
対して限られた運動が可能なように前記平面に対し平行
である。導電材料の第３の層は前記基板上に支持されか
つ前記第１の層に関して固定的にかつ前記平面に平行に
装着され、前記第３の層は前記第２の層の第２の主要面
に隣接しかつ該第２の主要面から離れて装着されてい
る。前記第１および第２の層によって形成される第１の
容量と前記第２および第３の層によって形成される第２
の容量が存在し、各々の容量は前記第１、第２および第
３の層に垂直な第１の軸（Ｚ）に沿った加速度計の加速
度に従って変化する。そして、導電性プレートが前記第
１の層の一部及び前記第３の層の一部として形成され、
電気的に絶縁された導電面が前記第２の層の一部として
形成され、前記種々の導電性プレートは加速度によって
生じた前記第２の層の運動に応じて前記電気的に絶縁さ
れた導電面とともに反対方向に変化する容量を生み出
し、前記電気的に絶縁された導電面及び前記導電性プレ
ートは更に互いにかつ前記第１の軸（Ｚ）に対して相互
に直交する第２（Ｘ）及び第３（Ｙ）の軸に沿った加速
度の検出を可能にする。
板と前記基板上に形成された少なくとも３つの導電材料
層とを含む３軸加速度計によって満たされる。前記導電
材料層の各々はそれぞれ１つの平面内に横たわりかつ各
導電材料層の前記平面が互いに平行でありかつ互いに間
隔をおくように装着され、前記層の内の第１の層（５
４）は固定的に装着され、第２の層（５６）は前記第１
の層と第３の層との間に配置されかつ複数のアーム（６
４）によって装着され、前記アームの各々は前記基板上
に支持された中央ポスト（５８）に取り付けられた第１
の端部と前記第１の層に対して前記第２の層の限られた
運動が可能なように前記第２の層を支持するように取り
付けられた第２の端部とを有し、そして第３の層（６
０）は前記半導体基板上に支持されかつ前記半導体基板
から電気的に絶縁されている。前記第１および第２の層
によって形成され前記第１、第２および第３の層に垂直
な第１の軸（Ｚ）に沿った加速度計の加速度の変化に応
じて変化する第１の可変容量と、前記第２及び第３の層
の間に存在し前記第１の軸に沿った加速度の変化に応じ
て前記第１の可変容量と反対方向に変化する第２の可変
容量が存在する。さらに、前記第２の層の一部分として
前記第２の層の平面内に形成された複数の第１の面と、
前記第３の層の一部分として前記第３の層の平面内に形
成された複数の電気的に絶縁されたプレートと、前記第
１の層の一部分として前記第１の層の平面内に形成され
た複数の電気的に絶縁されたプレートとが設けられ、前
記複数の第１の面は前記第２の層と共にかつ前記第１の
層および前記第３の層に対して移動可能であり、前記複
数の電気的に絶縁されたプレートと前記複数の第１の面
の平面はそれぞれ互いにかつ前記第１の軸（Ｚ）に対し
て相互に直交する第２（Ｘ）及び第３（Ｙ）の軸に沿っ
た加速度の検出を可能にする。そして、前記複数の第１
の面と前記複数の電気的に絶縁されたプレートとの間に
可変容量が形成され、該可変容量はそれぞれ前記第２
（Ｘ）および第３（Ｙ）の軸における加速度に従って変
化する。これらおよび他の目的はさらに、半導体基板、
導電材料の第１、第２および第３の層を含む３軸加速度
計によって満たされる。導電材料の第１の層は前記基板
上に形成されかつほぼ１つの平面内に横たわる。導電材
料の第２の層は複数のアームによって装着され、前記ア
ームの各々は前記基板上に支持された中央ポストに取り
付けられた第１の端部と前記第２の層を支持するために
取り付けられたカンチレバー構造の第２の端部とを有
し、前記第２の層の主要面が前記第１の層から離れかつ
絶縁体によって前記第１の層に接触することから保護さ
れており、前記第２の層の前記主要面は前記第１の層に
対して限られた運動が可能なように前記平面に対し平行
である。導電材料の第３の層は前記基板上に支持されか
つ前記第１の層に関して固定的にかつ前記平面に平行に
装着され、前記第３の層は前記第２の層の第２の主要面
に隣接しかつ該第２の主要面から離れて装着されてい
る。前記第１および第２の層によって形成される第１の
容量と前記第２および第３の層によって形成される第２
の容量が存在し、各々の容量は前記第１、第２および第
３の層に垂直な第１の軸（Ｚ）に沿った加速度計の加速
度に従って変化する。そして、導電性プレートが前記第
１の層の一部及び前記第３の層の一部として形成され、
電気的に絶縁された導電面が前記第２の層の一部として
形成され、前記種々の導電性プレートは加速度によって
生じた前記第２の層の運動に応じて前記電気的に絶縁さ
れた導電面とともに反対方向に変化する容量を生み出
し、前記電気的に絶縁された導電面及び前記導電性プレ
ートは更に互いにかつ前記第１の軸（Ｚ）に対して相互
に直交する第２（Ｘ）及び第３（Ｙ）の軸に沿った加速
度の検出を可能にする。
【０００８】
【実施例】特に図１を参照すると、本発明の１実施例に
係わる、３軸加速度計１０が示されている。加速度計１
０は平面図で示されており、その一部が内部構造をより
よく見えるようにするため除去されている。
係わる、３軸加速度計１０が示されている。加速度計１
０は平面図で示されており、その一部が内部構造をより
よく見えるようにするため除去されている。
【０００９】加速度計１０は基板１２を含み、該基板１
２の上には第１の導電層１４（図４に示されている）が
固定的に装着されている。第２の導電層１６が第１の導
電層１４と平行にかつ第１の導電層１４から離れて配置
されている。層１６は４つの支持アーム２０によって相
対的に運動するよう装着されており、前記４つの支持ア
ーム２０の各々は一端で基板１２に固定的に取り付けら
れかつ他端において対角線的に層１６のそれぞれのコー
ナに取り付けられている。アーム２０は基板１２の面に
平行な２つの直交軸（ＸおよびＹ）においてかつ基板１
２に垂直な第３の軸（Ｚ）において層１６の限定された
運動を可能にするよう構成されている。本実施例におい
ては、アーム２０は単に真っ直ぐなカンチレバー構造と
して図示されている。しかしながら、もし感度を増大す
るために必要であればより複雑な構造も導入することが
できる。
２の上には第１の導電層１４（図４に示されている）が
固定的に装着されている。第２の導電層１６が第１の導
電層１４と平行にかつ第１の導電層１４から離れて配置
されている。層１６は４つの支持アーム２０によって相
対的に運動するよう装着されており、前記４つの支持ア
ーム２０の各々は一端で基板１２に固定的に取り付けら
れかつ他端において対角線的に層１６のそれぞれのコー
ナに取り付けられている。アーム２０は基板１２の面に
平行な２つの直交軸（ＸおよびＹ）においてかつ基板１
２に垂直な第３の軸（Ｚ）において層１６の限定された
運動を可能にするよう構成されている。本実施例におい
ては、アーム２０は単に真っ直ぐなカンチレバー構造と
して図示されている。しかしながら、もし感度を増大す
るために必要であればより複雑な構造も導入することが
できる。
【００１０】この特定の実施例においては多結晶シリコ
ンで形成される、複数の垂直ポスト２２が一端で基板１
２により支持されておりかつそれらは基板１２に関し第
３の導電層２４（図４を参照）を固定的に支持してい
る。この特定の実施例においては、１２個のポスト２２
が層１６の外側エッジを越えて配置されておりかつ９個
のポストが層１６の開口２３を通って延びており、これ
らの開口２３はポスト２２に関して層１６がそれらの間
の物理的接触を生ずることなく運動するための十分な空
間を提供する。ここでは層２４のいずれの実質的な動き
をも防止するため比較的多数のポスト２３が利用されて
いるが、異なる数のポスト、異なる位置および異なる構
造を含む多くの他の構成も層２４の固定的な位置づけの
ために利用できることが理解されるべきである。
ンで形成される、複数の垂直ポスト２２が一端で基板１
２により支持されておりかつそれらは基板１２に関し第
３の導電層２４（図４を参照）を固定的に支持してい
る。この特定の実施例においては、１２個のポスト２２
が層１６の外側エッジを越えて配置されておりかつ９個
のポストが層１６の開口２３を通って延びており、これ
らの開口２３はポスト２２に関して層１６がそれらの間
の物理的接触を生ずることなく運動するための十分な空
間を提供する。ここでは層２４のいずれの実質的な動き
をも防止するため比較的多数のポスト２３が利用されて
いるが、異なる数のポスト、異なる位置および異なる構
造を含む多くの他の構成も層２４の固定的な位置づけの
ために利用できることが理解されるべきである。
【００１１】この特定の実施例においては、導電層１
４，１６および２４の各々はほぼ四角形あるいは長方形
の構造を有する部分によって構成されておりかつこれら
長方形の部分は、層１４および２４の固定された長方形
部分の間に層１６の可動長方形部分が配置されるような
関係で間隔をあけて重なるように配置されている。従っ
て、可変容量２６（図４を参照）が層１４および１６の
長方形部分の間に形成され、この容量２６はＺ軸に沿っ
た加速度による層１４および１６の長方形部分の間の相
対的運動に従って変化する。同様に、可変容量２７は層
１６および２４の長方形部分の間に形成され、この容量
は容量２６の変化と反対方向に変化する。
４，１６および２４の各々はほぼ四角形あるいは長方形
の構造を有する部分によって構成されておりかつこれら
長方形の部分は、層１４および２４の固定された長方形
部分の間に層１６の可動長方形部分が配置されるような
関係で間隔をあけて重なるように配置されている。従っ
て、可変容量２６（図４を参照）が層１４および１６の
長方形部分の間に形成され、この容量２６はＺ軸に沿っ
た加速度による層１４および１６の長方形部分の間の相
対的運動に従って変化する。同様に、可変容量２７は層
１６および２４の長方形部分の間に形成され、この容量
は容量２６の変化と反対方向に変化する。
【００１２】層１４および１６の長方形部分の各々は、
それに固定されＸおよびＹ軸に沿った運動を検出するた
めの構造を有する。この特定の実施例においては、該構
造は層１４および１６内の長方形部分の各々の一体化部
分として形成された、複数の突起、または入り込んだフ
ィンガである。層１６は、該層１６の面内で、該層１６
の長方形部分の４つの側部の各々から外側に延びた複数
の平行な、間隔をあけたフィンガ３０を含む。各々同様
の複数の平行な、間隔をあけたフィンガを含む、４つの
グループの電気的に結合されたフィンガ３１，３２，３
３および３４が固定的に層１４に取り付けられ、かつ、
層１６の面内で、層１６の長方形部分の４つの側部の各
々に向かって内側に延びている。フィンガ３１，３２，
３３および３４はさらに各フィンガがフィンガ３０に対
して平行でありかつその長手方向の側部においてそれに
隣接してそれらの間で容量を生成するように配置されて
いる。さらに、フィンガ３１および３２はＸ軸に平行に
かつ該Ｘ軸に平行なフィンガ３０の対向側に配置され、
かつフィンガ３３および３４はＹ軸に平行にかつ該Ｙ軸
に平行なフィンガ３０の対向側に配置されている。
それに固定されＸおよびＹ軸に沿った運動を検出するた
めの構造を有する。この特定の実施例においては、該構
造は層１４および１６内の長方形部分の各々の一体化部
分として形成された、複数の突起、または入り込んだフ
ィンガである。層１６は、該層１６の面内で、該層１６
の長方形部分の４つの側部の各々から外側に延びた複数
の平行な、間隔をあけたフィンガ３０を含む。各々同様
の複数の平行な、間隔をあけたフィンガを含む、４つの
グループの電気的に結合されたフィンガ３１，３２，３
３および３４が固定的に層１４に取り付けられ、かつ、
層１６の面内で、層１６の長方形部分の４つの側部の各
々に向かって内側に延びている。フィンガ３１，３２，
３３および３４はさらに各フィンガがフィンガ３０に対
して平行でありかつその長手方向の側部においてそれに
隣接してそれらの間で容量を生成するように配置されて
いる。さらに、フィンガ３１および３２はＸ軸に平行に
かつ該Ｘ軸に平行なフィンガ３０の対向側に配置され、
かつフィンガ３３および３４はＹ軸に平行にかつ該Ｙ軸
に平行なフィンガ３０の対向側に配置されている。
【００１３】フィンガ３０，３１および３２は層１６の
長方形部分の上側側部および下側側部（図１）に沿って
グループとして配置され、それにより、図１の上部から
下部に延びる、Ｘ軸を規定し、かつフィンガ３０，３３
及び３４は図１の左側から右側に延びる、Ｙ軸を規定す
る。構成上の都合のため、層１６のすべては装着アーム
２０を介して共通の電位に接続されるようになってい
る。層１６の長方形部分の両側に、Ｘ軸に平行に横たわ
る固定フィンガ３１および３２は２つのグループに分割
され、すなわち、すべてのフィンガ３１は一緒に接続さ
れかつすべてのフィンガ３２は一緒に接続されて隣接
の、可動フィンガ３０と組み合わせて可変容量３６およ
び３７（図３を参照）を形成する。フィンガ３０および
３１は容量３６を形成しかつフィンガ３０及び３２は容
量３７を形成する。層１６の長方形部分の両側に、Ｙ軸
に平行に横たわる固定フィンガ３３は一緒に接続されて
隣接の、可動フィンガ３０と組み合わせて１つの可変容
量３８（図３を参照）を形成する。固定フィンガ３４は
同様にフィンガ３０と組み合わせて可変容量３９を形成
するよう結合される。
長方形部分の上側側部および下側側部（図１）に沿って
グループとして配置され、それにより、図１の上部から
下部に延びる、Ｘ軸を規定し、かつフィンガ３０，３３
及び３４は図１の左側から右側に延びる、Ｙ軸を規定す
る。構成上の都合のため、層１６のすべては装着アーム
２０を介して共通の電位に接続されるようになってい
る。層１６の長方形部分の両側に、Ｘ軸に平行に横たわ
る固定フィンガ３１および３２は２つのグループに分割
され、すなわち、すべてのフィンガ３１は一緒に接続さ
れかつすべてのフィンガ３２は一緒に接続されて隣接
の、可動フィンガ３０と組み合わせて可変容量３６およ
び３７（図３を参照）を形成する。フィンガ３０および
３１は容量３６を形成しかつフィンガ３０及び３２は容
量３７を形成する。層１６の長方形部分の両側に、Ｙ軸
に平行に横たわる固定フィンガ３３は一緒に接続されて
隣接の、可動フィンガ３０と組み合わせて１つの可変容
量３８（図３を参照）を形成する。固定フィンガ３４は
同様にフィンガ３０と組み合わせて可変容量３９を形成
するよう結合される。
【００１４】図２は、３つの平行に隣接するフィンガ３
０，３３および３４の非常に拡大された平面図である。
これらのフィンガは接近して平行に配置されているか
ら、それらの間に容量が形成される。各フィンガは非常
に小さいため、各対のフィンガの間に形成される容量は
非常に小さいが、複数のフィンガを並列に接続すること
により、２分の１ピコファラッドのオーダーの、合理的
な大きさの容量が得られる。フィンガ３０がフィンガ３
３に向かってかつフィンガ３４から離れて横に移動する
と、それらの間の容量が変化する。この容量の変化は電
子回路によって検出され、該電子回路はこの容量をフィ
ンガ３０の運動によって生じた加速度を表す信号に変換
する。
０，３３および３４の非常に拡大された平面図である。
これらのフィンガは接近して平行に配置されているか
ら、それらの間に容量が形成される。各フィンガは非常
に小さいため、各対のフィンガの間に形成される容量は
非常に小さいが、複数のフィンガを並列に接続すること
により、２分の１ピコファラッドのオーダーの、合理的
な大きさの容量が得られる。フィンガ３０がフィンガ３
３に向かってかつフィンガ３４から離れて横に移動する
と、それらの間の容量が変化する。この容量の変化は電
子回路によって検出され、該電子回路はこの容量をフィ
ンガ３０の運動によって生じた加速度を表す信号に変換
する。
【００１５】図３は３つの互いに直交する軸および関係
する容量を示す。加速度計１０がＺ軸に沿って加速され
た時、容量２６および２７は反対方向に変化し、一方が
増大し他方が減少し、従って容量の変化が増大して検出
が容易になる。加速度計１０がＹ軸に沿って加速された
時、容量３６および３７が反対方向に変化し、かつ加速
度計１０がＸ軸に沿って加速された時、容量３８および
３９が反対方向に変化する。
する容量を示す。加速度計１０がＺ軸に沿って加速され
た時、容量２６および２７は反対方向に変化し、一方が
増大し他方が減少し、従って容量の変化が増大して検出
が容易になる。加速度計１０がＹ軸に沿って加速された
時、容量３６および３７が反対方向に変化し、かつ加速
度計１０がＸ軸に沿って加速された時、容量３８および
３９が反対方向に変化する。
【００１６】図４は、図１の４−４線から見た部分的断
面図を示す。絶縁層４０が基板１２の平坦な面上に形成
されておりかつ層１４がその上に被着されている。層１
４は基板１２から層４０によって絶縁されており、それ
により基板１２がドーピングできあるいは、半導体技術
上よく知られているように、種々の構成要素の間の導電
経路を提供するために利用できるようになる。絶縁層４
２が層１４の回りに形成され、それにより層１６が十分
遠くに移動して層１４及び層１６の間に電気的短絡を生
ずる可能性がなくなる。ポスト２２は開口部２３におい
て、絶縁材料および導電性材料によって形成され、それ
により基板１２によって支持される。燐珪酸塩ガラス
（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）のよ
うな、材料（図示せず）の第１の犠牲層が基板１２およ
び層４２上に適合的に（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）被着
される。この第１の犠牲層の厚さは導電層１４および１
６の間の所望の間隔に従って変えられる。層１６は第１
の犠牲層の上に優先的に（ｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｌ
ｙ）被着されかつ絶縁層４４がその上に被着されて層１
６と２４との間の電気的接触を防止する。第２の犠牲
層、図示せず、が層４４と他のオープン領域に適合的に
被着される。前と同様に、第２の犠牲層の厚さは層１６
と２４の間の所望の間隔を得るために変えられる。層２
４は優先的に第２の犠牲層の上に被着され、それにより
ポスト２２と支持接触しかつ層１６に対し上に横たわる
関係になる。これらの犠牲層は次に何等かの都合のよい
エッチング処理によって除去されかつ図４に示される構
造が得られる。もちろん、以上の説明からは多くの中間
ステップが省略されているが、それはこれらの中間ステ
ップがマイクロマシーンの技術の分野においてよく当業
者によく知られておりこの実施例の一部を構成しないか
らである。
面図を示す。絶縁層４０が基板１２の平坦な面上に形成
されておりかつ層１４がその上に被着されている。層１
４は基板１２から層４０によって絶縁されており、それ
により基板１２がドーピングできあるいは、半導体技術
上よく知られているように、種々の構成要素の間の導電
経路を提供するために利用できるようになる。絶縁層４
２が層１４の回りに形成され、それにより層１６が十分
遠くに移動して層１４及び層１６の間に電気的短絡を生
ずる可能性がなくなる。ポスト２２は開口部２３におい
て、絶縁材料および導電性材料によって形成され、それ
により基板１２によって支持される。燐珪酸塩ガラス
（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）のよ
うな、材料（図示せず）の第１の犠牲層が基板１２およ
び層４２上に適合的に（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）被着
される。この第１の犠牲層の厚さは導電層１４および１
６の間の所望の間隔に従って変えられる。層１６は第１
の犠牲層の上に優先的に（ｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｌ
ｙ）被着されかつ絶縁層４４がその上に被着されて層１
６と２４との間の電気的接触を防止する。第２の犠牲
層、図示せず、が層４４と他のオープン領域に適合的に
被着される。前と同様に、第２の犠牲層の厚さは層１６
と２４の間の所望の間隔を得るために変えられる。層２
４は優先的に第２の犠牲層の上に被着され、それにより
ポスト２２と支持接触しかつ層１６に対し上に横たわる
関係になる。これらの犠牲層は次に何等かの都合のよい
エッチング処理によって除去されかつ図４に示される構
造が得られる。もちろん、以上の説明からは多くの中間
ステップが省略されているが、それはこれらの中間ステ
ップがマイクロマシーンの技術の分野においてよく当業
者によく知られておりこの実施例の一部を構成しないか
らである。
【００１７】図５、図６、図７および図８は、一般に参
照数字５０で示される、本発明を実施した３軸加速度計
の他の実施例を示す。
照数字５０で示される、本発明を実施した３軸加速度計
の他の実施例を示す。
【００１８】特に図５を参照すると、加速度計５０は基
板５２上に形成されておりかつ絶縁層５３および該絶縁
層５３上に支持された第１の導電層５４を含む。第２の
導電層５６が中央に配置されたポスト５８に支持されて
おり、該ポスト５８は絶縁層５３上に支持されている。
層５６は層５４に対して間隔をあけて上に横たわるよう
に配置され、かつ、後に説明するように、層５４に対し
て動くことができる。第３の導電層６０が該層６０の外
側周辺部から絶縁層５３に延びている柱状部材（ｐｉｌ
ｌａｒｓ）６２（図５および図６を参照）によって、層
５６に対して間隔をあけて上に横たわる関係に固定して
配置されている。これら種々の層はよく知られたマイク
ロマシーン技術および、上に述べた、犠牲層の使用によ
って形成され、従ってこれ以上説明しない。
板５２上に形成されておりかつ絶縁層５３および該絶縁
層５３上に支持された第１の導電層５４を含む。第２の
導電層５６が中央に配置されたポスト５８に支持されて
おり、該ポスト５８は絶縁層５３上に支持されている。
層５６は層５４に対して間隔をあけて上に横たわるよう
に配置され、かつ、後に説明するように、層５４に対し
て動くことができる。第３の導電層６０が該層６０の外
側周辺部から絶縁層５３に延びている柱状部材（ｐｉｌ
ｌａｒｓ）６２（図５および図６を参照）によって、層
５６に対して間隔をあけて上に横たわる関係に固定して
配置されている。これら種々の層はよく知られたマイク
ロマシーン技術および、上に述べた、犠牲層の使用によ
って形成され、従ってこれ以上説明しない。
【００１９】図６は、層５６の平面図を示し、柱状部材
６２はその相対的位置を示すために断面図で図示されて
いる。層５６は４つのアームによって中央装着ポスト５
８に固定されたほぼ四角形の、平坦な質量部材である。
アーム６４は装着ポスト５８に関して任意の方向に層５
６の運動ができるようにするためバネのような作用を提
供する曲がりくねった中央部を有するよう形成されてい
る。
６２はその相対的位置を示すために断面図で図示されて
いる。層５６は４つのアームによって中央装着ポスト５
８に固定されたほぼ四角形の、平坦な質量部材である。
アーム６４は装着ポスト５８に関して任意の方向に層５
６の運動ができるようにするためバネのような作用を提
供する曲がりくねった中央部を有するよう形成されてい
る。
【００２０】図７は、種々の部分の相対位置を示すため
に層５６上に配置された層６０の平面図を示す。層６０
は４つのほぼ長方形の導電プレート６６Ａないし６６Ｄ
を含み、これらの導電プレート６６Ａないし６６Ｄの各
々は層５６の同様の形状部と一致させるため２つの切り
落とされたコーナを有する。プレート６６Ａないし６６
Ｄの各々は層５６と協働して、それぞれ、容量６７Ａな
いし６７Ｄを形成し（図９を参照）、かつ層５４の同様
のプレートは層５６と協働して容量６８Ａないし６８Ｄ
を形成する（図９を参照）。プレート６６Ａおよび６６
ＣはＹ軸を規定するよう配置されている。プレート６６
Ｂおよび６６ＤはＸ軸を規定するよう配置されている。
Ｚ軸は層５４，５６および６０によって規定され、かつ
基板５２の面と垂直である。従って、３つの互いに直交
する軸が規定されかつ容量６７Ａないし６７Ｄおよび６
８Ａないし６８Ｄがそれに沿った加速度を検出するため
に配置されることになる。
に層５６上に配置された層６０の平面図を示す。層６０
は４つのほぼ長方形の導電プレート６６Ａないし６６Ｄ
を含み、これらの導電プレート６６Ａないし６６Ｄの各
々は層５６の同様の形状部と一致させるため２つの切り
落とされたコーナを有する。プレート６６Ａないし６６
Ｄの各々は層５６と協働して、それぞれ、容量６７Ａな
いし６７Ｄを形成し（図９を参照）、かつ層５４の同様
のプレートは層５６と協働して容量６８Ａないし６８Ｄ
を形成する（図９を参照）。プレート６６Ａおよび６６
ＣはＹ軸を規定するよう配置されている。プレート６６
Ｂおよび６６ＤはＸ軸を規定するよう配置されている。
Ｚ軸は層５４，５６および６０によって規定され、かつ
基板５２の面と垂直である。従って、３つの互いに直交
する軸が規定されかつ容量６７Ａないし６７Ｄおよび６
８Ａないし６８Ｄがそれに沿った加速度を検出するため
に配置されることになる。
【００２１】図８は、層５６とプレート６６Ｂおよび６
６Ｄの一部の非常に拡大された平面図であり、容量６７
Ｂおよび６７Ｄが変えられる様子をより詳細に示す。Ｘ
軸に沿った加速力は層５６を図８の上部方向に移動さ
せ、プレート６６Ｂの多くが層５６と重なって容量６７
Ｂを増大させる。また、プレート６６Ｄが層５６に重な
る量が少なくなると、容量６７Ｄが減少する。同様に、
層５６および層５４の間の、容量６８Ｂおよび６８Ｄが
それぞれ増加しかつ減少する。従って、容量６７Ｂ，６
７Ｄ，６８Ｂおよび６８Ｄは差動電子回路において使用
されＸ軸に沿った加速度を検出する。同様に、容量６７
Ａ，６７Ｃ，６８Ａおよび６８ＣはＹ軸に沿った加速度
を検出するために使用される。図９は典型的な検出回路
における比較器６９に接続された容量６７Ａないし６７
Ｄおよび６８Ａないし６８Ｄを示す。比較器６９はこれ
らの容量から受信された入力信号を基準信号と比較して
容量の何等かの変化を判定する。
６Ｄの一部の非常に拡大された平面図であり、容量６７
Ｂおよび６７Ｄが変えられる様子をより詳細に示す。Ｘ
軸に沿った加速力は層５６を図８の上部方向に移動さ
せ、プレート６６Ｂの多くが層５６と重なって容量６７
Ｂを増大させる。また、プレート６６Ｄが層５６に重な
る量が少なくなると、容量６７Ｄが減少する。同様に、
層５６および層５４の間の、容量６８Ｂおよび６８Ｄが
それぞれ増加しかつ減少する。従って、容量６７Ｂ，６
７Ｄ，６８Ｂおよび６８Ｄは差動電子回路において使用
されＸ軸に沿った加速度を検出する。同様に、容量６７
Ａ，６７Ｃ，６８Ａおよび６８ＣはＹ軸に沿った加速度
を検出するために使用される。図９は典型的な検出回路
における比較器６９に接続された容量６７Ａないし６７
Ｄおよび６８Ａないし６８Ｄを示す。比較器６９はこれ
らの容量から受信された入力信号を基準信号と比較して
容量の何等かの変化を判定する。
【００２２】図１０を参照すると、図９の検出回路を含
み、スイッチング、または駆動、回路７５が図示されて
いる。種々の容量の変化の検出によって、次のような機
能が達成できる。 機能 駆動される容量 Ｙ方向の加速度 ６７Ａ ＋ ６８Ａ 対 ６７Ｃ ＋ ６８Ｃ Ｘ方向の加速度 ６７Ｂ ＋ ６８Ｂ 対 ６７Ｄ ＋ ６８Ｄ Ｚ方向の加速度 ６７Ａ ＋ ６７Ｃ 対 ６８Ａ ＋ ６８Ｃ Ｚ方向のセルフテスト ６７Ｂ ＋ ６７Ｄまたは６８Ｂ ＋ ６８Ｄ Ｙ軸まわりの回転加速度 ６７Ｂ ＋ ６８Ｄ 対 ６７Ｄ ＋ ６８Ｂ Ｘ軸まわりの回転加速度 ６７Ａ ＋ ６８Ｃ 対 ６８Ａ ＋ ６７Ｃ
み、スイッチング、または駆動、回路７５が図示されて
いる。種々の容量の変化の検出によって、次のような機
能が達成できる。 機能 駆動される容量 Ｙ方向の加速度 ６７Ａ ＋ ６８Ａ 対 ６７Ｃ ＋ ６８Ｃ Ｘ方向の加速度 ６７Ｂ ＋ ６８Ｂ 対 ６７Ｄ ＋ ６８Ｄ Ｚ方向の加速度 ６７Ａ ＋ ６７Ｃ 対 ６８Ａ ＋ ６８Ｃ Ｚ方向のセルフテスト ６７Ｂ ＋ ６７Ｄまたは６８Ｂ ＋ ６８Ｄ Ｙ軸まわりの回転加速度 ６７Ｂ ＋ ６８Ｄ 対 ６７Ｄ ＋ ６８Ｂ Ｘ軸まわりの回転加速度 ６７Ａ ＋ ６８Ｃ 対 ６８Ａ ＋ ６７Ｃ
【００２３】スイッチング回路７５は種々の容量を上に
示されたいずれかの関係に接続し所望の測定を行なわ
せ、かつ比較器６９は各容量からの入力信号を基準信号
と比較する。このようにして、３つの互いに直交する軸
に沿った加速度が測定され、２つの軸の回りの回転加速
度が測定でき、かつ加速度計の少なくとも一部および関
連する回路が試験できる。
示されたいずれかの関係に接続し所望の測定を行なわ
せ、かつ比較器６９は各容量からの入力信号を基準信号
と比較する。このようにして、３つの互いに直交する軸
に沿った加速度が測定され、２つの軸の回りの回転加速
度が測定でき、かつ加速度計の少なくとも一部および関
連する回路が試験できる。
【００２４】上に述べた実施例の全てにおいて、検出容
量を含む、閉ループ回路（図示せず）が容量の検出され
た変化を用いることにより形成されて周期的に静電力を
容量構造の間の可動部材を中心に位置づけるために印加
する。すなわち、この閉ループは可動部材をできるだけ
静止位置に近く維持ししかも検出信号を発生する。これ
は一般に可動部材を中心に維持するために静電力を発生
させるため容量構造を駆動しかつ前記中心に維持するた
めの処理に必要な駆動量を検出することにより達成され
る。必要な駆動量は可動部材を動かす加速力に比例す
る。検出容量を含む閉ループ回路を形成することによ
り、動作範囲および感度が実質的に増大する。
量を含む、閉ループ回路（図示せず）が容量の検出され
た変化を用いることにより形成されて周期的に静電力を
容量構造の間の可動部材を中心に位置づけるために印加
する。すなわち、この閉ループは可動部材をできるだけ
静止位置に近く維持ししかも検出信号を発生する。これ
は一般に可動部材を中心に維持するために静電力を発生
させるため容量構造を駆動しかつ前記中心に維持するた
めの処理に必要な駆動量を検出することにより達成され
る。必要な駆動量は可動部材を動かす加速力に比例す
る。検出容量を含む閉ループ回路を形成することによ
り、動作範囲および感度が実質的に増大する。
【００２５】
【発明の効果】従って、新規なかつ改善された３軸加速
度計の実施例が開示された。開示された加速度計は３つ
の互いに直交する軸の加速度を検出し、前記軸の内の２
つの回りの回転加速度を検出し、かつ幾つかのセルフテ
スト機能を含む。開示された種々の実施例はマイクロ機
械加工技術および、シリコン、多結晶シリコン、種々の
被着金属層、あるいは通常半導体製品を製造する場合に
使用される任意の材料のような、半導体材料を使用して
形成される。新規な構造のため、本加速度計は低い加速
力を検出できるようになりかつしかも丈夫である。本加
速度計に接続される回路は比較的単純でありかつ構造全
体は良好な周波数応答を有する。また、差動容量を使用
するため、良好な交差軸感度（ｃｒｏｓｓ ａｘｉｓ
ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）が得られかつ軸間のクロスト
ークが最小になる。これらおよび他の利点は上述の説明
から当業者にとって明らかであろう。
度計の実施例が開示された。開示された加速度計は３つ
の互いに直交する軸の加速度を検出し、前記軸の内の２
つの回りの回転加速度を検出し、かつ幾つかのセルフテ
スト機能を含む。開示された種々の実施例はマイクロ機
械加工技術および、シリコン、多結晶シリコン、種々の
被着金属層、あるいは通常半導体製品を製造する場合に
使用される任意の材料のような、半導体材料を使用して
形成される。新規な構造のため、本加速度計は低い加速
力を検出できるようになりかつしかも丈夫である。本加
速度計に接続される回路は比較的単純でありかつ構造全
体は良好な周波数応答を有する。また、差動容量を使用
するため、良好な交差軸感度（ｃｒｏｓｓ ａｘｉｓ
ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）が得られかつ軸間のクロスト
ークが最小になる。これらおよび他の利点は上述の説明
から当業者にとって明らかであろう。
【図１】本発明の１実施例に係わる３軸加速度計を、一
部を除去して、示す拡大平面図である。
部を除去して、示す拡大平面図である。
【図２】図１に示される構造の一部を示す拡大説明図で
ある。
ある。
【図３】図１に示される構造の簡略化された回路図であ
る。
る。
【図４】図４の４−４線から見た図１の構造体の一部の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係わる３軸加速度計を示
す単純化した断面図であり、種々の構成要素の間の物理
的関係を一般的に示している。
す単純化した断面図であり、種々の構成要素の間の物理
的関係を一般的に示している。
【図６】図５に示される加速度計の第２層の平面図であ
る。
る。
【図７】図５に示される加速度計の拡大平面図である。
【図８】図５に示される加速度計の一部を示す拡大平面
図である。
図である。
【図９】図５に示される加速度計の検出回路を示す電気
回路図である。
回路図である。
【図１０】図９の検出回路を含む、図５の加速度計の駆
動回路を示す電気回路図である。
動回路を示す電気回路図である。
１０ ３軸加速度計 １２ 基板 １４ 第１の導電層 １６ 第２の導電層 ２０ 支持アーム ２２ 垂直ポスト ２３ 開口部 ２４ 第３の導電層 ２６，２７，３６，３７，３８，３９ 可変容量 ３０，３１，３２，３３，３４ フィンガ ４０，４２，４４ 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロナルド・ジェイ・ガターリッジ アメリカ合衆国アリゾナ州85253、パラ ダイス・バレー、ノース・サーティナイ ンス・ストリート 5816 (72)発明者 コウチェン・ウ アメリカ合衆国アリゾナ州85044、フェ ニックス、サウス・フォーティエイス・ ストリート 13229 ＃2014 (72)発明者 マイケル・エフ・キャラウェイ アメリカ合衆国アリゾナ州85008、フェ ニックス、イースト・バージニア 4814 (72)発明者 ウィリアム・シー・ダン アメリカ合衆国アリゾナ州85213、メサ、 イースト・エンカント・ストリート 3206 (56)参考文献 特開 平４−249726（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−148833（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−142249（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 15/125 G01P 15/18
Claims (2)
- 【請求項１】 ３軸加速度計であって、 半導体基板（５２）、 前記基板上に形成された少なくとも３つの導電材料層
（５４，５６，６０）であって、前記導電材料層の各々
はそれぞれ１つの平面内に横たわりかつ各導電材料層の
前記平面が互いに平行でありかつ互いに間隔をおくよう
に装着され、前記層の内の第１の層（５４）は固定的に
装着され、第２の層（５６）は前記第１の層と第３の層
との間に配置されかつ複数のアーム（６４）によって装
着され、前記アームの各々は前記基板上に支持された中
央ポスト（５８）に取り付けられた第１の端部と前記第
１の層に対して前記第２の層の限られた運動が可能なよ
うに前記第２の層を支持するように取り付けられた第２
の端部とを有し、そして第３の層（６０）は前記半導体
基板上に支持されかつ前記半導体基板から電気的に絶縁
されているもの、 前記第１および第２の層によって形成され前記第１、第
２および第３の層に垂直な第１の軸（Ｚ）に沿った加速
度計の加速度の変化に応じて変化する第１の可変容量
と、前記第２及び第３の層の間に存在し前記第１の軸に
沿った加速度の変化に応じて前記第１の可変容量と反対
方向に変化する第２の可変容量と、 前記第２の層の一部分として前記第２の層の平面内に形
成された複数の第１の面と、前記第３の層の一部分とし
て前記第３の層の平面内に形成された複数の電気的に絶
縁されたプレートと、前記第１の層の一部分として前記
第１の層の平面内に形成された複数の電気的に絶縁され
たプレートとであって、前記複数の第１の面は前記第２
の層と共にかつ前記第１の層および前記第３の層に対し
て 移動可能であり、前記複数の電気的に絶縁されたプレ
ートと前記複数の第１の面の平面はそれぞれ互いにかつ
前記第１の軸（Ｚ）に対して相互に直交する第２（Ｘ）
及び第３（Ｙ）の軸に沿った加速度の検出を可能にする
もの、そして前記複数の第１の面と前記複数の電気的に
絶縁されたプレートとの間に形成される可変容量であっ
て、該可変容量はそれぞれ前記第２（Ｘ）および第３
（Ｙ）の軸における加速度に従って変化するもの、 を具備することを特徴とする３軸加速度計。 - 【請求項２】 ３軸加速度計であって、半導体基板、 前記基板上に形成されかつほぼ１つの平面内に横たわる
導電材料の第１の層、 複数のアーム によって装着された導電材料の第２の層で
あって、前記アームの各々は前記基板上に支持された中
央ポストに取り付けられた第１の端部と前記第２の層を
支持するために取り付けられたカンチレバー構造の第２
の端部とを有し、前記第２の層の主要面が前記第１の層
から離れかつ絶縁体によって前記第１の層に接触するこ
とから保護されており、前記第２の層の前記主要面は前
記第１の層に対して限られた運動が可能なように前記平
面に対し平行であるもの、 前記基板上に支持されかつ前記第１の層に関して固定的
にかつ前記平面に平行に装着された導電材料の第３の層
であって、該第３の層は前記第２の層の第２の主要面に
隣接しかつ該第２の主要面から離れて装着されているも
の、 前記第１および第２の層によって形成される第１の容量
と前記第２および第３の層によって形成される第２の容
量であって、各々の容量は前記第１、第２および第３の
層に垂直な第１の軸（Ｚ）に沿った加速度計の加速度に
従って変化するもの、そして前記第１の層の一部及び前
記第３の層の一部として形成された導電性プレートと、
前記第２の層の一部として形成された電気的に絶縁され
た導電面とであって、前記種々の導電性プレートは加速
度によって生じた前記第２の層の運動に応じて前記電気
的に絶縁された導電面とともに反対方向に変化する容量
を生み出し、前記電気的に絶縁された導電面及び前記導
電性プレートは更に互いにかつ前記第１の軸（Ｚ）に対
して相互に直交する第２（Ｘ）及び第３（Ｙ）の軸に沿
った加速度の検出を可能にするもの、 を具備することを特徴とする３軸加速度計。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US81006391A | 1991-12-19 | 1991-12-19 | |
| US810,063 | 1991-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249138A JPH05249138A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3327595B2 true JP3327595B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=25202899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30170892A Expired - Fee Related JP3327595B2 (ja) | 1991-12-19 | 1992-10-14 | ３軸加速度計 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5487305A (ja) |
| EP (1) | EP0547742B1 (ja) |
| JP (1) | JP3327595B2 (ja) |
| DE (1) | DE69206770T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9315377B2 (en) | 2012-10-02 | 2016-04-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor for detecting acceleration in three directions |
| US9316666B2 (en) | 2012-11-27 | 2016-04-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor having a capacitor array located in the center of an inertial mass |
Families Citing this family (119)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3156453B2 (ja) * | 1993-07-28 | 2001-04-16 | 富士電機株式会社 | 半導体容量形加速度センサ |
| US5665915A (en) * | 1992-03-25 | 1997-09-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor capacitive acceleration sensor |
| US5461916A (en) | 1992-08-21 | 1995-10-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Mechanical force sensing semiconductor device |
| US5824901A (en) * | 1993-08-09 | 1998-10-20 | Leica Geosystems Ag | Capacitive sensor for measuring accelerations and inclinations |
| DE4326666C1 (de) * | 1993-08-09 | 1995-02-23 | Wild Heerbrugg Ag | Kapazitiver Sensor |
| US5777226A (en) * | 1994-03-28 | 1998-07-07 | I/O Sensors, Inc. | Sensor structure with L-shaped spring legs |
| JP3305516B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2002-07-22 | 株式会社東海理化電機製作所 | 静電容量式加速度センサ及びその製造方法 |
| DE69514343T2 (de) * | 1994-11-23 | 2000-08-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Halbleitereinrichtung mit einer mikrokomponente, die eine starre und eine bewegliche elektrode aufweist |
| DE19547642A1 (de) * | 1994-12-20 | 1996-06-27 | Zexel Corp | Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP3433401B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2003-08-04 | アイシン精機株式会社 | 静電容量型加速度センサ |
| US5583291A (en) * | 1995-07-31 | 1996-12-10 | Motorola, Inc. | Micromechanical anchor structure |
| US5806365A (en) * | 1996-04-30 | 1998-09-15 | Motorola, Inc. | Acceleration sensing device on a support substrate and method of operation |
| JPH09318649A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Texas Instr Japan Ltd | 複合センサ |
| US5978972A (en) * | 1996-06-14 | 1999-11-09 | Johns Hopkins University | Helmet system including at least three accelerometers and mass memory and method for recording in real-time orthogonal acceleration data of a head |
| DE19637265A1 (de) * | 1996-09-13 | 1998-03-26 | Bosch Gmbh Robert | Sensor zur kapazitiven Aufnahme einer Beschleunigung |
| US6065742A (en) * | 1996-09-13 | 2000-05-23 | Lord Corporation | Multi-directional tuned vibration absorber |
| SE9700205D0 (sv) * | 1997-01-24 | 1997-01-24 | Peter Lindberg | Integrated microfluidic element |
| US6041655A (en) * | 1997-04-22 | 2000-03-28 | Alliedsignal, Inc. | Active cover accelerometer |
| US6199430B1 (en) | 1997-06-17 | 2001-03-13 | Denso Corporation | Acceleration sensor with ring-shaped movable electrode |
| US6223598B1 (en) | 1997-06-18 | 2001-05-01 | Analog Devices, Inc. | Suspension arrangement for semiconductor accelerometer |
| US5939633A (en) * | 1997-06-18 | 1999-08-17 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for multi-axis capacitive sensing |
| US6082737A (en) * | 1997-08-20 | 2000-07-04 | John Crane Inc. | Rotary shaft monitoring seal system |
| JP4178192B2 (ja) * | 1998-04-22 | 2008-11-12 | ミツミ電機株式会社 | 物理量検出センサ |
| US6128954A (en) * | 1998-12-18 | 2000-10-10 | Delco Electronics Corporation | Spring for a resonance ring of an angular rate sensor |
| US6122963A (en) * | 1999-01-22 | 2000-09-26 | Motorola, Inc. | Electronic component for measuring acceleration |
| JP4238437B2 (ja) | 1999-01-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサとその製造方法 |
| DE19920066B4 (de) * | 1999-05-03 | 2007-03-01 | Robert Bosch Gmbh | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat mit einem aus einer Halbleiterschicht herausstrukturierten Federelement |
| JP3525862B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2004-05-10 | トヨタ自動車株式会社 | センサ素子及びセンサ装置 |
| FR2810976B1 (fr) * | 2000-06-29 | 2003-08-29 | Planhead Silmag P H S | Microcomposant electronique, capteur et actionneur incorporant un tel microcomposant |
| US6536280B1 (en) * | 2000-09-12 | 2003-03-25 | Ic Mechanics, Inc. | Thin film MEMS sensors employing electrical sensing and force feedback |
| US10952671B2 (en) | 2000-10-11 | 2021-03-23 | Riddell, Inc. | System for monitoring a physiological parameter of players engaged in a sporting activity |
| US6826509B2 (en) * | 2000-10-11 | 2004-11-30 | Riddell, Inc. | System and method for measuring the linear and rotational acceleration of a body part |
| US8797165B2 (en) * | 2000-10-11 | 2014-08-05 | Riddell, Inc. | System for monitoring a physiological parameter of players engaged in a sporting activity |
| US7526389B2 (en) * | 2000-10-11 | 2009-04-28 | Riddell, Inc. | Power management of a system for measuring the acceleration of a body part |
| JP2002131331A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| US6701788B2 (en) * | 2001-07-31 | 2004-03-09 | Kelsey-Hayes Company | Multiple output inertial sensing device |
| JP2003166999A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| US6718826B2 (en) * | 2002-02-28 | 2004-04-13 | Delphi Technologies, Inc. | Balanced angular accelerometer |
| US6996051B2 (en) * | 2002-04-29 | 2006-02-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage module suspension system having primary and secondary flexures |
| JP2005534016A (ja) * | 2002-07-19 | 2005-11-10 | アナログ・デバイスズ・インク | 加速度計におけるオフセットの低減 |
| TW574128B (en) * | 2002-11-29 | 2004-02-01 | Lightuning Tech Inc | Thermal bubble type micro-machined inertial sensor |
| JP4156946B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2008-09-24 | 三菱電機株式会社 | 加速度センサ |
| US6845670B1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Single proof mass, 3 axis MEMS transducer |
| JP2005249446A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動型圧電加速度センサ |
| TWI255341B (en) | 2004-06-10 | 2006-05-21 | Chung Shan Inst Of Science | Miniature accelerator |
| EP1779121A1 (en) * | 2004-08-17 | 2007-05-02 | Analog Devices, Inc. | Multiple axis acceleration sensor |
| US8789896B2 (en) | 2004-10-08 | 2014-07-29 | Cequent Electrical Products | Brake control unit |
| US8746812B2 (en) | 2004-10-08 | 2014-06-10 | Marcia Albright | Brake control unit |
| FR2876795B1 (fr) * | 2004-10-19 | 2006-12-29 | Univ Reims Champagne Ardenne | Dispositif de detection de defauts des machines tournantes |
| US7228739B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-06-12 | The Boeing Company | Precision flexure plate |
| JP4754817B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2011-08-24 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサ |
| WO2006074411A2 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Riddell, Inc. | System and method for evaluating and providing treatment to sports participants |
| EP1849123A2 (en) | 2005-01-07 | 2007-10-31 | GestureTek, Inc. | Optical flow based tilt sensor |
| US20060207327A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Zarabadi Seyed R | Linear accelerometer |
| KR101430761B1 (ko) | 2005-05-17 | 2014-08-19 | 퀄컴 인코포레이티드 | 방위-감응 신호 출력 |
| US7337671B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Georgia Tech Research Corp. | Capacitive microaccelerometers and fabrication methods |
| US7738975B2 (en) * | 2005-10-04 | 2010-06-15 | Fisher-Rosemount Systems, Inc. | Analytical server integrated in a process control network |
| US7258011B2 (en) * | 2005-11-21 | 2007-08-21 | Invensense Inc. | Multiple axis accelerometer |
| JP4949673B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2012-06-13 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
| US7578189B1 (en) | 2006-05-10 | 2009-08-25 | Qualtre, Inc. | Three-axis accelerometers |
| US7757555B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Tri-axis accelerometer having a single proof mass and fully differential output signals |
| US7487661B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-02-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Sensor having free fall self-test capability and method therefor |
| DE102006048381A1 (de) * | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Sensor zur Erfassung von Beschleunigungen |
| US8381329B2 (en) * | 2006-10-24 | 2013-02-26 | Bradley Fixtures Corporation | Capacitive sensing for washroom fixture |
| DE102007057044B4 (de) * | 2007-09-10 | 2021-08-05 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Mikromechanische Feder |
| JP2009098007A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Denso Corp | 物理量センサ |
| JP2009192379A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 加速度センサ及び加速度センサの製造方法 |
| US8468887B2 (en) * | 2008-04-14 | 2013-06-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Resonant accelerometer with low sensitivity to package stress |
| HUE031963T2 (en) | 2008-05-27 | 2017-09-28 | Viasat Spa | Device to install in a vehicle to create a rescue requirement and automatically send vehicle location information |
| US8096182B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-01-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Capacitive sensor with stress relief that compensates for package stress |
| WO2010016094A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | パイオニア株式会社 | 静電容量検出型センサ |
| TWI374268B (en) * | 2008-09-05 | 2012-10-11 | Ind Tech Res Inst | Multi-axis capacitive accelerometer |
| US8205498B2 (en) * | 2008-11-18 | 2012-06-26 | Industrial Technology Research Institute | Multi-axis capacitive accelerometer |
| DE102009002702B4 (de) | 2009-04-28 | 2018-01-18 | Hanking Electronics, Ltd. | Mikromechanischer Sensor |
| JP2011022018A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 静電容量型加速度センサー |
| US8710599B2 (en) * | 2009-08-04 | 2014-04-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined devices and fabricating the same |
| US8984941B2 (en) * | 2009-12-16 | 2015-03-24 | Y-Sensors Ltd. | Tethered, levitated-mass accelerometer |
| CN102101635B (zh) * | 2009-12-17 | 2013-06-05 | 原相科技股份有限公司 | 适用于微机电传感器的质量体与使用该质量体的三轴微机电传感器 |
| TWI429912B (zh) * | 2010-08-17 | 2014-03-11 | Pixart Imaging Inc | 具有增強結構強度之微機電系統加速度計 |
| US9455354B2 (en) * | 2010-09-18 | 2016-09-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass |
| WO2012037538A2 (en) | 2010-09-18 | 2012-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor |
| DE112011103124T5 (de) | 2010-09-18 | 2013-12-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | Biegelager zum Verringern von Quadratur für mitschwingende mikromechanische Vorrichtungen |
| US9156673B2 (en) | 2010-09-18 | 2015-10-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems |
| CN103221333B (zh) * | 2010-09-18 | 2017-05-31 | 快捷半导体公司 | 多晶片mems封装 |
| US9278845B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure |
| WO2012040245A2 (en) | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via with reduced shunt capacitance |
| KR101332701B1 (ko) | 2010-09-20 | 2013-11-25 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 기준 커패시터를 포함하는 미소 전자기계 압력 센서 |
| CN102583217B (zh) * | 2011-01-12 | 2015-01-28 | 原相科技股份有限公司 | 微机电系统元件及用于其中的防止变形结构及其制作方法 |
| JP5427199B2 (ja) | 2011-03-17 | 2014-02-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体物理量検出センサ |
| US9140637B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-09-22 | Mihaly Kis, JR. | Method and apparatus for simulating head impacts for helmet testing |
| CN103930028B (zh) | 2011-09-01 | 2017-08-08 | 瑞德尔有限公司 | 监测从事身体活动的人的生理参数的系统和方法 |
| EP2607849A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-26 | Tronics Microsystems S.A. | Multiaxial micro-electronic inertial sensor |
| US9062972B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis accelerometer electrode structure |
| CN104220840B (zh) * | 2012-02-01 | 2016-06-01 | 快捷半导体公司 | 具有中心悬吊件和环架结构的微机电系统(mems)多轴陀螺仪 |
| US8978475B2 (en) | 2012-02-01 | 2015-03-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS proof mass with split z-axis portions |
| US8754694B2 (en) | 2012-04-03 | 2014-06-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Accurate ninety-degree phase shifter |
| US9027403B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-05-12 | Analog Devices, Inc. | Wide G range accelerometer |
| US9488693B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-11-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors |
| US8742964B2 (en) | 2012-04-04 | 2014-06-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor |
| EP2647952B1 (en) | 2012-04-05 | 2017-11-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive |
| US9069006B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-06-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors |
| EP2647955B8 (en) | 2012-04-05 | 2018-12-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device quadrature phase shift cancellation |
| KR102058489B1 (ko) | 2012-04-05 | 2019-12-23 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 멤스 장치 프론트 엔드 전하 증폭기 |
| KR101999745B1 (ko) | 2012-04-12 | 2019-10-01 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 미세 전자 기계 시스템 구동기 |
| US9625272B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-04-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS quadrature cancellation and signal demodulation |
| US9857254B2 (en) * | 2012-05-18 | 2018-01-02 | Atesteo Gmbh | Torque-measuring device or jig |
| DE102013014881B4 (de) | 2012-09-12 | 2023-05-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien |
| EP2908141B1 (en) * | 2012-10-12 | 2017-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Acceleration sensor |
| US9207254B2 (en) * | 2013-02-19 | 2015-12-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Accelerometer with low sensitivity to thermo-mechanical stress |
| CN104714050B (zh) * | 2015-03-07 | 2017-12-29 | 南京中诺斯特传感器科技有限公司 | 一种三轴电容式mems加速度传感器及制备方法 |
| DE102015211387A1 (de) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Robert Bosch Gmbh | Drei-achsiger Drehbeschleunigungssensor |
| US10184951B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-01-22 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Three-axis monolithic MEMS accelerometers and methods for fabricating same |
| JP2017187447A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | アルプス電気株式会社 | センサ装置 |
| AU2017326530A1 (en) | 2016-09-16 | 2019-05-02 | Horizon Global Americas Inc. | Driver and diagnostic system for a brake controller |
| AU2017370920B2 (en) | 2016-12-07 | 2024-06-20 | Horizon Global Americas Inc. | Automated gain and boost for a brake controller |
| US10697994B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-06-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Accelerometer techniques to compensate package stress |
| CN107015287B (zh) * | 2017-03-09 | 2018-12-11 | 中国科学院电工研究所 | 一种重力梯度测量装置及测量方法 |
| US10712360B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-07-14 | Azoteq (Pty) Ltd | Differential charge transfer based accelerometer |
| JP7003076B2 (ja) * | 2019-03-08 | 2022-01-20 | 株式会社東芝 | センサ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4342227A (en) * | 1980-12-24 | 1982-08-03 | International Business Machines Corporation | Planar semiconductor three direction acceleration detecting device and method of fabrication |
| US4430895A (en) * | 1982-02-02 | 1984-02-14 | Rockwell International Corporation | Piezoresistive accelerometer |
| FR2580389B2 (fr) * | 1985-04-16 | 1989-03-03 | Sfena | Accelerometre micro-usine a rappel electrostatique |
| GB8728442D0 (en) * | 1987-12-04 | 1988-01-13 | Russell M K | Triaxial accelerometers |
| US5092174A (en) * | 1989-10-19 | 1992-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Capacitance accelerometer |
| US5249465A (en) * | 1990-12-11 | 1993-10-05 | Motorola, Inc. | Accelerometer utilizing an annular mass |
-
1992
- 1992-09-28 DE DE69206770T patent/DE69206770T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-28 EP EP92308798A patent/EP0547742B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-14 JP JP30170892A patent/JP3327595B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-12 US US08/274,128 patent/US5487305A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9315377B2 (en) | 2012-10-02 | 2016-04-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor for detecting acceleration in three directions |
| US9316666B2 (en) | 2012-11-27 | 2016-04-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor having a capacitor array located in the center of an inertial mass |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69206770D1 (de) | 1996-01-25 |
| EP0547742A1 (en) | 1993-06-23 |
| JPH05249138A (ja) | 1993-09-28 |
| EP0547742B1 (en) | 1995-12-13 |
| US5487305A (en) | 1996-01-30 |
| DE69206770T2 (de) | 1996-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3327595B2 (ja) | ３軸加速度計 | |
| US5495761A (en) | Integrated accelerometer with a sensitive axis parallel to the substrate | |
| US6928872B2 (en) | Integrated gyroscope of semiconductor material with at least one sensitive axis in the sensor plane | |
| JP4787746B2 (ja) | トランスデューサの製造方法 | |
| US7368312B1 (en) | MEMS sensor suite on a chip | |
| US7168317B2 (en) | Planar 3-axis inertial measurement unit | |
| US7258011B2 (en) | Multiple axis accelerometer | |
| JP2765316B2 (ja) | 容量型三軸加速度センサ | |
| US8020443B2 (en) | Transducer with decoupled sensing in mutually orthogonal directions | |
| US7617729B2 (en) | Accelerometer | |
| US8322216B2 (en) | Micromachined accelerometer with monolithic electrodes and method of making the same | |
| US8136400B2 (en) | Accelerometer | |
| US8418557B2 (en) | Physical quantity sensor | |
| US20060207327A1 (en) | Linear accelerometer | |
| US7250322B2 (en) | Method of making microsensor | |
| US9128114B2 (en) | Capacitive sensor device and a method of sensing accelerations | |
| US20060156815A1 (en) | Solid-state gyroscopes and planar three-axis inertial measurement unit | |
| EP1365211B1 (en) | Integrated gyroscope of semiconductor material with at least one sensitive axis in the sensor plane | |
| KR100464309B1 (ko) | 면적변화정전용량형마이크로가속도계및그제조방법 | |
| JPH06167400A (ja) | 力学量センサ | |
| CN117054687A (zh) | 一种单支点单片集成三轴电容式加速度计芯片 | |
| KR20010050348A (ko) | 미크로 기계가공되는 구조물 및 그 제조방법 | |
| JPH11242051A (ja) | 静電容量型多軸加速度センサ | |
| KR19980046608A (ko) | 외력 감지 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070712 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080712 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080712 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090712 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090712 Year of fee payment: 7 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090712 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100712 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100712 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110712 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |