JPH11242051A - 静電容量型多軸加速度センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板のサイズを大きくせずに感度性能
を向上することができ、加速度の検出を多軸について高
精度に行える静電容量型多軸加速度センサを提供するこ
と 【解決手段】 固定基板１４と半導体基板１１と半導体
基板１２と半導体基板１３と固定基板１５を下から順に
積層する。固定基板１４，１５はガラス等の絶縁性の板
材からなす。半導体基板１１，１２，１３を積層した内
側に、エッチングにより内側を分離させて可動電極１６
を形成し、中央の半導体基板１２から複数の梁１７を渡
して弾性支持する。固定基板１５の下面に、５つの第１
固定電極５１〜５５を設けるとともに、固定基板１４の
上面に、５つの第２固定電極４１〜４５を設け、両固定
電極は合同で対称に形成する。可動電極１６の上下両側
に静電容量の検出空間を形成するので、静電容量の変化
量が大きくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガスメータやエレ
ベータなどにおいて地震の振動を検知する感震器及び自
動車のエアバッグ装置の加速度センサ等として用いられ
る静電容量型多軸加速度センサに関するもので、より具
体的には、センサ基板を大形化せずに電極間の静電容量
を大きく得られるようにした静電容量型多軸加速度セン
サに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１は、静電容量型の多軸加速度センサ
の一例を示す縦断面図であり、図２はその電極を説明す
るため、Ａ−Ａ位置における横断面図（ガラス固定基板
４を取り除いた平面図）である。

【０００３】この加速度センサは、半導体固定基板１と
ガラス基板２と半導体基板３とガラス固定基板４を下か
ら順に積層した４層構造からなり、上側の半導体基板３
には、内側を分離させて可動電極５を形成するととも
に、その可動電極５に梁３ａを渡して、内側空間の定位
置に可動電極５が収まるようにしている。可動電極５の
下面には重り６を取り付けている。この重り６は、下側
のガラス基板２から分離して形成している。そして、最
上のガラス固定基板４の下面には、４つの同一形状から
なる固定電極７ａ〜７ｄを形成している。

【０００４】係る構成においては、加速度が０の平常状
態では、４つの固定電極７ａ〜７ｄと可動電極５とは平
行で距離が所定値となり、また、各固定電極７ａ〜７ｄ
と可動電極５の重なり合う面積も等しくなる。

【０００５】ここで、互いに直交する３軸を、いわゆる
右手系の座標としてＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸と呼び、Ｘ軸とＹ
軸とが上記各固定電極７ａ〜７ｄが存在する平面に含ま
れるとすると、Ｚ軸はそれら各固定電極７ａ〜７ｄが存
在する平面に直交する。

【０００６】そして、このＸ軸方向のみに加速度が加わ
った場合、梁３ａで支持している部所よりも下方に重心
があるため、可動電極５がスイング動作し、このため、
その力の方向にある固定電極７ａと可動電極５の間隔が
短くなり、逆に固定電極７ｂと可動電極５の間隔が長く
なる。同様に、Ｙ軸方向のみに加速度が加わったとする
と、固定電極７ｃと可動電極５の間隔が短くなり、逆に
固定電極７ｄと可動電極５の間隔が長くなる。

【０００７】このように各電極間の間隔が変化すること
から、各電極間に発生する静電容量も変化し、しかも変
化のパターンは、加速度が加わる方向により異なるの
で、各電極間に発生する静電容量の変化量を検出するこ
とにより、その加速度の方向と大きさを知ることができ
る。

【０００８】つまり図示の例では、固定電極７ａ，７ｂ
がＸ軸方向検出用固定電極となり、固定電極７ｃ，７ｄ
がＹ軸方向検出用固定電極となる。そして、固定電極７
ａ〜７ｄと、可動電極５との間には、間隔に応じた静電
容量が発生しているので、固定電極７ａ，７ｂと可動電
極５との間の静電容量Ｃ１，Ｃ２は、加速度が加わらな
い状態では、電極間隔が等しいので同一の値をとる。こ
こでＸ軸方向に加速度が加わると、可動電極５がスイン
グ動作して固定電極７ａ側の間隔が短くなるので、その
静電容量Ｃ１が増加し、固定電極７ｂ側の静電容量Ｃ２
は減少する。当然のことながら、（−Ｘ）方向に加速度
が加わると、上記と逆の現象となる。そして、加速度が
大きいほど、可動電極６の変位量が大きくなるので、そ
の静電容量の差も大きくなる。

【０００９】従って、２つの静電容量Ｃ１，Ｃ２の差を
求めることにより、Ｘ軸方向について加速度の向きと大
きさを検出することができる。同様に固定電極７ｃ，７
ｄと可動電極５との間に発生する静電容量の差から、Ｙ
軸方向について加速度の向きと大きさを検出することが
できる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、係る従
来の加速度センサにあっては、センサの感度を上げるに
はその基板のサイズ自体を大きくしなければならないと
いう問題があった。即ち、加速度センサの感度を上げる
ためには、加速度の大きさに対応することになる静電容
量の変化量を大きくする必要がある。そして、各固定電
極の面積を増せば、可動電極５との間に生ずる静電容量
が増大するとともに、加速度が作用した際の静電容量の
変化量も大きくなる。しかし、多軸とするためガラス固
定基板４には多数の固定電極７ａ〜７ｄが設けられるこ
とから、電極面積を増すことは基板のサイズを増すこと
につながり、しいてはコスト高を招くことになる。そし
て、半導体基板（チップ）のサイズアップは１ウエハあ
たりの生産チップ数が少なくなるため好ましくない。

【００１１】また、図１に示す構成において、例えば重
り６を形成する基板２を半導体で形成するとともに、そ
の基板２と下側の固定基板１を絶縁状態にし（接合面に
絶縁膜を介在させるか、基板１自体をガラス基板で構成
することにより実現できる）、その重り６の下面と固定
基板１の上面との間にも加速度検出用の電極を設ける
と、可動電極５の上方空間と重り６の下方空間の両方が
加速度検出領域となるので、電極面積が増し、チップサ
イズをさほど大きくしなくても、高感度に検出すること
が可能となる。

【００１２】しかし、このような構成をとった場合、加
速度がかかった場合にスイングする中心は、梁３ａとの
接続部分であるので、上方空間でのギャップの変位量
と、下方空間でのギャップの変位量が大きく異なる（図
１の例では、下方空間の変位量の方が大きい）。従っ
て、係る相違を考慮して測定しなければならなくなる。
さらに、周囲の温度変化に伴う熱変形などにより可動電
極と固定電極の間に発生する静電容量が変化した場合
に、その変化の程度が両空間で異なるので、キャンセル
させることができなくなる。

【００１３】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、半導体基板のサイズ
を大きくせずに感度性能を向上することができ、しか
も、温度変化等の外部環境の変化に強く、加速度の検出
を高精度に行える静電容量型多軸加速度センサを提供す
ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る静電容量型多軸加速度センサで
は、絶縁体からなる上下の固定基板の間に３つの半導体
基板を積層状態で配置した５層構造を含み、前記両固定
基板の接合側表面には、それぞれ複数の固定電極を設
け、前記３つの半導体基板は、周枠部と、その周枠部内
に分離状態で配置される可動電極要素を有するととも
に、各半導体基板の周枠部同士及び可動電極要素同士が
接合されて一体化し、かつ、前記可動電極要素が一体化
されて構成される可動電極は、その上下両面が可動電極
面となって対向する前記固定電極との間で静電容量を発
生するとともに、前記中央の半導体基板の周枠部と可動
電極要素が複数の梁を介して連結されることにより、前
記可動電極が弾性支持され、前記可動電極の移動に伴い
前記可動電極と前記複数の固定電極との間に発生する静
電容量の変化に基づいて、前記各基板の積層方向とそれ
に直交する平面内の２方向の計３方向のうち少なくとも
いずれか２方向の加速度を検出可能に構成した（請求項
１）。

【００１５】そして好ましくは、前記可動電極に形成し
た前記両可動電極面は、前記梁の接続面を基準に対称形
となり、かつ前記両固定電極に形成した前記複数の固定
電極は、前記梁の接続面を基準に対称形となるように構
成することである（請求項２）。

【００１６】本発明では、可動電極の上下両方の空間が
静電容量の検出領域となるので、静電容量の検出空間が
従来のものの２倍になり、加速度に対する静電容量の変
化量も大きくなる。よって感度も向上する。

【００１７】そして、可動電極を３つの半導体基板を積
層して形成し、しかも、可動電極と周枠部との連結部分
を中央の半導体基板で行うようにしたため、可動電極の
積層方向の中央部で弾性支持されることになる。その結
果、加速度がかかって可動電極がスイング移動しようと
した際に、その可動電極は、梁の連結部分を中心にスイ
ングするので、上下両面に形成した可動電極面の変位量
はほぼ等しくなる。よって、静電容量の変化に基づく加
速度の算出が容易となる。しかも、そのように変位量が
ほぼ等しくなるということは、上方空間側の可動電極・
固定電極間に発生する静電容量と、下方空間側の可動電
極・固定電極間に発生する静電容量とを差動的に演算処
理することにより、例えば温度変化にともない静電容量
の変化があった場合には、それが相殺されキャンセルさ
れるので、加速度に伴う真の静電容量の変化に基づく信
号を出力することができ、温度変化等の外部環境の変化
に強くなる。

【００１８】このことは、請求項２のように構成するこ
とにより、より顕著に現れる。つまり、可動電極の上下
両側にそれぞれ固定電極が設けられ、これら両固定電極
は上下で合同で対称となるからである。

【００１９】＊用語の定義 本明細書に記載された半導体容量型多軸加速度センサの
多軸とは、複数軸のことを意味し、例えばＸ，Ｙの２軸
方向を検出するものも本発明に含む。

【００２０】

【発明の実施の形態】図３は、本発明に係る静電容量型
多軸加速度センサの一実施の形態を示す断面図である。
この加速度センサは、５枚の基板を積層して構成されて
いる。すなわち、３枚の半導体基板１１，１２，１３の
上下に固定基板１４，１５が配置され、固定基板１４・
半導体基板１１・半導体基板１２・半導体基板１３・固
定基板１５が下から順に積層されている。

【００２１】各半導体基板１１，１２，１３は、シリコ
ン等の半導体チップであって、下側の半導体基板１１と
上側の半導体基板１３は、両者の厚みが同一に設定され
ている。上下に位置される半導体基板１１，１２の接合
面側中央は、エッチングされて所定量だけ除去されて凹
所１１ａ，１３ａが形成され、この凹所１１ａ，１３ａ
の深さ分だけ対向する固定基板１３，１４の表面と離れ
る。

【００２２】そして、これら半導体基板１１，１２，１
３を積層した内側（上記凹所１１ａ，１３ａを形成した
部分に対応する領域）には、エッチングにより内側を分
離させて可動電極１６が形成されている。換言すると、
その可動電極１６の周囲には、それぞれ半導体基板１
１，１２，１３により形成される周枠部１１ｂ，１２
ｂ，１３ｂが存在されることになり、それら各周枠部１
１ｂ，１２ｂ，１３ｂがそれぞれ接合されるとともに、
固定電極１４，１５とも接合されることになる。

【００２３】この可動電極１６には、中央の半導体基板
１２の周枠部１２ｂから複数の梁１７が渡されており、
各梁１７は半導体基板１２の厚さ方向の略中央から延び
て可動電極１６に連結され、これにより可動電極１６が
弾性支持され、かつ内側空間の定位置に収まるようにな
っている。

【００２４】つまり、可動電極１６は、その下部可動電
極要素１６ａ，中央部可動電極要素１６ｂ，上部可動電
極要素１６ｃが各半導体基板１１，１２，１３から各々
分離して形成されている。そして、図４に示すように、
下部可動電極要素１６ａは４つの側面が上に狭まり傾斜
した略台座形状に形成されて重りをなし、底面が下側の
電極面３１となっている。また、上部可動電極要素１６
ｃは、薄い天板を柱部で支持する形状に形成され、その
天面が上側の電極面３２となっており、両電極面３１，
３２の平面形状は等しくしている。さらに、中央部可動
電極要素１６ｂは、上下対称の柱形状に形成され、上部
可動電極要素１６ａと下部可動電極要素１６ｃとを連結
するようになっていて、その中央部位にて各梁１７が連
結されている。

【００２５】これにより、可動電極１６は、上下方向の
中心位置にて梁１７が連結されることになり、また、そ
の重心位置は上部可動電極要素１６ｃを細い柱部により
形成したことにより、若干下方にずれるため梁１７より
も少し下側に位置する。よって、可動電極１６に加速度
がかかると、梁１７によって弾性支持された可動電極
は、上下対称にスイングすることになる。従って、凹所
１１ａ，１３ａの深さを等しくしておけば、加速度がか
からない平常時における可動電極１６の両電極面３１，
３２と、固定基板１４，１５の間隔は等しくなり、ま
た、加速度に伴いスイングしたときの、上記間隔の変化
量は均一になる。

【００２６】一方、固定基板１４，１５は、ガラス等の
絶縁性の板材からなり、両者の厚みが同一に設定されて
いる。そして、固定基板１５の下面には、図５に示すよ
うに、可動電極１６の上面に対向する位置に５つの第１
固定電極５１〜５５が設けられており、これらはＸ軸，
Ｙ軸，Ｚ軸の３軸について検出するための固定電極とな
っている。第１固定電極５１〜５４は、略三角形状で同
面積とされており、９０度毎に配置されている。そし
て、第１固定電極５５は略Ｘ字形状とされており、これ
は４つの第１固定電極５１〜５４が配置されている隙間
部分に設けられている。これら各固定電極は、対向して
いる第１固定電極５１，５２がＸ軸方向の検出用とな
り、それらと直交して対向している第１固定電極５３，
５４がＹ軸方向の検出用となっていて、第１固定電極５
５がＺ軸方向の検出用となっている。これにより、可動
電極１６の上側電極面は共通電極となり、その電極面と
５つの第１固定電極５１〜５５との間には、静電容量Ｃ
５１〜Ｃ５５が形成される。

【００２７】固定基板１４の上面には、図６に示すよう
に、可動電極１６の上面に対向する位置に５つの第２固
定電極４１〜４５が設けられている。これらはＸ軸，Ｙ
軸，Ｚ軸の３軸について検出するための固定電極となっ
ていて、上方の５つの第１固定電極５１〜５５とは合同
で対称に形成されている。つまり、第２固定電極４１〜
４４は、略三角形状で同面積とされており、９０度毎に
配置されている。そして、第２固定電極４５は略Ｘ字形
状とされており、これは４つの第２固定電極４１〜４４
が配置されている隙間部分に設けられている。これら各
固定電極は、対向している第２固定電極４１，４２がＸ
軸方向の検出用となり、それらと直交して対向している
第２固定電極４３，４４がＹ軸方向の検出用となってい
て、第２固定電極４５がＺ軸方向の検出用となってい
る。これにより、可動電極１６の下側の電極面は共通電
極となり、その電極面と５つの第２固定電極４１〜４５
との間には、静電容量Ｃ４１〜Ｃ４５が形成される。

【００２８】上記のように構成すると、図中矢印で示す
Ｘ軸方向にのみ加速度が加わった場合、可動電極１６が
加速度の作用で逆方向へ移動しようとするが、梁１７で
支持している部所よりも下方に重心があるため、可動電
極１６がスイング動作する。このため、Ｘ軸方向検出用
の第１固定電極５１，５２を設けた上側では、第１固定
電極５１と可動電極１６との間隔が短くなり静電容量Ｃ
５１が増加し、第１固定電極５２と可動電極１６との間
隔が長くなって静電容量Ｃ５２が減少する。同様に、Ｘ
軸方向検出用の第２固定電極４１，４２を設けた下側で
は、第２固定電極４１と可動電極１６との間隔が長くな
り静電容量Ｃ４１が減少し、第２固定電極４２と可動電
極１６との間隔が短くなって静電容量Ｃ４２が増加す
る。そして、（−Ｘ）方向に加速度が加わった場合に
は、上記と逆になる。

【００２９】従って、例えば外部回路として図７に示す
ように構成し、Ｘ軸方向に関して増減傾向が同相になっ
ている静電容量Ｃ５１，静電容量Ｃ４２を加算し、また
静電容量Ｃ５２と静電容量Ｃ４１を加算する。そして、
それらの差分を求めるように構成する。このようにする
と電圧Ｖに変換することができ、そのＸ軸方向出力Ｖx
は、

【００３０】

【数１】 により求められる。

【００３１】同様に、Ｙ軸方向出力Ｖy 並びにＺ軸方向
出力Ｖz は、図８，図９に示すような配線に外部回路を
構成し、所定の電極間に発生する静電容量を差分出力す
ることにより、

【００３２】

【数２】 となる。

【００３３】Ｘ軸方向出力Ｖx は、Ｘ軸方向に加速度が
加わった場合には正値をとり、（−Ｘ）方向に加速度が
加わった場合には負値をとる。そして、Ｙ軸方向のみ或
いはＺ軸方向のみに加速度が加わった場合には、Ｘ軸方
向出力Ｖx は変化しない。さらに、加速度が大きいほ
ど、Ｖx の絶対値は大きくなる。このため、Ｖx の値か
ら加速度の方向及び大きさを知ることができる。同様
に、Ｙ軸方向，Ｚ軸方向についてもＶy ，Ｖz から加速
度の方向及び大きさを知ることができる。

【００３４】このように、可動電極１６の上下両側にそ
れぞれ第１，第２固定電極５１〜５５，４１〜４５が設
けられ、これら両固定電極は上下で合同で対称とされて
いるため、静電容量の検出空間が従来の２倍になり、加
速度に対する静電容量の変化量も大きくなる。このた
め、感度性能を向上することができ、固定電極は可動電
極１６の上下に設けているので、半導体基板のサイズは
大きくせずに済み、そのままでよい。

【００３５】また、（−Ｚ）方向に加速度が加わると、
可動電極１６が下方に移動するため第１固定電極５１〜
５５と可動電極１６との間隔が長くなる。そして、この
時同時にＸ軸方向にも加速度が加わると、Ｘ軸方向検出
用の第１固定電極５１，５２と可動電極１６との間の間
隔が（−Ｚ）方向の加速度のため長くなっていることか
ら、静電容量が小さくなっており、静電容量の変化量を
検出する際の基準点がずれているため、変化特性の直線
性が悪化する。

【００３６】しかし、本実施の形態では、可動電極１６
の下側にも上側と対称に第２固定電極４１〜４５を設け
たため、（−Ｚ）方向に加速度が加わると、Ｘ軸方向検
出用の第２固定電極４１，５２と可動電極１６との間隔
が短くなり、静電容量も増加し、静電容量の変化量を検
出する際の基準点が逆側に同量ずれて変化特性の直線性
の悪化は逆相となる。従って、（−Ｚ）方向の加速度に
起因する変化特性の直線性の悪化は、第１固定電極側と
第２固定電極側で相互にキャンセルし、センサ素子全体
では抑制される。

【００３７】なお、Ｚ軸の正値方向に加速度が加わった
場合には、第２固定電極側の静電容量が小さくなるが、
それに伴い第１固定電極側で静電容量が増加するので、
やはりセンサ素子全体では抑制される。このため、Ｘ軸
方向に加わった加速度を精度よく検出することができ
る。そして、同様の原理に従い、Ｙ軸方向の加速度も精
度よく検出することができる。

【００３８】さらに、梁１７が可動電極１６の上下方向
の中央部所に渡され、その梁１７に関して静電容量の検
出空間が上下で対称となっており、第１固定電極５１〜
５５と第２固定電極４１〜４５とが合同で対称に形成さ
れているので、これは熱変形に対して有利になる。つま
り、各半導体基板１１，１２，１３と固定基板１４，１
５とは素材の相違から熱膨脹率に差があるが、静電容量
の検出空間が梁１７に関して上下対称となっているた
め、熱変形は上下で対称となる。従って、熱変形による
静電容量の変化は上下で同相となり、上記したように差
分を求める検出処理には影響がなく、温度変化に対して
安定化することができ、加速度の検出を高精度に行え
る。

【００３９】さらにまた、第１固定電極５１〜５５と第
２固定電極４１〜４５とが合同で対称に形成されている
ため、各電極及び各電極の引き出しパターンに寄生する
ノイズ等の影響を上下でキャンセルすることができ、加
速度の検出を高精度に行える。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る静電容量型
多軸加速度センサでは、可動体の上下両側にそれぞれ固
定電極が設けられ、これら両固定電極は上下で合同で対
称とされているため、静電容量の検出空間が従来のもの
の２倍になり、加速度に対する静電容量の変化量も大き
くなる。従って、半導体基板のサイズを大きくせずに感
度性能を向上することができる。

【００４１】また、例えば（−Ｚ）方向に加速度が加わ
ると、可動電極が下方に移動して上側の検出間隔が長く
なり静電容量が小さくなってしまい、これはＸ軸，Ｙ軸
方向の検出には基準点のズレとなり静電容量の変化特性
の直線性が悪化する。しかし、本発明では上下の固定電
極が合同で対称に形成されているので、下側では可動電
極が下方に移動するので静電容量は増加しており、検出
の基準点が逆側に同量ずれて変化特性の直線性の悪化は
逆相となる。従って、Ｚ軸の加速度に起因する検出特性
の直線性の悪化は、上下出力の差分をとることにより相
互にキャンセルし、センサ素子全体では抑制される。さ
らに、静電容量の検出空間が上下で対称となっており、
上下の固定電極が合同で対称に形成されているので、熱
変形は上下で対称となり、静電容量の変化は上下で同相
となる。このため、上下出力の差分を求める検出処理に
は影響がなく、温度変化に対して安定化することができ
る。

【００４２】さらにまた、上下の固定電極が合同で対称
に形成されているため、各電極及び各電極の引き出しパ
ターンに寄生するノイズ等の影響を上下でキャンセルす
ることができる。従って、加速度の検出を多軸について
高精度に行えるという優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の加速度センサの一例を示す断面図であ
る。

【図２】図１に示す従来例の電極を説明するためのＡ−
Ａ矢視した断面図である。

【図３】本発明の静電容量型多軸加速度センサの一実施
の形態を示す断面図である。

【図４】図３に示す加速度センサの可動電極の斜視図で
ある。

【図５】図３の加速度センサの第１固定電極を説明する
Ｂ−Ｂ矢視の断面図である。

【図６】図３の加速度センサの第２固定電極を説明する
Ｃ−Ｃ矢視の断面図である。

【図７】加速度を測定するための外部回路の一例を示す
ブロック図である。

【図８】加速度を測定するための外部回路の一例を示す
ブロック図である。

【図９】加速度を測定するための外部回路の一例を示す
ブロック図である。

【符号の説明】

１１，１２，１３ 半導体基板 １４，１５ 固定基板 １６ 可動体（可動電極） １７ 支持アーム（梁） ４１〜４５ 固定電極（第２固定電極） ５１〜５５ 固定電極（第１固定電極） ４１，４２，５１，５２ Ｘ軸の検出電極 ４３，４４，５３，５４ Ｙ軸の検出電極 ５５，４５ Ｚ軸の検出電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体からなる上下の固定基板の間に３
   つの半導体基板を積層状態で配置した５層構造を含み、 前記両固定基板の接合側表面には、それぞれ複数の固定
   電極を設け、 前記３つの半導体基板は、周枠部と、その周枠部内に分
   離状態で配置される可動電極要素を有するとともに、各
   半導体基板の周枠部同士及び可動電極要素同士が接合さ
   れて一体化し、 かつ、前記可動電極要素が一体化されて構成される可動
   電極は、その上下両面が可動電極面となって対向する前
   記固定電極との間で静電容量を発生するとともに、前記
   中央の半導体基板の周枠部と可動電極要素が複数の梁を
   介して連結されることにより、前記可動電極が弾性支持
   され、 前記可動電極の移動に伴い前記可動電極と前記複数の固
   定電極との間に発生する静電容量の変化に基づいて、前
   記各基板の積層方向とそれに直交する平面内の２方向の
   計３方向のうち少なくともいずれか２方向の加速度を検
   出可能としたことを特徴とする半導体容量型多軸加速度
   センサ。
2. 【請求項２】 前記可動電極に形成した前記両可動電極
   面は、前記梁の接続面を基準に対称形となり、 かつ前記両固定電極に形成した前記複数の固定電極は、
   前記梁の接続面を基準に対称形となるように構成したこ
   とを特徴とする請求項１に記載の半導体容量型多軸加速
   度センサ。