JPH11248737A - 静電容量型多軸加速度センサ - Google Patents

静電容量型多軸加速度センサ

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JPH11248737A
JPH11248737A JP10061929A JP6192998A JPH11248737A JP H11248737 A JPH11248737 A JP H11248737A JP 10061929 A JP10061929 A JP 10061929A JP 6192998 A JP6192998 A JP 6192998A JP H11248737 A JPH11248737 A JP H11248737A
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JP
Japan
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electrode
fixed
axis
substrate
movable electrode
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10061929A
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English (en)
Inventor
Koichi Hikasa
浩一 日笠
Masatoshi Oba
正利 大場
Katsumi Hosoya
克己 細谷
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
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Publication of JPH11248737A publication Critical patent/JPH11248737A/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

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  • Pressure Sensors (AREA)
  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡略な構成により他軸の干渉を防止すること
ができ、加速度の検出を多軸について高精度に行える静
電容量型多軸加速度センサを提供すること 【解決手段】 可動電極15の上方に、X軸の検出電極
31,32を対に配置するとともにY軸の検出電極も交
差して対に配置する。可動電極の上面と重り11bの下
面に突起部17a,17bを設ける。Z軸方向の加速度
が加わると、可動電極が移動しようとするが、上下の空
隙では突起部が対向面に接触し、その移動は阻止されて
動けない。この接触した突起部が支持軸となるので可動
電極のスイング動作は可能であり、X軸,Y軸方向の加
速度の検出には支障ない。可動電極は突起部が接触する
までは極わずかに変位するが、これは定位置に止められ
ると考えてよく、X軸,Y軸には影響が極めて小さい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガスメータやエレ
ベータなどにおいて地震の振動を検知する感震器及び自
動車のエアバッグ装置やナビゲーション装置などにおい
て振動と衝撃の検知器等として用いられる静電容量型多
軸加速度センサに関するもので、より具体的には、基板
の積層方向への可動電極の変位をメカニカルに制限する
ようにした静電容量型多軸加速度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】図1,図2は従来の静電容量型多軸加速
度センサの一例を示している。同図に示すように、この
加速度センサは、4枚の基板を積層して構成している。
つまり、下から順に半導体固定基板1,ガラス基板2,
半導体基板3,ガラス固定基板4を積層して接合する。
そして、半導体基板3には、その内側を分離させて可動
電極5を形成するとともに、その可動体5に梁6を渡し
て周囲の枠体と連結し、内側空間の定位置に可動体5が
収まるようにしている。そしてこの可動体5の上面が可
動電極5aとなる。
【0003】この可動体5の下面には重り7を取り付け
ている。この重り7は、ガラス基板2から分離して形成
している。そして、最上のガラス固定基板4の下面に
は、X軸,Y軸,Z軸の3方向の加速度軸について検出
するため5つの固定電極81〜85を形成してある。具
体的な各電極の配置レイアウトは、略正方形の固定電極
85を中央に配置し、これを取り囲んで略台形の固定電
極81〜84を90度毎に配置している。可動電極5a
は共通電極となり、その電極面と5つの固定電極81〜
85との間には、静電容量C81〜C85が形成され
る。
【0004】係る構成においては、加速度が0の平常状
態では、5つの固定電極81〜85と可動電極5aとは
平行で距離が所定値となり、また、各固定電極81〜8
5と可動電極5aの重なり合う面積も等しくなる。これ
により、各電極間に発生する静電容量C81〜C85は
等しくなる。
【0005】ここで、互いに直交する3軸を、いわゆる
右手系の座標としてX軸,Y軸,Z軸と呼び、X軸とY
軸とが上記電極がなす平面に含まれるとすると、Z軸は
電極がなす平面に直交する。
【0006】このX軸方向のみに加速度が加わった場
合、可動体5は梁6で支持している部分よりも下方に重
心があるため、可動体5がスイング動作する。このた
め、その加速度の方向にある固定電極81と可動電極5
aの間隔が短くなり、逆に固定電極82と可動電極5a
の間隔が長くなる。同様に、Y軸方向のみに加速度が加
わったとすると、固定電極83と可動電極5aの間隔が
短くなり、逆に固定電極84と可動電極5aの間隔が長
くなる。そして、Z軸方向のみに加速度が加わったとす
ると、固定電極85と可動電極5aの間隔が短くなる。
【0007】このように各電極間の間隔が変化すること
から、各電極間に発生する静電容量も変化し、しかも変
化のパターンは、加速度が加わる方向により異なるの
で、各電極間に発生する静電容量の変化量を検出するこ
とにより、その加速度の方向と大きさを知ることができ
る。
【0008】つまり図示の例では、X軸方向に沿って配
置された固定電極81,82がX軸方向の検出用とな
り、それらと直交して配置された固定電極83,84が
Y軸方向の検出用となっていて、中央の固定電極85が
Z軸方向の検出用となっている。そして、固定電極81
〜85と可動電極5aとの間には、間隔に応じた静電容
量が発生しているので、固定電極81,82と可動電極
5aとの間の静電容量C81,C82は、加速度が加わ
らない状態では、電極間隔が等しいので同一の値をと
る。ここでX軸方向に加速度が加わると、可動体5がス
イング動作して傾き、固定電極81側の間隔が狭まって
静電容量C81が増加し、固定電極82側の間隔が広が
って静電容量C82は減少する。当然のことながら、
(−X)方向に加速度が加わると、上記と逆の現象とな
る。そして、加速度が大きいほど、可動電極5aの変位
量が大きくなるので、その静電容量の差も大きくなる。
【0009】従って、図2に示すように外部回路を接続
して、2つの静電容量C81,C82の差を求めること
により、X軸方向について加速度の向きと大きさを検出
することができる。同様に、固定電極83,84と可動
電極5aとの間の発生する静電容量の差(C83−C8
4)から、Y軸方向について加速度の向きと大きさを検
出することができ、Z軸方向については静電容量C85
の容量変化から加速度の向きと大きさを検出することが
できる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、係る従
来の加速度センサにあっては、検出方向ではない他軸の
加速度により検出方向のセンサ出力が変動するという他
軸干渉の問題があった。これは例えば、X軸方向の加速
度が作用すると、図3に鎖線で示すように、可動電極5
aがスイング動作して傾き、前述したように静電容量C
81が増加し、静電容量C82は減少するが、このとき
同時にZ軸方向の加速度も作用した場合には、図3に実
線で示すように、可動電極5aが上に平行移動して、固
定電極81〜85との間隔が全体で同等に狭まる。する
と、X軸に関わる静電容量C81,C82は、電極間隔
に反比例する物理量であるため可動電極5がすでに傾い
ている状態では等値には変化しなく、このため静電容量
の差(C81−C82)が変動してしまい、干渉され
る。
【0011】この他軸を干渉してしまうという現象は、
X,Y平面に含まれる梁6により可動体5(可動電極5
a)が支持された構造のため、Z軸方向の加速度が他軸
に及ぼす影響が大きく、X軸及びY軸のセンサ出力を大
きく変動させてしまうため補正する必要がある。係る補
正を行うため、従来は、センサ出力を信号処理する測定
回路に補正機能を持たせるようにしている。このため、
信号処理が複雑になり、コストが増して好ましくない。
【0012】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、簡略な構成により他
軸の干渉を防止することができ、加速度の検出を多軸に
ついて高精度に行える静電容量型多軸加速度センサを提
供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る静電容量型多軸加速度センサで
は、複数の固定電極が形成された固定基板と、その固定
基板に接合される半導体基板とを有し、前記半導体基板
は、前記固定基板と接合される枠体と、その枠体の内側
に配置された加速度を受けて変位する可動体と、その可
動体を前記枠体に対して弾性支持する梁とを有し、その
可動体の前記固定電極に対向する面に所定のギャップを
おいて可動電極を設け、その可動電極と前記固定電極と
の間に発生する静電容量に基づいて複数方向の加速度を
検知する半導体容量型多軸加速度センサであって、前記
可動体と、前記固定基板の対向する表面の少なくとも一
方に、突起部を設けるように構成した(請求項1)。
【0014】また、別の解決手段としては、複数の固定
電極が形成された固定基板と、その固定基板に接合され
る半導体基板と、前記半導体基板の反対側に直接または
所定基板を介して接合される他の固定基板とを有し、前
記半導体基板は、前記固定基板と接合される枠体と、そ
の枠体の内側に配置され加速度を受けて変位する可動体
と、その可動体を前記枠体に対して弾性支持する梁とを
有し、その可動体の前記固定電極に対向する面に所定の
ギャップをおいて可動電極を設け、その可動電極と前記
固定電極との間に発生する静電容量に基づいて複数方向
の加速度を検知する半導体容量型多軸加速度センサであ
って、前記可動体またはその可動体と一体に移動する部
材と、前記他の固定基板の対向する表面の少なくとも一
方に、突起部を設けるように構成してもよい(請求項
2)。
【0015】本発明では、電極面と直交する基板の積層
方向に加速度が加わると、可動体が係る方向に移動しよ
うとするが、その移動方向には突起部が設けられている
ので、その突起部と対向する基板表面とが接触し、それ
以上の移動が阻止される。そして、この接触した突起部
が支持軸となるので、可動体のスイング動作は可能であ
る。よって、電極面と平行な方向の加速度の検出には支
障ない。
【0016】そして、請求項1と請求項2を同時に実施
した場合には、可動体を基準として上記積層方向の両側
の領域に突起部が形成されるので、係る積層方向の正/
負両方向への加速度の影響を可及的に抑制できる。
【0017】また、突起部と、それに対向する基板表面
との接触部分に、陽極接合されない絶縁部材を設けるよ
うに構成してもよい(請求項3)。このようにすると、
突起部と対向する基板が陽極接合されてしまうおそれが
なくなるので、加速度のかからない状態でも突起部と対
向する基板を接触させておくことができる。よって、他
軸干渉をより確実に抑制できる。なお、絶縁部材は、図
14に示したように、所定の絶縁部材(絶縁膜)を成膜
する場合でもよいし、突起部自体を係る絶縁部材で構成
するようにしてもよい。
【0018】前記固定電極と前記可動電極の間に所定の
静電引力を発生させる手段をさらに備えるとよい(請求
項4)。また、前記固定電極を設けた基板表面に吸引電
極を設け、前記吸引電極と前記可動電極の間に所定の静
電引力を発生させる手段をさらに備えるように構成して
もよい(請求項5)。
【0019】係る発生させる手段を作動させることによ
り、可動電極(可動体)を吸引し、突起部と対向する基
板表面とを加速度がかからない状態から接触させること
ができる。これにより、他軸干渉がより精度よく抑制で
きる。
【0020】
【発明の実施の形態】図4,図5は、本発明に係る静電
容量型多軸加速度センサの第1の実施の形態を示してい
る。同図に示すように、この加速度センサは、4枚の基
板を積層して構成している。但し、図1に示す従来例と
相違して2枚の半導体基板11,12の上下にガラス固
定基板13,14が配置されている。
【0021】各半導体基板11,12は、シリコン等の
半導体チップであって、上側の半導体基板12は、エッ
チングにより平面ロ字型の枠体12aの内側に梁16を
介して可動体12bが形成されている。そして、その可
動体12bの上面が可動電極15となる。これにより可
動体12b(可動電極15)が弾性支持され、枠体12
aの内側空間の定位置に収まるようになっている。
【0022】また、下側の半導体基板11は、図6に示
すように井桁状にダイシングすることにより、周囲の複
数のブロックからなる枠体11aの内側に、周囲から分
離独立した重り11bを形成している。そしてこの重り
11bが本形態では、可動体12bの下面に接合され、
可動体12bと一体に移動するようになっている。この
ように重り11bを取り付けることにより、加速度を受
けて移動する部材(可動体12b+重り11b)の重量
が増すので、感度が向上する。なお、重り11bの下面
側は、エッチングにより削られており、下側の第2ガラ
ス固定基板14に接触せずに移動可能となっている。
【0023】なお、本実施の形態では、このように2枚
の半導体基板11,12を積層して各部を形成している
が、所望する厚みの1枚の半導体基板から各部を形成し
てももちろんよい。また、従来と同様に下側の半導体基
板11をガラス板から構成してもよい。
【0024】一方、第1,第2ガラス固定基板13,1
4は、両者の厚みが同一に設定されている。上側の第1
ガラス固定基板13の下面には、図5に示すように、可
動電極15の上面に対向する位置に4つの固定電極31
〜34が設けられており、これらはX軸,Y軸の2軸に
ついて検出するための固定電極となっている。つまり、
固定電極31〜34は、台形状で同面積とされており、
当該電極面の中央を基準に取り囲んで90度毎に配置さ
れている。これら各固定電極31〜34は、中央を挟ん
で反対側に位置する固定電極31,32がX軸方向の検
出用となり、それらと直交する固定電極33,34がY
軸方向の検出用となっている。これにより、共通電極と
なる可動電極15と4つの固定電極31〜34との間に
は、距離に応じた静電容量C31〜C34が発生する。
【0025】上記した各電極は、図5に示すように、外
部回路と接続されている。つまり、X軸方向について
は、固定電極31,32がC−V変換回路181,18
2と接続され、静電容量C31,32が電圧値に各々変
換されるようになっており、これらが後段の差動増幅回
路21に送られて両者の差値が求められる構成とされて
いる。そして、Y軸方向についてもX軸方向と同様であ
って、固定電極33,34がC−V変換回路183,1
84と接続され、静電容量C33,34が電圧値に各々
変換されるようになっており、これらが後段の差動増幅
回路22に送られて両者の差値が求められる構成とされ
ている。
【0026】すなわち、X軸方向出力Vx 及びY軸方向
出力Vy は、 Vx =k×[(C31)−(C32)] …(1) Vy =k×[(C33)−(C34)] …(2) により求められる。
【0027】上記のように構成すると、図中矢印で示す
X軸方向にのみ加速度が加わった場合、可動電極15が
加速度の作用方向へ移動しようとするが、梁16で支持
している部分よりも下方に重心があるため、可動電極1
5がスイング動作する。このため、固定電極31と可動
電極15との間隔が短くなり静電容量C31が増加し、
固定電極32と可動電極15との間隔が長くなって静電
容量C32が減少する。そして、(−X)方向に加速度
が加わった場合には、上記と逆になる。
【0028】従って、X軸方向出力Vx は、X軸方向に
加速度が加わった場合には正値をとり、(−X)方向に
加速度が加わった場合には負値をとる。そして、Y軸方
向のみ或いはZ軸方向のみに加速度が加わった場合に
は、X軸方向出力Vx は変化しない。さらに、加速度が
大きいほど、Vx の絶対値は大きくなる。このため、V
x の値から加速度の方向及び大きさを知ることができ
る。同様に、Y軸方向についてもVy から加速度の方向
及び大きさを知ることができる。
【0029】ここで本発明では、可動体12bの上面、
つまり可動電極15の電極面の中央に突起部17aを形
成している。また、第2ガラス固定基板14と対向する
重り11bの下面(対向面)の中央にも突起部17bを
形成している。そして、それら両突起部17a,17b
は、対向するガラス固定基板13,14の対向面に近接
させている。また、第1ガラス固定基板13の下面に
は、上側の突起部17aに対向する位置には固定電極3
1〜34を設けないようにしている。
【0030】さらに、上記突起部17a,17bを設け
る位置は、可動体12b,重り11bの移動物体の重心
位置、つまりスイング中心を通る可動電極15の電極面
の法線と、その可動電極15,重り11bの上・下面と
を交差する位置としている。なお、この突起部を設ける
位置としては、移動物体の重心という点から規定するこ
ともできるが、それに限らず、単に設置面の中心とした
り、移動物体の重さのバランスがとれる位置や、移動物
体の体積の中央位置を通る可動電極15の電極面の法線
と、設置面との交点位置とするなど各種の規定の仕方に
より特定できる。もちろんこれ以外でも構わない。
【0031】係る構成をとると、(−Z)方向に加速度
が加わると、可動電極15が下方に移動しようとする
が、下側の空隙では重り11bの下面に突起部17bが
形成されているので、この突起部17bが第2ガラス固
定基板14の上面に接触し、それ以上の移動は阻止され
て動けない。但し、この接触した突起部17bが支持軸
となるので、可動電極15はスイング動作は可能であ
る。
【0032】一方、Z軸の正値方向に加速度が加わった
場合には、上記とは逆に可動電極15は上方に移動しよ
うとするが、上側の空隙でも同様に可動電極15の上面
に形成した突起部17aが第1ガラス固定基板13の下
面に接触し、それ以上の上昇移動は阻止されて動けな
い。そして、突起部17aの接触点を軸として可動電極
15はスイング動作する。
【0033】従って、可動体11b(可動電極15)は
Z軸方向に関しては、突起部17a,17bが接触する
までは極わずかに変位するが、加速度のかからない正常
状態での突起部17a,17bと第1,第2ガラス固定
基板13,14の対向面間距離を接近させて非常に短く
しているので、可動体12b(可動電極15)は、Z軸
方向に対しては定位置に止められると考えてもよい。
【0034】このように、可動電極15がZ軸方向に関
して定位置に止められてほとんど変位しないので、Z軸
方向の加速度がX軸方向及びY軸方向の加速度検出に与
える影響が極めて小さく、X軸方向(Y軸方向)に加わ
った加速度を精度よく検出することができる。すなわ
ち、Z軸方向の加速度による他軸の干渉を実質的に防止
することができる。その結果、X軸及びY軸のセンサ出
力は、従来のように複雑な補正処理を行う必要がなく、
直ちに高精度な検出値を得ることができる。このため、
加速度を測定するための外部回路は簡略な構成となり、
加速度の検出を多軸について高精度に行える。
【0035】さらに、上記の突起部17a,17bの形
状は、先端を細くし、対向する基板に接触した場合の接
触面積を小さくしている。これにより、Z軸方向の移動
を規制しつつ、スイング移動の邪魔にならないようにし
ている。
【0036】なお、突起部17a,17bは、可動体1
2b(+重り11b)の上下の空隙において、対向して
いるいずれか一方面に形成されていればよい。従って、
例えば図7に示すように、第1ガラス固定基板13の下
面と第2ガラス固定基板14の上面とに突起部17を形
成した構成としたり、図8に示すように第1ガラス固定
基板13の下面と重り11bの下面とに突起部17を形
成した構成としたり、さらには、図9に示すように可動
電極15の上面と第2ガラス固定基板14の上面とに突
起部17を形成した構成とするなど、各種の構造をとる
ことができる。そして、いずれの構成でも同様に動作
し、同様の作用効果を得ることができる。但し、半導体
基板側に突起部を設ける方が製造が容易に行える。さら
には、上記した各実施の形態のように、両側に突起部を
設けるのではなく、片側にのみ突起部を設けてもよい。
そのようにすると、突起部を設けない側への移動は抑制
できないので、上記した各実施の形態に比べるとZ軸干
渉を抑制する効果は低いものの、加速度測定時に発生す
るZ軸方向の加速度に方向性があり、主として正または
負の片側に発生するような場合には一方でもよい。
【0037】図10,図11は、本発明の第2の実施の
形態を示している。同図に示すように、この加速度セン
サには、突起部17aが可動電極15の上側の空隙にの
み形成されており、可動電極15に静電引力を作用させ
て固定電極側に吸引するように構成されている。
【0038】つまり、図11に示すように、X軸の検出
電極となる固定電極31にはX軸定電圧源191の負側
端子が接続され、そのX軸定電圧源191の正側端子は
可動電極15に接続されている(図示の便宜上ラインL
を介して接続されている)。これにより、固定電極31
と可動電極15の間には、定電圧Vb1が印可されること
になる。同様に、X軸定電圧源192によって、固定電
極32と可動電極15の間に定電圧Vb2が印可される。
さらに、Y軸の検出電極となる固定電極33,34と可
動電極15の間にはそれぞれY軸定電圧源193,19
4によって定電圧Vb3,Vb4が印可されている。これに
より、固定電極31〜34と可動電極15との間に所定
の静電引力を発生させている。
【0039】このような構成によれば、可動電極15は
静電引力により固定電極31〜34側に引かれ、測定対
象の加速度がかかっていない平常状態であっても上面に
形成した突起部17aが固定基板13の下面に接触す
る。そして、加速度がかかった場合には、この突起部1
7aの接触部位を軸にして可動電極15のスイング動作
は可能となるので、X軸,Y軸方向の加速度の検出には
支障なく、この接触した状態が保たれる定位置に止めら
れる。
【0040】このように、突起部17が固定基板13の
下面に最初から接触した状態とされているので、可動電
極15はZ軸方向に関して定位置に止められて全く変位
しない。従って、X軸及びY軸には何ら影響がなく、X
軸,Y軸方向に加わった加速度を極めて精度よく検出す
ることができる。これにより、Z軸方向の加速度による
他軸の干渉を良好に防止することができ、可動電極15
のZ軸方向変位に起因する測定特性の直線性の悪化もな
くなる。なお、その他の構成並びに作用効果は、上記し
た各実施の形態と同様であるので、同一符号を付しその
詳細な説明を省略する。
【0041】図12,図13は、本発明の第3の実施の
形態を示している。同図に示すように、本実施の形態で
は、上記した第2の実施の形態における静電引力を発生
させるための構成を変更したものである。具体的には、
固定電極31〜34側に吸引電極36を形成し、この吸
引電極36により可動電極15に静電引力を作用させて
固定電極31〜34側に吸引するように構成されてい
る。
【0042】つまり、図13に示すように、吸引電極3
6は略正方形状で、突起部17aが接触する中央部分が
円形に除去されており、基板面の中央に設けられてい
る。そして、固定電極31〜34が吸引電極36を取り
囲んで90度毎に配置されている。この吸引電極36と
可動電極15の間に定電圧源196が接続され、可動電
極15と吸引電極36間に定電圧Vb6を印加し、所定の
静電引力を発生させている。
【0043】このような構成によれば、可動電極15は
静電引力により固定電極側に引かれるので、正常状態で
固定基板13の下面に突起部17aが接触する。そし
て、その接触点を中心に可動電極15はスイング動作が
可能となっているので、X軸,Y軸方向の加速度の検出
には支障はない。なお、その他の構成並びに作用効果
は、上記した各実施の形態と同様であるので、同一符号
を付しその詳細な説明を省略する。
【0044】図14は本発明の第4の実施の形態を示し
ている。本実施の形態は上記した第1の実施の形態及び
その変形例を前提とし、さらにZ軸干渉を抑制するもの
である。すなわち、第1の実施の形態などにおいては、
正常状態では突起部17a,17b,17の先端と、対
向する基板表面との間には所定の隙間を設けていて接触
しないようにしていた。これは、半導体基板とガラス基
板とを陽極接合して一体化する際に、突起部17a,1
7b,17の先端と対向する基板との間でも陽極接合さ
れて一体化してしまうおそれがある(接触面積が小さい
ため、その後に分離することはあり、製品としては支障
がなくなることもありえるが、安全を考慮して離反させ
ている)。一方、Z軸干渉を考慮すると、第2,第3の
実施の形態のように突起部17は接触していた方が好ま
しい。
【0045】そこで、図14に示すように、突起部17
a,17bの先端と、対向する基板(図示の例では、い
ずれもガラス固定基板13,14)の間に、陽極接合さ
れない絶縁部材を介在させ、その絶縁部材を介して突起
部17a,17bと対向する基板を接触させている。よ
り具体的には、可動体12bの可動電極15を覆うよう
にして酸化膜などの絶縁膜41を形成している。なお、
本発明との関係においては、少なくとも突起部17aの
先端のみに絶縁膜41を形成すればよいが、確実に成膜
させるために可動電極15の全面に形成している。ま
た、このように突起部を覆うのではなく、第2ガラス固
定基板14の上面所定位置に所定の絶縁膜42を形成
し、その絶縁膜42と突起部17bを接触させるように
してもよい。このように、突起部と対向する基板側のい
ずれに設けてもかまわない。そして、具体的な図示を省
略するが、上記した各実施の形態に適用できる。
【0046】図15は、本発明の第5の実施の形態を示
している。上記した各実施の形態では、突起部の形成位
置は異なるものの、いずれも取り付ける基板をエッチン
グなどにより加工することにより一体に形成していた
が、本実施の形態では、突起部17′を別部材で構成し
ている。なお、別部材であれば、同一材質でもよく異な
る材質でもよい。さらには、例えば樹脂等の陽極接合し
ない材料で構成すれば、突起部17′を対向する基板表
面に接触させることができるので、より好ましい。
【0047】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る静電容量型
多軸加速度センサでは、突起部が、可動体の上方及びま
たは下方の空隙において、対向している少なくとも一方
の面に形成されているので、Z軸の正負方向に加速度が
加わって可動体が移動しようとしても、突起部が対向す
る基板表面に接触し、その移動は阻止される。そして、
この接触した突起部が支持軸となるので可動体はスイン
グ動作は可能であるので、X軸,Y軸方向の加速度の検
出には支障ない。従って、可動電極はZ軸方向に関して
は、突起部が接触するまでは極わずかに変位するが、こ
れは定位置に止められると考えてよく、このためX軸及
びY軸には影響が極めて小さく、X軸及びY軸方向に加
わった加速度を精度よく検出することができる。すなわ
ち、Z軸方向の加速度による他軸の干渉を実質的に防止
することができ、この場合、X軸及びY軸のセンサ出力
は、従来のように複雑な補正処理を行う必要がなく、直
ちに高精度な検出値を得ることができる。このため、加
速度を測定するための外部回路は簡略な構成となり、加
速度の検出を高精度に行える。
【0048】また、請求項3のように構成した場合に
は、突起部を対向する基板表面に最初から接触させてお
くことができるので、上記したZ軸方向に加速度がかか
った場合の他軸干渉をより確実に解消できる。
【0049】また、請求項4,5のように構成した場合
には、固定電極或いは別途設けた吸引電極に定電圧源が
接続されて定電圧が印加され、これにより固定電極と可
動電極との間に所定の静電引力が発生するため、可動体
は静電引力により固定電極側に引かれ、当該空隙に形成
した突起部が対向面に接触する。このように突起部が対
向面に最初から接触した状態とされているので、可動電
極はZ軸方向に関して定位置に止められて全く変位しな
い。従って、X軸及びY軸には何ら影響がなく、X軸及
びY軸方向に加わった加速度を極めて精度よく検出する
ことができる。すなわち、Z軸方向の加速度による他軸
の干渉を良好に防止することができ、可動電極のZ軸方
向変位に起因する測定特性の直線性の悪化もなくなると
いう優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の加速度センサの一例を示す断面図であ
る。
【図2】図1に示す加速度センサの各電極を説明する斜
視図、及び外部回路の一例を示す図である。
【図3】図1の可動電極の部分を拡大して示す断面図で
ある。
【図4】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの第
1の実施の形態を示す断面図である。
【図5】第1の実施の形態の要部を示す斜視図である。
【図6】半導体基板11を示す平面図である。
【図7】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの変
形例を示す断面図である。
【図8】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの変
形例を示す断面図である。
【図9】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの変
形例を示す断面図である。
【図10】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの
第2の実施の形態を示す断面図である。
【図11】第2の実施の形態の要部を示す斜視図であ
る。
【図12】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの
第3の実施の形態を示す断面図である。
【図13】第3の実施の形態の要部を示す斜視図であ
る。
【図14】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの
第4の実施の形態を示す断面図である。
【図15】本発明に係る静電容量型多軸加速度センサの
第5の実施の形態を示す断面図である。
【符号の説明】
11,12 半導体基板 11a,12a 枠体 11b 重り 12b 可動体 13,14 ガラス固定基板 15 可動電極 16 梁 17,17a,17b,17′ 突起部 31〜34 固定電極 31,32 X軸の検出電極 33,34 Y軸の検出電極 36 吸引電極 41,42 絶縁膜(絶縁部材) 191,192 X軸定電圧源 193,194 Y軸定電圧源 196 定電圧源

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の固定電極が形成された固定基板
    と、その固定基板に接合される半導体基板とを有し、 前記半導体基板は、前記固定基板と接合される枠体と、
    その枠体の内側に配置された加速度を受けて変位する可
    動体と、その可動体を前記枠体に対して弾性支持する梁
    とを有し、その可動体の前記固定電極に対向する面に所
    定のギャップをおいて可動電極を設け、その可動電極と
    前記固定電極との間に発生する静電容量に基づいて複数
    方向の加速度を検知する半導体容量型多軸加速度センサ
    であって、 前記可動体と、前記固定基板の対向する表面の少なくと
    も一方に、突起部を設けたことを特徴とする静電容量型
    多軸加速度センサ。
  2. 【請求項2】 複数の固定電極が形成された固定基板
    と、 その固定基板に接合される半導体基板と、 前記半導体基板の反対側に直接または所定基板を介して
    接合される他の固定基板とを有し、 前記半導体基板は、前記固定基板と接合される枠体と、
    その枠体の内側に配置され加速度を受けて変位する可動
    体と、その可動体を前記枠体に対して弾性支持する梁と
    を有し、その可動体の前記固定電極に対向する面に所定
    のギャップをおいて可動電極を設け、その可動電極と前
    記固定電極との間に発生する静電容量に基づいて複数方
    向の加速度を検知する半導体容量型多軸加速度センサで
    あって、 前記可動体またはその可動体と一体に移動する部材と、
    前記他の固定基板の対向する表面の少なくとも一方に、
    突起部を設けたことを特徴とする静電容量型多軸加速度
    センサ。
  3. 【請求項3】 突起部と、それに対向する基板表面との
    接触部分に、陽極接合されない絶縁部材を設けたことを
    特徴とする請求項1または2に記載の静電容量型多軸加
    速度センサ。
  4. 【請求項4】 前記固定電極と前記可動電極の間に所定
    の静電引力を発生させる手段をさらに備えたことを特徴
    とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の静電容量型
    多軸加速度センサ。
  5. 【請求項5】 前記固定電極を設けた基板表面に吸引電
    極を設け、 前記吸引電極と前記可動電極の間に所定の静電引力を発
    生させる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1
    〜3のいずれか1項に記載の静電容量型多軸加速度セン
    サ。
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