JP3255960B2 - 冷陰極エミッタ素子 - Google Patents
冷陰極エミッタ素子Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
- H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30457—Diamond
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空マイクロエレクトロ
ニクス技術を利用した整流素子、増幅素子及びディスプ
レイ素子等の真空素子に適用可能な冷陰極エミッタ素子
に関する。
ニクス技術を利用した整流素子、増幅素子及びディスプ
レイ素子等の真空素子に適用可能な冷陰極エミッタ素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体トランジスタ等の製造に使
用されている微細加工技術を利用してミクロンサイズの
微小な真空素子を作製する技術が研究開発されている
（伊藤順司、真空マイクロエレクトロニクス、応用物
理、第５９巻、第２号、１２１６頁、１９９０年発
行）。
用されている微細加工技術を利用してミクロンサイズの
微小な真空素子を作製する技術が研究開発されている
（伊藤順司、真空マイクロエレクトロニクス、応用物
理、第５９巻、第２号、１２１６頁、１９９０年発
行）。
【０００３】図１２はこのような真空素子の１つである
真空３極管素子の一例を示す模式的断面図である。シリ
コン基板３１上には選択的に開口部が設けられた絶縁膜
３３が設けられており、前記開口部内において、円錐状
のエミッタ３２が形成されている。また、開口部の周囲
の絶縁膜３３上にはゲート３４が配設されており、この
ゲート３４から若干隔離してアノード３５が配置されて
いる。
真空３極管素子の一例を示す模式的断面図である。シリ
コン基板３１上には選択的に開口部が設けられた絶縁膜
３３が設けられており、前記開口部内において、円錐状
のエミッタ３２が形成されている。また、開口部の周囲
の絶縁膜３３上にはゲート３４が配設されており、この
ゲート３４から若干隔離してアノード３５が配置されて
いる。
【０００４】このように構成された真空３極管素子を真
空中におき、エミッタ３２、ゲート３４及びアノード３
５に夫々所定の電圧を印加すると、エミッタ３２の先端
から真空中に電子が放出される。この放出された電子
は、図中矢印で示すような軌道を通ってアノード３５に
到達する。この真空３極管素子では、電子が真空中を移
動するため、電子が固体中を移動する場合（例えば、半
導体トランジスタ等の場合）に比して、電子の移動速度
を原理的には約1000倍に高めることが可能である。即
ち、冷陰極エミッタ素子を用いた整流素子及びトランジ
スタ等は超高速動作が可能である。また、エミッタを蛍
光板に対向させて配置することにより、光ディスプレイ
を構成することもできる。
空中におき、エミッタ３２、ゲート３４及びアノード３
５に夫々所定の電圧を印加すると、エミッタ３２の先端
から真空中に電子が放出される。この放出された電子
は、図中矢印で示すような軌道を通ってアノード３５に
到達する。この真空３極管素子では、電子が真空中を移
動するため、電子が固体中を移動する場合（例えば、半
導体トランジスタ等の場合）に比して、電子の移動速度
を原理的には約1000倍に高めることが可能である。即
ち、冷陰極エミッタ素子を用いた整流素子及びトランジ
スタ等は超高速動作が可能である。また、エミッタを蛍
光板に対向させて配置することにより、光ディスプレイ
を構成することもできる。
【０００５】図１３（ａ）乃至（ｃ）は冷陰極エミッタ
素子の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。先
ず、図１３（ａ）に示すように、基板３１上に絶縁膜
（例えば、ＳｉＯ2膜）３３、Ｍｏ膜３６及びＡｌ膜３
７を順次積層形成し、Ａｌ膜３７の表面から基板３１の
表面に到達するピンホールを形成する。
素子の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。先
ず、図１３（ａ）に示すように、基板３１上に絶縁膜
（例えば、ＳｉＯ2膜）３３、Ｍｏ膜３６及びＡｌ膜３
７を順次積層形成し、Ａｌ膜３７の表面から基板３１の
表面に到達するピンホールを形成する。
【０００６】次に、図１３（ｂ）に示すように、全面に
Ｍｏを真空蒸着する。そうすると、ピンホール内のシリ
コン基板３１上にＭｏが円錐状に堆積し、Ａｌ膜３７上
には、Ｍｏが徐々にピンホールを閉塞するように堆積し
ていく。即ち、このＡｌ膜３７上に堆積されたＭｏ膜３
８の膜厚の増加に伴って、ピンホールの直径が減少し、
やがてピンホールが塞がってしまう。また、ピンホール
内の基板３１上には、Ｍｏからなる円錐状のエミッタ３
２が形成される。
Ｍｏを真空蒸着する。そうすると、ピンホール内のシリ
コン基板３１上にＭｏが円錐状に堆積し、Ａｌ膜３７上
には、Ｍｏが徐々にピンホールを閉塞するように堆積し
ていく。即ち、このＡｌ膜３７上に堆積されたＭｏ膜３
８の膜厚の増加に伴って、ピンホールの直径が減少し、
やがてピンホールが塞がってしまう。また、ピンホール
内の基板３１上には、Ｍｏからなる円錐状のエミッタ３
２が形成される。
【０００７】次いで、図１３（ｃ）に示すように、Ｍｏ
膜３８及びＡｌ膜３７を除去する。このようにして冷陰
極エミッタが完成する。
膜３８及びＡｌ膜３７を除去する。このようにして冷陰
極エミッタが完成する。
【０００８】図１４（ａ）乃至（ｃ）は、冷陰極エミッ
タ素子の他の製造方法を工程順に示す断面図である。先
ず、図１４（ａ）に示すように、シリコン基板３１の
（１００）面上に、ＳｉＯ2又はＳｉＮ等のエッチング
マスク３９を選択的に形成する。
タ素子の他の製造方法を工程順に示す断面図である。先
ず、図１４（ａ）に示すように、シリコン基板３１の
（１００）面上に、ＳｉＯ2又はＳｉＮ等のエッチング
マスク３９を選択的に形成する。
【０００９】次に、図１４（ｂ）に示すように、エッチ
ング液｛ＫＯＨ、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）及
びＨ2Ｏの混合溶液｝により、シリコン基板３１に対し
て異方性エッチングを施す。これにより、エッチングマ
スク３９の下方にシリコンからなるエミッタ３２が形成
される。
ング液｛ＫＯＨ、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）及
びＨ2Ｏの混合溶液｝により、シリコン基板３１に対し
て異方性エッチングを施す。これにより、エッチングマ
スク３９の下方にシリコンからなるエミッタ３２が形成
される。
【００１０】次いで、図１４（ｃ）に示すように、エッ
チングマスク３９を取り除いた後、エミッタ３２の周囲
に絶縁膜３３を形成し、この絶縁膜３３上に引き出し電
極４０を形成する。このようにして、冷陰極エミッタ素
子が完成する。
チングマスク３９を取り除いた後、エミッタ３２の周囲
に絶縁膜３３を形成し、この絶縁膜３３上に引き出し電
極４０を形成する。このようにして、冷陰極エミッタ素
子が完成する。
【００１１】図１５は電界放射エミッタを使用した開放
構造のキャビティをもつ縦型真空３極管素子を示す模式
的断面図である。図１２に示す構造の冷陰極エミッタ素
子では、ゲート３４及びアノード３５がエミッタ３２の
周囲に平面的に配置されているのに対し、図１５に示す
縦型真空３極管素子では、ゲート３４及びアノード３５
が絶縁膜３３を介して立体的に配置されている。
構造のキャビティをもつ縦型真空３極管素子を示す模式
的断面図である。図１２に示す構造の冷陰極エミッタ素
子では、ゲート３４及びアノード３５がエミッタ３２の
周囲に平面的に配置されているのに対し、図１５に示す
縦型真空３極管素子では、ゲート３４及びアノード３５
が絶縁膜３３を介して立体的に配置されている。
【００１２】図１６（ａ）乃至（ｅ）はこの縦型真空３
極管素子の製造方法を工程順に示す断面図である。先
ず、図１６（ａ）に示すように、シリコン基板３１の
（１００）面上に絶縁膜（例えば、ＳｉＮ膜）３３を例
えば４μｍの厚さで形成する。
極管素子の製造方法を工程順に示す断面図である。先
ず、図１６（ａ）に示すように、シリコン基板３１の
（１００）面上に絶縁膜（例えば、ＳｉＮ膜）３３を例
えば４μｍの厚さで形成する。
【００１３】次に、図１６（ｂ）に示すように、絶縁膜
３３上にレジスト４１を選択的に形成し、このレジスト
４１をマスクとして絶縁膜３３を選択的にエッチング除
去する。
３３上にレジスト４１を選択的に形成し、このレジスト
４１をマスクとして絶縁膜３３を選択的にエッチング除
去する。
【００１４】次に、図１６（ｃ）に示すように、絶縁膜
３３をマスクとしてシリコン基板３１に対し異方性エッ
チングを施す。これにより、円錐状をなすエミッタ３２
が形成される。
３３をマスクとしてシリコン基板３１に対し異方性エッ
チングを施す。これにより、円錐状をなすエミッタ３２
が形成される。
【００１５】次に、図１６（ｄ）に示すように、全面に
絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2膜）４２を形成し、更に電極
膜４３、絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2膜）４４及び電極膜
４５を順次形成する。
絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2膜）４２を形成し、更に電極
膜４３、絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2膜）４４及び電極膜
４５を順次形成する。
【００１６】次いで、図１６（ｅ）に示すように、エミ
ッタ３２上の絶縁膜４２、絶縁膜３３、電極膜４３、絶
縁膜４４及び電極膜４５を選択的に除去する。これによ
り、縦型真空３極管素子が完成する。
ッタ３２上の絶縁膜４２、絶縁膜３３、電極膜４３、絶
縁膜４４及び電極膜４５を選択的に除去する。これによ
り、縦型真空３極管素子が完成する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように、従来の冷陰極エミッタ素子においては、一般
的にエミッタの構成材料としてシリコン、タングステ
ン、又はモリブデンが使用されている。このため、素子
動作中に発生する熱によりエミッタ先端の曲率が大きく
なったり、表面が酸化されることにより、電子放射特性
が急速に劣化する。このため、従来の冷陰極エミッタ素
子においては、寿命が短く、大電力動作に耐えられず、
実用化が極めて困難であるという問題点がある。
たように、従来の冷陰極エミッタ素子においては、一般
的にエミッタの構成材料としてシリコン、タングステ
ン、又はモリブデンが使用されている。このため、素子
動作中に発生する熱によりエミッタ先端の曲率が大きく
なったり、表面が酸化されることにより、電子放射特性
が急速に劣化する。このため、従来の冷陰極エミッタ素
子においては、寿命が短く、大電力動作に耐えられず、
実用化が極めて困難であるという問題点がある。
【００１８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、電子放射特性の劣化を回避できると共に、
大電力で動作させることが可能な冷陰極エミッタ素子を
提供することを目的とする。
のであって、電子放射特性の劣化を回避できると共に、
大電力で動作させることが可能な冷陰極エミッタ素子を
提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る冷陰極エミ
ッタ素子は、その表面から真空中に電子を放出するエミ
ッタ部を備えた冷陰極エミッタ素子において、前記エミ
ッタ部が半導体ダイヤモンドからなり、その表面の少な
くとも一部が（１１１）面結晶であることを特徴とす
る。
ッタ素子は、その表面から真空中に電子を放出するエミ
ッタ部を備えた冷陰極エミッタ素子において、前記エミ
ッタ部が半導体ダイヤモンドからなり、その表面の少な
くとも一部が（１１１）面結晶であることを特徴とす
る。
【００２０】
【作用】本発明においては、電子を放出するエミッタ部
が半導体ダイヤモンドからなる。ダイヤモンドは耐熱性
及び耐電圧が高いため、本発明に係る冷陰極エミッタ素
子はエミッタ部の先端形状の変化が少なく、寿命が長い
と共に電子放射特性の劣化が抑制される。また、本発明
に係る冷陰極エミッタ素子は、エミッタ部に高電圧を印
加することができるため、大電流で動作させることがで
きる。更に、ダイヤモンドの（１１１）結晶面において
は、真空準位が伝導帯よりも下方にある。このため、ダ
イヤモンドは電子を伝導帯に一旦励起すれば、電子が真
空中に自然に放出されるという特性がある。このような
特性は他の材料では見られず、ダイヤモンドは冷陰極エ
ミッタ素子のエミッタ部構成材料として極めて適してい
る。従って、本発明に係る冷陰極エミッタ素子は、電子
放射特性が極めて優れている。
が半導体ダイヤモンドからなる。ダイヤモンドは耐熱性
及び耐電圧が高いため、本発明に係る冷陰極エミッタ素
子はエミッタ部の先端形状の変化が少なく、寿命が長い
と共に電子放射特性の劣化が抑制される。また、本発明
に係る冷陰極エミッタ素子は、エミッタ部に高電圧を印
加することができるため、大電流で動作させることがで
きる。更に、ダイヤモンドの（１１１）結晶面において
は、真空準位が伝導帯よりも下方にある。このため、ダ
イヤモンドは電子を伝導帯に一旦励起すれば、電子が真
空中に自然に放出されるという特性がある。このような
特性は他の材料では見られず、ダイヤモンドは冷陰極エ
ミッタ素子のエミッタ部構成材料として極めて適してい
る。従って、本発明に係る冷陰極エミッタ素子は、電子
放射特性が極めて優れている。
【００２１】なお、ダイヤモンドは、気相合成により基
板上に比較的容易に成長させることができる。また、シ
リコン表面は約 200℃で変質したり表面構造が変質して
劣化するのに対し、ダイヤモンドは 600℃以上でも変化
しないという長所がある。従って、通常、ダイヤモンド
を成長させる基板としてシリコンウェハを用いるが、例
えばシリコンウェハ上に半導体ダイヤモンド薄膜を被覆
する等の方法により、冷陰極エミッタ素子の耐熱性を向
上させることができる。更に、絶縁膜として、通常使用
されるＳｉＯ2 薄膜に替えて絶縁性ダイヤモンド薄膜を
使用すれば、冷陰極エミッタ素子の耐熱性をより一層向
上させることができると共に、高周波特性を向上させる
ことができる。
板上に比較的容易に成長させることができる。また、シ
リコン表面は約 200℃で変質したり表面構造が変質して
劣化するのに対し、ダイヤモンドは 600℃以上でも変化
しないという長所がある。従って、通常、ダイヤモンド
を成長させる基板としてシリコンウェハを用いるが、例
えばシリコンウェハ上に半導体ダイヤモンド薄膜を被覆
する等の方法により、冷陰極エミッタ素子の耐熱性を向
上させることができる。更に、絶縁膜として、通常使用
されるＳｉＯ2 薄膜に替えて絶縁性ダイヤモンド薄膜を
使用すれば、冷陰極エミッタ素子の耐熱性をより一層向
上させることができると共に、高周波特性を向上させる
ことができる。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２３】図１は本発明の第１の実施例に係る冷陰極
エミッタ素子を示す模式的断面図である。低抵抗シリコ
ン基板１上には開口部が選択的に設けられたＳｉＯ2 膜
２ａが形成されており、前記開口部の基板１上には半導
体ダイヤモンドからなるエミッタ３が設けられている。
また、ＳｉＯ2 膜２ａ上にはタングステン（Ｗ）からな
る引き出し電極４が形成されている。
エミッタ素子を示す模式的断面図である。低抵抗シリコ
ン基板１上には開口部が選択的に設けられたＳｉＯ2 膜
２ａが形成されており、前記開口部の基板１上には半導
体ダイヤモンドからなるエミッタ３が設けられている。
また、ＳｉＯ2 膜２ａ上にはタングステン（Ｗ）からな
る引き出し電極４が形成されている。
【００２４】本実施例においては、エミッタ３が半導体
ダイヤモンドからなるため、エミッタ３の耐熱性が高
く、素子の動作中にエミッタ先端部の曲率が大きくなる
ことを抑制することができて、電子放射特性の劣化を回
避することができる。また、ダイヤモンドはＳｉ等に比
して耐電圧が高いため、本実施例に係る冷陰極エミッタ
素子は、従来に比して大電力動作が可能である。
ダイヤモンドからなるため、エミッタ３の耐熱性が高
く、素子の動作中にエミッタ先端部の曲率が大きくなる
ことを抑制することができて、電子放射特性の劣化を回
避することができる。また、ダイヤモンドはＳｉ等に比
して耐電圧が高いため、本実施例に係る冷陰極エミッタ
素子は、従来に比して大電力動作が可能である。
【００２５】次に、本実施例に係る冷陰極エミッタ素子
の製造方法について説明する。先ず、シリコン基板１上
にボロン（Ｂ）をドーピングした半導体ダイヤモンド粒
子を選択的に成長させて、エミッタ３を形成する。次
に、フォトリソグラフィー技術を使用して、エミッタ形
成領域を除く基板１上にＳｉＯ2 膜２ａを形成する。次
いで、エミッタ３の周囲のＳｉＯ2 膜２ａ上に、引き出
し電極４としてタングステン薄膜を形成する。これによ
り、本実施例に係る冷陰極エミッタ素子が完成する。
の製造方法について説明する。先ず、シリコン基板１上
にボロン（Ｂ）をドーピングした半導体ダイヤモンド粒
子を選択的に成長させて、エミッタ３を形成する。次
に、フォトリソグラフィー技術を使用して、エミッタ形
成領域を除く基板１上にＳｉＯ2 膜２ａを形成する。次
いで、エミッタ３の周囲のＳｉＯ2 膜２ａ上に、引き出
し電極４としてタングステン薄膜を形成する。これによ
り、本実施例に係る冷陰極エミッタ素子が完成する。
【００２６】上述のようにして、図１に示す構造の冷陰
極エミッタ素子を実際に製造した。この場合に、キャビ
ティの直径は８μｍ、深さは３μｍ、エミッタ３の直径
は約１μｍである。そして、真空中で基板１を介してエ
ミッタに 300Ｖの負電圧を印加した。その結果、素子に
は２ｍＡの電流が流れた。
極エミッタ素子を実際に製造した。この場合に、キャビ
ティの直径は８μｍ、深さは３μｍ、エミッタ３の直径
は約１μｍである。そして、真空中で基板１を介してエ
ミッタに 300Ｖの負電圧を印加した。その結果、素子に
は２ｍＡの電流が流れた。
【００２７】図２は本発明の第２の実施例に係る冷陰極
エミッタ素子を示す模式的断面図である。本実施例が第
１の実施例と異なる点はＳｉＯ2 膜２ａに替えて絶縁性
ダイヤモンド膜２ｂが形成されていることにあり、その
他の構成は基本的には第１の実施例と同様であるので、
図２において図１と同一物には同一符号を付してその詳
細な説明は省略する。
エミッタ素子を示す模式的断面図である。本実施例が第
１の実施例と異なる点はＳｉＯ2 膜２ａに替えて絶縁性
ダイヤモンド膜２ｂが形成されていることにあり、その
他の構成は基本的には第１の実施例と同様であるので、
図２において図１と同一物には同一符号を付してその詳
細な説明は省略する。
【００２８】本実施例においては、エミッタ３と引き出
し電極４とを電気的に絶縁する絶縁膜として、絶縁性ダ
イヤモンド膜２ｂが設けられている。これにより、本実
施例に係る冷陰極エミッタ素子は、第１の実施例の冷陰
極エミッタ素子に比して耐熱性が高いと共に高周波特性
が優れているという効果を得ることができる。
し電極４とを電気的に絶縁する絶縁膜として、絶縁性ダ
イヤモンド膜２ｂが設けられている。これにより、本実
施例に係る冷陰極エミッタ素子は、第１の実施例の冷陰
極エミッタ素子に比して耐熱性が高いと共に高周波特性
が優れているという効果を得ることができる。
【００２９】本実施例に係る冷陰極エミッタ素子を実際
に製造した。この場合に、キャビティの直径は約８μ
ｍ、深さは約３μｍ、エミッタ３の直径は約１μｍであ
る。そして、真空中で基板１を介してエミッタ３に 300
Ｖの負電圧を印加した。その結果、素子には約２ｍＡの
電流が流れた。
に製造した。この場合に、キャビティの直径は約８μ
ｍ、深さは約３μｍ、エミッタ３の直径は約１μｍであ
る。そして、真空中で基板１を介してエミッタ３に 300
Ｖの負電圧を印加した。その結果、素子には約２ｍＡの
電流が流れた。
【００３０】図３は本発明の第３の実施例に係る冷陰極
エミッタ素子を示す模式的断面図である。低抵抗シリコ
ン基板１上には半導体ダイヤモンド膜５が形成されてい
る。この半導体ダイヤモンド膜５上には開口部が選択的
に設けられた絶縁膜２が形成されており、前記開口部の
基板１上には半導体ダイヤモンドからなるエミッタ３が
設けられている。なお、絶縁膜２は、例えばＳｉＯ2 膜
でもよく、絶縁性ダイヤモンド膜でもよい。また、絶縁
膜２上にはタングステンからなる引き出し電極４が形成
されている。
エミッタ素子を示す模式的断面図である。低抵抗シリコ
ン基板１上には半導体ダイヤモンド膜５が形成されてい
る。この半導体ダイヤモンド膜５上には開口部が選択的
に設けられた絶縁膜２が形成されており、前記開口部の
基板１上には半導体ダイヤモンドからなるエミッタ３が
設けられている。なお、絶縁膜２は、例えばＳｉＯ2 膜
でもよく、絶縁性ダイヤモンド膜でもよい。また、絶縁
膜２上にはタングステンからなる引き出し電極４が形成
されている。
【００３１】シリコンは約 200℃の温度で表面構造が変
質又は変化するのに対し、ダイヤモンドは 600℃以上の
温度でもその表面構造が変化しない。従って、本実施例
においては、第１の実施例に比して耐熱性が高いという
効果を得ることができる。
質又は変化するのに対し、ダイヤモンドは 600℃以上の
温度でもその表面構造が変化しない。従って、本実施例
においては、第１の実施例に比して耐熱性が高いという
効果を得ることができる。
【００３２】本実施例に係る冷陰極エミッタ素子を実際
に製造し、真空中で基板を介してエミッタ３に 300Ｖの
負電圧を印加した。但し、キャビティの直径は８μｍ、
深さは３μｍ、エミッタ３の直径は約１μｍである。そ
の結果、素子には約２ｍＡの電流が流れた。
に製造し、真空中で基板を介してエミッタ３に 300Ｖの
負電圧を印加した。但し、キャビティの直径は８μｍ、
深さは３μｍ、エミッタ３の直径は約１μｍである。そ
の結果、素子には約２ｍＡの電流が流れた。
【００３３】図４は本発明の第４の実施例に係る冷陰極
エミッタ素子を示す模式的断面図である。基板１はＳｉ
Ｏ2 又はＳｉ3 Ｎ4等の耐熱性が高い絶縁材料からな
る。この基板１上には半導体ダイヤモンド膜５が形成さ
れている。また、この半導体ダイヤモンド膜５上には、
選択的に開口部が設けられた絶縁膜２が形成されてい
る。この絶縁膜２は、例えばＳｉＯ2 膜でもよく、絶縁
性ダイヤモンド膜でもよい。この絶縁膜２上には、引き
出し電極４としての金属膜が形成されている。また、半
導体ダイヤモンド膜５上にも電極６が選択的に形成され
ている。
エミッタ素子を示す模式的断面図である。基板１はＳｉ
Ｏ2 又はＳｉ3 Ｎ4等の耐熱性が高い絶縁材料からな
る。この基板１上には半導体ダイヤモンド膜５が形成さ
れている。また、この半導体ダイヤモンド膜５上には、
選択的に開口部が設けられた絶縁膜２が形成されてい
る。この絶縁膜２は、例えばＳｉＯ2 膜でもよく、絶縁
性ダイヤモンド膜でもよい。この絶縁膜２上には、引き
出し電極４としての金属膜が形成されている。また、半
導体ダイヤモンド膜５上にも電極６が選択的に形成され
ている。
【００３４】本実施例においては、基板１が、耐熱性が
高いＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 等からなるため、第３の実
施例に比してより一層耐熱性が優れているという効果を
得ることができる。
高いＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 等からなるため、第３の実
施例に比してより一層耐熱性が優れているという効果を
得ることができる。
【００３５】図５は本発明を縦型真空３極管素子に適用
した第５の実施例を示す模式的断面図である。低抵抗シ
リコン基板１上には所定の開口部が設けられた絶縁膜７
が形成されている。そして、この開口部の基板１上には
半導体ダイヤモンドからなるエミッタ３が形成されてい
る。また、絶縁膜７上にはゲート８が形成されており、
このゲート８上には絶縁膜９が形成されている。更に、
この絶縁膜９上にはドレイン１０が形成されている。
した第５の実施例を示す模式的断面図である。低抵抗シ
リコン基板１上には所定の開口部が設けられた絶縁膜７
が形成されている。そして、この開口部の基板１上には
半導体ダイヤモンドからなるエミッタ３が形成されてい
る。また、絶縁膜７上にはゲート８が形成されており、
このゲート８上には絶縁膜９が形成されている。更に、
この絶縁膜９上にはドレイン１０が形成されている。
【００３６】本実施例においては、エミッタ３が半導体
ダイヤモンドからなるため、図１５に示す従来の縦型真
空３極管素子に比して、電子放射特性の劣化が少なく、
高寿命であると共に、大電力で動作させることが可能で
ある。
ダイヤモンドからなるため、図１５に示す従来の縦型真
空３極管素子に比して、電子放射特性の劣化が少なく、
高寿命であると共に、大電力で動作させることが可能で
ある。
【００３７】なお、前述の第３及び第４の実施例と同様
に、基板上に半導体ダイヤモンドを形成し、この半導体
ダイヤモンド上にエミッタ及び絶縁膜等を形成すること
により、本実施例の冷陰極エミッタ素子の耐熱性を向上
させることが可能である。また、絶縁膜７，９として絶
縁性ダイヤモンドを使用することにより、耐熱性をより
一層向上させることができる。
に、基板上に半導体ダイヤモンドを形成し、この半導体
ダイヤモンド上にエミッタ及び絶縁膜等を形成すること
により、本実施例の冷陰極エミッタ素子の耐熱性を向上
させることが可能である。また、絶縁膜７，９として絶
縁性ダイヤモンドを使用することにより、耐熱性をより
一層向上させることができる。
【００３８】図６（ａ）は本発明を平面型真空３極管素
子に適用した第６の実施例を示す平面図、図６（ｂ）は
同じくその断面図である。絶縁基板１上にはゲート１５
が帯状に形成されており、このゲート１５を挟むように
してダイヤモンド膜１１（絶縁体）及びドレイン１４が
配設されている。また、ダイヤモンド膜１１上にはエミ
ッタとしての半導体ダイヤモンド膜１２が形成されてお
り、この半導体ダイヤモンド膜１２上にはソース電極１
３が形成されている。
子に適用した第６の実施例を示す平面図、図６（ｂ）は
同じくその断面図である。絶縁基板１上にはゲート１５
が帯状に形成されており、このゲート１５を挟むように
してダイヤモンド膜１１（絶縁体）及びドレイン１４が
配設されている。また、ダイヤモンド膜１１上にはエミ
ッタとしての半導体ダイヤモンド膜１２が形成されてお
り、この半導体ダイヤモンド膜１２上にはソース電極１
３が形成されている。
【００３９】本実施例においては、真空中でソース電極
１３、ゲート１５及びドレイン１４に夫々所定の電圧を
印加すると、半導体ダイヤモンド膜１２から基板表面に
沿う方向に電子が放出される。本実施例においても、第
６の実施例と同様の効果を得ることができる。
１３、ゲート１５及びドレイン１４に夫々所定の電圧を
印加すると、半導体ダイヤモンド膜１２から基板表面に
沿う方向に電子が放出される。本実施例においても、第
６の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００４０】図７は本発明の第７の実施例を示す平面図
である。本実施例が第６の実施例と異なる点は、上面視
で半導体ダイヤモンド膜１２ａが櫛形に形成されている
ことにあり、その他の構成は基本的には第６の実施例と
同様であるので、図７において図６と同一物には同一符
号を付してその詳細な説明は省略する。
である。本実施例が第６の実施例と異なる点は、上面視
で半導体ダイヤモンド膜１２ａが櫛形に形成されている
ことにあり、その他の構成は基本的には第６の実施例と
同様であるので、図７において図６と同一物には同一符
号を付してその詳細な説明は省略する。
【００４１】本実施例においては、半導体ダイヤモンド
膜（エミッタ）１２ａが平面視で櫛形に形成されてお
り、その先端部分に電界が集中するため、第６の実施例
に比して、エミッタから電子が放出されやすく、電界放
射特性が優れているという長所がある。
膜（エミッタ）１２ａが平面視で櫛形に形成されてお
り、その先端部分に電界が集中するため、第６の実施例
に比して、エミッタから電子が放出されやすく、電界放
射特性が優れているという長所がある。
【００４２】図８は本発明の第８の実施例に係る真空３
極管素子を示す平面図である。基板１上の所定領域には
エミッタとしての半導体ダイヤモンド膜１２ｂが円形状
に形成されている。また、この半導体ダイヤモンド膜１
２ｂ上にはソース電極１３ａが形成されている。そし
て、半導体ダイヤモンド膜１２ｂを囲むようにしてゲー
ト１５ａが配設されており、このゲート１５ａの周囲に
はドレイン１４ａが設けられている。本実施例において
も、第６の実施例と同様の効果を得ることができる。
極管素子を示す平面図である。基板１上の所定領域には
エミッタとしての半導体ダイヤモンド膜１２ｂが円形状
に形成されている。また、この半導体ダイヤモンド膜１
２ｂ上にはソース電極１３ａが形成されている。そし
て、半導体ダイヤモンド膜１２ｂを囲むようにしてゲー
ト１５ａが配設されており、このゲート１５ａの周囲に
はドレイン１４ａが設けられている。本実施例において
も、第６の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００４３】図９（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第９の実
施例に係る冷陰極エミッタ素子の製造方法を工程順に示
す断面図である。この図９を参照して本実施例の冷陰極
エミッタ素子の製造方法について説明する。先ず、図９
（ａ）に示すように、低抵抗Ｓｉ基板２１の上に半導体
ダイヤモンド膜２２を気相合成法によって合成する。
施例に係る冷陰極エミッタ素子の製造方法を工程順に示
す断面図である。この図９を参照して本実施例の冷陰極
エミッタ素子の製造方法について説明する。先ず、図９
（ａ）に示すように、低抵抗Ｓｉ基板２１の上に半導体
ダイヤモンド膜２２を気相合成法によって合成する。
【００４４】その後、図９（ｂ）に示すように、絶縁膜
２３（例えば、ＳｉＯ2膜）を一様に約２ミクロンの厚
さで合成した後、金属電極（アノード）２５を絶縁膜２
３上に積層する。
２３（例えば、ＳｉＯ2膜）を一様に約２ミクロンの厚
さで合成した後、金属電極（アノード）２５を絶縁膜２
３上に積層する。
【００４５】その後、図９（ｃ）に示すように、レジス
ト膜２６を形成した後、フォトリソグラフィーにより、
レジスト膜２６に直径又は１辺長が約1.5μｍの円形又
は矩形の穴２７を開け、この穴２７を通して金属電極２
５及び絶縁膜２３を選択的にエッチングする。
ト膜２６を形成した後、フォトリソグラフィーにより、
レジスト膜２６に直径又は１辺長が約1.5μｍの円形又
は矩形の穴２７を開け、この穴２７を通して金属電極２
５及び絶縁膜２３を選択的にエッチングする。
【００４６】その後、図９（ｄ）に示すように、マスク
に使用したフォトレジスト２６を取り除くと、冷陰極素
子が完成する。本実施例では、図示したように、多結晶
気相合成ダイヤモンド膜２２の表面が尖っているため、
実施例１乃至５のように、選択成長でダイヤモンドエミ
ッタ部を形成する必要がない。
に使用したフォトレジスト２６を取り除くと、冷陰極素
子が完成する。本実施例では、図示したように、多結晶
気相合成ダイヤモンド膜２２の表面が尖っているため、
実施例１乃至５のように、選択成長でダイヤモンドエミ
ッタ部を形成する必要がない。
【００４７】このようにして製造した冷陰極エミッタ素
子においては、真空中でアノードに対しＳｉ基板２１に
30Ｖの負電圧を印加することにより、約2ｍＡの電流が
観測された。
子においては、真空中でアノードに対しＳｉ基板２１に
30Ｖの負電圧を印加することにより、約2ｍＡの電流が
観測された。
【００４８】図１０は本発明の第１０の実施例に係る冷
陰極エミッタ素子を示す断面図である。基板２１はＳｉ
Ｏ2若しくはＳｉ3Ｎ4等の耐熱性が高い絶縁基板からな
る。この基板２１上には半導体ダイヤモンド膜２２が形
成されている。また、この半導体ダイヤモンド膜２２上
には選択的に開口部２８が設けられた絶縁膜２３が形成
されている。この絶縁膜２３上には、金属膜からなる引
き出し電極２５が形成されている。更に、半導体ダイヤ
モンド膜２２の絶縁膜２３が形成されていない部分の上
には電極２４が選択的に且つダイヤモンド膜２２に電気
的に接触して形成されている。
陰極エミッタ素子を示す断面図である。基板２１はＳｉ
Ｏ2若しくはＳｉ3Ｎ4等の耐熱性が高い絶縁基板からな
る。この基板２１上には半導体ダイヤモンド膜２２が形
成されている。また、この半導体ダイヤモンド膜２２上
には選択的に開口部２８が設けられた絶縁膜２３が形成
されている。この絶縁膜２３上には、金属膜からなる引
き出し電極２５が形成されている。更に、半導体ダイヤ
モンド膜２２の絶縁膜２３が形成されていない部分の上
には電極２４が選択的に且つダイヤモンド膜２２に電気
的に接触して形成されている。
【００４９】本実施例においては、真空雰囲気下で引き
出し電極２５と電極２４との間に、電極２４が負になる
電圧を印加すると、開口部２８内において、ダイヤモン
ド膜２２と引き出し電極２５との間で電子が真空中を移
動し、冷陰極エミッタ素子が所定の動作を行う。
出し電極２５と電極２４との間に、電極２４が負になる
電圧を印加すると、開口部２８内において、ダイヤモン
ド膜２２と引き出し電極２５との間で電子が真空中を移
動し、冷陰極エミッタ素子が所定の動作を行う。
【００５０】図１１は本発明を縦型真空３極管素子に適
用した第１１の実施例を示す模式的断面図である。低抵
抗シリコン基板２１上には半導体ダイヤモンド膜２２が
形成されており、その上に開口部２８を持つ絶縁膜２３
ａが形成されている。絶縁膜２３ａ上にはゲート２９が
積層形成されており、このゲート２９上には絶縁膜２３
ｂが形成されている。更に、この絶縁膜２３ｂ上にはド
レイン２５が積層形成されている。
用した第１１の実施例を示す模式的断面図である。低抵
抗シリコン基板２１上には半導体ダイヤモンド膜２２が
形成されており、その上に開口部２８を持つ絶縁膜２３
ａが形成されている。絶縁膜２３ａ上にはゲート２９が
積層形成されており、このゲート２９上には絶縁膜２３
ｂが形成されている。更に、この絶縁膜２３ｂ上にはド
レイン２５が積層形成されている。
【００５１】本実施例においては、エミッタがダイヤモ
ンドからなるため、図１５に示す従来の縦型真空３極管
素子に比して、電子放射特性の劣化が少なく、高寿命で
あると共に、大電力で動作させることが可能である。
ンドからなるため、図１５に示す従来の縦型真空３極管
素子に比して、電子放射特性の劣化が少なく、高寿命で
あると共に、大電力で動作させることが可能である。
【００５２】なお、前述の第１０の実施例と同様に、Ｓ
ｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4等の絶縁基板上に半導体ダイヤモン
ドを形成し、この半導体ダイヤモンド上に選択的にカソ
ードの金属電極を形成して縦型真空３極管素子を作製す
ることにより、耐熱性をより一層向上させることができ
る。
ｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4等の絶縁基板上に半導体ダイヤモン
ドを形成し、この半導体ダイヤモンド上に選択的にカソ
ードの金属電極を形成して縦型真空３極管素子を作製す
ることにより、耐熱性をより一層向上させることができ
る。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
電子を放出する部分であるエミッタ部が半導体ダイヤモ
ンドからなるため、エミッタ部の耐熱性及び耐電圧が高
い。このため、本発明に係る冷陰極エミッタ素子は、使
用に伴うエミッタ先端部の形状の変化が抑制されて電子
放射特性の劣化が少ない。また、大電流で使用すること
も可能である。従って、本発明は真空マイクロエレクト
ロニクス技術の向上に極めて有用である。
電子を放出する部分であるエミッタ部が半導体ダイヤモ
ンドからなるため、エミッタ部の耐熱性及び耐電圧が高
い。このため、本発明に係る冷陰極エミッタ素子は、使
用に伴うエミッタ先端部の形状の変化が抑制されて電子
放射特性の劣化が少ない。また、大電流で使用すること
も可能である。従って、本発明は真空マイクロエレクト
ロニクス技術の向上に極めて有用である。
【図１】本発明の第１の実施例に係る冷陰極エミッタ素
子を示す模式的断面図である。
子を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る冷陰極エミッタ素
子を示す模式的断面図である。
子を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係る冷陰極エミッタ素
子を示す模式的断面図である。
子を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例に係る冷陰極エミッタ素
子を示す模式的断面図である。
子を示す模式的断面図である。
【図５】本発明を縦型真空３極管素子に適用した第５の
実施例を示す模式的断面図である。
実施例を示す模式的断面図である。
【図６】（ａ）は本発明を平面型真空３極管素子に適用
した第６の実施例を示す平面図、（ｂ）は同じくその断
面図である。
した第６の実施例を示す平面図、（ｂ）は同じくその断
面図である。
【図７】本発明の第７の実施例を示す平面図である。
【図８】本発明の第８の実施例に係る真空３極管素子を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図９】本発明の第９の実施例に係る冷陰極エミッタ素
子の製造方法を工程順に示す断面図である。
子の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】本発明の第１０の実施例に係る冷陰極エミッ
タ素子を示す断面図である。
タ素子を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１１の実施例に係る真空３極管素
子を示す模式的断面図である。
子を示す模式的断面図である。
【図１２】従来の真空３極管素子の一例を示す模式的断
面図である。
面図である。
【図１３】（ａ）乃至（ｃ）は図１２に示す冷陰極エミ
ッタ素子の製造方法の一例を工程順に示す断面図であ
る。
ッタ素子の製造方法の一例を工程順に示す断面図であ
る。
【図１４】（ａ）乃至（ｃ）は冷陰極エミッタ素子の他
の製造方法を工程順に示す断面図である。
の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１５】電界放射エミッタを用いた開放構造のキャビ
ティを持つ従来の縦型真空３極管素子を示す模式的断面
図である。
ティを持つ従来の縦型真空３極管素子を示す模式的断面
図である。
【図１６】（ａ）乃至（ｅ）は縦型真空３極管素子の製
造方法を工程順に示す断面図である。
造方法を工程順に示す断面図である。
１，２１，３１；基板 ２ａ；ＳｉＯ2膜 ２ｂ；絶縁性ダイヤモンド膜 ３，３２；エミッタ ４，２５，４０；引き出し電極 ５，１２，１２ａ，１２ｂ，２２；半導体ダイヤモンド
膜 ６，２４；電極 ７，９，２３，２３ａ，２３ｂ，３３，４２，４４；絶
縁膜 ８，１５，１５ａ，２９，３４；ゲート １０，１４，１４ａ；ドレイン １１；ダイヤモンド膜 １３；ソース電極 ２６，４１；レジスト ２７；穴 ２８；開口部 ３５；アノード ３６．３８；Ｍｏ膜 ３７；Ａｌ膜 ３９；エッチングマスク ４３，４５；電極膜
膜 ６，２４；電極 ７，９，２３，２３ａ，２３ｂ，３３，４２，４４；絶
縁膜 ８，１５，１５ａ，２９，３４；ゲート １０，１４，１４ａ；ドレイン １１；ダイヤモンド膜 １３；ソース電極 ２６，４１；レジスト ２７；穴 ２８；開口部 ３５；アノード ３６．３８；Ｍｏ膜 ３７；Ａｌ膜 ３９；エッチングマスク ４３，４５；電極膜
フロントページの続き (72)発明者 小橋 宏司 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究 所内 (56)参考文献 特開 平２−155226（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−274047（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−86428（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−203293（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−56125（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 49/00 H01J 1/30 H01L 21/20 C30B 29/00
Claims (1)
- 【請求項１】 その表面から真空中に電子を放出するエ
ミッタ部を備えた冷陰極エミッタ素子において、前記エ
ミッタ部が半導体ダイヤモンドからなり、その表面の少
なくとも一部が（１１１）結晶面であることを特徴とす
る冷陰極エミッタ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11752192A JP3255960B2 (ja) | 1991-09-30 | 1992-05-11 | 冷陰極エミッタ素子 |
| GB9220640A GB2260641B (en) | 1991-09-30 | 1992-09-30 | Cold cathode emitter element |
| DE4232886A DE4232886C2 (de) | 1991-09-30 | 1992-09-30 | Kaltkathoden-Emitterelement |
| US07/953,847 US5757344A (en) | 1991-09-30 | 1992-09-30 | Cold cathode emitter element |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-280518 | 1991-09-30 | ||
| JP28051891 | 1991-09-30 | ||
| JP11752192A JP3255960B2 (ja) | 1991-09-30 | 1992-05-11 | 冷陰極エミッタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152640A JPH05152640A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3255960B2 true JP3255960B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=26455616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11752192A Expired - Lifetime JP3255960B2 (ja) | 1991-09-30 | 1992-05-11 | 冷陰極エミッタ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757344A (ja) |
| JP (1) | JP3255960B2 (ja) |
| DE (1) | DE4232886C2 (ja) |
| GB (1) | GB2260641B (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5391259A (en) * | 1992-05-15 | 1995-02-21 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a substantially uniform array of sharp tips |
| US5753130A (en) * | 1992-05-15 | 1998-05-19 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a substantially uniform array of sharp tips |
| KR0156032B1 (ko) * | 1993-05-28 | 1998-10-15 | 호소야 레이지 | 전자방출소자 및 그 전자방출소자를 이용한 화상표시장치, 화상표시 장치의 구동장치, 화상표시장치의 화상표시 구동회로 |
| US5532177A (en) * | 1993-07-07 | 1996-07-02 | Micron Display Technology | Method for forming electron emitters |
| US5608283A (en) * | 1994-06-29 | 1997-03-04 | Candescent Technologies Corporation | Electron-emitting devices utilizing electron-emissive particles which typically contain carbon |
| KR100314830B1 (ko) * | 1994-07-27 | 2002-02-28 | 김순택 | 전계방출표시장치의제조방법 |
| DE69515245T2 (de) * | 1994-10-05 | 2000-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronenemissionskathode; eine Elektronenemissionsvorrichtung, eine flache Anzeigevorrichtung, eine damit versehene thermoelektrische Kühlvorrichtung, und ein Verfahren zur Herstellung dieser Elektronenemissionskathode |
| FR2726688B1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence |
| US5616368A (en) * | 1995-01-31 | 1997-04-01 | Lucent Technologies Inc. | Field emission devices employing activated diamond particle emitters and methods for making same |
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| US5679895A (en) * | 1995-05-01 | 1997-10-21 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond field emission acceleration sensor |
| US5713775A (en) * | 1995-05-02 | 1998-02-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Field emitters of wide-bandgap materials and methods for their fabrication |
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| FR2739494B1 (fr) * | 1995-09-29 | 1997-11-14 | Suisse Electronique Microtech | Procede de fabrication de pieces de micromecanique ayant une partie en diamant constituee au moins d'une pointe, et pieces de micromecanique comportant au moins une pointe en diamant |
| DE19613713C1 (de) * | 1996-03-29 | 1997-08-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von Feldemissionselektronenquellen, so hergestellte Feldemissionselektronenquelle und ihre Verwendung |
| US5880559A (en) * | 1996-06-01 | 1999-03-09 | Smiths Industries Public Limited Company | Electrodes and lamps |
| WO1998044529A1 (en) * | 1996-06-25 | 1998-10-08 | Vanderbilt University | Microtip vacuum field emitter structures, arrays, and devices, and methods of fabrication |
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| US6144145A (en) * | 1997-07-11 | 2000-11-07 | Emagin Corporation | High performance field emitter and method of producing the same |
| KR100279051B1 (ko) * | 1997-09-23 | 2001-02-01 | 박호군 | 다이아몬드 전계방출 소자의 제조방법 |
| US6554673B2 (en) | 2001-07-31 | 2003-04-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making electron emitters |
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