JPH0275902A - ダイヤモンド探針及びその成形方法 - Google Patents

ダイヤモンド探針及びその成形方法

Info

Publication number
JPH0275902A
JPH0275902A JP63228991A JP22899188A JPH0275902A JP H0275902 A JPH0275902 A JP H0275902A JP 63228991 A JP63228991 A JP 63228991A JP 22899188 A JP22899188 A JP 22899188A JP H0275902 A JPH0275902 A JP H0275902A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
diamond
diamond crystals
amorphous carbon
tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63228991A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Nishikawa
明 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP63228991A priority Critical patent/JPH0275902A/ja
Priority to US07/406,458 priority patent/US5010249A/en
Publication of JPH0275902A publication Critical patent/JPH0275902A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/16Probe manufacture
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/08Probe characteristics
    • G01Q70/14Particular materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • H01J2201/30446Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453Carbon types
    • H01J2201/30457Diamond

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、分析機器及び走査型トンネル顕微鏡の分野に
おいて、検出部に用いる検出探針に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、探針素材の先端部に柱状ダイヤモンド結晶と
アモルファス状炭素成分の混在する炭素膜を析出させた
後、後者のみ選択エツチングして前者を探針表面に突出
させることにより、極めて鋭く硬い先端を有する探針を
製造するというもので、分析機器の分解能を向上させ、
かつ探針の耐久性も向上させることができる。
〔従来の技術〕
試料表面と検出探針先端部間に流れるトンネル電流を検
出し、トンネル電流が一定になるように、試料表面と検
出探針先端部間を制?11して、原子構造を観察する走
査型トンネル顕微鏡においては、分解能は、探針の先端
部状態で決まり、分解能を上げる為にはより説い探針の
形成が必要である。
従来は、白金やタングステン棒の先端を機械的な研磨に
より円錐状に尖らせたものや、電解研磨により先端を形
成するもの(特開昭61−32326電解研磨による針
状体の形成方法)が知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上に示した従来の製法による探針において、機械的な
研磨では、探針先端が滑らかに伸延された形態とならず
だれを生じ、その結果、鋭い先端形状が得られないとか
、細かい線径では、砥石を当てると逃げが発生する為、
線径が限定される。
電解研磨法によると、逆に線径か細い方が反応時間が短
くできて有利であるが、反応を止めるタイミングがずれ
ると探針先端部で反応をし、鋭い形状が得られない問題
がある。また、機械的な研磨によるものや電解研磨によ
る探針は走査トンネルi!Ji微鏡の走査において、試
料表面に粗位置出しを行う際、探針と試料表面が軽く接
触しただけで先端がつぶれてしまい、粗位置出し機構が
しっかりしていない状態では、探針の取り換えが、頻繁
に行われる必要があるという問題があった。
〔課題を解決するための手段〕 上記の問題点を解決するために、本発明では、先端を尖
らせた探針素材の先端部に、気相合成法により、柱状ダ
イヤモンド結晶とアモルファス状炭素成分の混在する炭
素膜を析出させた後、該アモルファス状炭素成分のみを
選択エツチングすることにより、第1図に示す様に柱状
ダイヤモンド結晶が突出した形状から成る探針を得る。
〔作用〕
上記の手段により得られた探針は、第1図に示す様に最
先端部が柱状ダイヤモンド結晶の凸部から成るため、極
めて鋭い先端形状が得られ、分析機器の分解能を向上さ
せることができる。
しかも、ダイヤモンドは物質中最高の硬度を有するため
、粗位置決めの際試料表面と探針が接触しても、探針先
端がつぶれたり変形してしまうという現象を防止するこ
とができる。
〔実施例〕
本実施例は、走査型トンネル顕微鏡の検出部に用いる検
出探針に関するもので、以下、図面に基づいて説明する
第2図に示す探針製造工程に従い、まず、ロッド線を任
意の長さに切断(本実施例では、φ0.3龍のタングス
テン製ロッド線を長さ20mmに切断)して、その先端
を機械研磨により円錐状に加工して探針素材lを得た(
第1図(A))。
その表面に、第1図(B)に示す様に、気相合成法によ
り、柱状ダイヤモンド結晶2とアモルファス状炭素成分
3の混在する炭素膜(膜厚10μm;以後「混在膜」と
称す)を析出゛させた。本実施例の場合、気相合成法と
しては水素と炭化水素の混合ガスを原料とするマイクロ
波プラズマCVD法(特開昭58−110494)を用
い、表1に示す合成条件により混在膜を析出させた。
表  1 次に、このマイクロ波プラズマCVD装置内に、水素と
炭化水素の混合ガスの代わりに酸素ガスを導入して、混
在膜の酸素プラズマエツチングを行った。エツチング条
件の一例を表2に示す、柱状ダイヤモンド結晶2とアモ
ルファス状炭素成分3の酸素プラズマによるエツチング
速度は、後者が前者よりも圧倒的に大きいため、第1図
(C)に示す様に、後者が優先的にエツチングされて前
者すなわち柱状ダイヤモンド結晶が突出した極めて鋭い
先端形状を有する探針が得られる。
表  2 さらに第1図(D)に示す様に、この探針表面にスパッ
タリング法により厚さ数十人程度の白金から成る導電性
膜4を形成することにより、走査型トンネル顕微鏡用の
検出部探針を完成した。
この探針を実際に走査型トンネル顕微鏡に組込んでテス
トした結果、従来品にあった問題も無く安定して高分解
能が得られることを確認した。
〔発明の効果〕 上記の如く本発明によれば、掻めて鋭い先端形状が得ら
れ、装置分解能を向上させることができる。
しかも、先端が物質中最高の硬度を有するダイヤモンド
から成るため、粗位置決めの際試料表面と探針が接触し
ても、探針先端がつぶれたり変形してしまうという現象
を防止し探針の耐久性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)〜(D)は本発明によるダイヤモンド探針
の断面工程図、第2図は本発明によるダイヤモンド探針
の製造工程を説明する図である。 l・・・探針素材 2・・・柱状ダイヤモンド結晶 3・・・アモルファス状炭素成分 4・・・導電性膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士  林   敬 之 助(B) (C)                   (D)
本発明ICよるゾイヤ七ンF′#封の断面工程図案 1
 図 本発明1てよるり゛イヤ七〕H′採4閂“の製え工程Σ
説日月すう図案 2 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)先端を尖らせた探計素材の先端部に、気相合成法
    により、柱状ダイヤモンド結晶とアモルファス状炭素成
    分の混在する炭素膜を析出させた後、該アモルファス状
    炭素成分のみを選択エッチングして柱状ダイヤモンド結
    晶を突出させ、次いで、該突出した柱状ダイヤモンド結
    晶を形成した探計に導電性膜を被覆することを特徴とす
    るダイヤモンド探計の成形方法。
  2. (2)先端を尖らせた探針素材の先端部に、柱状ダイヤ
    モンド結晶とアモルファス状炭素成分との混存炭素膜と
    、該混在炭素膜上に被覆される導電性膜とを形成したこ
    とを特徴とするダイヤモンド探針。
JP63228991A 1988-09-13 1988-09-13 ダイヤモンド探針及びその成形方法 Pending JPH0275902A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63228991A JPH0275902A (ja) 1988-09-13 1988-09-13 ダイヤモンド探針及びその成形方法
US07/406,458 US5010249A (en) 1988-09-13 1989-09-13 Diamond probe and forming method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63228991A JPH0275902A (ja) 1988-09-13 1988-09-13 ダイヤモンド探針及びその成形方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0275902A true JPH0275902A (ja) 1990-03-15

Family

ID=16885053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63228991A Pending JPH0275902A (ja) 1988-09-13 1988-09-13 ダイヤモンド探針及びその成形方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5010249A (ja)
JP (1) JPH0275902A (ja)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0437275B1 (en) * 1990-01-11 1997-08-27 Canon Kabushiki Kaisha Microprobe, method for producing the same, and information input and/or output apparatus utilizing the same
US5083697A (en) * 1990-02-14 1992-01-28 Difrancesco Louis Particle-enhanced joining of metal surfaces
US5471151A (en) * 1990-02-14 1995-11-28 Particle Interconnect, Inc. Electrical interconnect using particle enhanced joining of metal surfaces
JP2501945B2 (ja) * 1990-08-28 1996-05-29 三菱電機株式会社 原子間力顕微鏡のカンチレバ―及びその製造方法
NL9101169A (nl) * 1991-07-05 1993-02-01 Drukker Int Bv Elektronische tastnaald en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
US5138237A (en) * 1991-08-20 1992-08-11 Motorola, Inc. Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter
JP3255960B2 (ja) * 1991-09-30 2002-02-12 株式会社神戸製鋼所 冷陰極エミッタ素子
US5204615A (en) * 1991-10-24 1993-04-20 Interconnect Devices, Inc. Module attachment for printed circuit board test fixtures
US5252833A (en) * 1992-02-05 1993-10-12 Motorola, Inc. Electron source for depletion mode electron emission apparatus
US5180951A (en) * 1992-02-05 1993-01-19 Motorola, Inc. Electron device electron source including a polycrystalline diamond
US5278475A (en) * 1992-06-01 1994-01-11 Motorola, Inc. Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites
KR940001341A (ko) * 1992-06-29 1994-01-11 디. 아이. 캐플란 전자 장치로의 빠른 전기 접근을 위한 순간 접속법
US5383354A (en) * 1993-12-27 1995-01-24 Motorola, Inc. Process for measuring surface topography using atomic force microscopy
US5578901A (en) * 1994-02-14 1996-11-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Diamond fiber field emitters
US5602439A (en) * 1994-02-14 1997-02-11 The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer Diamond-graphite field emitters
US5751683A (en) * 1995-07-24 1998-05-12 General Nanotechnology, L.L.C. Nanometer scale data storage device and associated positioning system
US6337479B1 (en) * 1994-07-28 2002-01-08 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US6339217B1 (en) * 1995-07-28 2002-01-15 General Nanotechnology Llc Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements
US5591903A (en) * 1994-08-11 1997-01-07 Iowa State University Research Foundation Reconstructing the shape of an atomic force microscope probe
FR2726689B1 (fr) * 1994-11-08 1996-11-29 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence
US5709577A (en) * 1994-12-22 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Method of making field emission devices employing ultra-fine diamond particle emitters
US6507553B2 (en) 1995-07-24 2003-01-14 General Nanotechnology Llc Nanometer scale data storage device and associated positioning system
US5763879A (en) * 1996-09-16 1998-06-09 Pacific Western Systems Diamond probe tip
US6020677A (en) * 1996-11-13 2000-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Carbon cone and carbon whisker field emitters
US7196328B1 (en) 2001-03-08 2007-03-27 General Nanotechnology Llc Nanomachining method and apparatus
US6923044B1 (en) 2001-03-08 2005-08-02 General Nanotechnology Llc Active cantilever for nanomachining and metrology
US6802646B1 (en) * 2001-04-30 2004-10-12 General Nanotechnology Llc Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines
US6787768B1 (en) 2001-03-08 2004-09-07 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement
US6752008B1 (en) 2001-03-08 2004-06-22 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results
EP1003196A1 (en) * 1998-11-19 2000-05-24 Nec Corporation Carbon material, method for manufacturing the same material, field-emission type cold cathode using the same material and method for manufacturing the same cathode
AU6061100A (en) * 1999-07-01 2001-01-22 General Nanotechnology, Llc Object inspection and/or modification system and method
CN1498417A (zh) 2000-09-19 2004-05-19 纳诺皮尔斯技术公司 用于在无线频率识别装置中装配元件和天线的方法
WO2002035289A2 (en) * 2000-10-24 2002-05-02 Nanopierce Technologies Inc. Method and materials for printing particle-enhanced electrical contacts
US6931710B2 (en) 2001-01-30 2005-08-23 General Nanotechnology Llc Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips
US7253407B1 (en) 2001-03-08 2007-08-07 General Nanotechnology Llc Active cantilever for nanomachining and metrology
JP2003231203A (ja) * 2001-08-21 2003-08-19 Toshiba Corp 炭素膜被覆部材
US7053369B1 (en) * 2001-10-19 2006-05-30 Rave Llc Scan data collection for better overall data accuracy
US6813937B2 (en) * 2001-11-28 2004-11-09 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures
EP1539637A4 (en) 2002-09-09 2010-07-28 Gen Nanotechnology Llc FLUID DELIVERY FOR MICROSCOPY PROBE SCAN
WO2008001805A1 (fr) * 2006-06-28 2008-01-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique
JP4837747B2 (ja) * 2006-11-30 2011-12-14 独立行政法人科学技術振興機構 金属プローブ、その金属プローブの形成方法及びその形成装置
US8026403B2 (en) * 2007-06-27 2011-09-27 H R D Corporation System and process for production of liquid product from light gas
JP5568268B2 (ja) 2009-09-15 2014-08-06 株式会社神戸製鋼所 半導体検査装置用コンタクトプローブピン
JP5036892B2 (ja) * 2010-05-10 2012-09-26 株式会社神戸製鋼所 コンタクトプローブ
EP3702792A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-02 IMEC vzw A method for producing a probe suitable for scanning probe microscopy
CN113529050B (zh) * 2021-07-05 2022-09-20 云南民族大学 一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法及其产品

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5930709A (ja) * 1982-08-13 1984-02-18 Toa Nenryo Kogyo Kk 炭素膜及び/又は炭素粒子の製造方法
EP0194323B1 (en) * 1985-03-07 1989-08-02 International Business Machines Corporation Scanning tunneling microscope

Also Published As

Publication number Publication date
US5010249A (en) 1991-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0275902A (ja) ダイヤモンド探針及びその成形方法
US6800865B2 (en) Coated nanotube surface signal probe and method of attaching nanotube to probe holder
US6759653B2 (en) Probe for scanning microscope produced by focused ion beam machining
EP0354020B1 (en) Electronic probe
WO2000074107A2 (en) Tip structures, devices on their basis, and methods for their preparation
Umemura et al. Nanoindentation and nanowear tests on amorphous carbon films
JP3536288B2 (ja) ナノチューブ探針の製造方法
JPS63274801A (ja) ダイヤモンド探針
KR102101854B1 (ko) 원자간력현미경 팁 및 이의 제조 방법
Poirier et al. Tunneling probe manipulation of individual rhodium nanoparticles supported on titania
Lysenko et al. Manufacturing and characterization of nanostructures using scanning tunneling microscopy with diamond tip
JPS63182501A (ja) 走査型トンネル顕微鏡
Roberts et al. The observation of adsorbates on a gold surface in air: Their deposition and removal using scanning tunneling microscopy
DE19622701A1 (de) Mikrobalken mit integrierter Abtast- bzw. Prüfspitze aus Diamant für den Einsatz in Rastersondenmikroskopen
Rank et al. Nanoscale modification of conducting lines with a scanning force microscope
KR0175609B1 (ko) 팁 형상의 시료 첨단에 다이아몬드를 형성하는 방법
JP2018090864A (ja) 金属探針の製造方法、金属探針及びデバイス
RU2397138C1 (ru) Способ управляемого синтеза, модификации и разрушения единичных металлооксидных наноструктур в сочетании с контролем их строения и свойств (варианты)
Motoyama et al. Electrochemical deposition of metallic nanowires as a scanning probe tip
JP2997776B1 (ja) 微細パターン形成方法
Yacamán et al. Topographical interpretation of vacuum-deposited fine metallic particles
Sharma Techniques for Deposition of Diamond-Like Carbon and Their Potential Applications in Teaching and Training Materials Engineers
Zhdan Nanoscale surface characterization of conducting and non‐conducting materials with STM and contact SFM: some problems and solutions
Lysenko The use of scanning probe microscope with a diamond tip as a nanotechnological tool
JP2005283406A (ja) 特定領域のキャラクタリゼーション方法