JPH0275902A - ダイヤモンド探針及びその成形方法 - Google Patents
ダイヤモンド探針及びその成形方法Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分析機器及び走査型トンネル顕微鏡の分野に
おいて、検出部に用いる検出探針に関する。
おいて、検出部に用いる検出探針に関する。
本発明は、探針素材の先端部に柱状ダイヤモンド結晶と
アモルファス状炭素成分の混在する炭素膜を析出させた
後、後者のみ選択エツチングして前者を探針表面に突出
させることにより、極めて鋭く硬い先端を有する探針を
製造するというもので、分析機器の分解能を向上させ、
かつ探針の耐久性も向上させることができる。
アモルファス状炭素成分の混在する炭素膜を析出させた
後、後者のみ選択エツチングして前者を探針表面に突出
させることにより、極めて鋭く硬い先端を有する探針を
製造するというもので、分析機器の分解能を向上させ、
かつ探針の耐久性も向上させることができる。
試料表面と検出探針先端部間に流れるトンネル電流を検
出し、トンネル電流が一定になるように、試料表面と検
出探針先端部間を制?11して、原子構造を観察する走
査型トンネル顕微鏡においては、分解能は、探針の先端
部状態で決まり、分解能を上げる為にはより説い探針の
形成が必要である。
出し、トンネル電流が一定になるように、試料表面と検
出探針先端部間を制?11して、原子構造を観察する走
査型トンネル顕微鏡においては、分解能は、探針の先端
部状態で決まり、分解能を上げる為にはより説い探針の
形成が必要である。
従来は、白金やタングステン棒の先端を機械的な研磨に
より円錐状に尖らせたものや、電解研磨により先端を形
成するもの(特開昭61−32326電解研磨による針
状体の形成方法)が知られている。
より円錐状に尖らせたものや、電解研磨により先端を形
成するもの(特開昭61−32326電解研磨による針
状体の形成方法)が知られている。
以上に示した従来の製法による探針において、機械的な
研磨では、探針先端が滑らかに伸延された形態とならず
だれを生じ、その結果、鋭い先端形状が得られないとか
、細かい線径では、砥石を当てると逃げが発生する為、
線径が限定される。
研磨では、探針先端が滑らかに伸延された形態とならず
だれを生じ、その結果、鋭い先端形状が得られないとか
、細かい線径では、砥石を当てると逃げが発生する為、
線径が限定される。
電解研磨法によると、逆に線径か細い方が反応時間が短
くできて有利であるが、反応を止めるタイミングがずれ
ると探針先端部で反応をし、鋭い形状が得られない問題
がある。また、機械的な研磨によるものや電解研磨によ
る探針は走査トンネルi!Ji微鏡の走査において、試
料表面に粗位置出しを行う際、探針と試料表面が軽く接
触しただけで先端がつぶれてしまい、粗位置出し機構が
しっかりしていない状態では、探針の取り換えが、頻繁
に行われる必要があるという問題があった。
くできて有利であるが、反応を止めるタイミングがずれ
ると探針先端部で反応をし、鋭い形状が得られない問題
がある。また、機械的な研磨によるものや電解研磨によ
る探針は走査トンネルi!Ji微鏡の走査において、試
料表面に粗位置出しを行う際、探針と試料表面が軽く接
触しただけで先端がつぶれてしまい、粗位置出し機構が
しっかりしていない状態では、探針の取り換えが、頻繁
に行われる必要があるという問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
上記の問題点を解決するために、本発明では、先端を尖
らせた探針素材の先端部に、気相合成法により、柱状ダ
イヤモンド結晶とアモルファス状炭素成分の混在する炭
素膜を析出させた後、該アモルファス状炭素成分のみを
選択エツチングすることにより、第1図に示す様に柱状
ダイヤモンド結晶が突出した形状から成る探針を得る。
らせた探針素材の先端部に、気相合成法により、柱状ダ
イヤモンド結晶とアモルファス状炭素成分の混在する炭
素膜を析出させた後、該アモルファス状炭素成分のみを
選択エツチングすることにより、第1図に示す様に柱状
ダイヤモンド結晶が突出した形状から成る探針を得る。
上記の手段により得られた探針は、第1図に示す様に最
先端部が柱状ダイヤモンド結晶の凸部から成るため、極
めて鋭い先端形状が得られ、分析機器の分解能を向上さ
せることができる。
先端部が柱状ダイヤモンド結晶の凸部から成るため、極
めて鋭い先端形状が得られ、分析機器の分解能を向上さ
せることができる。
しかも、ダイヤモンドは物質中最高の硬度を有するため
、粗位置決めの際試料表面と探針が接触しても、探針先
端がつぶれたり変形してしまうという現象を防止するこ
とができる。
、粗位置決めの際試料表面と探針が接触しても、探針先
端がつぶれたり変形してしまうという現象を防止するこ
とができる。
本実施例は、走査型トンネル顕微鏡の検出部に用いる検
出探針に関するもので、以下、図面に基づいて説明する
。
出探針に関するもので、以下、図面に基づいて説明する
。
第2図に示す探針製造工程に従い、まず、ロッド線を任
意の長さに切断(本実施例では、φ0.3龍のタングス
テン製ロッド線を長さ20mmに切断)して、その先端
を機械研磨により円錐状に加工して探針素材lを得た(
第1図(A))。
意の長さに切断(本実施例では、φ0.3龍のタングス
テン製ロッド線を長さ20mmに切断)して、その先端
を機械研磨により円錐状に加工して探針素材lを得た(
第1図(A))。
その表面に、第1図(B)に示す様に、気相合成法によ
り、柱状ダイヤモンド結晶2とアモルファス状炭素成分
3の混在する炭素膜(膜厚10μm;以後「混在膜」と
称す)を析出゛させた。本実施例の場合、気相合成法と
しては水素と炭化水素の混合ガスを原料とするマイクロ
波プラズマCVD法(特開昭58−110494)を用
い、表1に示す合成条件により混在膜を析出させた。
り、柱状ダイヤモンド結晶2とアモルファス状炭素成分
3の混在する炭素膜(膜厚10μm;以後「混在膜」と
称す)を析出゛させた。本実施例の場合、気相合成法と
しては水素と炭化水素の混合ガスを原料とするマイクロ
波プラズマCVD法(特開昭58−110494)を用
い、表1に示す合成条件により混在膜を析出させた。
表 1
次に、このマイクロ波プラズマCVD装置内に、水素と
炭化水素の混合ガスの代わりに酸素ガスを導入して、混
在膜の酸素プラズマエツチングを行った。エツチング条
件の一例を表2に示す、柱状ダイヤモンド結晶2とアモ
ルファス状炭素成分3の酸素プラズマによるエツチング
速度は、後者が前者よりも圧倒的に大きいため、第1図
(C)に示す様に、後者が優先的にエツチングされて前
者すなわち柱状ダイヤモンド結晶が突出した極めて鋭い
先端形状を有する探針が得られる。
炭化水素の混合ガスの代わりに酸素ガスを導入して、混
在膜の酸素プラズマエツチングを行った。エツチング条
件の一例を表2に示す、柱状ダイヤモンド結晶2とアモ
ルファス状炭素成分3の酸素プラズマによるエツチング
速度は、後者が前者よりも圧倒的に大きいため、第1図
(C)に示す様に、後者が優先的にエツチングされて前
者すなわち柱状ダイヤモンド結晶が突出した極めて鋭い
先端形状を有する探針が得られる。
表 2
さらに第1図(D)に示す様に、この探針表面にスパッ
タリング法により厚さ数十人程度の白金から成る導電性
膜4を形成することにより、走査型トンネル顕微鏡用の
検出部探針を完成した。
タリング法により厚さ数十人程度の白金から成る導電性
膜4を形成することにより、走査型トンネル顕微鏡用の
検出部探針を完成した。
この探針を実際に走査型トンネル顕微鏡に組込んでテス
トした結果、従来品にあった問題も無く安定して高分解
能が得られることを確認した。
トした結果、従来品にあった問題も無く安定して高分解
能が得られることを確認した。
〔発明の効果〕
上記の如く本発明によれば、掻めて鋭い先端形状が得ら
れ、装置分解能を向上させることができる。
れ、装置分解能を向上させることができる。
しかも、先端が物質中最高の硬度を有するダイヤモンド
から成るため、粗位置決めの際試料表面と探針が接触し
ても、探針先端がつぶれたり変形してしまうという現象
を防止し探針の耐久性を高めることができる。
から成るため、粗位置決めの際試料表面と探針が接触し
ても、探針先端がつぶれたり変形してしまうという現象
を防止し探針の耐久性を高めることができる。
第1図(A)〜(D)は本発明によるダイヤモンド探針
の断面工程図、第2図は本発明によるダイヤモンド探針
の製造工程を説明する図である。 l・・・探針素材 2・・・柱状ダイヤモンド結晶 3・・・アモルファス状炭素成分 4・・・導電性膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助(B) (C) (D)
本発明ICよるゾイヤ七ンF′#封の断面工程図案 1
図 本発明1てよるり゛イヤ七〕H′採4閂“の製え工程Σ
説日月すう図案 2 図
の断面工程図、第2図は本発明によるダイヤモンド探針
の製造工程を説明する図である。 l・・・探針素材 2・・・柱状ダイヤモンド結晶 3・・・アモルファス状炭素成分 4・・・導電性膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助(B) (C) (D)
本発明ICよるゾイヤ七ンF′#封の断面工程図案 1
図 本発明1てよるり゛イヤ七〕H′採4閂“の製え工程Σ
説日月すう図案 2 図
Claims (2)
- (1)先端を尖らせた探計素材の先端部に、気相合成法
により、柱状ダイヤモンド結晶とアモルファス状炭素成
分の混在する炭素膜を析出させた後、該アモルファス状
炭素成分のみを選択エッチングして柱状ダイヤモンド結
晶を突出させ、次いで、該突出した柱状ダイヤモンド結
晶を形成した探計に導電性膜を被覆することを特徴とす
るダイヤモンド探計の成形方法。 - (2)先端を尖らせた探針素材の先端部に、柱状ダイヤ
モンド結晶とアモルファス状炭素成分との混存炭素膜と
、該混在炭素膜上に被覆される導電性膜とを形成したこ
とを特徴とするダイヤモンド探針。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63228991A JPH0275902A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ダイヤモンド探針及びその成形方法 |
US07/406,458 US5010249A (en) | 1988-09-13 | 1989-09-13 | Diamond probe and forming method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63228991A JPH0275902A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ダイヤモンド探針及びその成形方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0275902A true JPH0275902A (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=16885053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63228991A Pending JPH0275902A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ダイヤモンド探針及びその成形方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5010249A (ja) |
JP (1) | JPH0275902A (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0437275B1 (en) * | 1990-01-11 | 1997-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Microprobe, method for producing the same, and information input and/or output apparatus utilizing the same |
US5083697A (en) * | 1990-02-14 | 1992-01-28 | Difrancesco Louis | Particle-enhanced joining of metal surfaces |
US5471151A (en) * | 1990-02-14 | 1995-11-28 | Particle Interconnect, Inc. | Electrical interconnect using particle enhanced joining of metal surfaces |
JP2501945B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1996-05-29 | 三菱電機株式会社 | 原子間力顕微鏡のカンチレバ―及びその製造方法 |
NL9101169A (nl) * | 1991-07-05 | 1993-02-01 | Drukker Int Bv | Elektronische tastnaald en werkwijze voor het vervaardigen ervan. |
US5138237A (en) * | 1991-08-20 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter |
JP3255960B2 (ja) * | 1991-09-30 | 2002-02-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 冷陰極エミッタ素子 |
US5204615A (en) * | 1991-10-24 | 1993-04-20 | Interconnect Devices, Inc. | Module attachment for printed circuit board test fixtures |
US5252833A (en) * | 1992-02-05 | 1993-10-12 | Motorola, Inc. | Electron source for depletion mode electron emission apparatus |
US5180951A (en) * | 1992-02-05 | 1993-01-19 | Motorola, Inc. | Electron device electron source including a polycrystalline diamond |
US5278475A (en) * | 1992-06-01 | 1994-01-11 | Motorola, Inc. | Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites |
KR940001341A (ko) * | 1992-06-29 | 1994-01-11 | 디. 아이. 캐플란 | 전자 장치로의 빠른 전기 접근을 위한 순간 접속법 |
US5383354A (en) * | 1993-12-27 | 1995-01-24 | Motorola, Inc. | Process for measuring surface topography using atomic force microscopy |
US5578901A (en) * | 1994-02-14 | 1996-11-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Diamond fiber field emitters |
US5602439A (en) * | 1994-02-14 | 1997-02-11 | The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer | Diamond-graphite field emitters |
US5751683A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | General Nanotechnology, L.L.C. | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
US6337479B1 (en) * | 1994-07-28 | 2002-01-08 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
US6339217B1 (en) * | 1995-07-28 | 2002-01-15 | General Nanotechnology Llc | Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements |
US5591903A (en) * | 1994-08-11 | 1997-01-07 | Iowa State University Research Foundation | Reconstructing the shape of an atomic force microscope probe |
FR2726689B1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-11-29 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence |
US5709577A (en) * | 1994-12-22 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Method of making field emission devices employing ultra-fine diamond particle emitters |
US6507553B2 (en) | 1995-07-24 | 2003-01-14 | General Nanotechnology Llc | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
US5763879A (en) * | 1996-09-16 | 1998-06-09 | Pacific Western Systems | Diamond probe tip |
US6020677A (en) * | 1996-11-13 | 2000-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Carbon cone and carbon whisker field emitters |
US7196328B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-03-27 | General Nanotechnology Llc | Nanomachining method and apparatus |
US6923044B1 (en) | 2001-03-08 | 2005-08-02 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
US6802646B1 (en) * | 2001-04-30 | 2004-10-12 | General Nanotechnology Llc | Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines |
US6787768B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-09-07 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement |
US6752008B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-06-22 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results |
EP1003196A1 (en) * | 1998-11-19 | 2000-05-24 | Nec Corporation | Carbon material, method for manufacturing the same material, field-emission type cold cathode using the same material and method for manufacturing the same cathode |
AU6061100A (en) * | 1999-07-01 | 2001-01-22 | General Nanotechnology, Llc | Object inspection and/or modification system and method |
CN1498417A (zh) | 2000-09-19 | 2004-05-19 | 纳诺皮尔斯技术公司 | 用于在无线频率识别装置中装配元件和天线的方法 |
WO2002035289A2 (en) * | 2000-10-24 | 2002-05-02 | Nanopierce Technologies Inc. | Method and materials for printing particle-enhanced electrical contacts |
US6931710B2 (en) | 2001-01-30 | 2005-08-23 | General Nanotechnology Llc | Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips |
US7253407B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-08-07 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
JP2003231203A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-08-19 | Toshiba Corp | 炭素膜被覆部材 |
US7053369B1 (en) * | 2001-10-19 | 2006-05-30 | Rave Llc | Scan data collection for better overall data accuracy |
US6813937B2 (en) * | 2001-11-28 | 2004-11-09 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures |
EP1539637A4 (en) | 2002-09-09 | 2010-07-28 | Gen Nanotechnology Llc | FLUID DELIVERY FOR MICROSCOPY PROBE SCAN |
WO2008001805A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique |
JP4837747B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-12-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 金属プローブ、その金属プローブの形成方法及びその形成装置 |
US8026403B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-09-27 | H R D Corporation | System and process for production of liquid product from light gas |
JP5568268B2 (ja) | 2009-09-15 | 2014-08-06 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体検査装置用コンタクトプローブピン |
JP5036892B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2012-09-26 | 株式会社神戸製鋼所 | コンタクトプローブ |
EP3702792A1 (en) * | 2019-03-01 | 2020-09-02 | IMEC vzw | A method for producing a probe suitable for scanning probe microscopy |
CN113529050B (zh) * | 2021-07-05 | 2022-09-20 | 云南民族大学 | 一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法及其产品 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5930709A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 炭素膜及び/又は炭素粒子の製造方法 |
EP0194323B1 (en) * | 1985-03-07 | 1989-08-02 | International Business Machines Corporation | Scanning tunneling microscope |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP63228991A patent/JPH0275902A/ja active Pending
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US5010249A (en) | 1991-04-23 |
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