JPS62140332A - 電界放射陰極 - Google Patents
電界放射陰極Info
- Publication number
- JPS62140332A JPS62140332A JP60280918A JP28091885A JPS62140332A JP S62140332 A JPS62140332 A JP S62140332A JP 60280918 A JP60280918 A JP 60280918A JP 28091885 A JP28091885 A JP 28091885A JP S62140332 A JPS62140332 A JP S62140332A
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- JP
- Japan
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- cathode
- field emission
- diamond
- current
- filament
- Prior art date
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- Pending
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、走査形電子顕微鏡などの高輝度電子線源であ
る電界放射陰極、特に電流変動の小さい、高安定な電界
放射陰極が得られる電界放射陰極に関する。
る電界放射陰極、特に電流変動の小さい、高安定な電界
放射陰極が得られる電界放射陰極に関する。
従来、電界放射陰極どして最も多く使用されてきた物質
はタングステン単結晶であるが、用いる真空雰囲気、引
き出す電界放射電流、さらには経時変化によって、電流
変動が大きくなり安定な電子に放射ができない欠点があ
った。これらの電流変動を小さくする電界放射陰極とし
て特公昭55−37060に記載されているようなガラ
ス状炭素から形成されたものがある。その特徴として■
電流値が小さく真空度の良い(圧力が小さい)場合、そ
の電流変動は全く現れず、言い換えると周波数特性をも
たない。■真空度の悪い(圧力の大きい)場合でも放電
することなく電界放射状態を保つ。
はタングステン単結晶であるが、用いる真空雰囲気、引
き出す電界放射電流、さらには経時変化によって、電流
変動が大きくなり安定な電子に放射ができない欠点があ
った。これらの電流変動を小さくする電界放射陰極とし
て特公昭55−37060に記載されているようなガラ
ス状炭素から形成されたものがある。その特徴として■
電流値が小さく真空度の良い(圧力が小さい)場合、そ
の電流変動は全く現れず、言い換えると周波数特性をも
たない。■真空度の悪い(圧力の大きい)場合でも放電
することなく電界放射状態を保つ。
しかし、上記の従来例では反面で真空度の悪い場合、あ
るいは、これと等価な真空度が良くでも電界放射電流が
大きい場合に比較的大きな電流変動が生ずるという欠点
を有していた。その大部分の原因は、真空雰囲気中の残
留ガス分子を電界放射電子が励起してイオン化し、この
時化ずる正イオンが電界に沿って電子とは全く逆に陰極
に衝突することに起因している。すなわち、加速された
イオンの衝突によって陰極の表面は極端な場合、スパッ
ターされ凹凸のある表面構造を呈することになる。この
ような陰極表面から放射される電界放射電子は当然表面
形状に対応した分布すなわち、電流密度分布を・(−)
つため、陰極表面の限られた微小な領域から放射されろ
電子を用いろ実用装置では、その領域でA夜iこる表面
形状の変化が電流値の経時変化として現れる。
るいは、これと等価な真空度が良くでも電界放射電流が
大きい場合に比較的大きな電流変動が生ずるという欠点
を有していた。その大部分の原因は、真空雰囲気中の残
留ガス分子を電界放射電子が励起してイオン化し、この
時化ずる正イオンが電界に沿って電子とは全く逆に陰極
に衝突することに起因している。すなわち、加速された
イオンの衝突によって陰極の表面は極端な場合、スパッ
ターされ凹凸のある表面構造を呈することになる。この
ような陰極表面から放射される電界放射電子は当然表面
形状に対応した分布すなわち、電流密度分布を・(−)
つため、陰極表面の限られた微小な領域から放射されろ
電子を用いろ実用装置では、その領域でA夜iこる表面
形状の変化が電流値の経時変化として現れる。
本発明の1−1的は、−1−記経時変化の割合を小さく
して、長時間に亘り電7Ila gy !I!Itの現
れない電界放射陰極を[、I、供することにAろ。
して、長時間に亘り電7Ila gy !I!Itの現
れない電界放射陰極を[、I、供することにAろ。
電界放射陰極材料としての適性については、特公昭55
37060に詳述されているように、炭素材料が優れ
ている。炭素材料の中でも電界放射陰極の具体的形状で
あるΦ1状の陰極を形成するなどの点でガラス状炭素が
適していた。しかるに、−上記したように、電界放射電
流が残留ガス分子を励起してできる11:、イオンのや
1状陰極への衝突によって起こるスパッターに、1:つ
てΦ11状陰極面の形状が変化することが問題であった
。発明者等の検討に(:1) よればアルゴンイオンビームを用いた実測の結果、同じ
炭素材料があってもガラス状炭素のイオンエツチング率
は、ダイアモンドのそれのおよそ10倍であることが判
明した。すなわち、ダイアモンドが導電性であるならば
、前記イオンのスパッターによってうける陰極表面の形
状変化の程度は、おおよそ1 / 1.0にできる筈で
ある。
37060に詳述されているように、炭素材料が優れ
ている。炭素材料の中でも電界放射陰極の具体的形状で
あるΦ1状の陰極を形成するなどの点でガラス状炭素が
適していた。しかるに、−上記したように、電界放射電
流が残留ガス分子を励起してできる11:、イオンのや
1状陰極への衝突によって起こるスパッターに、1:つ
てΦ11状陰極面の形状が変化することが問題であった
。発明者等の検討に(:1) よればアルゴンイオンビームを用いた実測の結果、同じ
炭素材料があってもガラス状炭素のイオンエツチング率
は、ダイアモンドのそれのおよそ10倍であることが判
明した。すなわち、ダイアモンドが導電性であるならば
、前記イオンのスパッターによってうける陰極表面の形
状変化の程度は、おおよそ1 / 1.0にできる筈で
ある。
第1図は、電界放射電流を測定するための基本的な構成
を示す。針状陰極1および蛍光板を兼ねる陽極2との間
に電源5によって電圧を印加し、全放射電流を電流計又
は記録計6で、微小孔4を通過する局所電流をファラデ
ーカップ3で捕集し電流計又は記録計7で測定する。全
放射電流の放射半角βは、陰極先端の形状に依存し、微
小孔の開口半角βは、実用装置で用いる程度(10−2
〜1O−8red)である。
を示す。針状陰極1および蛍光板を兼ねる陽極2との間
に電源5によって電圧を印加し、全放射電流を電流計又
は記録計6で、微小孔4を通過する局所電流をファラデ
ーカップ3で捕集し電流計又は記録計7で測定する。全
放射電流の放射半角βは、陰極先端の形状に依存し、微
小孔の開口半角βは、実用装置で用いる程度(10−2
〜1O−8red)である。
第1図で針状陰極]がガラス状炭素であるときの電界放
射電流の測定例を第2図に示す。真空度2 X ]、
0−9Torrにおける実験を示し局所電流は、β〜1
mradのときの測定値である。90時間にわたる連
続動作に対して局所電流に現れるパルス状の電流変動は
1回である。これに対して全放射電流に現れるパルス状
ないしは階段状変動の頻度は8回である。すでに述べた
ように実用装置では局所電流の安定性が問われるわけで
あるから、第2図(イ)のようにおよそ100時間に1
回の変動のみならば充分に実用となる。しかし、100
0時間では10回現れることとなり、局所電流値のレベ
ルまでも変化する状態が起る。これらの実験結果から、
全放射電流と真空圧力の積が一上記パルス状ないし階段
状電流変動の頻度として厳密に表されることが判ってい
る。すなわち、イオンが針状陰極に衝突する頻度と電流
変動の頻度が比例関係にあることを示している。
射電流の測定例を第2図に示す。真空度2 X ]、
0−9Torrにおける実験を示し局所電流は、β〜1
mradのときの測定値である。90時間にわたる連
続動作に対して局所電流に現れるパルス状の電流変動は
1回である。これに対して全放射電流に現れるパルス状
ないしは階段状変動の頻度は8回である。すでに述べた
ように実用装置では局所電流の安定性が問われるわけで
あるから、第2図(イ)のようにおよそ100時間に1
回の変動のみならば充分に実用となる。しかし、100
0時間では10回現れることとなり、局所電流値のレベ
ルまでも変化する状態が起る。これらの実験結果から、
全放射電流と真空圧力の積が一上記パルス状ないし階段
状電流変動の頻度として厳密に表されることが判ってい
る。すなわち、イオンが針状陰極に衝突する頻度と電流
変動の頻度が比例関係にあることを示している。
針状陰極の材料として、イオンエツチング率がガラス状
炭素より10倍大きいダイアモンドを使用することがで
きれば、第2図の変動の頻度は、およそ1/10にする
ことができる。ダイアモンドを導電性にすることは不可
能であるが、その表面の硬度を失うことなく、表面のみ
に導電性を与えることは可能である。
炭素より10倍大きいダイアモンドを使用することがで
きれば、第2図の変動の頻度は、およそ1/10にする
ことができる。ダイアモンドを導電性にすることは不可
能であるが、その表面の硬度を失うことなく、表面のみ
に導電性を与えることは可能である。
1.00〜200kVのArイオンを1Q115〜10
17ケ/dの密度でダイアモンドに注入し、アニールす
ることによってダイアモンドの1 t :i、 pあた
り1. OOΩ程度の表面抵抗を与えることができる。
17ケ/dの密度でダイアモンドに注入し、アニールす
ることによってダイアモンドの1 t :i、 pあた
り1. OOΩ程度の表面抵抗を与えることができる。
ダイアモンドチップを充分に保持することができれば、
上記抵抗値は電界放射現象にとって特に障害とはならな
い。
上記抵抗値は電界放射現象にとって特に障害とはならな
い。
以下、本発明の一実施例を第3図により説明する。同図
(イ)に示す支持および加熱用の炭素材料からなる逆V
字型フィラメント9に先端を研磨したダイアモンド針状
陰極8を、同図(ロ)に示すようにガラス状炭素を形成
させるためのフェノール系、フラン系等の熱硬化性樹脂
10で接合し、同図(ハ)に示すように樹脂を硬化させ
た後真空中で加熱して炭化しガラス状炭素11とする。
(イ)に示す支持および加熱用の炭素材料からなる逆V
字型フィラメント9に先端を研磨したダイアモンド針状
陰極8を、同図(ロ)に示すようにガラス状炭素を形成
させるためのフェノール系、フラン系等の熱硬化性樹脂
10で接合し、同図(ハ)に示すように樹脂を硬化させ
た後真空中で加熱して炭化しガラス状炭素11とする。
上記の工程によって炭素フィラメント9とダイアモンド
針状陰極8は、強固に接合される。次に同図(ニ)に示
すようにフィラメントの両端をカッ−ドベースに取り付
けられた金具1−2を用いて機械的に接続し、このベー
ス全体を図示の矢印のように回転し100 k VのA
rイオンビームを照射し、IXl、O’0ケ/Ω1lR
1度打ち込む。その後、真空中にてフィラメント〇に通
電してダイアモンド針状陰極8が500℃近傍となるよ
うに加熱してアニールすることによって、フィラメント
9から8の先端に至るまで導電性を与えることができる
。ここで同図(ホ)は同図(ロ)の」二面図である。
針状陰極8は、強固に接合される。次に同図(ニ)に示
すようにフィラメントの両端をカッ−ドベースに取り付
けられた金具1−2を用いて機械的に接続し、このベー
ス全体を図示の矢印のように回転し100 k VのA
rイオンビームを照射し、IXl、O’0ケ/Ω1lR
1度打ち込む。その後、真空中にてフィラメント〇に通
電してダイアモンド針状陰極8が500℃近傍となるよ
うに加熱してアニールすることによって、フィラメント
9から8の先端に至るまで導電性を与えることができる
。ここで同図(ホ)は同図(ロ)の」二面図である。
本針状陰極の電界放射特性としては、第2図に相当する
811I定を行って、局所電流に現われる電流変動の頻
度をおよそ1/10とすることができた。
811I定を行って、局所電流に現われる電流変動の頻
度をおよそ1/10とすることができた。
すなわち、数It Aの全放射電流で動作させるとき、
局所電流に現れる電流変動は、およそ1.OO0時間に
、1−回だけである。
局所電流に現れる電流変動は、およそ1.OO0時間に
、1−回だけである。
尚、本実施例において打ち込むイオンとしては、Arの
ようなガスイオンばかりでなくTiのような金属イオン
であっても効果は同等である。
ようなガスイオンばかりでなくTiのような金属イオン
であっても効果は同等である。
本発明によれば、電界放射電流の電流変動は、■パルス
状ないし階段状の変動のみで、他の周波数特性を示さな
い、すなわち全く雑音成分を含まない、事と■」ニスし
たパルス状ないし階段状変動の頻度を極めて小さく、(
従来のガラス状炭素の場合の1. / 10 )できる
ので長時間安定に使用できる、効果がある。
状ないし階段状の変動のみで、他の周波数特性を示さな
い、すなわち全く雑音成分を含まない、事と■」ニスし
たパルス状ないし階段状変動の頻度を極めて小さく、(
従来のガラス状炭素の場合の1. / 10 )できる
ので長時間安定に使用できる、効果がある。
尚、本発明は、走査形電子顕微鏡のように、電子ビーム
を微細に収束することが主目的である装置に対して、■
電子ビーム電流値は小さくても高輝度が必要であり、且
つ電流変動が小さい、■加熱して使用しないためエネル
ギー幅が小さい、という特徴を有し、好適なものである
。
を微細に収束することが主目的である装置に対して、■
電子ビーム電流値は小さくても高輝度が必要であり、且
つ電流変動が小さい、■加熱して使用しないためエネル
ギー幅が小さい、という特徴を有し、好適なものである
。
第1図は、電界放射電流の測定条件を示す略図。
第2図は、従来例における電界放射電流の測定例を示す
図、第3図は本発明の一実施例になる電解放射陰極の立
面図および上面図である。 8・・・ダイアモンド針状陰極、9・・・炭素フィラメ
ント、1.0・・・熱硬化性樹脂、11・・・ガラス状
炭素。
図、第3図は本発明の一実施例になる電解放射陰極の立
面図および上面図である。 8・・・ダイアモンド針状陰極、9・・・炭素フィラメ
ント、1.0・・・熱硬化性樹脂、11・・・ガラス状
炭素。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、イオンを打ち込んで表面を導電性にしたダイアモン
ド針状陰極を用いたことを特徴とする電界放射陰極。 2、ダイアモンド針状陰極が、支持フィラメントとガラ
ス状炭素で接合されたことを特徴とする第1項記載の電
界放射陰極。 3、支持フィラメントが炭素材料からなることを特徴と
する第2項記載の電界放射陰極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60280918A JPS62140332A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 電界放射陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60280918A JPS62140332A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 電界放射陰極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62140332A true JPS62140332A (ja) | 1987-06-23 |
Family
ID=17631747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60280918A Pending JPS62140332A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 電界放射陰極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62140332A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2260641A (en) * | 1991-09-30 | 1993-04-21 | Kobe Steel Ltd | Cold cathode emitter element |
CN1042072C (zh) * | 1991-08-20 | 1999-02-10 | 摩托罗拉公司 | 采用金刚石覆层的场致发射电子源及其制造方法 |
CN1042470C (zh) * | 1991-08-20 | 1999-03-10 | 摩托罗拉公司 | 采用金刚石涂层的模制场致发射电子发射极及其制造方法 |
KR100438137B1 (ko) * | 1995-11-15 | 2004-07-16 | 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 | 어니일링된탄소수트전장방출재및그로부터제조된전장방출캐쏘드 |
WO2006135093A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
JP2007149659A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界放出型電子銃、電子顕微鏡、及び電子ビーム露光機 |
WO2008001805A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique |
JP2009129548A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子放出素子,電子銃およびそれを用いた電子ビーム応用装置 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60280918A patent/JPS62140332A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1042072C (zh) * | 1991-08-20 | 1999-02-10 | 摩托罗拉公司 | 采用金刚石覆层的场致发射电子源及其制造方法 |
CN1042470C (zh) * | 1991-08-20 | 1999-03-10 | 摩托罗拉公司 | 采用金刚石涂层的模制场致发射电子发射极及其制造方法 |
GB2260641A (en) * | 1991-09-30 | 1993-04-21 | Kobe Steel Ltd | Cold cathode emitter element |
GB2260641B (en) * | 1991-09-30 | 1996-01-03 | Kobe Steel Ltd | Cold cathode emitter element |
KR100438137B1 (ko) * | 1995-11-15 | 2004-07-16 | 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 | 어니일링된탄소수트전장방출재및그로부터제조된전장방출캐쏘드 |
US7737614B2 (en) | 2005-06-17 | 2010-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron emission cathode, electron emission source, electron microscope, and electron beam exposure device |
WO2006135094A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
WO2006135092A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
WO2006135093A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
US7863805B2 (en) | 2005-06-17 | 2011-01-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron emission cathode, electron emission source, electron microscope, and electron beam exposure device |
JP4868295B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-02-01 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
JP4868293B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-02-01 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
JP4868294B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-02-01 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
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WO2008001805A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique |
JPWO2008001805A1 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-11-26 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド電子放射陰極、電子源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
US7898161B2 (en) | 2006-06-28 | 2011-03-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron radiation cathode, electron source, electron microscope, and electron beam exposer |
JP2009129548A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子放出素子,電子銃およびそれを用いた電子ビーム応用装置 |
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