JP2798462B2 - ダイヤモンド半導体発光素子 - Google Patents
ダイヤモンド半導体発光素子Info
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Classifications
-
- H01L33/34—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ダイヤモンド半導体を用いて短波長（青
色から紫外領域）の光を発光させる新規な素子構造を有
する、ダイヤモンド半導体発光素子に関するものであ
る。
色から紫外領域）の光を発光させる新規な素子構造を有
する、ダイヤモンド半導体発光素子に関するものであ
る。
周知のように、ダイヤモンドは、5.5eVの広いバンド
ギャップをもっており、短波長領域の固体発光材料とし
て期待されている。
ギャップをもっており、短波長領域の固体発光材料とし
て期待されている。
気相合成法などの合成技術によりＢ（ホウ素）をドー
プしたｐ型ダイヤモンド半導体が得られるが、これを利
用して、短波長の光を発光させるダイヤモンド半導体発
光素子の研究開発が進められており、第４図に示すよう
な構造の素子が提案されている（応用物理学会、1989年
春期学会講演予稿集、第２分冊、p.481）。
プしたｐ型ダイヤモンド半導体が得られるが、これを利
用して、短波長の光を発光させるダイヤモンド半導体発
光素子の研究開発が進められており、第４図に示すよう
な構造の素子が提案されている（応用物理学会、1989年
春期学会講演予稿集、第２分冊、p.481）。
同図において、51はダイヤモンド単結晶基板、52はこ
のダイヤモンド単結晶基板51上に気相合成によりＢをド
ープして形成されたｐ型ダイヤモンド半導体層、53はｐ
型ダイヤモンド半導体層52に対しショットキー型接触を
示すＷ（タングステン）からなるショットキー電極、54
はｐ型ダイヤモンド半導体層52に対しオーミック接触を
示すTi（チタン）からなるオーミック電極である。
のダイヤモンド単結晶基板51上に気相合成によりＢをド
ープして形成されたｐ型ダイヤモンド半導体層、53はｐ
型ダイヤモンド半導体層52に対しショットキー型接触を
示すＷ（タングステン）からなるショットキー電極、54
はｐ型ダイヤモンド半導体層52に対しオーミック接触を
示すTi（チタン）からなるオーミック電極である。
上記構成になるダイヤモンド半導体発光素子の発光機
構を第５図に基づいて説明する。第５図は上記第４図に
示すダイヤモンド半導体発光素子においてショットキー
電極53に正の電圧を印加した場合のエネルギーバンド図
であって、同図において、Ｖは印加電圧、EFはフェルミ
準位、ECはｐ型ダイヤモンド半導体層52の伝導帯下端の
エネルギー、EVはその価電子帯上端のエネルギー、白丸
は正孔、黒丸は電子を示す。両電極間にショットキー電
極53が正となるような電圧Ｖを印加すると、正孔がトン
ネル効果によりショットキー電極53からｐ型ダイヤモン
ド半導体層52へ移動し、この移動した正孔が欠陥準位で
電子と再結合して青白色の発光を生じる。
構を第５図に基づいて説明する。第５図は上記第４図に
示すダイヤモンド半導体発光素子においてショットキー
電極53に正の電圧を印加した場合のエネルギーバンド図
であって、同図において、Ｖは印加電圧、EFはフェルミ
準位、ECはｐ型ダイヤモンド半導体層52の伝導帯下端の
エネルギー、EVはその価電子帯上端のエネルギー、白丸
は正孔、黒丸は電子を示す。両電極間にショットキー電
極53が正となるような電圧Ｖを印加すると、正孔がトン
ネル効果によりショットキー電極53からｐ型ダイヤモン
ド半導体層52へ移動し、この移動した正孔が欠陥準位で
電子と再結合して青白色の発光を生じる。
しかしながら上記従来のダイヤモンド半導体発光素子
では、ｐ型ダイヤモンド半導体層に対しショットキー型
接触を示すショットキー電極を設け、いわゆる金属電極
・半導体の整流性接触特性（ショットキー特性）を用い
たものであるから、このショットキー特性はｐ型ダイヤ
モンド半導体層中にドープされたＢ濃度や半導体層の表
面状態に強く依存するため、金属電極・半導体接合にお
いて所定のショットキー特性を示すショットキー電極を
形成するのは容易でない。また、発光波長は発光層であ
るｐ型ダイヤモンド半導体層への不純物のドーピング量
に強く依存するので、所定のショットキー特性を確保し
た上でドーピング量を変化させることがむずかしく、こ
のため、短波長域において異なる発光色が容易に得られ
難いという欠点がある。さらに、ショットキー電極側に
正の電圧を印加する逆方向バイアス状態で発光させる構
成であるため、発光する電圧範囲は絶縁破壊が起こる直
前の狭い範囲に限られており、発光強度を変えるための
電圧制御が容易でないという欠点もある。
では、ｐ型ダイヤモンド半導体層に対しショットキー型
接触を示すショットキー電極を設け、いわゆる金属電極
・半導体の整流性接触特性（ショットキー特性）を用い
たものであるから、このショットキー特性はｐ型ダイヤ
モンド半導体層中にドープされたＢ濃度や半導体層の表
面状態に強く依存するため、金属電極・半導体接合にお
いて所定のショットキー特性を示すショットキー電極を
形成するのは容易でない。また、発光波長は発光層であ
るｐ型ダイヤモンド半導体層への不純物のドーピング量
に強く依存するので、所定のショットキー特性を確保し
た上でドーピング量を変化させることがむずかしく、こ
のため、短波長域において異なる発光色が容易に得られ
難いという欠点がある。さらに、ショットキー電極側に
正の電圧を印加する逆方向バイアス状態で発光させる構
成であるため、発光する電圧範囲は絶縁破壊が起こる直
前の狭い範囲に限られており、発光強度を変えるための
電圧制御が容易でないという欠点もある。
この発明は、上記従来の欠点を解決した新規な素子構
造を有するダイヤモンド半導体発光素子の提供を目的と
する。
造を有するダイヤモンド半導体発光素子の提供を目的と
する。
上記従来の欠点を解決するため、この発明によるダイ
ヤモンド半導体発光素子は、導電性基板上に順次ダイヤ
モンド半導体層とダイヤモンド絶縁体層とを備え、前記
ダイヤモンド絶縁体層上に非ショットキー性接触材料よ
りなる表電極を設け、更に前記導電性基板に対しオーム
性接触を有する裏電極を設けてなることを特徴とする。
また、前記ダイヤモンド半導体層がｐ型のものにおい
て、前記表電極は、多層構造を有し、前記ダイヤモンド
絶縁体層の直上の直上電極層がTiよりなるものである。
また、前記ダイヤモンド半導体層がｐ型のものにおい
て、前記表電極は、Au/Tiの２層構造よりなるものであ
る。
ヤモンド半導体発光素子は、導電性基板上に順次ダイヤ
モンド半導体層とダイヤモンド絶縁体層とを備え、前記
ダイヤモンド絶縁体層上に非ショットキー性接触材料よ
りなる表電極を設け、更に前記導電性基板に対しオーム
性接触を有する裏電極を設けてなることを特徴とする。
また、前記ダイヤモンド半導体層がｐ型のものにおい
て、前記表電極は、多層構造を有し、前記ダイヤモンド
絶縁体層の直上の直上電極層がTiよりなるものである。
また、前記ダイヤモンド半導体層がｐ型のものにおい
て、前記表電極は、Au/Tiの２層構造よりなるものであ
る。
上記のように構成されるこの発明によるダイヤモンド
半導体発光素子の発光機構を以下に説明する。第２図は
ダイヤモンド半導体層がｐ型の場合の発光機構の説明図
である。
半導体発光素子の発光機構を以下に説明する。第２図は
ダイヤモンド半導体層がｐ型の場合の発光機構の説明図
である。
この場合、この発明によるダイヤモンド半導体発光素
子は、その模式構造図の第２図（ａ）に示すように、導
電性基板11上に、順次、ｐ型ダイヤモンド半導体層12a
とダイヤモンド絶縁体層13とを積層し、ダイヤモンド絶
縁体層13上に、ｐ型ダイヤモンド半導体層12aに対し例
えば非ショットキー性接触を示す材料よりなる表電極14
を設け、さらに、導電性基板11上に該基板11に対しオー
ミック接触を示す例えば金属からなる裏電極15を設けて
なるものである。
子は、その模式構造図の第２図（ａ）に示すように、導
電性基板11上に、順次、ｐ型ダイヤモンド半導体層12a
とダイヤモンド絶縁体層13とを積層し、ダイヤモンド絶
縁体層13上に、ｐ型ダイヤモンド半導体層12aに対し例
えば非ショットキー性接触を示す材料よりなる表電極14
を設け、さらに、導電性基板11上に該基板11に対しオー
ミック接触を示す例えば金属からなる裏電極15を設けて
なるものである。
第２図（ｂ）は順方向バイアス状態におけるエネルギ
ーバンド図である。第２図（ｂ）では、ダイヤモンド絶
縁体層13、ｐ型ダイヤモンド半導体層12aそれぞれにお
いて、伝導帯下端のエネルギーをEC1,EC2、価電子帯上
端のエネルギーをEV1,VV2として示す。また、フェルミ
準位をEF、正孔を白丸、電子を黒丸として示す。
ーバンド図である。第２図（ｂ）では、ダイヤモンド絶
縁体層13、ｐ型ダイヤモンド半導体層12aそれぞれにお
いて、伝導帯下端のエネルギーをEC1,EC2、価電子帯上
端のエネルギーをEV1,VV2として示す。また、フェルミ
準位をEF、正孔を白丸、電子を黒丸として示す。
第２図（ｂ）において、両電極間14、15に表電極14が
負となるような電圧Ｖを印加すると、つまり表電極14側
からみてｐ型ダイヤモンド半導体層12aに正の電圧を印
加する順方向バイアス状態にすると、ダイヤモンド絶縁
体層13のエネルギーバンドはｐ型ダイヤモンド半導体層
12aとの界面方向へそのEC1,EV1が下降するように曲が
る。その結果、ｐ型ダイヤモンド半導体層12a表面のエ
ネルギーバンドは図に示すように下向きに曲がり、界面
付近の伝導帯側にエネルギーバンドのくびれが形成され
る。このことにより、電子がトンネル効果により表電極
14からこのくびれへ移動して蓄積され、この電子がｐ型
ダイヤモンド半導体層12a中の格子欠陥による欠陥準位
などで正孔と再結合して発光を生じる。
負となるような電圧Ｖを印加すると、つまり表電極14側
からみてｐ型ダイヤモンド半導体層12aに正の電圧を印
加する順方向バイアス状態にすると、ダイヤモンド絶縁
体層13のエネルギーバンドはｐ型ダイヤモンド半導体層
12aとの界面方向へそのEC1,EV1が下降するように曲が
る。その結果、ｐ型ダイヤモンド半導体層12a表面のエ
ネルギーバンドは図に示すように下向きに曲がり、界面
付近の伝導帯側にエネルギーバンドのくびれが形成され
る。このことにより、電子がトンネル効果により表電極
14からこのくびれへ移動して蓄積され、この電子がｐ型
ダイヤモンド半導体層12a中の格子欠陥による欠陥準位
などで正孔と再結合して発光を生じる。
次に、ダイヤモンド半導体層がｎ型の場合の発光機構
をその説明図の第３図に基づいて以下に説明する。この
場合、この発明によるダイヤモンド半導体発光素子は、
その模式構造図の第３図（ａ）に示すように、導電性基
板11上に、順次、ｎ型のダイヤモンド半導体層12bとダ
イヤモンド絶縁体層13とを積層し、ダイヤモンド絶縁体
層13上に、ｎ型ダイヤモンド半導体層12bに対し例えば
非ショットキー性接触を示す材料よりなる表電極14を設
け、さらに、導電性基板11上にオーミック接触を示す裏
電極15を設けてなる構造をしている。
をその説明図の第３図に基づいて以下に説明する。この
場合、この発明によるダイヤモンド半導体発光素子は、
その模式構造図の第３図（ａ）に示すように、導電性基
板11上に、順次、ｎ型のダイヤモンド半導体層12bとダ
イヤモンド絶縁体層13とを積層し、ダイヤモンド絶縁体
層13上に、ｎ型ダイヤモンド半導体層12bに対し例えば
非ショットキー性接触を示す材料よりなる表電極14を設
け、さらに、導電性基板11上にオーミック接触を示す裏
電極15を設けてなる構造をしている。
第３図（ｂ）は順方向バイアス状態におけるエネルギ
ーバンド図であって、同図では、ダイヤモンド絶縁体層
13、ｎ型ダイヤモンド半導体層12bそれぞれにおいて、
伝導帯下端のエネルギーをEC1,EC2、価電子帯上端のエ
ネルギーをEV1,EV2として示す。また、フェルミ準位をE
F、正孔を白丸、電子を黒丸として示す。
ーバンド図であって、同図では、ダイヤモンド絶縁体層
13、ｎ型ダイヤモンド半導体層12bそれぞれにおいて、
伝導帯下端のエネルギーをEC1,EC2、価電子帯上端のエ
ネルギーをEV1,EV2として示す。また、フェルミ準位をE
F、正孔を白丸、電子を黒丸として示す。
第３図（ｂ）において、両電極間14、15に表電極14が
正となるような電圧Ｖを印加すると、つまり順方向バイ
アス状態にすると、ダイヤモンド絶縁体層13のエネルギ
ーバンドはｎ型ダイヤモンド半導体層12bとの界面方向
へそのEC1,EV1が上昇するように曲がり、その結果、ｎ
型ダイヤモンド半導体層12b表面のエネルギーバンドは
図に示すように上向きに曲がり、界面付近の価電子帯側
にエネルギーバンドのくびれが形成される。このことに
より、正孔がトンネル効果により表電極14からこのくび
れへ移動して蓄積され、この正孔がｎ型ダイヤモンド半
導体層12b中の格子欠陥による欠陥準位などで電子と再
結合して発光を生じる。
正となるような電圧Ｖを印加すると、つまり順方向バイ
アス状態にすると、ダイヤモンド絶縁体層13のエネルギ
ーバンドはｎ型ダイヤモンド半導体層12bとの界面方向
へそのEC1,EV1が上昇するように曲がり、その結果、ｎ
型ダイヤモンド半導体層12b表面のエネルギーバンドは
図に示すように上向きに曲がり、界面付近の価電子帯側
にエネルギーバンドのくびれが形成される。このことに
より、正孔がトンネル効果により表電極14からこのくび
れへ移動して蓄積され、この正孔がｎ型ダイヤモンド半
導体層12b中の格子欠陥による欠陥準位などで電子と再
結合して発光を生じる。
以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるダイヤモンド半導
体発光素子の構造を模式的に示す断面図である。同図に
示すように、低抵抗のSi基板（シリコンウエハ）１上
に、選択成長技術を用いて、所定の大きさの厚み10μｍ
のｐ型ダイヤモンド半導体層2aを気相合成した。ｐ型ダ
イヤモンド半導体層2aの気相合成は、マイクロ波プラズ
マCVD法でメタン0.3vol％、ジボラン（B2H6）0.00005Vo
l％、残り水素（vol％）とする反応ガスを使用して行っ
た。
体発光素子の構造を模式的に示す断面図である。同図に
示すように、低抵抗のSi基板（シリコンウエハ）１上
に、選択成長技術を用いて、所定の大きさの厚み10μｍ
のｐ型ダイヤモンド半導体層2aを気相合成した。ｐ型ダ
イヤモンド半導体層2aの気相合成は、マイクロ波プラズ
マCVD法でメタン0.3vol％、ジボラン（B2H6）0.00005Vo
l％、残り水素（vol％）とする反応ガスを使用して行っ
た。
次いで、このＢをドープしたｐ型ダイヤモンド半導体
層2a上に、メタン0.3vol％、水素99.7vol％とする反応
ガスを用いて厚み0.5μｍのノンドープのダイヤモンド
絶縁体層３をマイクロ波プラズマCVD法により形成し
た。
層2a上に、メタン0.3vol％、水素99.7vol％とする反応
ガスを用いて厚み0.5μｍのノンドープのダイヤモンド
絶縁体層３をマイクロ波プラズマCVD法により形成し
た。
さらに、ダイヤモンド絶縁体層３上には、微細加工技
術を用いて、ダイヤモンド絶縁体層３に対する密着性に
優れるとともに、ｐ型ダイヤモンド半導体層2aに対し非
ショットキー性接触を示す材料であるTiを蒸着して直上
電極層を形成し、次いで該Tiの酸化を防止するためのAu
を蒸着して該Ti直上電極層上に積層してなるAu/Tiの２
層構造よりなる表電極４を形成した。また、図に示すよ
うに、Si基板１のｐ型ダイヤモンド半導体層2a側の面上
には、このSi基板１に対しオーミック接触を示すAuを蒸
着してなる裏電極５を形成した。
術を用いて、ダイヤモンド絶縁体層３に対する密着性に
優れるとともに、ｐ型ダイヤモンド半導体層2aに対し非
ショットキー性接触を示す材料であるTiを蒸着して直上
電極層を形成し、次いで該Tiの酸化を防止するためのAu
を蒸着して該Ti直上電極層上に積層してなるAu/Tiの２
層構造よりなる表電極４を形成した。また、図に示すよ
うに、Si基板１のｐ型ダイヤモンド半導体層2a側の面上
には、このSi基板１に対しオーミック接触を示すAuを蒸
着してなる裏電極５を形成した。
このようにして作製したダイヤモンド半導体発光素子
の両電極間4,5に表電極４側が負となるように350V程度
の電圧を印加すると、緑白色の発光が得られた。また、
印加電圧を上げることにより絶縁破壊を生じることなく
発光強度を容易に高め調整することができた。なお、ダ
イヤモンド絶縁体層３の厚みを変えることによっても印
加電圧と発光強度との関係を変化させることができる。
の両電極間4,5に表電極４側が負となるように350V程度
の電圧を印加すると、緑白色の発光が得られた。また、
印加電圧を上げることにより絶縁破壊を生じることなく
発光強度を容易に高め調整することができた。なお、ダ
イヤモンド絶縁体層３の厚みを変えることによっても印
加電圧と発光強度との関係を変化させることができる。
また、上記実施例では第１図に示すように低抵抗Si基
板１に対して同じ側になるように両電極4,5を配したい
わゆる横形の構造としたが、該基板１のｐ型ダイヤモン
ド半導体層2aとは反対側の面に裏電極５を形成したいわ
ゆる縦形の構造としてもよい。
板１に対して同じ側になるように両電極4,5を配したい
わゆる横形の構造としたが、該基板１のｐ型ダイヤモン
ド半導体層2aとは反対側の面に裏電極５を形成したいわ
ゆる縦形の構造としてもよい。
以上説明したように、この発明によるダイヤモンド半
導体発光素子は、表電極とダイヤモンド半導体層との間
にダイヤモンド絶縁体層を挟み、前記ダイヤモンド絶縁
体層が前記ダイヤモンド半導体層との界面付近にエネル
ギーバンドの「くびれ」を形成して前記表電極から注入
される少数キャリアを該絶縁体層の前記「くびれ」に蓄
積することで、発光を得る素子構造としたものであるか
ら、表電極はダイヤモンド半導体層に対しショットキー
接触を示すものである必要がなく、よって従来のものと
は違って、ダイヤモンド半導体層への不純物のドーピン
グ量を表電極・ダイヤモンド半導体層の接合特性に制約
されることなく設定でき、これにより、短波長領域にお
いて異なる発光色が容易に得られる。また、発光を得る
にあたり、ダイヤモンド半導体層に対し順方向バイアス
状態で電圧を印加すればよいので、発光強度の調整はこ
の順方向に印加する電圧を調整することにより行うこと
ができて、絶縁破壊を起こす心配がなく、さらに、ダイ
ヤモンド絶縁体層の厚みを変えることによって印加電圧
と発光強度との関係を変化させることができ、短波長領
域の発光素子として実用的に極めて有用である。
導体発光素子は、表電極とダイヤモンド半導体層との間
にダイヤモンド絶縁体層を挟み、前記ダイヤモンド絶縁
体層が前記ダイヤモンド半導体層との界面付近にエネル
ギーバンドの「くびれ」を形成して前記表電極から注入
される少数キャリアを該絶縁体層の前記「くびれ」に蓄
積することで、発光を得る素子構造としたものであるか
ら、表電極はダイヤモンド半導体層に対しショットキー
接触を示すものである必要がなく、よって従来のものと
は違って、ダイヤモンド半導体層への不純物のドーピン
グ量を表電極・ダイヤモンド半導体層の接合特性に制約
されることなく設定でき、これにより、短波長領域にお
いて異なる発光色が容易に得られる。また、発光を得る
にあたり、ダイヤモンド半導体層に対し順方向バイアス
状態で電圧を印加すればよいので、発光強度の調整はこ
の順方向に印加する電圧を調整することにより行うこと
ができて、絶縁破壊を起こす心配がなく、さらに、ダイ
ヤモンド絶縁体層の厚みを変えることによって印加電圧
と発光強度との関係を変化させることができ、短波長領
域の発光素子として実用的に極めて有用である。
第１図はこの発明の一実施例によるダイヤモンド半導体
発光素子の構造を模式的に示す断面図、第２図はこの発
明によるダイヤモンド半導体発光素子のダイヤモンド半
導体層がｐ型の場合の発光機構の説明図、第３図はこの
発明によるダイヤモンド半導体発光素子のダイヤモンド
半導体層がｎ型の場合の発光機構の説明図、第４図は従
来のダイヤモンド半導体発光素子の構成を説明するため
の図、第５図は第４図に示す従来のダイヤモンド半導体
発光素子の発光機構を説明するためのエネルギーバンド
図である。 1,11……低抵抗のSi基板（導電性基板）、2a,12a……ｐ
型ダイヤモンド半導体層、3,13……ダイヤモンド絶縁体
層、4,14……表電極、5,15……裏電極、12b……ｎ型ダ
イヤモンド半導体層。
発光素子の構造を模式的に示す断面図、第２図はこの発
明によるダイヤモンド半導体発光素子のダイヤモンド半
導体層がｐ型の場合の発光機構の説明図、第３図はこの
発明によるダイヤモンド半導体発光素子のダイヤモンド
半導体層がｎ型の場合の発光機構の説明図、第４図は従
来のダイヤモンド半導体発光素子の構成を説明するため
の図、第５図は第４図に示す従来のダイヤモンド半導体
発光素子の発光機構を説明するためのエネルギーバンド
図である。 1,11……低抵抗のSi基板（導電性基板）、2a,12a……ｐ
型ダイヤモンド半導体層、3,13……ダイヤモンド絶縁体
層、4,14……表電極、5,15……裏電極、12b……ｎ型ダ
イヤモンド半導体層。
フロントページの続き (72)発明者 松居 祐一 兵庫県神戸市灘区篠原伯母野山町２―３ ―１ (56)参考文献 特開 平３−145773（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−17631（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−17632（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (3)
- 【請求項１】導電性基板上に順次ダイヤモンド半導体層
とダイヤモンド絶縁体層とを備え、前記ダイヤモンド絶
縁体層上に非ショットキー性接触材料よりなる表電極を
設け、更に前記導電性基板に対しオーム性接触を有する
裏電極を設けてなることを特徴とするダイヤモンド半導
体発光素子。 - 【請求項２】前記ダイヤモンド半導体層がｐ型のものに
おいて、前記表電極が多層構造を有し、前記ダイヤモン
ド絶縁体層の直上の直上電極層がTiよりなるものである
ことを特徴とする請求項（１）記載のダイヤモンド半導
体発光素子。 - 【請求項３】前記表電極がAu/Tiの２層構造よりなるも
のであることを特徴とする請求項（２）記載のダイヤモ
ンド半導体発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1759190A JP2798462B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | ダイヤモンド半導体発光素子 |
| GB9101633A GB2240428B (en) | 1990-01-26 | 1991-01-25 | Semiconducting diamond light-emitting element |
| US08/000,544 US5373172A (en) | 1990-01-26 | 1993-01-04 | Semiconducting diamond light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1759190A JP2798462B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | ダイヤモンド半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222376A JPH03222376A (ja) | 1991-10-01 |
| JP2798462B2 true JP2798462B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=11948142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1759190A Expired - Fee Related JP2798462B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | ダイヤモンド半導体発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5373172A (ja) |
| JP (1) | JP2798462B2 (ja) |
| GB (1) | GB2240428B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP0543392A3 (en) * | 1991-11-21 | 1993-10-20 | Canon Kk | Diamond semiconductor device and method of producing the same |
| JP2004114162A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Japan Fine Ceramics Center | 微細加工ダイヤモンド素子及び微細加工ダイヤモンド素子作製方法 |
| JP3986432B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2007-10-03 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド電子素子 |
| DE102021123907A1 (de) | 2021-09-15 | 2023-03-16 | Universität Siegen, Körperschaft des öffentlichen Rechts | LED und Herstellungsverfahren dafür |
Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0217631A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Osaka Diamond Ind Co Ltd | 発光素子用ダイヤモンド結晶チップ |
| JPH0217632A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Osaka Diamond Ind Co Ltd | 発光素子用ダイヤモンド結晶チップの製造方法 |
| DE3840717A1 (de) * | 1988-12-02 | 1990-06-07 | Max Planck Gesellschaft | Lichtemittierendes bauelement aus verbindungs-halbleiter |
| US5006914A (en) * | 1988-12-02 | 1991-04-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor devices comprising same |
| JPH03145773A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子 |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1759190A patent/JP2798462B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-25 GB GB9101633A patent/GB2240428B/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-01-04 US US08/000,544 patent/US5373172A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5373172A (en) | 1994-12-13 |
| GB2240428B (en) | 1993-06-09 |
| GB9101633D0 (en) | 1991-03-06 |
| GB2240428A (en) | 1991-07-31 |
| JPH03222376A (ja) | 1991-10-01 |
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