JPH04293272A - ダイヤモンドｐｉｎ型ダイオード - Google Patents
ダイヤモンドｐｉｎ型ダイオードInfo
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- JPH04293272A JPH04293272A JP5891391A JP5891391A JPH04293272A JP H04293272 A JPH04293272 A JP H04293272A JP 5891391 A JP5891391 A JP 5891391A JP 5891391 A JP5891391 A JP 5891391A JP H04293272 A JPH04293272 A JP H04293272A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、気相合成によるダイ
ヤモンド薄膜により構成され、優れた整流特性を有する
ダイヤモンドＰＩＮ型ダイオードに関するものである。
ヤモンド薄膜により構成され、優れた整流特性を有する
ダイヤモンドＰＩＮ型ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、高熱伝導率と優れた耐
熱性を有し、また、バンドギャップが大きく、電気的な
絶縁体でありながらドーピングすることにより半導体と
しての性質を示すものであることから、高温・大電力用
の半導体デバイスへの応用が期待されている。特に近年
の気相合成技術の進歩により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によって薄
膜ダイヤモンドが比較的容易に合成できるようになり、
Ｂ（ホウ素）をドープしたｐ型ダイヤモンド半導体、Ｓ
ｉ、Ｐ（リン）などをドープしたｎ型ダイヤモンド半導
体が得られている。
熱性を有し、また、バンドギャップが大きく、電気的な
絶縁体でありながらドーピングすることにより半導体と
しての性質を示すものであることから、高温・大電力用
の半導体デバイスへの応用が期待されている。特に近年
の気相合成技術の進歩により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によって薄
膜ダイヤモンドが比較的容易に合成できるようになり、
Ｂ（ホウ素）をドープしたｐ型ダイヤモンド半導体、Ｓ
ｉ、Ｐ（リン）などをドープしたｎ型ダイヤモンド半導
体が得られている。
【０００３】このようなダイヤモンド半導体を用いた半
導体デバイスの開発が進められており、整流素子として
のダイヤモンドｐｎ接合ダイオードもそのひとつである
。従来、ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードの一例として
は、リンをドープしたダイヤモンド薄膜よりなるｎ型ダ
イヤモンド半導体層と、Ｂをドープしたダイヤモンド薄
膜よりなるｐ型ダイヤモンド半導体層とを積層してｐｎ
接合を形成し、整流性が得られるようにしたものが文献
に開示されている（岩崎ほか，日本応用物理学会，１９
９０年春期講演会予稿集，３０ａ−ＺＢ−１０，ｐ．３
８８ ）。
導体デバイスの開発が進められており、整流素子として
のダイヤモンドｐｎ接合ダイオードもそのひとつである
。従来、ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードの一例として
は、リンをドープしたダイヤモンド薄膜よりなるｎ型ダ
イヤモンド半導体層と、Ｂをドープしたダイヤモンド薄
膜よりなるｐ型ダイヤモンド半導体層とを積層してｐｎ
接合を形成し、整流性が得られるようにしたものが文献
に開示されている（岩崎ほか，日本応用物理学会，１９
９０年春期講演会予稿集，３０ａ−ＺＢ−１０，ｐ．３
８８ ）。
【０００４】図４は従来のダイヤモンドｐｎ接合ダイオ
ードのエネルギーバンド図であって、同図の（ａ）は、
零バイアス状態（バイアス電圧Ｖ＝０）を示す図、その
（ｂ）は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に正電圧を
かけた順バイアス状態（Ｖ＞０）を示す図、その（ｃ）
は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に負電圧（ｎ型ダ
イヤモンド半導体層Ｎの側が正電位）をかけた逆バイア
ス状態（Ｖ＜０）を示す図である。ＥＣ は伝導帯下端
のエネルギーを、ＥＶは価電子帯上端のエネルギーを、
ＥＦ はフェルミ準位を、それぞれ示している。
ードのエネルギーバンド図であって、同図の（ａ）は、
零バイアス状態（バイアス電圧Ｖ＝０）を示す図、その
（ｂ）は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に正電圧を
かけた順バイアス状態（Ｖ＞０）を示す図、その（ｃ）
は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に負電圧（ｎ型ダ
イヤモンド半導体層Ｎの側が正電位）をかけた逆バイア
ス状態（Ｖ＜０）を示す図である。ＥＣ は伝導帯下端
のエネルギーを、ＥＶは価電子帯上端のエネルギーを、
ＥＦ はフェルミ準位を、それぞれ示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、現状では、
ｐ型のダイヤモンド半導体は約１０Ω・ｃｍ程度の低抵
抗のものが気相合成できるのに対して、ｎ型のダイヤモ
ンド半導体は、含まれる活性な不純物の量が少なく抵抗
率が１０４ 〜 １０６Ω・ｃｍと高抵抗のものしか得
られていない。 そのために、従来のダイヤモンドｐｎ接合ダイオードで
は、ｐｎ接合部におけるｎ型ダイヤモンド半導体側の空
乏層が厚く、電子がｐｎ接合部に集まることにより生じ
るエネルギーバンドの曲がりが弱く、図４に示すように
、ｐｎ接合部において急峻な電位勾配が得られない。
ｐ型のダイヤモンド半導体は約１０Ω・ｃｍ程度の低抵
抗のものが気相合成できるのに対して、ｎ型のダイヤモ
ンド半導体は、含まれる活性な不純物の量が少なく抵抗
率が１０４ 〜 １０６Ω・ｃｍと高抵抗のものしか得
られていない。 そのために、従来のダイヤモンドｐｎ接合ダイオードで
は、ｐｎ接合部におけるｎ型ダイヤモンド半導体側の空
乏層が厚く、電子がｐｎ接合部に集まることにより生じ
るエネルギーバンドの曲がりが弱く、図４に示すように
、ｐｎ接合部において急峻な電位勾配が得られない。
【０００６】その結果、順バイアス状態において、ｐ型
ダイヤモンド半導体層から正孔（ホール）がｎ型ダイヤ
モンド半導体層へ、またｎ型ダイヤモンド半導体層から
電子がｐ型ダイヤモンド半導体層に流れ込む場合、ｐｎ
接合部におけるこれらのキャリアの移動速度が遅くその
移動距離が長いため、途中でキャリアが格子欠陥やドー
パントなどに捕捉され再結合により消滅する確率が高く
なり、十分な電流が得られにくいことになる。また、一
般にｐｎ接合界面に原子レベルでの欠陥やアモルファス
層が形成されることから、逆バイアスでの障壁が小さく
なり、逆方向電流がある程度流れることになる。このた
め、気相合成によるダイヤモンド半導体を用いたダイオ
ードにおいてはその整流特性の改善が望まれている。
ダイヤモンド半導体層から正孔（ホール）がｎ型ダイヤ
モンド半導体層へ、またｎ型ダイヤモンド半導体層から
電子がｐ型ダイヤモンド半導体層に流れ込む場合、ｐｎ
接合部におけるこれらのキャリアの移動速度が遅くその
移動距離が長いため、途中でキャリアが格子欠陥やドー
パントなどに捕捉され再結合により消滅する確率が高く
なり、十分な電流が得られにくいことになる。また、一
般にｐｎ接合界面に原子レベルでの欠陥やアモルファス
層が形成されることから、逆バイアスでの障壁が小さく
なり、逆方向電流がある程度流れることになる。このた
め、気相合成によるダイヤモンド半導体を用いたダイオ
ードにおいてはその整流特性の改善が望まれている。
【０００７】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、優れた整流特性を有する、ダイヤモ
ンドＰＩＮ型ダイオードの提供を目的とする。
れたものであって、優れた整流特性を有する、ダイヤモ
ンドＰＩＮ型ダイオードの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明によるダイヤモンドＰＩＮ型ダイオード
は、ｐ型ダイヤモンド半導体層とｎ型ダイヤモンド半導
体層との間に厚み０．０１〜１μｍのダイヤモンド絶縁
層を挟んだ接合構造を有することを特徴とするものであ
る。
めに、この発明によるダイヤモンドＰＩＮ型ダイオード
は、ｐ型ダイヤモンド半導体層とｎ型ダイヤモンド半導
体層との間に厚み０．０１〜１μｍのダイヤモンド絶縁
層を挟んだ接合構造を有することを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【作用】図３は、この発明によるダイヤモンドＰＩＮ型
ダイオードのエネルギーバンド図である。同図の（ａ）
は、零バイアス状態（バイアス電圧Ｖ＝０）を示す図、
その（ｂ）は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に正電
圧をかけた順バイアス状態（Ｖ＞０）を示す図、その（
ｃ）は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に負電圧（ｎ
型ダイヤモンド半導体層Ｎの側が正電位）をかけた逆バ
イアス状態（Ｖ＜０）を示す図である。ＥＣ は伝導帯
下端のエネルギーを、ＥＶ は価電子帯上端のエネルギ
ーを、ＥＦ はフェルミ準位を、それぞれ示している。
ダイオードのエネルギーバンド図である。同図の（ａ）
は、零バイアス状態（バイアス電圧Ｖ＝０）を示す図、
その（ｂ）は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に正電
圧をかけた順バイアス状態（Ｖ＞０）を示す図、その（
ｃ）は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐの側に負電圧（ｎ
型ダイヤモンド半導体層Ｎの側が正電位）をかけた逆バ
イアス状態（Ｖ＜０）を示す図である。ＥＣ は伝導帯
下端のエネルギーを、ＥＶ は価電子帯上端のエネルギ
ーを、ＥＦ はフェルミ準位を、それぞれ示している。
【００１０】ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐとｎ型ダイヤ
モンド半導体層Ｎとの間にあるダイヤモンド絶縁層Ｉが
絶縁体であるため、外部電源による電界のほとんどがダ
イヤモンド絶縁層Ｉにかかる。これにより、逆バイアス
状態では、ダイヤモンド絶縁層Ｉをはさんでｐ型ダイヤ
モンド半導体層Ｐ側に正電荷が、ｎ型ダイヤモンド半導
体層Ｎ側に負電荷が蓄積するために、図３の（ｃ）に示
すように、エネルギーバンドにくびれ（ノッチ）が生じ
る。このため、ｎ型ダイヤモンド半導体層Ｎ中の正孔が
ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐへ移動することが妨げられ
ることになる。なお、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐ内で
の自由に移動可能な電子は少ないので、これについては
無視できるものである。その結果、ダイヤモンドｐｎ接
合ダイオードに比べて逆方向電流をより小さくすること
ができる。
モンド半導体層Ｎとの間にあるダイヤモンド絶縁層Ｉが
絶縁体であるため、外部電源による電界のほとんどがダ
イヤモンド絶縁層Ｉにかかる。これにより、逆バイアス
状態では、ダイヤモンド絶縁層Ｉをはさんでｐ型ダイヤ
モンド半導体層Ｐ側に正電荷が、ｎ型ダイヤモンド半導
体層Ｎ側に負電荷が蓄積するために、図３の（ｃ）に示
すように、エネルギーバンドにくびれ（ノッチ）が生じ
る。このため、ｎ型ダイヤモンド半導体層Ｎ中の正孔が
ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐへ移動することが妨げられ
ることになる。なお、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐ内で
の自由に移動可能な電子は少ないので、これについては
無視できるものである。その結果、ダイヤモンドｐｎ接
合ダイオードに比べて逆方向電流をより小さくすること
ができる。
【００１１】順バイアス状態では、ダイヤモンド絶縁層
Ｉにかかる電界が電子と正孔の移動を促進するように作
用する。その結果、ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードに
比べてより大きい順方向電流が得られる。
Ｉにかかる電界が電子と正孔の移動を促進するように作
用する。その結果、ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードに
比べてより大きい順方向電流が得られる。
【００１２】なお、ダイヤモンド絶縁層の厚みは、０．
０１〜１μｍの範囲が適当である。ダイヤモンド絶縁層
の厚みがこの範囲より薄い場合には、逆方向電流を小さ
くするという効果が十分得られない。また厚みが１μｍ
より厚くなると、素子自体の抵抗が大きくなり過ぎて、
整流特性が劣るものとなるからである。
０１〜１μｍの範囲が適当である。ダイヤモンド絶縁層
の厚みがこの範囲より薄い場合には、逆方向電流を小さ
くするという効果が十分得られない。また厚みが１μｍ
より厚くなると、素子自体の抵抗が大きくなり過ぎて、
整流特性が劣るものとなるからである。
【００１３】
【実施例】以下、実施例に基づいてこの発明を説明する
。図１はこの発明の一実施例によるダイヤモンドＰＩＮ
型ダイオードの断面構造概念図である。
。図１はこの発明の一実施例によるダイヤモンドＰＩＮ
型ダイオードの断面構造概念図である。
【００１４】以下の手順により、図１に示すダイヤモン
ドＰＩＮ型ダイオード（以下、単にダイヤＰＩＮ型ダイ
オードという。）を製作した。基板には低抵抗のｎ型Ｓ
ｉ基板１（抵抗率＜０．０１Ω・ｃｍ，寸法２０×１０
ｍｍ）を用い、その表面を平均粒径０．２５μｍのダイ
ヤモンドペーストで約１時間程度バフ研磨した。このｎ
型Ｓｉ基板１上に、Ｓｉをドープした厚み５μｍの多結
晶のｎ型ダイヤモンド半導体層２、ノンドープ（アンド
ープ）の厚み ０．５μｍの多結晶のダイヤモンド絶縁
層３、Ｂをドープした厚み２μｍの多結晶のｐ型ダイヤ
モンド半導体層４をマイクロ波ＣＶＤ法を用いて順次形
成した。
ドＰＩＮ型ダイオード（以下、単にダイヤＰＩＮ型ダイ
オードという。）を製作した。基板には低抵抗のｎ型Ｓ
ｉ基板１（抵抗率＜０．０１Ω・ｃｍ，寸法２０×１０
ｍｍ）を用い、その表面を平均粒径０．２５μｍのダイ
ヤモンドペーストで約１時間程度バフ研磨した。このｎ
型Ｓｉ基板１上に、Ｓｉをドープした厚み５μｍの多結
晶のｎ型ダイヤモンド半導体層２、ノンドープ（アンド
ープ）の厚み ０．５μｍの多結晶のダイヤモンド絶縁
層３、Ｂをドープした厚み２μｍの多結晶のｐ型ダイヤ
モンド半導体層４をマイクロ波ＣＶＤ法を用いて順次形
成した。
【００１５】ｎ型のダイヤモンド薄膜よりなるｎ型ダイ
ヤモンド半導体層２の合成には、反応ガスは、ＣＨ４
とＨ２とを混合した原料ガス（ＣＨ４ 濃度： ０．５
％）に、Ｈ２で希釈したＳｉＨ４（シラン）を総ガス流
量 １００ｓｃｃｍに対してその濃度が０．５ｐｐｍと
なるように添加したものを用いた。ノンドープのダイヤ
モンド薄膜よりなるダイヤモンド絶縁層３の合成には、
反応ガスは、ＣＨ４ とＨ２とを混合した原料ガス（Ｃ
Ｈ４ 濃度： ０．５％）に、酸素を総ガス流量 １０
０ｓｃｃｍに対してその濃度が ０．１％となるように
添加したものを用いた。また、ｐ型のダイヤモンド薄膜
よりなるｐ型ダイヤモンド半導体層４の合成には、反応
ガスは、ＣＨ４ とＨ２とを混合した原料ガス（ＣＨ４
濃度： ０．５％）に、Ｈ２で希釈したＢ２Ｈ６（ジ
ボラン）を総ガス流量 １００ｓｃｃｍに対してその濃
度が０．１ｐｐｍとなるように添加したものを用いた。
ヤモンド半導体層２の合成には、反応ガスは、ＣＨ４
とＨ２とを混合した原料ガス（ＣＨ４ 濃度： ０．５
％）に、Ｈ２で希釈したＳｉＨ４（シラン）を総ガス流
量 １００ｓｃｃｍに対してその濃度が０．５ｐｐｍと
なるように添加したものを用いた。ノンドープのダイヤ
モンド薄膜よりなるダイヤモンド絶縁層３の合成には、
反応ガスは、ＣＨ４ とＨ２とを混合した原料ガス（Ｃ
Ｈ４ 濃度： ０．５％）に、酸素を総ガス流量 １０
０ｓｃｃｍに対してその濃度が ０．１％となるように
添加したものを用いた。また、ｐ型のダイヤモンド薄膜
よりなるｐ型ダイヤモンド半導体層４の合成には、反応
ガスは、ＣＨ４ とＨ２とを混合した原料ガス（ＣＨ４
濃度： ０．５％）に、Ｈ２で希釈したＢ２Ｈ６（ジ
ボラン）を総ガス流量 １００ｓｃｃｍに対してその濃
度が０．１ｐｐｍとなるように添加したものを用いた。
【００１６】次いで、ｐ型ダイヤモンド半導体層４の表
面に、リソグラフィー技術を用いて、Ｔｉ薄膜とＡｕ薄
膜の２層構造よりなる直径約 １００μｍのＴｉ／Ａｕ
金属電極５を形成した。また、ｎ型Ｓｉ基板１の裏面側
を銅板にＡｇペーストで接着してオーミック電極６を設
けた。
面に、リソグラフィー技術を用いて、Ｔｉ薄膜とＡｕ薄
膜の２層構造よりなる直径約 １００μｍのＴｉ／Ａｕ
金属電極５を形成した。また、ｎ型Ｓｉ基板１の裏面側
を銅板にＡｇペーストで接着してオーミック電極６を設
けた。
【００１７】なお、３種類の比較例を製作した。比較例
１として、ｎ型Ｓｉ基板１上にｎ型ダイヤモンド半導体
層２、ｐ型ダイヤモンド半導体層４をマイクロ波ＣＶＤ
法を用いて順次形成し、上記実施例と同様にして、Ｔｉ
／Ａｕ金属電極５及びオーミック電極６を設けたダイヤ
モンドｐｎ接合ダイオードを製作した。比較例２として
、上記実施例における厚み ０．５μｍのダイヤモンド
絶縁層３に代えて、０．０１μｍよりも薄い厚みのダイ
ヤモンド絶縁層３Ａを形成したダイヤモンドＰＩＮ型ダ
イオードを製作した。また、比較例３として、上記実施
例における厚み ０．５μｍのダイヤモンド絶縁層３に
代えて、 １．５μｍの厚みのダイヤモンド絶縁層３Ｂ
を形成したダイヤモンドＰＩＮ型ダイオードを製作した
。
１として、ｎ型Ｓｉ基板１上にｎ型ダイヤモンド半導体
層２、ｐ型ダイヤモンド半導体層４をマイクロ波ＣＶＤ
法を用いて順次形成し、上記実施例と同様にして、Ｔｉ
／Ａｕ金属電極５及びオーミック電極６を設けたダイヤ
モンドｐｎ接合ダイオードを製作した。比較例２として
、上記実施例における厚み ０．５μｍのダイヤモンド
絶縁層３に代えて、０．０１μｍよりも薄い厚みのダイ
ヤモンド絶縁層３Ａを形成したダイヤモンドＰＩＮ型ダ
イオードを製作した。また、比較例３として、上記実施
例における厚み ０．５μｍのダイヤモンド絶縁層３に
代えて、 １．５μｍの厚みのダイヤモンド絶縁層３Ｂ
を形成したダイヤモンドＰＩＮ型ダイオードを製作した
。
【００１８】これらのものについて、その電流−電圧特
性（Ｉ−Ｖ特性）をプローバを用いて測定した。測定結
果を図２に示す。図２から理解できるように、比較例２
のダイヤモンド絶縁層の厚みが０．０１μｍよりも薄い
ものでは、降伏電圧が小さくこれに至る逆方向電流も大
きいものとなっており、比較例２のダイヤモンド絶縁層
の厚みが １．５μｍのものでは、素子自体の抵抗が大
きくなり過ぎて、整流特性が劣るものとなっている。こ
れに対して、この実施例によれば、比較例１のダイヤモ
ンドｐｎ接合ダイオードに比べて、降伏電圧が大きくこ
れに至る逆方向電流が小さく、またより大きい順方向電
流が得られ、整流特性が大幅に向上したものが得られた
。
性（Ｉ−Ｖ特性）をプローバを用いて測定した。測定結
果を図２に示す。図２から理解できるように、比較例２
のダイヤモンド絶縁層の厚みが０．０１μｍよりも薄い
ものでは、降伏電圧が小さくこれに至る逆方向電流も大
きいものとなっており、比較例２のダイヤモンド絶縁層
の厚みが １．５μｍのものでは、素子自体の抵抗が大
きくなり過ぎて、整流特性が劣るものとなっている。こ
れに対して、この実施例によれば、比較例１のダイヤモ
ンドｐｎ接合ダイオードに比べて、降伏電圧が大きくこ
れに至る逆方向電流が小さく、またより大きい順方向電
流が得られ、整流特性が大幅に向上したものが得られた
。
【００１９】なお、ｐ型ダイヤモンド半導体層とｎ型ダ
イヤモンド半導体層との間にダイヤモンド絶縁層を挟ん
だ接合構造は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐとｎ型ダイ
ヤモンド半導体層Ｎとを多層構造にした、例えばトラン
ジスタのような、ＰＮＰ，ＮＰＮ構造の半導体素子や、
双安定型のダイオードのような、ＰＮＰＮ，ＮＰＮＰ構
造の半導体素子にも適用できるものである。
イヤモンド半導体層との間にダイヤモンド絶縁層を挟ん
だ接合構造は、ｐ型ダイヤモンド半導体層Ｐとｎ型ダイ
ヤモンド半導体層Ｎとを多層構造にした、例えばトラン
ジスタのような、ＰＮＰ，ＮＰＮ構造の半導体素子や、
双安定型のダイオードのような、ＰＮＰＮ，ＮＰＮＰ構
造の半導体素子にも適用できるものである。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によるダイ
ヤモンドＰＩＮ型ダイオードは、ｐ型ダイヤモンド半導
体層とｎ型ダイヤモンド半導体層との間に所定の厚みの
ダイヤモンド絶縁層を挟んだ接合構造を備えた構成とし
たものであるから、順バイアス状態ではダイヤモンド絶
縁層にかかる電界が電子と正孔の移動を促進するように
作用すること、逆バイアス状態ではエネルギーバンドに
くびれが生じｎ型ダイヤモンド半導体層内の正孔のｐ型
ダイヤモンド半導体層への移動が妨げられるようになる
ことにより、ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードに比べ整
流特性が大幅に向上する。すなわち、この発明によれば
、優れた整流特性を有するダイヤモンドＰＩＮ型ダイオ
ードを提供することができる。
ヤモンドＰＩＮ型ダイオードは、ｐ型ダイヤモンド半導
体層とｎ型ダイヤモンド半導体層との間に所定の厚みの
ダイヤモンド絶縁層を挟んだ接合構造を備えた構成とし
たものであるから、順バイアス状態ではダイヤモンド絶
縁層にかかる電界が電子と正孔の移動を促進するように
作用すること、逆バイアス状態ではエネルギーバンドに
くびれが生じｎ型ダイヤモンド半導体層内の正孔のｐ型
ダイヤモンド半導体層への移動が妨げられるようになる
ことにより、ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードに比べ整
流特性が大幅に向上する。すなわち、この発明によれば
、優れた整流特性を有するダイヤモンドＰＩＮ型ダイオ
ードを提供することができる。
【図１】この発明の一実施例によるダイヤモンドＰＩＮ
型ダイオードの断面構造概念図である。
型ダイオードの断面構造概念図である。
【図２】この発明によるダイヤモンドＰＩＮ型ダイオー
ドの電流−電圧特性の一例を示す図である。
ドの電流−電圧特性の一例を示す図である。
【図３】この発明によるダイヤモンドＰＩＮ型ダイオー
ドのエネルギーバンド図である。
ドのエネルギーバンド図である。
【図４】従来のダイヤモンドｐｎ接合ダイオードのエネ
ルギーバンド図である。
ルギーバンド図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ｐ型ダイヤモンド半導体層とｎ型ダイ
ヤモンド半導体層との間に厚み０．０１〜１μｍのダイ
ヤモンド絶縁層を挟んだ接合構造を備えたことを特徴と
するダイヤモンドＰＩＮ型ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5891391A JPH04293272A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | ダイヤモンドｐｉｎ型ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5891391A JPH04293272A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | ダイヤモンドｐｉｎ型ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04293272A true JPH04293272A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13098059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5891391A Pending JPH04293272A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | ダイヤモンドｐｉｎ型ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04293272A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0643423A2 (en) * | 1993-09-10 | 1995-03-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond semiconductor device |
| US5903015A (en) * | 1994-09-16 | 1999-05-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Field effect transistor using diamond |
| WO1999062122A1 (en) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Abb Ab | A switching device |
| JP2002517096A (ja) * | 1998-05-28 | 2002-06-11 | エービービー エービー | スイッチング素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03278474A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP5891391A patent/JPH04293272A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03278474A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
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| JP4925508B2 (ja) * | 1998-05-28 | 2012-04-25 | エレメント シックス リミテッド | スイッチング素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950919 |