JPS62286277A - ホット電荷キャリヤトランジスタ - Google Patents

ホット電荷キャリヤトランジスタ

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JPS62286277A
JPS62286277A JP62124127A JP12412787A JPS62286277A JP S62286277 A JPS62286277 A JP S62286277A JP 62124127 A JP62124127 A JP 62124127A JP 12412787 A JP12412787 A JP 12412787A JP S62286277 A JPS62286277 A JP S62286277A
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collector
barrier
transistor
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JP62124127A
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ジョン・マーチン・シャノン
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
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    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/7606Transistor-like structures, e.g. hot electron transistor [HET]; metal base transistor [MBT]

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 本発明はホットな多数の電荷キャリヤにより電流が流れ
るベース領域を具えているホット電荷キャリヤトランジ
スタに関するものであり、しかも特に、単結晶のヒ化ガ
リウムで形成されるポットエレクトロン−トランジスタ
に関するものであるが、これのみに限定されるものでは
ない。
米国特許([l5−A)第4149174号及び公告さ
れた英圓特許願(GO−A)第2056165号には、
一導電形のホットな多数電荷キャリヤにより電流が流れ
るベース領域を具えているホット電荷キャリヤートラン
ジスタが開示されている。バリヤを形成する手段はベー
ス領域と共に前記一導電形のホット電荷キャリヤをベー
ス領域に注入させるのに仕えるエミッタ−ベースバリヤ
を形成する。前記トランジスタの半導体コレクタ領域は
前記一導電形のものである。これらのトランジスタにお
けるベース−コレクタバリヤは半導体バリヤ領域で形成
され、このバリヤ領域は反対導電形の不純物でドープさ
れ、かつそのバリヤ領域の幅は十分狭くして、このバリ
ヤ領域が前記半導体コレクタ領域と共にバルクユニポー
ラダイオードを形成して、これがトランジスタの作動中
にベース領域から前記一導電形のホット電荷キャリヤを
収集するようにしている。
斯種のトランジスタにより高い電流利得を得るためには
、ベース領域に注入されるホット電荷キャリヤにベース
ーコレクタハ′リヤのバリヤ高に較べて高いエネルギー
を持たせる必要がある。これかため通常はエミッタ−ベ
ースバリヤとベース−コレクタバリヤのバリヤ高のエネ
ルギー差をできるだけ大きくすることが所望されている
しかし本発明は、エミッタ−ベースバリヤの高さがコレ
クタ領域の半導体材料のバンドギャップに達すると、コ
レクタ領域内を通過して進むホット電荷キャリヤの幾つ
かがイオン化(特に、印加される大きなベース−コレク
タバリヤ電圧で)により電子−ホール対を形成でき;斯
くして生成される少数キャリヤは、これらがベース−コ
レクタ領域(及び場合によってはエミッタ−ベースバリ
ヤ領域)に蓄積されることによりトランジスタの作動速
度を低減させることができ; しかも斯髄なイオン化は
、コレクタ領域内の電荷キャリヤをコレクタ領域に関連
するヘテロ接合における制動電界によって冷却すること
により低減させることができる(及び実質上なくすこと
さえもてきる)と言う本発明の発明者による認識に基づ
いて成したものである。
従って、本発明は一導電形のホットな多数電荷キャリヤ
によって電流が流れるベース領域と、前記一導電形のホ
ット電荷キャリヤをベース領域に注入させるのに仕える
エミッタ−ベースバリヤをベース領域と共に形成するバ
リヤ形成手段と、ベース領域から前記一導電形のホット
電荷キャリヤを収集するためのベース−コレクタバリヤ
とヲ具えており、さらに前記一導電形の半導体コレクタ
領域を有しているホット電荷キャリヤトランジスタにお
いて、ベース−コレクタバリヤ付近におけるコレクタ領
域内のホット電荷キャリヤの移動速度を遅らせる電界を
発生するヘテロ接合を形成するために、コレクタ領域内
にバンドギャップの広い半導体材料を設けたことを特徴
とするホット電荷キャリヤトランジスタにある。
電荷キャリヤの収集効率を高く維持するためには、ヘテ
ロ接合をベース−コレクタバリヤから離間させるのが好
適である。従って、ヘテロ接合はバンドギャップの広い
材料と、バンドギャップが狭い材料製で、しかもヘテロ
接合をベース−コレクタバリヤから離間させるコレクタ
領域の一部との間に形成することができる。前記一導電
形のコレクタ領域の一部を成す斯かるスペーサ部分と、
ベース−コレクタバリヤ領域との双方は、互いにバンド
ギャップが狭い材料製として、界面における電荷キャリ
ヤの量子力学的反射を低減させるようにするのが好適で
ある。
以下図面につき本発明を説明する。
各図は線図的に示したものであり、実寸図示したもので
はないことに留意すべきである。各図における各部分の
相対的な寸法及び比率(特に、層の厚さ方向における)
を図面では便宜上拡大又は縮小して示しである。成る例
に用いたのと同じ参照符号は、他の例における対応する
、又は同様な部分を称するのにも用いている。薄い空乏
化されるエミッターベース及びベース−コレクタバリヤ
領域を第1図の断面図ではハツチを付して示してない。
第1図は本発明によるホ7)電荷キャリヤトランジスタ
に対する特定構造の一例を示す断面図である。このデバ
イスはn形ベース領域3を有しているホットエレクトロ
ントランジスタであり、ベース領域3にはホットエレク
トロン(熱い電子)により電流が流れる。しかし、本発
明はホットエレクトロントランジスタの対応する領域に
対して反対の導電影領域を有しているホットホール(熱
い正孔)トランジスタの構成に用い得るものとする。ホ
ット電荷キャリヤは結晶格子と熱平衡していないキャリ
ヤである。従って、ホットエレクトロンの平均エネルギ
ーは、結晶格子と平衡しているエレクトロンの平均エネ
ルギーより多少大きいに−T(ここにk及びTは、それ
ぞれボルツマン定数及び格子温度である)よりも遥かに
大きい。
常温でk・Tは約25 meVである。
第1図に図示したトランジスタは、半導体領域1〜5,
5a及び6を含んでいる単結晶半導体本体で構成する。
領域2はn形ベース領域3と共にエミッタ−ベースバリ
ヤを形成し、これらホットエレクトロンをベース領域に
注入するのに仕える。
n影領域5.5a及び6はトランジスタの半導体コレク
タ領域を形成する。半導体バリヤ領域4はベース−コレ
クタバリヤを規定し、これはベース領域3及びコレクタ
領域の隣接部5と同じバンドギャップ材料のものとする
ことができる。ベース−コレクタバリヤの高さを良好に
可調整制御するには、領域4にホット電荷キャリヤ(電
子)の導電形とは反対の導電形(p形)の不純物をドー
プさせ、かつ領域4を十分に狭くして半導体コレクタ領
域5.5a及び6と共にバルク−ユニポーラダイオード
を形成し、トランジスタの作動中にベース領域3からホ
ットエレクトロンを収集するようにするのが好適である
本発明によれば(前記英国特許出願(GB−A) 20
56165号の第6図に示される同様なホ7)エレクト
ロントランジスタとは相違する)、バンドギャップが幅
広の半導体材料5aをコレクタ領域5,5a及び6内に
設けて電界を発生させるヘテロ接合51を形成し、斯か
る電界によりベース−コレクタバリヤ領域4の近傍にお
けるコレクタ領域5,5a及び6のホットエレクトロン
を遅らせる。材料5aのバンドギャップはベース−コレ
クタバリヤ領域4の半導体材料と、ベース−コレクタバ
リヤ領域4からヘテロ接合51を離間させるコレクタ領
域部5とのバンドギャップよりも広くする。このような
配置とすることにより、電位が最大の領域4の直ぐ近く
における部分5に高いコレクタ電界が維持され、この電
界はホットエレクトロンを有効に収集するのに仕え、か
つ収集されたホットエレクトロンはヘテロ接合51にお
ける制動(キャリヤの移動を遅らせる)電界により冷却
されて、コレクタ領域にイオン化によって電子−ホール
対を形成する傾向を低減させ、従ってベース−コレクタ
バリヤ領域4てのホールのトラッピング及び蓄積を低減
させる。特定例ては領域4及び5をヒ化ガリウムとし、
かつ領域5aをヒ化アルミニウムガリウムの混合結晶と
することができる。電子用の制動電界はヘテロ接合51
における急激な伝導帯ステップ(第2図参照)によって
与えられる。材料5aにおける価電子帯ステップは、い
ずれの少数キャリヤもコレクタ領域を経て邪魔されずに
流れ、しかもヘテロ接合の界面に蓄積されずに流れるこ
とのできるように小さくするのが好適である。GaAs
とGa008AIO,4ASとの間のヘテロ接合の場合
における価電子帯ステップは僅か約0.15eVである
が、ホットエレクトロン用の制御電界を発生する伝導帯
ステップは約0.35eVである。
バンドギャップが広い材料製の相対的に離間させた一連
の層5aをコレクタ領域内に設けて、電子制動電界を発
生する一連の急激なヘテロ接合51を形成することがで
きる。第2図は斯様な2つの層5aを狭いバンドギャッ
プ材料5b (例えば、ヒ化ガリウム)で分離させる場
合を示す。しかし、コレクタ領域にはもっと多(の層5
a及び5bを組込むことができる。中間層5bは上側の
層5aと逆ヘテロ接合52を形成する。°従って斯様な
一連の層では、ベース−コレクタバリヤ4に最も近いヘ
テロ接合(即ち、狭いバンドギャップ材料5と広いバン
ドギャップ材料5aとの間のヘテロ接合51)が収集後
のホットエレクトロンを遅らせ、第2ヘテロ接合(5a
と5bとの間の逆ヘテロ接合52)が制動された電子(
ホットエレクトロン)を加速するも、これらの電子はつ
ぎのヘテロ接合(5bと5aとの間のヘテロ接合51)
によって再び遅らされ、以下順次加速、制動が繰返えさ
れる。層5aは、制動をかけたホットエレクトロンがヘ
テロ接合52に達する前に層5a内でfiのエネルギー
を失うのに十分な厚さに作ることができる。勾配組成物
(従って、勾配バンドギャップ)を下側層5bと上側層
との間に用いて、斯様な逆ヘテロ接合52の影響を低減
又は除去することができ、この場合には層5aを薄くす
ることができる。
ベース−コレクタバリヤ領4は、例えば前記米国特許(
[l5−A) 414.9174号に記載されているタ
イプのバルクユニポーラダイオードによって形成するこ
とができる。従って、領域4はp形不純物濃度を呈する
ものとし、その濃度の大きさによってベース領域3から
n形コレクタ領域5.6への電子の流れに対する電位バ
リヤの高さを決定することができる。バリヤ領域4は十
分に薄くして、このバリヤ領域がゼロバイアスでベース
及びコレクタの面領域と共に形成する空乏層を領域4内
に一緒に没入させて、ゼロバイアスでも領域4全体のホ
ールをほぼ空乏層化させる。ゼロバイアスで斯様な空乏
化を得るためには、領域4の厚さ及びドーピングレベル
がUS−^149174号に記載されているような所定
の条件を満足する必要があり、またバリヤの高さは領域
4のドーピングレベルによって決定する。第1図に示し
た形態では、コレクタ領域が、コレクタ電界を成す金属
層16を有して5Aる高度にドープしたn形単結晶基板
6上におけるバンドギャップの広い材料5aの上にn形
エピタキシャル層5を具えている。
エミッタ−ベースバリヤ2は既知の種々の方法で形成す
ることができる。このエミッタ−ベースバリヤは第1及
び2図に示したようなバルクユニポーラダイオードを形
成するドープ半導体バリヤ領域2で構成するのが好適で
ある。バリヤ領域の高さはホット電荷キャリヤ(電子)
の導電形とは反対の導電形(p形)の不純物のドーピン
グレベルによって決定される。このバリヤ領域2は少な
くともトランジスタの作動中にホー・ルを空乏化するの
に十分な薄さとする。バリヤ領域2は、例えばGB−A
 2056165号に記載されているエミッタ−ベース
バリヤ領域の場合のように、ゼロバイアスにてバリヤ領
域の厚さの一部が空乏化されないようにすることができ
る。しかし、US−A 4149174号に記載されて
いるバリヤ領域の場合のように、バリヤ領域2はゼロバ
イアスでもその厚さ全体にねたり空乏化させることもで
きる。
第1及び2図に示した形態のベース領域3は、ベース電
極を成す金属層13を有している高度にドープしたn形
の単一半導体領域(n”)で構成する。
第1及び2図の例によって示す特定形態のトランジスタ
は低ドープn形エミッタ領域1を有しており、これにオ
ーム接触してエミッタ電極を成す金属層11を形成する
第1及び2図のトランジスタは、例えば単結晶のヒ化ガ
リウム基板6の上にn形のヒ化アルミニウムガリウムエ
ピタキシャル層を(例えば分子ビームエピタキシャル成
長を用いて)成長させてバンドギャップの広いコレクタ
領域層5aとすることにより形成することができる。ヒ
化アルミニウムガリウム層5a及び中間のヒ化ガリウム
層5bは所望数同じように成長させる。ついでヒ化ガリ
ウムの分子ビームエピタキシャルを用いてn形コレクタ
領域層5、p形ドープバリヤ領域4、n形ベース領域3
、p形ドープバリヤ領域2及びエミッタ領域1用の最終
n形層に対する適当にドープした各層を形成する。2つ
の上側層1及び2をエツチングによりそれらの層の厚さ
全体にわたり局部的に除去して、第1図に領域1及び2
として示すエミックーメサ構体を残存させ、その後2つ
の層3及び4と、少なくとも層5aの部分もそれらの層
厚全体にわたり局部的に除去して、第1図に領域3及び
4にて示すベース−メサ構体を残存させる。ついて、エ
ミッタ、ベース及びコレクタ結線部11゜13及び16
を設ける。
代表的な特定例ては、トランジスタの領域1〜5aの厚
さ及びドーピング濃度をつぎのようにすることができろ
GaAS エミッタ領域1:厚さを約Zoo nm(ナ
ノメートノリ とし、約1016シ リコン又は錫原子/cm” でドープする。
GaAs領域2;    享さ約200mとし、約3X
IO”ベリリウム原子/ cm’ でドープする。
GaAsベース領域3: 厚さ約25 nmとし、約5
X10”シリコン原子/ 0m3 でドープする。
GaAs領域4:    厚さ約15 nmとし、約3
X10′8ベリリウム原子7 cm”でドープする。
GaAs コレクタ領域5:厚さ約5Q nrnとし、
約5XLO”シリコン原子/ Cm’ でドープする。
GaAlAs コL/クタ領域5a:厚さ約20 n+
nとし、約5X10′6シリコン原子/ 0m3 でドープする。
GaAS コレクタ領域5b:厚さ約20 nmとし、
約5X1016シリコン原子/ 0m3でドープする。
ヘテロ接合51に隣接する領域5aにはモル分率が約0
.4のヒ化アルミニウムを用いることができ、このAl
Asのモル分率は層5aから下側層5bへと逐次低くし
て急激な逆ヘテロ接合52とならないようにする。この
ような組成とする場合、ヘテロ接合51における伝導帯
ステップによって形成される制動電位バリヤは約0.3
5e’/となる。斯種のホットエレクトロントランジス
タは常温(300°K)にて満足に作動させることがで
きる。
領域3及び4に対するメサエッチングの終了は、コレク
タ層5及び5aの厚さが厚いために臨界的とはならない
。しかし、ベース領域3の厚さは比較的薄いため、エミ
ッタ電極1及び2を規定するだめのエツチング処理は十
分制御して、露出ベース領域3にわたってエツチングし
ないように終了させる必要がある。これはエミッタ−ベ
ースバリヤ領域2としてバンドギャップの広い材料(例
えば、ヒ化アルミニウムガリウム)を用いてエミッタ−
ベースバリヤ領域と共にヘテロ接合23を形成するベー
ス領域3の隣接部(ヒ化ガリウム)に対して選択的にエ
ツチングし得るようにして容易に行うことができる。ヒ
化ガリウム上のヒ化アルミニウムガリウムに対するエツ
チング剤としては、例えばアンモニアと過酸化水素の湿
潤エッチ水溶液のような幾つかの種類のエツチング剤を
利用することができる。
第3図はヘテロ接合23が伝導帯エツジE。に及ぼす影
響を示す。ヘテロ接合23はエミッタ−ベースバリヤ領
域2のバリヤの高さをXだけ高くする。
しかし、領域2のp形不純物ドーピングによって決定さ
れる総合的なバリヤの高さはXよりも大きくなる。従っ
て、Gaa、 、AI、0.AsとGaAsとの間のヘ
テロ接合に対するXは約0.35eVとなる。ヘテロ接
合23には、バリヤ領域2にそれに隣接する領域におけ
るも高いホールエネルギーを与える価電子帯ステップも
形成され、特にGaAsベース領域3とGao−5AI
o、、Asバリヤ領域2の例では、価電子帯ステップは
約Q、15eVとなる。従って、電子に対する総合的な
バリヤの高さが約0.956Vの斯かる特定例では、ホ
ールに対する対応するウェルは僅か約0,6eVとなる
ため、ホールがトラップして所定高さのエミッタ−ベー
スバリヤ領域2に蓄積される傾向は低減する。
第3図に示した配置では、バンドギャップの広い材料製
の空乏化されるp形ドープバリヤ領域2も例えばGaA
sのn形エミッタ領域lと共にヘテロ接合12を形成す
る。従って、Xは領域2のエミッタ側とベース側の双方
で同じとなる。しかし、エミッタ領域1は、例えばバリ
ヤ領域2と同じヒ化アルミニラウムガリウム材料のよう
なバンドギャップの広い材料製とすることができ、この
材料はエミッタ抵抗を高くする。エミッタ領域1の材料
は、頂部表面に隣接するヒ化ガリウム層からバリヤ領域
2のA IAsモル分率を有する界面12におけるヒ化
アルミニウムガリウムまでAlAsモル分率が逐次変化
する勾配組成のものとすることができる。
さらに、エミッタ領域1はベース領域3の導電形とは反
対の導電形(これらの例ではp形)とし、かつエミッタ
電極11と共にショソじキーバリヤを形成するように十
分低くドープさせることもできる。また、空乏化される
ρ形ドープバリヤ領域2とエミッタ及びベース領域(1
及び3)との間及び空乏化されるp形ドープバリヤ領域
4とベース及びコレクタ領域(3及び5)との間に極め
て薄い真性(即ち、ドープしてない、又は故意にドープ
したのではない)半導体層を設けることもできる。ショ
ットキー電極11を設ける場合には、半導体エミッタ領
域1を省くことができる。
第3図には本発明によるホットキャリヤトランジスタに
含めることのできる池の変形部分も図示しである。例え
ば、金属を主成分とする少なくとも1つの層30をベー
ス領域3内にバリヤ領域4に対して平行に設けて、ベー
ス抵抗を低減させることができる。ベース領域3及び層
30を通るホット電荷キャリヤの効果的な伝送を助ける
ために、金属を主成分とする層30の厚さは極めて薄く
 (例えば約1nmの厚さ)して、量子力学的トンネル
効果を生せしめるようにする。半導体領域3にGaAs
を用いる際には、層30を例えばエピタキシャルアルミ
ニウムとすることができる。トランジスタのベースに金
属を主成分とする薄い層30を導入させることによりベ
ース抵抗を極めて低くすることができる。ベース領域に
は半導体材料層3と金属主成分層30とを交互に複数配
置したものを用いることができる。第3図に示したトラ
ンジスタ構造では、エミッタ−ベースバリヤ領域2に最
も近い金属主成分層30をバリヤ領域2から離間させる
。しかし、バリヤ領域2に最も近い金属主成分層30は
バリヤ領域2に隣接させることができ、かつ層30はベ
ース領域の第1半導体部分3とヘテロ接合を形成するこ
とができる。このヘテロ接合はベース領域内に電界を発
生させることができ、この電界はベース領域内のホット
電荷キャリヤをベース−コレクタ領域4に向けて加速す
るのに仕える。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるホットエレクトロントランジスタ
を具えている半導体本体の一部を示す断面図: 第2図は本発明によるトランジスタで、しかも第1図の
トランジスタに類似するトランジスタの能動部分にわた
るエネルギー図を伝導帯エツジEC及び価電子帯エツジ
E、と共にそれぞれ示す図:第3図も本発明による他の
トランジスタの能動部にわたるエネルギー図を伝導帯エ
ツジECと一緒に示す図である。 1・・・GaAsエミック領域 2・・・GaAsエミッタ−ベースバリヤ領域3・・・
GaAsベース領域

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一導電形のホットな多数電荷キャリヤによって電流
    が流れるベース領域と、前記一導電形のホット電荷キャ
    リヤをベース領域領域に注入させるのに仕えるエミッタ
    −ベースバリヤをベース領域と共に形成するバリヤ形成
    手段と、ベース領域から前記一導電形のホット電荷キャ
    リヤを収集するためのベース−コレクタバリヤとを具え
    ており、さらに前記一導電形の半導体コレクタ領域を有
    しているホット電荷キャリヤトランジスタにおいて、ベ
    ース−コレクタバリヤ付近におけるコレクタ領域内のホ
    ット電荷キャリヤの移動速度を遅らせる電界を発生する
    ヘテロ接合を形成するために、コレクタ領域内にバンド
    ギャップの広い半導体材料を設けたことを特徴とするホ
    ット電荷キャリヤトランジスタ。 2、ヘテロ接合を、バンドギャップの広い材料と、バン
    ドギャップが狭い材料製で、しかもヘテロ接合をベース
    −コレクタバリヤから離間させるコレクタ領域の一部と
    の間に形成し、該コレクタ領域の一部を前記一導電形の
    ものとすることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
    載のトランジスタ。 3、ベース−コレクタバリヤを半導体バリヤ領域で形成
    し、該バリヤ領域は反対導電形の不純物でドープさせる
    と共に該バリヤ領域の幅を十分狭くして、該バリヤ領域
    が前記半導体コレクタ領域と共にベース領域から前記一
    導電形のホット電荷キャリヤを収集するためのバルクユ
    ニポーラダイオードを形成するようにし、かつバンドギ
    ャップの広い材料のバンドギャップの大きさをベース−
    コレクタバリヤ領域の半導体材料のバンドギャップより
    も大きくすることを特徴とする特許請求の範囲第1又は
    2項のいずれか一項に記載のトランジスタ。 4、ベース−コレクタバリヤ領域と、該ベース−コレク
    タバリヤ領域からヘテロ接合を離間させるコレクタ領域
    の一部との双方にバンドギヤツプが同じ半導体材料を用
    いることを特徴とする特許請求の範囲歳第2項に付随す
    る特許請求の範囲第3項に記載のトランジスタ。 5、制動電界を発生する一連のヘテロ接合を形成するた
    めに、コレクタ領域内にバンドギャップの広い半導体材
    料製の互いに離間させた一連の層を設けることを特徴と
    する特許請求の範囲第1〜4項のいずれか一項に記載の
    トランジスタ。 6、ベース−コレクタバリヤをヒ化ガリウムで形成し、
    かつバンドギャップの広い材料をヒ化アルミニウムガリ
    ウムとすることを特徴とする特許請求の範囲第1〜5項
    のいずれか一項に記載のトランジスタ。 7、ベース領域が前記一導電形の半導体材料層と、該半
    導体材料よりも高い導電率の薄い金属主成分材料層とを
    交互に具え、金属主成分層が電気抵抗を低減させるのに
    仕えると共に、該金属主成分層を十分薄くして、量子力
    学的トンネル効果を生ぜしめるようにすることを特徴と
    する特許請求の範囲第1〜6項のいずれか一項に記載の
    トランジスタ。 8、エミッタ−ベースバリヤに最も近い金属主成分層が
    ヘテロ接合を形成し、該ヘテロ接合が、ベース領域内の
    ホット電荷キャリヤをコレクタ領域に向けて加速するの
    に仕える電界をベース領域内に発生させるようにするこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第7項に記載のトランジ
    スタ。
JP62124127A 1986-05-23 1987-05-22 ホット電荷キャリヤトランジスタ Pending JPS62286277A (ja)

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EP0247667A1 (en) 1987-12-02
GB2191036A (en) 1987-12-02
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