JPS62286277A - ホット電荷キャリヤトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 本発明はホットな多数の電荷キャリヤにより電流が流れ
るベース領域を具えているホット電荷キャリヤトランジ
スタに関するものであり、しかも特に、単結晶のヒ化ガ
リウムで形成されるポットエレクトロン−トランジスタ
に関するものであるが、これのみに限定されるものでは
ない。

米国特許（［ｌ５−Ａ）第４１４９１７４号及び公告さ
れた英圓特許願（ＧＯ−Ａ）第２０５６１６５号には、
一導電形のホットな多数電荷キャリヤにより電流が流れ
るベース領域を具えているホット電荷キャリヤートラン
ジスタが開示されている。バリヤを形成する手段はベー
ス領域と共に前記一導電形のホット電荷キャリヤをベー
ス領域に注入させるのに仕えるエミッタ−ベースバリヤ
を形成する。前記トランジスタの半導体コレクタ領域は
前記一導電形のものである。これらのトランジスタにお
けるベース−コレクタバリヤは半導体バリヤ領域で形成
され、このバリヤ領域は反対導電形の不純物でドープさ
れ、かつそのバリヤ領域の幅は十分狭くして、このバリ
ヤ領域が前記半導体コレクタ領域と共にバルクユニポー
ラダイオードを形成して、これがトランジスタの作動中
にベース領域から前記一導電形のホット電荷キャリヤを
収集するようにしている。

斯種のトランジスタにより高い電流利得を得るためには
、ベース領域に注入されるホット電荷キャリヤにベース
ーコレクタハ′リヤのバリヤ高に較べて高いエネルギー
を持たせる必要がある。これかため通常はエミッタ−ベ
ースバリヤとベース−コレクタバリヤのバリヤ高のエネ
ルギー差をできるだけ大きくすることが所望されている
。

しかし本発明は、エミッタ−ベースバリヤの高さがコレ
クタ領域の半導体材料のバンドギャップに達すると、コ
レクタ領域内を通過して進むホット電荷キャリヤの幾つ
かがイオン化（特に、印加される大きなベース−コレク
タバリヤ電圧で）により電子−ホール対を形成でき；斯
くして生成される少数キャリヤは、これらがベース−コ
レクタ領域（及び場合によってはエミッタ−ベースバリ
ヤ領域）に蓄積されることによりトランジスタの作動速
度を低減させることができ；　しかも斯髄なイオン化は
、コレクタ領域内の電荷キャリヤをコレクタ領域に関連
するヘテロ接合における制動電界によって冷却すること
により低減させることができる（及び実質上なくすこと
さえもてきる）と言う本発明の発明者による認識に基づ
いて成したものである。

従って、本発明は一導電形のホットな多数電荷キャリヤ
によって電流が流れるベース領域と、前記一導電形のホ
ット電荷キャリヤをベース領域に注入させるのに仕える
エミッタ−ベースバリヤをベース領域と共に形成するバ
リヤ形成手段と、ベース領域から前記一導電形のホット
電荷キャリヤを収集するためのベース−コレクタバリヤ
とヲ具えており、さらに前記一導電形の半導体コレクタ
領域を有しているホット電荷キャリヤトランジスタにお
いて、ベース−コレクタバリヤ付近におけるコレクタ領
域内のホット電荷キャリヤの移動速度を遅らせる電界を
発生するヘテロ接合を形成するために、コレクタ領域内
にバンドギャップの広い半導体材料を設けたことを特徴
とするホット電荷キャリヤトランジスタにある。

電荷キャリヤの収集効率を高く維持するためには、ヘテ
ロ接合をベース−コレクタバリヤから離間させるのが好
適である。従って、ヘテロ接合はバンドギャップの広い
材料と、バンドギャップが狭い材料製で、しかもヘテロ
接合をベース−コレクタバリヤから離間させるコレクタ
領域の一部との間に形成することができる。前記一導電
形のコレクタ領域の一部を成す斯かるスペーサ部分と、
ベース−コレクタバリヤ領域との双方は、互いにバンド
ギャップが狭い材料製として、界面における電荷キャリ
ヤの量子力学的反射を低減させるようにするのが好適で
ある。

以下図面につき本発明を説明する。

各図は線図的に示したものであり、実寸図示したもので
はないことに留意すべきである。各図における各部分の
相対的な寸法及び比率（特に、層の厚さ方向における）
を図面では便宜上拡大又は縮小して示しである。成る例
に用いたのと同じ参照符号は、他の例における対応する
、又は同様な部分を称するのにも用いている。薄い空乏
化されるエミッターベース及びベース−コレクタバリヤ
領域を第１図の断面図ではハツチを付して示してない。

第１図は本発明によるホ７）電荷キャリヤトランジスタ
に対する特定構造の一例を示す断面図である。このデバ
イスはｎ形ベース領域３を有しているホットエレクトロ
ントランジスタであり、ベース領域３にはホットエレク
トロン（熱い電子）により電流が流れる。しかし、本発
明はホットエレクトロントランジスタの対応する領域に
対して反対の導電影領域を有しているホットホール（熱
い正孔）トランジスタの構成に用い得るものとする。ホ
ット電荷キャリヤは結晶格子と熱平衡していないキャリ
ヤである。従って、ホットエレクトロンの平均エネルギ
ーは、結晶格子と平衡しているエレクトロンの平均エネ
ルギーより多少大きいに−Ｔ（ここにｋ及びＴは、それ
ぞれボルツマン定数及び格子温度である）よりも遥かに
大きい。

常温でｋ・Ｔは約２５　ｍｅＶである。

第１図に図示したトランジスタは、半導体領域１〜５，
５ａ及び６を含んでいる単結晶半導体本体で構成する。

領域２はｎ形ベース領域３と共にエミッタ−ベースバリ
ヤを形成し、これらホットエレクトロンをベース領域に
注入するのに仕える。

ｎ影領域５．５ａ及び６はトランジスタの半導体コレク
タ領域を形成する。半導体バリヤ領域４はベース−コレ
クタバリヤを規定し、これはベース領域３及びコレクタ
領域の隣接部５と同じバンドギャップ材料のものとする
ことができる。ベース−コレクタバリヤの高さを良好に
可調整制御するには、領域４にホット電荷キャリヤ（電
子）の導電形とは反対の導電形（ｐ形）の不純物をドー
プさせ、かつ領域４を十分に狭くして半導体コレクタ領
域５．５ａ及び６と共にバルク−ユニポーラダイオード
を形成し、トランジスタの作動中にベース領域３からホ
ットエレクトロンを収集するようにするのが好適である
。

本発明によれば（前記英国特許出願（ＧＢ−Ａ）　２０
５６１６５号の第６図に示される同様なホ７）エレクト
ロントランジスタとは相違する）、バンドギャップが幅
広の半導体材料５ａをコレクタ領域５，５ａ及び６内に
設けて電界を発生させるヘテロ接合５１を形成し、斯か
る電界によりベース−コレクタバリヤ領域４の近傍にお
けるコレクタ領域５，５ａ及び６のホットエレクトロン
を遅らせる。材料５ａのバンドギャップはベース−コレ
クタバリヤ領域４の半導体材料と、ベース−コレクタバ
リヤ領域４からヘテロ接合５１を離間させるコレクタ領
域部５とのバンドギャップよりも広くする。このような
配置とすることにより、電位が最大の領域４の直ぐ近く
における部分５に高いコレクタ電界が維持され、この電
界はホットエレクトロンを有効に収集するのに仕え、か
つ収集されたホットエレクトロンはヘテロ接合５１にお
ける制動（キャリヤの移動を遅らせる）電界により冷却
されて、コレクタ領域にイオン化によって電子−ホール
対を形成する傾向を低減させ、従ってベース−コレクタ
バリヤ領域４てのホールのトラッピング及び蓄積を低減
させる。特定例ては領域４及び５をヒ化ガリウムとし、
かつ領域５ａをヒ化アルミニウムガリウムの混合結晶と
することができる。電子用の制動電界はヘテロ接合５１
における急激な伝導帯ステップ（第２図参照）によって
与えられる。材料５ａにおける価電子帯ステップは、い
ずれの少数キャリヤもコレクタ領域を経て邪魔されずに
流れ、しかもヘテロ接合の界面に蓄積されずに流れるこ
とのできるように小さくするのが好適である。ＧａＡｓ
とＧａ００８ＡＩＯ，４ＡＳとの間のヘテロ接合の場合
における価電子帯ステップは僅か約０．１５ｅＶである
が、ホットエレクトロン用の制御電界を発生する伝導帯
ステップは約０．３５ｅＶである。

バンドギャップが広い材料製の相対的に離間させた一連
の層５ａをコレクタ領域内に設けて、電子制動電界を発
生する一連の急激なヘテロ接合５１を形成することがで
きる。第２図は斯様な２つの層５ａを狭いバンドギャッ
プ材料５ｂ　（例えば、ヒ化ガリウム）で分離させる場
合を示す。しかし、コレクタ領域にはもっと多（の層５
ａ及び５ｂを組込むことができる。中間層５ｂは上側の
層５ａと逆ヘテロ接合５２を形成する。°従って斯様な
一連の層では、ベース−コレクタバリヤ４に最も近いヘ
テロ接合（即ち、狭いバンドギャップ材料５と広いバン
ドギャップ材料５ａとの間のヘテロ接合５１）が収集後
のホットエレクトロンを遅らせ、第２ヘテロ接合（５ａ
と５ｂとの間の逆ヘテロ接合５２）が制動された電子（
ホットエレクトロン）を加速するも、これらの電子はつ
ぎのヘテロ接合（５ｂと５ａとの間のヘテロ接合５１）
によって再び遅らされ、以下順次加速、制動が繰返えさ
れる。層５ａは、制動をかけたホットエレクトロンがヘ
テロ接合５２に達する前に層５ａ内でｆｉのエネルギー
を失うのに十分な厚さに作ることができる。勾配組成物
（従って、勾配バンドギャップ）を下側層５ｂと上側層
との間に用いて、斯様な逆ヘテロ接合５２の影響を低減
又は除去することができ、この場合には層５ａを薄くす
ることができる。

ベース−コレクタバリヤ領４は、例えば前記米国特許（
［ｌ５−Ａ）　４１４．９１７４号に記載されているタ
イプのバルクユニポーラダイオードによって形成するこ
とができる。従って、領域４はｐ形不純物濃度を呈する
ものとし、その濃度の大きさによってベース領域３から
ｎ形コレクタ領域５．６への電子の流れに対する電位バ
リヤの高さを決定することができる。バリヤ領域４は十
分に薄くして、このバリヤ領域がゼロバイアスでベース
及びコレクタの面領域と共に形成する空乏層を領域４内
に一緒に没入させて、ゼロバイアスでも領域４全体のホ
ールをほぼ空乏層化させる。ゼロバイアスで斯様な空乏
化を得るためには、領域４の厚さ及びドーピングレベル
がＵＳ−＾１４９１７４号に記載されているような所定
の条件を満足する必要があり、またバリヤの高さは領域
４のドーピングレベルによって決定する。第１図に示し
た形態では、コレクタ領域が、コレクタ電界を成す金属
層１６を有して５Ａる高度にドープしたｎ形単結晶基板
６上におけるバンドギャップの広い材料５ａの上にｎ形
エピタキシャル層５を具えている。

エミッタ−ベースバリヤ２は既知の種々の方法で形成す
ることができる。このエミッタ−ベースバリヤは第１及
び２図に示したようなバルクユニポーラダイオードを形
成するドープ半導体バリヤ領域２で構成するのが好適で
ある。バリヤ領域の高さはホット電荷キャリヤ（電子）
の導電形とは反対の導電形（ｐ形）の不純物のドーピン
グレベルによって決定される。このバリヤ領域２は少な
くともトランジスタの作動中にホー・ルを空乏化するの
に十分な薄さとする。バリヤ領域２は、例えばＧＢ−Ａ
　２０５６１６５号に記載されているエミッタ−ベース
バリヤ領域の場合のように、ゼロバイアスにてバリヤ領
域の厚さの一部が空乏化されないようにすることができ
る。しかし、ＵＳ−Ａ　４１４９１７４号に記載されて
いるバリヤ領域の場合のように、バリヤ領域２はゼロバ
イアスでもその厚さ全体にねたり空乏化させることもで
きる。

第１及び２図に示した形態のベース領域３は、ベース電
極を成す金属層１３を有している高度にドープしたｎ形
の単一半導体領域（ｎ”）で構成する。

第１及び２図の例によって示す特定形態のトランジスタ
は低ドープｎ形エミッタ領域１を有しており、これにオ
ーム接触してエミッタ電極を成す金属層１１を形成する
。

第１及び２図のトランジスタは、例えば単結晶のヒ化ガ
リウム基板６の上にｎ形のヒ化アルミニウムガリウムエ
ピタキシャル層を（例えば分子ビームエピタキシャル成
長を用いて）成長させてバンドギャップの広いコレクタ
領域層５ａとすることにより形成することができる。ヒ
化アルミニウムガリウム層５ａ及び中間のヒ化ガリウム
層５ｂは所望数同じように成長させる。ついでヒ化ガリ
ウムの分子ビームエピタキシャルを用いてｎ形コレクタ
領域層５、ｐ形ドープバリヤ領域４、ｎ形ベース領域３
、ｐ形ドープバリヤ領域２及びエミッタ領域１用の最終
ｎ形層に対する適当にドープした各層を形成する。２つ
の上側層１及び２をエツチングによりそれらの層の厚さ
全体にわたり局部的に除去して、第１図に領域１及び２
として示すエミックーメサ構体を残存させ、その後２つ
の層３及び４と、少なくとも層５ａの部分もそれらの層
厚全体にわたり局部的に除去して、第１図に領域３及び
４にて示すベース−メサ構体を残存させる。ついて、エ
ミッタ、ベース及びコレクタ結線部１１゜１３及び１６
を設ける。

代表的な特定例ては、トランジスタの領域１〜５ａの厚
さ及びドーピング濃度をつぎのようにすることができろ
。

ＧａＡＳ　エミッタ領域１：厚さを約Ｚｏｏ　ｎｍ（ナ
ノメートノリ　とし、約１０１６シ リコン又は錫原子／ｃｍ” でドープする。

ＧａＡｓ領域２；　　　　享さ約２００ｍとし、約３Ｘ
ＩＯ”ベリリウム原子／ ｃｍ’　でドープする。

ＧａＡｓベース領域３：　厚さ約２５　ｎｍとし、約５
Ｘ１０”シリコン原子／ ０ｍ３　でドープする。

ＧａＡｓ領域４：　　　　厚さ約１５　ｎｍとし、約３
Ｘ１０′８ベリリウム原子７ ｃｍ”でドープする。

ＧａＡｓ　コレクタ領域５：厚さ約５Ｑ　ｎｒｎとし、
約５ＸＬＯ”シリコン原子／ Ｃｍ’　でドープする。

ＧａＡｌＡｓ　コＬ／クタ領域５ａ：厚さ約２０　ｎ＋
ｎとし、約５Ｘ１０′６シリコン原子／ ０ｍ３　でドープする。

ＧａＡＳ　コレクタ領域５ｂ：厚さ約２０　ｎｍとし、
約５Ｘ１０１６シリコン原子／ ０ｍ３でドープする。

ヘテロ接合５１に隣接する領域５ａにはモル分率が約０
．４のヒ化アルミニウムを用いることができ、このＡｌ
Ａｓのモル分率は層５ａから下側層５ｂへと逐次低くし
て急激な逆ヘテロ接合５２とならないようにする。この
ような組成とする場合、ヘテロ接合５１における伝導帯
ステップによって形成される制動電位バリヤは約０．３
５ｅ’／となる。斯種のホットエレクトロントランジス
タは常温（３００°Ｋ）にて満足に作動させることがで
きる。

領域３及び４に対するメサエッチングの終了は、コレク
タ層５及び５ａの厚さが厚いために臨界的とはならない
。しかし、ベース領域３の厚さは比較的薄いため、エミ
ッタ電極１及び２を規定するだめのエツチング処理は十
分制御して、露出ベース領域３にわたってエツチングし
ないように終了させる必要がある。これはエミッタ−ベ
ースバリヤ領域２としてバンドギャップの広い材料（例
えば、ヒ化アルミニウムガリウム）を用いてエミッタ−
ベースバリヤ領域と共にヘテロ接合２３を形成するベー
ス領域３の隣接部（ヒ化ガリウム）に対して選択的にエ
ツチングし得るようにして容易に行うことができる。ヒ
化ガリウム上のヒ化アルミニウムガリウムに対するエツ
チング剤としては、例えばアンモニアと過酸化水素の湿
潤エッチ水溶液のような幾つかの種類のエツチング剤を
利用することができる。

第３図はヘテロ接合２３が伝導帯エツジＥ。に及ぼす影
響を示す。ヘテロ接合２３はエミッタ−ベースバリヤ領
域２のバリヤの高さをＸだけ高くする。

しかし、領域２のｐ形不純物ドーピングによって決定さ
れる総合的なバリヤの高さはＸよりも大きくなる。従っ
て、Ｇａａ、　、ＡＩ、０．ＡｓとＧａＡｓとの間のヘ
テロ接合に対するＸは約０．３５ｅＶとなる。ヘテロ接
合２３には、バリヤ領域２にそれに隣接する領域におけ
るも高いホールエネルギーを与える価電子帯ステップも
形成され、特にＧａＡｓベース領域３とＧａｏ−５ＡＩ
ｏ、、Ａｓバリヤ領域２の例では、価電子帯ステップは
約Ｑ、１５ｅＶとなる。従って、電子に対する総合的な
バリヤの高さが約０．９５６Ｖの斯かる特定例では、ホ
ールに対する対応するウェルは僅か約０，６ｅＶとなる
ため、ホールがトラップして所定高さのエミッタ−ベー
スバリヤ領域２に蓄積される傾向は低減する。

第３図に示した配置では、バンドギャップの広い材料製
の空乏化されるｐ形ドープバリヤ領域２も例えばＧａＡ
ｓのｎ形エミッタ領域ｌと共にヘテロ接合１２を形成す
る。従って、Ｘは領域２のエミッタ側とベース側の双方
で同じとなる。しかし、エミッタ領域１は、例えばバリ
ヤ領域２と同じヒ化アルミニラウムガリウム材料のよう
なバンドギャップの広い材料製とすることができ、この
材料はエミッタ抵抗を高くする。エミッタ領域１の材料
は、頂部表面に隣接するヒ化ガリウム層からバリヤ領域
２のＡ　ＩＡｓモル分率を有する界面１２におけるヒ化
アルミニウムガリウムまでＡｌＡｓモル分率が逐次変化
する勾配組成のものとすることができる。

さらに、エミッタ領域１はベース領域３の導電形とは反
対の導電形（これらの例ではｐ形）とし、かつエミッタ
電極１１と共にショソじキーバリヤを形成するように十
分低くドープさせることもできる。また、空乏化される
ρ形ドープバリヤ領域２とエミッタ及びベース領域（１
及び３）との間及び空乏化されるｐ形ドープバリヤ領域
４とベース及びコレクタ領域（３及び５）との間に極め
て薄い真性（即ち、ドープしてない、又は故意にドープ
したのではない）半導体層を設けることもできる。ショ
ットキー電極１１を設ける場合には、半導体エミッタ領
域１を省くことができる。

第３図には本発明によるホットキャリヤトランジスタに
含めることのできる池の変形部分も図示しである。例え
ば、金属を主成分とする少なくとも１つの層３０をベー
ス領域３内にバリヤ領域４に対して平行に設けて、ベー
ス抵抗を低減させることができる。ベース領域３及び層
３０を通るホット電荷キャリヤの効果的な伝送を助ける
ために、金属を主成分とする層３０の厚さは極めて薄く
　（例えば約１ｎｍの厚さ）して、量子力学的トンネル
効果を生せしめるようにする。半導体領域３にＧａＡｓ
を用いる際には、層３０を例えばエピタキシャルアルミ
ニウムとすることができる。トランジスタのベースに金
属を主成分とする薄い層３０を導入させることによりベ
ース抵抗を極めて低くすることができる。ベース領域に
は半導体材料層３と金属主成分層３０とを交互に複数配
置したものを用いることができる。第３図に示したトラ
ンジスタ構造では、エミッタ−ベースバリヤ領域２に最
も近い金属主成分層３０をバリヤ領域２から離間させる
。しかし、バリヤ領域２に最も近い金属主成分層３０は
バリヤ領域２に隣接させることができ、かつ層３０はベ
ース領域の第１半導体部分３とヘテロ接合を形成するこ
とができる。このヘテロ接合はベース領域内に電界を発
生させることができ、この電界はベース領域内のホット
電荷キャリヤをベース−コレクタ領域４に向けて加速す
るのに仕える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるホットエレクトロントランジスタ
を具えている半導体本体の一部を示す断面図： 第２図は本発明によるトランジスタで、しかも第１図の
トランジスタに類似するトランジスタの能動部分にわた
るエネルギー図を伝導帯エツジＥＣ及び価電子帯エツジ
Ｅ、と共にそれぞれ示す図：第３図も本発明による他の
トランジスタの能動部にわたるエネルギー図を伝導帯エ
ツジＥＣと一緒に示す図である。 １・・・ＧａＡｓエミック領域 ２・・・ＧａＡｓエミッタ−ベースバリヤ領域３・・・
ＧａＡｓベース領域

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一導電形のホットな多数電荷キャリヤによって電流
   が流れるベース領域と、前記一導電形のホット電荷キャ
   リヤをベース領域領域に注入させるのに仕えるエミッタ
   −ベースバリヤをベース領域と共に形成するバリヤ形成
   手段と、ベース領域から前記一導電形のホット電荷キャ
   リヤを収集するためのベース−コレクタバリヤとを具え
   ており、さらに前記一導電形の半導体コレクタ領域を有
   しているホット電荷キャリヤトランジスタにおいて、ベ
   ース−コレクタバリヤ付近におけるコレクタ領域内のホ
   ット電荷キャリヤの移動速度を遅らせる電界を発生する
   ヘテロ接合を形成するために、コレクタ領域内にバンド
   ギャップの広い半導体材料を設けたことを特徴とするホ
   ット電荷キャリヤトランジスタ。 ２、ヘテロ接合を、バンドギャップの広い材料と、バン
   ドギャップが狭い材料製で、しかもヘテロ接合をベース
   −コレクタバリヤから離間させるコレクタ領域の一部と
   の間に形成し、該コレクタ領域の一部を前記一導電形の
   ものとすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載のトランジスタ。 ３、ベース−コレクタバリヤを半導体バリヤ領域で形成
   し、該バリヤ領域は反対導電形の不純物でドープさせる
   と共に該バリヤ領域の幅を十分狭くして、該バリヤ領域
   が前記半導体コレクタ領域と共にベース領域から前記一
   導電形のホット電荷キャリヤを収集するためのバルクユ
   ニポーラダイオードを形成するようにし、かつバンドギ
   ャップの広い材料のバンドギャップの大きさをベース−
   コレクタバリヤ領域の半導体材料のバンドギャップより
   も大きくすることを特徴とする特許請求の範囲第１又は
   ２項のいずれか一項に記載のトランジスタ。 ４、ベース−コレクタバリヤ領域と、該ベース−コレク
   タバリヤ領域からヘテロ接合を離間させるコレクタ領域
   の一部との双方にバンドギヤツプが同じ半導体材料を用
   いることを特徴とする特許請求の範囲歳第２項に付随す
   る特許請求の範囲第３項に記載のトランジスタ。 ５、制動電界を発生する一連のヘテロ接合を形成するた
   めに、コレクタ領域内にバンドギャップの広い半導体材
   料製の互いに離間させた一連の層を設けることを特徴と
   する特許請求の範囲第１〜４項のいずれか一項に記載の
   トランジスタ。 ６、ベース−コレクタバリヤをヒ化ガリウムで形成し、
   かつバンドギャップの広い材料をヒ化アルミニウムガリ
   ウムとすることを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項
   のいずれか一項に記載のトランジスタ。 ７、ベース領域が前記一導電形の半導体材料層と、該半
   導体材料よりも高い導電率の薄い金属主成分材料層とを
   交互に具え、金属主成分層が電気抵抗を低減させるのに
   仕えると共に、該金属主成分層を十分薄くして、量子力
   学的トンネル効果を生ぜしめるようにすることを特徴と
   する特許請求の範囲第１〜６項のいずれか一項に記載の
   トランジスタ。 ８、エミッタ−ベースバリヤに最も近い金属主成分層が
   ヘテロ接合を形成し、該ヘテロ接合が、ベース領域内の
   ホット電荷キャリヤをコレクタ領域に向けて加速するの
   に仕える電界をベース領域内に発生させるようにするこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載のトランジ
   スタ。