JP2004114162A - 微細加工ダイヤモンド素子及び微細加工ダイヤモンド素子作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイヤモンド素子1は、基板11と、基板11上に等間隔に配列されており、複数のダイヤモンドから成ると共に側面が平坦面である四角柱12(微細突起)を備えている。端面12fは、長辺の長さがa[nm]、短辺の長さがka[nm]の四角形であり、短辺側の側面にSiO2薄膜13が形成されている。ただし、長辺の長さa[nm]、短辺の長さka[nm]は下記式(1)及び(2)の関係式を満たす。
【数1】
C1:四角柱12の内部で発生した光が四角柱12の側面で反射しつつ同一周回路を周回するときの一周の距離[nm]
n:任意の正の整数
λ:四角柱12を構成するダイヤモンドの発光ピーク波長λ[nm]
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子等に用いられる微細加工ダイヤモンド素子及び微細加工ダイヤモンド素子作製方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の発光素子に用いられる微細加工ダイヤモンド素子としては、例えばNew Diamond (Japan New Diamond Forum) Vol.17 No.4 (2001) 10頁以下に示されているように任意の形状のダイヤモンド柱にPN接合面を形成するものがあった。
【0003】
【特許文献1】特開2002−075171号公報
【非特許文献1】New Diamond (Japan New Diamond Forum) Vol.17 No.4 (2001) 10頁以下
【非特許文献2】第47回応用物理学関係連合講演会−講演予稿集 No.1 30a−YQ−3(377頁)
【非特許文献3】第46回応用物理学関係連合講演会−講演予稿集 No.1 30p−M−12(415頁)
【非特許文献4】第62回応用物理学関係連合講演会−講演予稿集 No.3 13a−ZK−5(782頁)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の発光素子に用いられる微細加工ダイヤモンド素子では発光効率が不十分であった。
【0005】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、発光効率を向上させる形状の微細加工ダイヤモンド素子を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、基板上に、ダイヤモンドを含んで成る断面四角形の柱状体が少なくとも一つ形成されており、柱状体の断面における長辺及び短辺の長さが下記式(1)及び(2);
【数9】
C1:柱状体の内部で発生した光が柱状体の側面で反射しつつ同一周回路を周回するときの一周の距離[nm]
n:任意の正の整数
λ:ダイヤモンドの発光ピーク波長[nm]
a:長辺の長さ[nm]
k:短辺の長さの長辺の長さに対する比
で表される関係式を満たすものであることを特徴とする。
【0007】
また、上記課題を解決するために、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、基板上に、ダイヤモンドを含んで成る断面略正六角形の柱状体が少なくとも一つ形成されており、柱状体の断面における辺の長さが下記式(3)及び(4);
【数10】
C2:柱状体の内部で発生した光が柱状体の側面で反射しつつ同一周回路を周回するときの一周の距離[nm]
n:任意の正の整数
λ:ダイヤモンドの発光ピーク波長[nm]
b:辺の長さ[nm]
で表される関係式を満たすものであることを特徴とする。
【0008】
また、上記課題を解決するために、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、基板上に、ダイヤモンドを含んで成る断面円状の柱状体が少なくとも一つ形成されており、柱状体の断面における半径の長さがr[nm]であり、柱状体の内部で発生した光が柱状体の側面で反射しつつ同一周回路を周回するときの周回路が、中心から角までの距離がr[nm]である正多角形として表され、
正多角形の外周の長さC3[nm]が下記式(5)及び(6);
【数11】
n:任意の正の整数
λ:ダイヤモンドの発光ピーク波長[nm]
r:半径[nm]
で表される関係式を満たすものであることを特徴とする。
【0009】
柱状体の内部で発生した光の一部は柱状体の側面で反射しつつ、柱状体の内部を周回する。上記の関係式が満たされることにより、かかる周回路の一周分の距離は、ダイヤモンドの発光ピーク波長の略整数倍に該当することになる。そのため、発光ピーク波長の光(柱状体の長さ方向に対し垂直に進行する光及び柱状体の長さ方向に僅かな進行成分を含む光)が柱状体の内部で共振し、減衰することなく外部に取り出される。その結果、発光効率が向上する。
【0010】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の側面がダイヤモンド結晶面から成る平坦面を含んで構成されていることが好適である。
【0011】
また、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、ダイヤモンド結晶面が(100)面であることが好適である。
【0012】
側面がダイヤモンド結晶面から成るきれいな平坦面であることにより、側面における光の反射が規則的になる。そのため、柱状体の内部で発生した光が定常波になりやすい。ダイヤモンド結晶面が(100)面であるときにもっともきれいな平坦面が形成される。
【0013】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の幅w1が下記式(7);
【数12】
で表され、幅w1が500nm以下であることが好適である。
【0014】
また、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の幅w2が下記式(8);
【数13】
で表され、幅w2が500nm以下であることが好適である。
【0015】
また、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の直径が500nm以下であることが好適である。
【0016】
柱状体の幅(直径)が500nm以下であるとき、キャリア(電子・正孔)の閉じ込めが十分なものとなり、再結合確率が増加して発光しやすい。柱状体の幅(直径)(サイズ)とカソードルミネッセンス強度との関係を表1に示す。
【0017】
【表1】
【0018】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の幅w1が下記式(7);
【数14】
で表され、柱状体の高さの幅w1に対する比が2以上であることが好適である。
【0019】
また、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の幅w2が下記式(8);
【数15】
で表され、柱状体の高さの幅w2に対する比が2以上であることが好適である。
【0020】
また、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の高さの柱状体の直径に対する比が2以上であることが好適である。
【0021】
アスペクト比(柱状体の高さの幅又は直径に対する比をアスペクト比という。)が2以上であるときに、キャリア(電子・正孔)が基板側に逃げにくくなり、再結合確率が増加して発光しやすくなる。アスペクト比とカソードルミネッセンス強度との関係を表2に示す。
【0022】
【表2】
【0023】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体における断面面積の柱状体全面積に対する比が1/10以下であることが好適である。
【0024】
柱状体における断面面積の柱状体全面積に対する比が1/10以下のときに、キャリア(電子・正孔)が基板側に逃げにくくなり、再結合確率が増加して発光しやすくなる。面積比とカソードルミネッセンス強度との関係を表3に示す。
【0025】
【表3】
【0026】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体が等間隔に配列されていることが好適である。
【0027】
かかる構成により微細加工ダイヤモンド素子を適用したデバイスが作製しやすくなる。一方、取り出した波長に合わせた周期を与えることによって単色化やレーザ化などに応用することが可能となる。
【0028】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の側面の一部に、ダイヤモンドよりも屈折率の低い光透過膜が形成されたことが好適である。
【0029】
柱状体の側面で反射を繰り返す光がこの光透過膜を介して外部に取り出される。
【0030】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子製造方法は、反応室中にダイヤモンド基板に近接して金属を設置した上、反応室中でダイヤモンド基板に対してリアクティブイオンエッチングを行うエッチングステップを含むことを特徴とする。
【0031】
フォトリソグラフィーでは不可能な微細なマスクを形成することができる。
【0032】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子製造方法は、直径500nm以下の整列された微細Alドットをダイヤモンド基板にパターニングし、CF4の流量比が3%以下であるCF4/O2ガスが導入された反応室中でダイヤモンド基板をリアクティブイオンエッチングすることが好適である。
【0033】
かかる製造方法により、整列した柱状体が形成される。また、取り出す波長に合わせた間隔で整列させることもでき、外部で共振させることにより単色化したり、レーザ光にすることができる。ここで、基板が単結晶のものや面内に高配向したものを利用すると、後のプロセスで柱状体の向きを自動的にそろえることができ好都合である。
【0034】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子製造方法は、エッチングステップにおいて、反応室中に、反応ガスとしてCF4の流量比が3%以下であるCF4/O2ガスが導入されることが好適である。
【0035】
プラズマガスが酸素のみであると一つの突起の先端部に多数本の針状部が形成されるが、CF4が1〜3%添加されることにより針状部の本数は個々の独立した一本になる。
【0036】
本発明の微細加工ダイヤモンド素子製造方法は、エッチングステップにより微細突起が形成されたダイヤモンド基板を、主として水素から成るガスのプラズマに曝すダイヤモンド結晶面形成ステップを更に含むことが好適である。
【0037】
柱状体の側面がダイヤモンド結晶面に再構成される。
【0038】
上記課題を解決するために、本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、基板上に、ダイヤモンドを含んで成ると共に最大外径が50nm以下である断面四角形の柱状体が少なくとも一つ形成されており、柱状体の断面における長辺及び短辺の長さが下記式(9)及び(10);
【数16】
n:任意の正の整数
m:任意の正の整数
γ:ダイヤモンド中における電子又は正孔のドブロイ波長[nm]
a:長辺の長さ[nm]
k:短辺の長さの長辺の長さに対する比
で表される関係式を満たすものであることを特徴とする。
【0039】
長辺方向及び短辺方向に進行する電子(正孔)のドブロイ波が定常波を形成することにより、ダイヤモンド中の電子が励起されやすくなる。その効果は、電子(正孔)を閉じ込める柱状体が断面最大外径50nm以下の狭い幅であるときに顕著になる。その結果、発光効率が向上する。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【0041】
(第1実施形態)
まず、第1実施形態の微細加工ダイヤモンド素子(ダイヤモンド素子1)の構造を説明する。図1は、ダイヤモンド素子1を簡略化した模式図である。ダイヤモンド素子1は、基板11と、基板11上に等間隔に配列されており、ダイヤモンドから成ると共に側面が平坦面である複数の四角柱12(微細突起)を備えている。四角柱12を構成するダイヤモンドは、電子ビーム照射、X線照射、光励起、電流注入、加熱などの励起手段に対して発光特性を有し、かつ発生する光のスペクトル全体はブロードであったり、急峻であったりするが、特に光度が強くなる波長(発光ピーク波長λ[nm])を有する。なお、発光効率が劣ることになるが、発光ピーク波長に代えて他の波長成分に合わせて柱状体(四角柱12)の断面形状を設計し、所望の波長成分の光を取り出すことも考えられる。
【0042】
四角柱12を構成するダイヤモンドとしてはヘテロエピタキシャルダイヤモンドや高配向ダイヤモンド膜(面方位が5°以内で揃っていることが好適である。)などを用いることもできる。また、基板11の材質に限定はない。ただし、高配向ダイヤモンド膜基板においては粒子のサイズを突起のサイズの2倍程度にしておく必要がある。これによって電気的な供給を粒界の影響から除去しておく効果がある。
【0043】
各四角柱12の一側面にはSiO2薄膜13(図1には示されていない。)が形成されている。四角柱12は、ダイヤモンド及びSiO2よりも屈折率の低い物質で覆われている。この低屈折率物質の状態に制限はなく、気体でも、他の個体材質であってもよい。例えば空気を四角柱12の周囲に充満させるのが好適である。また、四角柱12の周囲は真空であってもよい。
【0044】
図5は、四角柱12の端面12fの形状を示す。図5Aに示すように、端面12fは、長辺の長さがa[nm]、短辺の長さがka[nm]の四角形であり、短辺側の側面にSiO2薄膜13が形成されている。ただし、長辺の長さa[nm]、短辺の長さka[nm]は下記式(1)及び(2)の関係式を満たす。
【0045】
【数17】
C1:四角柱12の内部で発生した光が四角柱12の側面で反射しつつ同一周回路を周回するときの一周の距離[nm]
n:任意の正の整数
【0046】
四角柱12の幅w1(下記式(7)で表されるように、対角線の長さで定義される。)は、四角柱12の高さの1/2以下(アスペクト比が2以上)であり、かつ500nm以下になるように調整されている。
【0047】
【数18】
【0048】
また、端面12fの面積は、四角柱12の柱状体全面積の1/10以下になるように調整されている。
【0049】
次に、ダイヤモンド素子1の作用・効果を説明する。間接遷移型のバンド構造を有するダイヤモンドではキャリア(電子・正孔)の寿命が比較的長いので、上記のように四角柱12を幅の狭い、縦長の形状にし、キャリア(電子・正孔)を狭いダイヤモンド結晶構造中に閉じ込めることにより、電子−正孔対が再結合して発光しやすくなる。
【0050】
四角柱12は低屈折率物質で覆われているので、四角柱12内部で発生した光の一部は四角柱12の側面で反射を繰り返す。図5Aに、低い入射角度で側面に到達し、側面で反射しつつ進行する光の経路が示されている。かかる進行経路を一周する距離は、上記式(1)の右辺、すなわち端面12fの対角線の長さの2倍に相当する。したがって、端面12fの長辺の長さa[nm]及び短辺の長さka[nm]が上記式(1)の関係式を満たすように調整されることにより、光(柱状体の長さ方向に対し垂直に進行する光又は柱状体の長さ方向に僅かな進行成分を含む光)は進行経路において定常波となる。そのため、四角柱12内部で光が共振し、減衰することなく光が外部に取り出される。四角柱12内部で発生した光は、四角柱12の側面又は端面12fから少しずつ漏れていくが、本実施形態では一側面にダイヤモンド(屈折率:2.5)よりも屈折率の低いSiO2薄膜13(屈折率:1.5)が形成されているので、SiO2薄膜13を介して光が外部に出射しやすくなる。
【0051】
端面12fの形状は正方形(k=1)であってもよい。図5Bに、端面12fが正方形であるときに側面で反射しつつ進行する光の経路を示す。
【0052】
四角柱12の側面が平坦面であるので、側面における光の反射が規則的になる。そのため、四角柱12内部で発生した光が定常波になりやすい。
【0053】
なお、柱状体の長さ方向に僅かな進行成分を含む光が柱状体の上面から出射するためには、柱状体の上面が突起形状など平坦面でないことが好ましい。この場合、光を上部から取り出せるので、側面にダイヤモンドより屈折率の低い材料を形成しておく必要はない。
【0054】
また、発光させるための励起手段は電子線照射のカソードルミネッセンスであってもよいし、X線による励起であってもよい。また、pn接合型あるいはpin接合型への電気的注入による励起であってもよい。
【0055】
基板11に四角柱12が形成されたダイヤモンド素子1は、トランジスタに適用することもできる。図8は、ダイヤモンド素子1を適用したトランジスタ8の縦断面図である。基板11上には、各四角柱12の間を埋めるように、順次、第1の絶縁膜86、ゲート金属膜84、第2の絶縁膜86が積層されている。ゲート金属膜84と四角柱12は電気的に接続されている。第2の絶縁膜86の上には、四角柱12と電気的に接続するように電極金属膜82が形成されている。基板11及び四角柱12を構成するダイヤモンドは、ホウ素を含有し導電性とされている。
【0056】
ゲート金属膜84と四角柱12との間にはショットキー障壁があり、フェルミー準位の高いゲート金属膜84から四角柱12に電子が流れ込み、四角柱12中に空乏層が生じる。ゲート金属膜84に正負の電圧を印加することにより空乏層の厚さを増減させて、基板11から電極金属膜82へ流れる電流の強さを制御する。
【0057】
四角柱12の幅が狭いほど、電流の制御は容易になる。また、四角柱12の数を多くすることにより高電流を流すことができる。
【0058】
本実施形態のダイヤモンド素子1では、四角柱12の側面が平坦になっているのでゲート金属膜84との電気的接続が良好になる。そのため、空乏層の厚さの制御が容易になる。
【0059】
(第2実施形態)
まず、第2実施形態の微細加工ダイヤモンド素子(ダイヤモンド素子2)の構造を説明する。図2は、ダイヤモンド素子2を簡略化した模式図である。ダイヤモンド素子2は、基板21と、基板21上に等間隔に配列されており、ダイヤモンドから成ると共に側面が平坦面である複数の六角柱22(微細突起)を備えている。六角柱22を構成するダイヤモンドは、電子ビーム照射、X線照射、光励起、電流注入、加熱などの励起手段に対して発光特性を有し、かつ発生する光のスペクトル全体はブロードであったり、急峻であったりするが、特に光度が強くなる波長(発光ピーク波長λ[nm])を有する。なお、発光効率が劣ることになるが、発光ピーク波長に代えて他の波長成分に合わせて柱状体(六角柱22)の断面形状を設計し、所望の波長成分の光を取り出すことも考えられる。
【0060】
各六角柱22の一側面にはSiO2薄膜23(図2には示されていない。)が形成されている。六角柱22は、ダイヤモンド及びSiO2よりも屈折率の低い物質で覆われている。
【0061】
図6は、六角柱22の端面22fの形状を示す。図6に示すように、端面22fは、一辺の長さがb[nm]の六角形であり、一側面にSiO2薄膜23が形成されている。ただし、一辺の長さb[nm]は下記式(3)及び(4)の関係式を満たす。
【0062】
【数19】
C2:六角柱22の内部で発生した光が六角柱22の側面で反射しつつ同一周回路を周回するときの一周の距離[nm]
n:任意の正の整数
【0063】
六角柱22の幅w2(下記式(8)で表されるように、最長対角線の長さで定義される。)は、六角柱22の高さの1/2以下(アスペクト比が2以上)であり、かつ500nm以下になるように調整されている。
【0064】
【数20】
【0065】
また、端面22fの面積は、六角柱22の柱状体全面積の1/10以下になるように調整されている。
【0066】
次に、ダイヤモンド素子2の作用・効果を説明する。六角柱22は低屈折率物質で覆われているので、六角柱22内部で発生した光の一部は六角柱22の側面で反射を繰り返す。図6に、低い入射角度で側面に到達し、側面で反射しつつ進行する光の経路が示されている。かかる進行経路を一周する距離は、上記式(3)の右辺に相当する。したがって、端面22fの一辺の長さb[nm]が上記式(3)の関係式を満たすように調整されることにより、光(柱状体の長さ方向に対し垂直に進行する光又は柱状体の長さ方向に僅かな進行成分を含む光)は進行経路において定常波となる。そのため、六角柱22内部で光が共振し、減衰することなく光が外部に取り出される。六角柱22内部で発生した光は、六角柱22の側面又は端面22fから少しずつ漏れていくが、本実施形態では一側面にダイヤモンド(屈折率:2.5)よりも屈折率の低いSiO2薄膜23(屈折率:1.5)が形成されているので、SiO2薄膜23を介して光が外部に出射しやすくなる。その他実施形態1におけると同様の作用・効果を得ることができる。
【0067】
(第3実施形態)
まず、第3実施形態の微細加工ダイヤモンド素子(ダイヤモンド素子3)の構造を説明する。図3は、ダイヤモンド素子4を簡略化した模式図である。ダイヤモンド素子3は、基板31と、基板31上に等間隔に配列されており、ダイヤモンドから成る複数の円柱32(微細突起)を備えている。円柱32を構成するダイヤモンドは、電子ビーム照射、X線照射、光励起、電流注入、加熱などの励起手段に対して発光特性を有し、かつ発生する光のスペクトル全体はブロードであったり、急峻であったりするが、特に光度が強くなる波長(発光ピーク波長λ[nm])を有する。なお、発光効率が劣ることになるが、発光ピーク波長に代えて他の波長成分に合わせて柱状体(円柱32)の断面形状を設計し、所望の波長成分の光を取り出すことも考えられる。
【0068】
図7は、円柱32の端面32fの形状を示す。図7に示すように、端面32fは、半径がr[nm]の円である。ただし、半径r[nm]は、下記式(5)の関係式を満たす範囲内において、半径rの約6倍が発光ピーク波長の整数倍になるように調整されている。
【0069】
【数21】
C3:円柱32の内部で発生した光が円柱32の側面で反射しつつ同一周回路を周回するときの一周の距離[nm]
n:任意の正の整数
【0070】
円柱32の直径は、円柱32の高さの1/2以下(アスペクト比が2以上)であり、かつ500nm以下になるように調整されている。
【0071】
また、端面32fの面積は、円柱32の柱状体全面積の1/10以下になるように調整されている。
【0072】
次に、ダイヤモンド素子3の作用・効果を説明する。円柱32は低屈折率物質で覆われているので、円柱32内部で発生した光の一部は円柱32の側面で反射を繰り返す。図7に、側面で反射しつつ進行する光の経路が示されている。かかる進行経路を一周する距離は、3(31/3)r〜2πr[nm]の範囲内にある。したがって、端面32fの半径r[nm]が、上記式(5)の関係式を満たす範囲内において、半径rの約6倍が発光ピーク波長の整数倍になるように調整されることにより、光(柱状体の長さ方向に対し垂直に進行する光又は柱状体の長さ方向に僅かな進行成分を含む光)は進行経路において定常波となる。そのため、円柱32内部で光が共振し、減衰することなく光が外部に取り出される。その他実施形態1におけると同様の作用・効果を得ることができる。
【0073】
ダイヤモンドは間接遷移型であるが、非常に結合の強いエキシトンを形成し、エキシトン発光をする材料である。微量ではあるがフォノンを伴わないフリーエキシトンの発光が見られたり、TOモードやLOモードのフォノンをn個伴うエキシトン発光が見られたりする。また、エキシトンが多数集まったドロプレットからの発光も見られる。さらに、ボロンや不純物が存在すると束縛されて、バウンドエキシトンの発光が見られたりする。このような発光は、230〜240nmの間で材料中の不純物などの状態によって発光ピークの異なる発光が存在し、いろいろな発光波長の発光を実現できる。また、ボロンが多量に入ると250nmでの発光が見られたり、欠陥が存在すると300〜400nm当たりに室温でブロードな発光が見られたり、バンドAと呼ばれるブロードな発光が420nm当たりに存在する。また、窒素や欠陥起因によるH3センター、NVセンター、GRセンターなど500nmから750nmにかけてあらゆる波長の発光が実現される。以上のように、230nmから可視光にかけての発光波長を実現することができる。このような発光と幾何学的な加工形状を組み合わせることが可能である。
【0074】
図4は、微細加工ダイヤモンド素子の別の実施形態を示す。本発明の微細加工ダイヤモンド素子は、柱状体の先端にダイヤモンドの孤立粒子が乗せられたような形状であってもよい。この場合は、孤立粒子と柱状体の先端との接合面積が小さいので、孤立粒子内部で発生したキャリア(電子・正孔)の閉じ込め効果が顕著になる。
【0075】
上記実施形態では、柱状体の断面形状は、発光波長が共振するように設計されているが、それに代えてダイヤモンド中の電子又は正孔のドブロイ波長が共振するように設計してもよい。すなわち、下記の式(9)及び(10)を満たすように設計される。この場合は、柱状体断面の幅又は直径を50nm以下にする必要がある。
【0076】
【数22】
n:任意の正の整数
m:任意の正の整数
γ:ダイヤモンド中における電子又は正孔のドブロイ波長[nm]
a:長辺の長さ[nm]
k:短辺の長さの長辺の長さに対する比
【0077】
次に、微細加工トランジスタ素子製造方法の実施形態を説明する。まず、単結晶ダイヤモンド基板又は高配向ダイヤモンド膜若しくはヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜が形成されたダイヤモンド以外の材質の基板(Siなど)を用意する。
【0078】
基板上にAl、SiO2などのマスク材料の膜を形成し、フォトリソグラフィー技術でパターニングする。それをマスクとしてエッチングして、高アスペクト比のダイヤモンド突起を形成する。マスクのパターニングにより所望の突起の形状(四角形、正六角形、円形等)及び配列を得ることができる。
【0079】
その後、水素を主原料とするガスのプラズマ中で突起を処理し、ダイヤモンド結晶を再構成することにより側面をダイヤモンド結晶面にすることができる。この場合、ダイヤモンドの面方位が変形する突起の形状に影響を与える。例えば、(100)基板の場合は、側面及び端面に(100)面が現れる四角柱となりやすい。(110)基板の場合は、側面に(110)面又は(100)面が現れる四角柱又は六角柱となりやすい。(111)基板の場合は、側面に高指数面が表れる六角柱となりやすい。
【0080】
突起が高配向ダイヤモンド膜から形成された場合は、プラズマ処理をしても角柱側面における面方位は揃わない。この場合は、プラズマ処理をせずにエッチングプロセスだけで突起の形状を成形することになる。
【0081】
【実施例】
以下、実施例により、本発明の内容を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0082】
(実施例1)
まず、(100)ダイヤモンド基板にAl膜をスパッタリングや蒸着法で形成する。Al膜の厚さは500Å〜2μm程度で、パターニングサイズや突起の高さに応じて決定する。Alとダイヤモンドのエッチング比が10以上であるので、5μm以下の高さの突起の場合は、0.5μmの厚さのAlで十分であった。
【0083】
形成されたAl膜はフォトリソグラフィー技術によって微細パターンが形成された。パターンが微細である場合、Al膜の厚さが薄い方がエッチングしやすい。突起の端面パターンは四角でもよいが円形にした。かかるAl膜をマスクとして、酸素中に1〜3%のCF4を添加したガス中でRIE技術によってエッチングした。プラズマガスが酸素のみであると一つの突起の先端部に多数本の針状部が形成されるが、CF4が1〜3%添加されることにより針状部の本数は最適な一本になる。
【0084】
エッチングがなされたダイヤモンド基板を表4に示される条件でプラズマ処理した。
【0085】
【表4】
その結果、全ての場合において円形の突起は四角柱に整形された。条件によって処理時間の長短の違いはあったが、基本的にダイヤモンドが合成される条件であればメタン濃度を非常に下げ、水素過剰条件あるいは酸素添加条件にすることによって整形は可能であった。パワーが大きく、基板温度が高いほど処理時間は短くなり、整形は困難になった。また、ダイヤモンドが形成できずそれ以外のものができる条件では整形も不可能であった。表1に示す条件の中でも番号1、6及び9ないし13の条件によると、四角柱の側面をきれいな平坦にすることができた。特に、圧力条件10〜30Torr、基板温度650〜850℃の範囲が良好であった。その中でも、圧力条件25Torr、基板温度750℃の条件は制御性、形のきれいさの点で最も優れていた。
【0086】
(実施例2)
(100)ダイヤモンド基板上にフォトリソグラフィーにより等間隔に整列された円形Alマスクを形成し、RIEを施した。その結果、整列した円柱状に近い針状突起が形成された。図9に、円形Alマスクを用いて形成された突起を示す。針状のように見えるのは、Alマスクが非常に小さかったこと、小さいマスクであるにも関わらず非常に深くエッチングすることができたことによる。円形Alマスクが大きい場合は、見た目も円柱の突起ができる。
【0087】
この針状突起に、H2流用100sccm、圧力25Torr、パワー1300W、基板温度750℃、処理時間10〜15分の条件でプラズマ処理を施した。その結果、針状突起は四角柱に整形された。これは、基板の面方位が(100)であったためである。特に細いもので一辺が50nmになった。図10Aに本実施例の四角柱を、図10Bにその部分拡大図を示す。なお、図10に示すように、四角柱の根元には裾が広がるようにダイヤモンドが堆積した。
【0088】
図11Aに本実施例の四角柱の端面を、図11Bにその部分拡大図を示す。図11Aに示すように、端面は正方形のものが多いが、長方形のものもある。これは円形Alマスクのサイズ及び形状のばらつきによる。サイズ及び形状に関して円形Alマスクのパターニング制御が精密であれば、全ての四角柱をほぼ同じ形と大きさに揃えることができる。
【0089】
(実施例3)
反応室内に(100)ダイヤモンド基板に近接して(5cm以内に)マスク材料となる金属を配置した上、このダイヤモンド基板にRIEを施した。マスク材料の破片がダイヤモンド基板上に付着し、マイクロマスクとして機能した。その結果、ランダムに配列された針状突起が形成された。図12に、マイクロマスクを用いて形成された突起を示す。本実施例の方法によって形成されるマイクロマスクのサイズは非常に小さいため、突起は実施例2の場合よりも細く、配列の細かいものになった。特に細いものは一辺が10nm以下になった。
【0090】
この針状突起に、実施例2と同じ条件でプラズマ処理を施した。その結果、針状突起は四角柱に整形された。これは、基板の面方位が(100)であったためである。特に細いもので一辺が50nmになった。図13Aに本実施例の四角柱を、図13Bにその部分拡大図を示す。図14に本実施例の四角柱の端面を示す。
【0091】
(実施例4)
(111)ダイヤモンド基板に、実施例2と同じエッチング及びプラズマ処理(ただし、処理時間は約30分)を施した。その結果、六角柱が形成された。図15に本実施例の六角柱を示す。図16に本実施例の六角柱の端面を示す。図16に示すように、正六角形からずれることもあるが正六角形にすることもできた。側面は低指数面ではないが、エッチングで形成される面よりもきれいな平坦面であった。
【0092】
また、先端とそれを支えている部分との接合部の面積が小さく、孤立粒子が乗っているような突起も観察できた。図17は、先端に孤立粒子のある形態における結晶構造を説明する図である。図17に示すように、先端部だけ(100)面が現れることによって孤立粒子となる。これを利用して、先端に孤立粒子のある形態を作製することができる。
【0093】
(実施例5)
(110)ダイヤモンド基板に、実施例2と同じエッチング及びプラズマ処理(ただし、処理時間は約30分)を施した。その結果、四角柱又は六角柱が形成された。図18に本実施例の四角柱又は六角柱を示す。図19に本実施例の四角柱又は六角柱の端面を示す。図16に示すように、正六角形からずれることもあるが正六角形にすることもできた。Alのサイズや形状を一定に制御することによって正六角形の均一な形状でも可能である。側面は2つの面は(100)面である。残りの面は(100)面又はその他の必ずしも低指数面ではない結晶面が現れたが、エッチングで形成される面よりもきれいな平坦面であった。
【0094】
また、先端とそれを支えている部分との接合部の面積が小さく、孤立粒子が乗っているような突起も観察できた。図20は、先端に孤立粒子のある形態における結晶構造を説明する図である。図20に示すように、先端部だけ(100)面が現れることによって孤立粒子となる。これを利用して、先端に孤立粒子のある形態を作製することができる。
【0095】
(実施例6)
実施例2と同様のエッチングプロセスにより、円柱状の柱状体を備える微細加工ダイヤモンド素子を形成した。試料1として、発光ピーク波長が500nmとなるようにホウ素、窒素などの含有量が調整されたダイヤモンド基板が用いられた。また、試料2として、発光ピーク波長が400nmとなるようにホウ素、窒素などの含有量が調整されたダイヤモンド基板が用いられた。
【0096】
(実験結果1)
試料1の微細加工ダイヤモンド素子のカソードルミネッセンス(波長500nmの分光成分)を観察したところ、基板も強い光度を示したが、柱状体の光度は更に強かった。
【0097】
(実験結果2)
試料1の微細加工ダイヤモンド素子のカソードルミネッセンス(波長400nmの分光成分)を観察したところ、基板も柱状体も光らなかった。
【0098】
(実験結果3)
試料2の微細加工ダイヤモンド素子のカソードルミネッセンス(波長500nmの分光成分)を観察したところ、基板は暗いが、柱状体の光度は強かった。
【0099】
(実験結果4)
試料2の微細加工ダイヤモンド素子のカソードルミネッセンス(波長400nmの分光成分)を観察したところ、基板の光度は強かったが、逆に柱状体は暗かった。
【0100】
以上の実験結果から、本実施形態の柱状体は、波長500nmの光を効率的に発光させるが、波長400nmの光を減衰させてしまうことがわかる。これにより、素材となるダイヤモンドの発光ピーク波長の光が共振するように柱状体の形状を調整することによって、言い換えれば柱状体の共振波長と発光ピーク波長が一致するようにダイヤモンドを調整することによって発光効率が向上するという本発明の原理が実証される。
【0101】
また、実験結果1及び3の結果から、柱状体の共振波長と発光ピーク波長が一致するときには、キャリア(電子・正孔)の閉じ込め効果により柱状体における発光効率が向上することがわかる。
【0102】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明により、発光効率を向上させる形状の微細加工ダイヤモンド素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ダイヤモンド素子1を簡略化した模式図である。
【図2】ダイヤモンド素子2を簡略化した模式図である。
【図3】ダイヤモンド素子3を簡略化した模式図である。
【図4】微細加工ダイヤモンド素子の別の実施形態を示す。
【図5】四角柱12の端面12fの形状を示す。
【図6】六角柱22の端面22fの形状を示す。
【図7】円柱32の端面32fの形状を示す。
【図8】ダイヤモンド素子1を適用したトランジスタ8の縦断面図である。
【図9】円形Alマスクを用いて形成された突起を示す。
【図10】図10Aは実施例2の四角柱を、図10Bはその部分拡大図を示す。
【図11】図11Aは実施例2の四角柱の端面を、図11Bはその部分拡大図を示す。
【図12】マイクロマスクを用いて形成された突起を示す。
【図13】図13Aは実施例3の四角柱を、図13Bはその部分拡大図を示す。
【図14】実施例3の四角柱の端面を示す。
【図15】実施例4の六角柱を示す。
【図16】実施例4の六角柱の端面を示す。
【図17】先端に孤立粒子のある形態における結晶構造を説明する図である。
【図18】実施例5の四角柱又は六角柱を示す。
【図19】実施例5の四角柱又は六角柱の端面を示す。
【図20】先端に孤立粒子のある形態における結晶構造を説明する図である。
【符号の説明】
1、2、3…ダイヤモンド素子、11、21、31…基板、12…四角柱、22…六角柱、32…円柱、12f、22f、32f…端面、13、23…SiO2薄膜、8…トランジスタ、82…電極金属膜、84…ゲート金属膜、86…絶縁膜。
Claims (19)
- 前記柱状体の側面がダイヤモンド結晶面から成る平坦面を含んで構成されている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の微細加工ダイヤモンド素子。 - 前記ダイヤモンド結晶面が(100)面である
ことを特徴とする請求項4記載の微細加工ダイヤモンド素子。 - 前記柱状体の直径が500nm以下である
ことを特徴とする請求項3記載の微細加工ダイヤモンド素子。 - 前記柱状体の高さの前記柱状体の直径に対する比が2以上である
ことを特徴とする請求項3に記載の微細加工ダイヤモンド素子。 - 前記柱状体における断面面積の柱状体全面積に対する比が1/10以下である
ことを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1項に記載の微細加工ダイヤモンド素子。 - 前記柱状体が等間隔に配列されている
ことを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1項に記載の微細加工ダイヤモンド素子。 - 前記柱状体の側面の一部に、前記ダイヤモンドよりも屈折率の低い光透過膜が形成された
ことを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1項に記載の微細加工ダイヤモンド素子。 - 反応室中にダイヤモンド基板に近接して金属を設置した上、前記反応室中で前記ダイヤモンド基板に対してリアクティブイオンエッチングを行うエッチングステップを含む
ことを特徴とする微細加工ダイヤモンド素子作製方法。 - 前記エッチングステップにおいて、前記反応室中に、反応ガスとしてCF4の流量比が3%以下であるCF4/O2ガスが導入される
ことを特徴とする請求項15記載の微細加工ダイヤモンド素子作製方法。 - 直径500nm以下の整列された微細Alドットをダイヤモンド基板にパターニングし、
CF4の流量比が3%以下であるCF4/O2ガスが導入された反応室中で前記ダイヤモンド基板をリアクティブイオンエッチングする
ことを特徴とする微細加工ダイヤモンド素子作製方法。 - 前記エッチングステップにより微細突起が形成された前記ダイヤモンド基板を、主として水素から成るガスのプラズマに曝すダイヤモンド結晶面形成ステップを更に含む
ことを特徴とする請求項15ないし17のいずれか1項に記載の微細加工ダイヤモンド素子作製方法。
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