JP2825929B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JP2825929B2 JP2825929B2 JP2121134A JP12113490A JP2825929B2 JP 2825929 B2 JP2825929 B2 JP 2825929B2 JP 2121134 A JP2121134 A JP 2121134A JP 12113490 A JP12113490 A JP 12113490A JP 2825929 B2 JP2825929 B2 JP 2825929B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- energy
- layer
- semiconductor
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体受光素子に関し、詳しくは超格子構造
を利用し、一定の波長域、特に1.0〜3.0μｍの波長域に
対応し得る半導体受光素子に関する。
を利用し、一定の波長域、特に1.0〜3.0μｍの波長域に
対応し得る半導体受光素子に関する。
［従来の技術］ 最近の光情報処理に必要な光検出デバイスには光波長
領域の広がりとともに高感度化、高速応答性や２次元処
理、信頼性、簡便化の要求を満たす必要性が高くなって
いる。これらの要求に応えるために、かっての光電池、
光電子倍増等から半導体受光素子等が盛んに用いられる
ようになってきている。
領域の広がりとともに高感度化、高速応答性や２次元処
理、信頼性、簡便化の要求を満たす必要性が高くなって
いる。これらの要求に応えるために、かっての光電池、
光電子倍増等から半導体受光素子等が盛んに用いられる
ようになってきている。
このような半導体受光素子として、GaAsやInGaAs等の
半導体が提案されている。
半導体が提案されている。
しかしながら、これらの半導体受光素子は第１図の半
導体エネルギーバンド図に示されるように、半導体基材
の有するエネルギーギャップEg1＝Ec−Ev（Ec:伝導帯エ
ネルギー、Ev:価電子帯エネルギー）よりも大きなエネ
ルギー（ｈν＞Eg1…）、つまり式で決まる波長よ
りも短い波長の光についてのみ感度を有する。
導体エネルギーバンド図に示されるように、半導体基材
の有するエネルギーギャップEg1＝Ec−Ev（Ec:伝導帯エ
ネルギー、Ev:価電子帯エネルギー）よりも大きなエネ
ルギー（ｈν＞Eg1…）、つまり式で決まる波長よ
りも短い波長の光についてのみ感度を有する。
従って、式で決まる波長より長い波長の光に感度を
有する受光素子を作製するには、より小さなエネルギー
ギャップ（Eg2＜Eg1）の半導体基材を用意する必要があ
り、そのために新に原料、装置、作製条件や方法を求め
なければならない。
有する受光素子を作製するには、より小さなエネルギー
ギャップ（Eg2＜Eg1）の半導体基材を用意する必要があ
り、そのために新に原料、装置、作製条件や方法を求め
なければならない。
また受光素子の最適または最大感度およびその半値全
幅は半導体基材そのものでほぼ決定され設計の自由度が
少ない。
幅は半導体基材そのものでほぼ決定され設計の自由度が
少ない。
一方、半導体として多重量子井戸型超格子構造を有す
るものが提案されている。ここでいう多重量子井戸型超
格子構造とは、異なる、２種類以上の半導体薄膜を同一
周期で繰り返し積み重ねて得られ、第２図に示されるよ
うな量子（ポテンシャル）井戸層（Ｂ）と障壁層（Ａ）
を有する量子井戸構造を持つものである。同図において
は、LZは量子井戸層の巾、LBは量子障壁層の厚みを示
し、またΔEc、ΔEvは伝導帯、価電子帯の障壁の高さ
（エネルギーバンドの不連続の大きさ）をそれぞれ示
す。このような多重量子井戸型超格子構造を有する半導
体の一例としてGaAsとAlXGa1-XAsとのヘテロ接合からな
るものがある。
るものが提案されている。ここでいう多重量子井戸型超
格子構造とは、異なる、２種類以上の半導体薄膜を同一
周期で繰り返し積み重ねて得られ、第２図に示されるよ
うな量子（ポテンシャル）井戸層（Ｂ）と障壁層（Ａ）
を有する量子井戸構造を持つものである。同図において
は、LZは量子井戸層の巾、LBは量子障壁層の厚みを示
し、またΔEc、ΔEvは伝導帯、価電子帯の障壁の高さ
（エネルギーバンドの不連続の大きさ）をそれぞれ示
す。このような多重量子井戸型超格子構造を有する半導
体の一例としてGaAsとAlXGa1-XAsとのヘテロ接合からな
るものがある。
この多重量子井戸型超格子構造を有する半導体は、次
のようにして得られるものである。なお、この半導体に
おいて、Al1-XGaXAsのｘを0.3としたものである。
のようにして得られるものである。なお、この半導体に
おいて、Al1-XGaXAsのｘを0.3としたものである。
すなわち、上述した第２図において、半導体基材Ａ
（Al0.3Ga0.7As）と半導体基材Ｂ（GaAs）とを各々厚み
LB（30nm以上）、LZ（10nm以下）にとり交互に積層する
と、Ｂ部に形成される量子井戸層内に、Ｂ（GaAs）部の
伝導帯底より、 ΔEn（h2/2m＊）（πn/LZ）２（ｎ＝1,2,3,…） なるエネルギー位置にサブバンドが形成される。ここで
ΔＥはエネルギー固有値、ｍ＊電子の有効質量、ｈはプ
ランク定数である。また、量子井戸層の価電子帯側にも
同様のサブバンドが形成される。
（Al0.3Ga0.7As）と半導体基材Ｂ（GaAs）とを各々厚み
LB（30nm以上）、LZ（10nm以下）にとり交互に積層する
と、Ｂ部に形成される量子井戸層内に、Ｂ（GaAs）部の
伝導帯底より、 ΔEn（h2/2m＊）（πn/LZ）２（ｎ＝1,2,3,…） なるエネルギー位置にサブバンドが形成される。ここで
ΔＥはエネルギー固有値、ｍ＊電子の有効質量、ｈはプ
ランク定数である。また、量子井戸層の価電子帯側にも
同様のサブバンドが形成される。
ｎ＝１なるレベルΔE1に電子が充満した状態、例えば
GaAsの量子井戸層にｎ型の不純物Si,Sn,Se等を1016cm-3
以上の密度でドーピングし、熱エネルギーによりΔE1レ
ベルに多数の電子が存在する状態において、ΔEc（0.3e
V）よりエネルギーの大きい光（波長＜４μｍ）を照射
するとΔE1レベルの電子はＡの量子障壁層を超えて励起
され自由電子となり、外部電界を印加することにより電
流信号としてとり出せる。
GaAsの量子井戸層にｎ型の不純物Si,Sn,Se等を1016cm-3
以上の密度でドーピングし、熱エネルギーによりΔE1レ
ベルに多数の電子が存在する状態において、ΔEc（0.3e
V）よりエネルギーの大きい光（波長＜４μｍ）を照射
するとΔE1レベルの電子はＡの量子障壁層を超えて励起
され自由電子となり、外部電界を印加することにより電
流信号としてとり出せる。
この場合の光吸収係数の光波長スペクトラムが第３図
に示されるピークである。同図に示されるように、1.0
μｍ未満のGaAsの光吸収に加えて、4.0μｍ近傍に光吸
収のピークが見られる。このピーク半値全幅はGaAs量子
井戸層が１〜２個の場合であり、多数の同一量子井戸層
を形成することにより、ピーク半値全幅は狭められる。
に示されるピークである。同図に示されるように、1.0
μｍ未満のGaAsの光吸収に加えて、4.0μｍ近傍に光吸
収のピークが見られる。このピーク半値全幅はGaAs量子
井戸層が１〜２個の場合であり、多数の同一量子井戸層
を形成することにより、ピーク半値全幅は狭められる。
しかしながら、このような多重量子井戸型超格子構造
を用いても、半導体薄曲の材料を変更することなく、所
望の波長域、特に1.0〜3.0μｍの波長域に対応し得る半
導体受光素子は未だ得らていない。
を用いても、半導体薄曲の材料を変更することなく、所
望の波長域、特に1.0〜3.0μｍの波長域に対応し得る半
導体受光素子は未だ得らていない。
本発明の目的は、半導体基材のエネルギーギャップに
相当する光波長（光吸収端）よりも長い波長域、特に1.
0〜3.0μｍの波長域に対応することができ得る半導体受
光素子を提供することにある。
相当する光波長（光吸収端）よりも長い波長域、特に1.
0〜3.0μｍの波長域に対応することができ得る半導体受
光素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の上記目的は２種類以上の半導体基材薄膜を交
互に積層して作成される超格子構造を形成する半導体薄
膜に、不純物を一定キャリア濃度でドーピングすること
によって達成される。
互に積層して作成される超格子構造を形成する半導体薄
膜に、不純物を一定キャリア濃度でドーピングすること
によって達成される。
すなわち本発明の半導体受光素子は、超格子構造を形
成する半導体薄膜に不純物をドーピングすることによ
り、障壁層および量子井戸層のエネルギーレベルを調整
し、伝導帯障壁層の高さや伝導帯井戸層と隣接する価電
子帯井戸層のエネルギーレベルの差に相当する電子エネ
ルギーの遷移により等量のエネルギーの光を吸収すべく
使用したことを特徴とする。
成する半導体薄膜に不純物をドーピングすることによ
り、障壁層および量子井戸層のエネルギーレベルを調整
し、伝導帯障壁層の高さや伝導帯井戸層と隣接する価電
子帯井戸層のエネルギーレベルの差に相当する電子エネ
ルギーの遷移により等量のエネルギーの光を吸収すべく
使用したことを特徴とする。
本発明に用いられる超格子構造とは、上述のように異
なる２種類以上の半導体薄膜を積み重ねて得られ、第２
図に示されるような量子井戸層と障壁層を有する多重量
子井戸型構造を持つものである。
なる２種類以上の半導体薄膜を積み重ねて得られ、第２
図に示されるような量子井戸層と障壁層を有する多重量
子井戸型構造を持つものである。
この多重量子井戸型超格子構造を構成する半導体基材
は、２種以上の半導体によるヘテロ接合である。また、
ここで用いられる半導体としてはGaAs、AlAs、AlXGa1-X
As、InXGa1-XAs等の周期律表第III族と第Ｖ族の組合
せ、ZnSe、ZnTe等の周期律表第II族と第VI族の組合せ、
GeSe、PbTe等の周期律表第IVと第VI族の組合せ、もしく
はGe、Siといった単一元素半導体が挙げられる。
は、２種以上の半導体によるヘテロ接合である。また、
ここで用いられる半導体としてはGaAs、AlAs、AlXGa1-X
As、InXGa1-XAs等の周期律表第III族と第Ｖ族の組合
せ、ZnSe、ZnTe等の周期律表第II族と第VI族の組合せ、
GeSe、PbTe等の周期律表第IVと第VI族の組合せ、もしく
はGe、Siといった単一元素半導体が挙げられる。
この多重量子井戸型超格子構造は、分子線エピタキシ
ー（MBE）や有機金属気相たい積（MOCVD）法によって得
られるが、特にガスセルを用いるガスソースMBEによっ
て得られたものが皮膜の安定性、均一性等から好ましく
採用される。
ー（MBE）や有機金属気相たい積（MOCVD）法によって得
られるが、特にガスセルを用いるガスソースMBEによっ
て得られたものが皮膜の安定性、均一性等から好ましく
採用される。
本発明では、これらの半導体薄膜に一定のキャリア濃
度を有するドナーやアクセプターといった不純物をドー
ピングし、ｎ型やｐ型とし、障壁層および量子井戸層の
エネルギーレベルを調整する。ｎ型不純物としては、S
i,Ge,Sn等が例示され、また、ｐ型不純物としては、Be,
Mn,Ge等が例示される。このような半導体薄膜に不純物
をドーピングするには、上記したMBE法等による半導体
薄膜の成長時に、不純物を半導体薄膜原料と共に、例え
ば蒸発源セルを用い、これを熱分解したり、電子銃によ
り基板表面に照射することによりなされる。
度を有するドナーやアクセプターといった不純物をドー
ピングし、ｎ型やｐ型とし、障壁層および量子井戸層の
エネルギーレベルを調整する。ｎ型不純物としては、S
i,Ge,Sn等が例示され、また、ｐ型不純物としては、Be,
Mn,Ge等が例示される。このような半導体薄膜に不純物
をドーピングするには、上記したMBE法等による半導体
薄膜の成長時に、不純物を半導体薄膜原料と共に、例え
ば蒸発源セルを用い、これを熱分解したり、電子銃によ
り基板表面に照射することによりなされる。
以下、本発明の内容をさらに詳細に示す。
先ず、半導体基材Ａ（Al0.3Ga0.7As）と半導体基材Ｂ
（GaAs）を用い、多重量子井戸型超格子構造を製造する
際に、半導体基材Ａをｐ型不純物を一定のキャリア濃度
でドーピングし、一方、半導体基材Ｂにｎ型不純物を一
定のキャリア濃度でドーピングすると、第４図に示され
るようなエネルギー帯図となり、伝導帯障壁層の高さに
相当するエネルギーギャップ（ΔEc）がｐ型およびｎ型
不純物量により可変となり、一定波長の入射光によって
伝導帯井戸層のサブレベルに位置する電子は可変の伝導
帯障壁層を超えて自由電子に遷移する。すなわち、例え
ばΔEcが0.6eVのときには光吸収係数の光波長スペクト
ラムは第５図に示されるように、波長2.0μｍ近傍で鋭
角的なピークが得られる。
（GaAs）を用い、多重量子井戸型超格子構造を製造する
際に、半導体基材Ａをｐ型不純物を一定のキャリア濃度
でドーピングし、一方、半導体基材Ｂにｎ型不純物を一
定のキャリア濃度でドーピングすると、第４図に示され
るようなエネルギー帯図となり、伝導帯障壁層の高さに
相当するエネルギーギャップ（ΔEc）がｐ型およびｎ型
不純物量により可変となり、一定波長の入射光によって
伝導帯井戸層のサブレベルに位置する電子は可変の伝導
帯障壁層を超えて自由電子に遷移する。すなわち、例え
ばΔEcが0.6eVのときには光吸収係数の光波長スペクト
ラムは第５図に示されるように、波長2.0μｍ近傍で鋭
角的なピークが得られる。
また、ｎ型またはｐ型不純物の種類やキャリア濃度を
変えることによって、第６図に示されるようなエネルギ
ー帯図となり、価電子井戸層のサブレベルに位置する電
子が隣接する伝導帯井戸層に遷移する。例えば両者の幅
に相当するエネルギーギャップ（ΔEx）が1.2eVのとき
には光吸収係数の光波長スペクトラムは第７図に示され
るように波長1.0μｍ近傍で鋭角的なピークが得られ
る。
変えることによって、第６図に示されるようなエネルギ
ー帯図となり、価電子井戸層のサブレベルに位置する電
子が隣接する伝導帯井戸層に遷移する。例えば両者の幅
に相当するエネルギーギャップ（ΔEx）が1.2eVのとき
には光吸収係数の光波長スペクトラムは第７図に示され
るように波長1.0μｍ近傍で鋭角的なピークが得られ
る。
従って、本発明により半導体基材のエネルギーギャッ
プに相当する光波長（光吸収端）よりも長い波長、特に
1.0〜3.0μｍの波長域において、最大感度を有する半導
体受光素子が不純物のドーピング量を変えることによっ
て任意に得られる。なお、この説明はAlXGa1-XAsとGaAs
の組み合わせの内で、ｘが0.3の場合を使用したが、０
＜ｘ＜１の範囲において同様に適応できる。また、上述
のように他の半導体薄層を組合せた超格子構造でも同様
である。
プに相当する光波長（光吸収端）よりも長い波長、特に
1.0〜3.0μｍの波長域において、最大感度を有する半導
体受光素子が不純物のドーピング量を変えることによっ
て任意に得られる。なお、この説明はAlXGa1-XAsとGaAs
の組み合わせの内で、ｘが0.3の場合を使用したが、０
＜ｘ＜１の範囲において同様に適応できる。また、上述
のように他の半導体薄層を組合せた超格子構造でも同様
である。
［実施例］ 以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明する。
実施例１ ｎ−GaAs基板（キャリア密度ｎ＝２×1018cm-3）上
に、ｎ−GaAsエピタキシャル層（キャリア密度ｎ＝１×
1018cm-3、厚み0.2μｍ）、多重量子井戸型超格子層
（Ａ層はｐ−Al0.3Ga0.7Asでキャリア濃度約３×1017cm
-3のBeをドーピング、厚み300Å;B層はｎ−GaAsで、キ
ャリア濃度約５×1016cm-3のSiをドーピング、厚み80
Å；井戸数約50）、ｎ−GaAsオーミック層（キャリア濃
度ｎ＝１×1018cm-3、厚み0.2μｍ）を順次積層した。
ｎ−GaAs基板側にはAuGe/Ni金属を蒸着し、ｎ−GaAsオ
ーミック層側にはAuGe/Niのリング状電極を形成し、第
８図に示されるような光検出デバイスを得た。
に、ｎ−GaAsエピタキシャル層（キャリア密度ｎ＝１×
1018cm-3、厚み0.2μｍ）、多重量子井戸型超格子層
（Ａ層はｐ−Al0.3Ga0.7Asでキャリア濃度約３×1017cm
-3のBeをドーピング、厚み300Å;B層はｎ−GaAsで、キ
ャリア濃度約５×1016cm-3のSiをドーピング、厚み80
Å；井戸数約50）、ｎ−GaAsオーミック層（キャリア濃
度ｎ＝１×1018cm-3、厚み0.2μｍ）を順次積層した。
ｎ−GaAs基板側にはAuGe/Ni金属を蒸着し、ｎ−GaAsオ
ーミック層側にはAuGe/Niのリング状電極を形成し、第
８図に示されるような光検出デバイスを得た。
ウエハ両面の電極間に直流バイアスを加えると、第５
図に相当する波長で光電流が流れた。
図に相当する波長で光電流が流れた。
実施例２ 半絶縁性GaAs基板上に、アンドーピング型GaAs層（厚
み0.3μｍ）、多重量子井戸型超格子層（Ａ層はｐ−Al
0.3Ga0.7Asでキャリア濃度９×1017〜２×1018cm-3のBe
をドーピング、厚み290Å;B層はｎ−GaAsで、キャリア
濃度約５×1016cm-3のSiをドーピング、厚み80Å；井戸
数約50）、ｎ−GaAsオーミック層（キャリア濃度ｎ＝１
×1018cm-3）を順次積層した。ｎ−GaAsオーミック層面
にAuGe/Ni金属による対向電極を形成し、第９図に示さ
れるような光検出デバイスを得た。
み0.3μｍ）、多重量子井戸型超格子層（Ａ層はｐ−Al
0.3Ga0.7Asでキャリア濃度９×1017〜２×1018cm-3のBe
をドーピング、厚み290Å;B層はｎ−GaAsで、キャリア
濃度約５×1016cm-3のSiをドーピング、厚み80Å；井戸
数約50）、ｎ−GaAsオーミック層（キャリア濃度ｎ＝１
×1018cm-3）を順次積層した。ｎ−GaAsオーミック層面
にAuGe/Ni金属による対向電極を形成し、第９図に示さ
れるような光検出デバイスを得た。
直流バイアスを印加すると、第７図に対応する波長で
光電流が得られた。
光電流が得られた。
［発明の効果］ 従来の受光素子が受光波長ごとに異なる半導体基材を
使用せざるを得なかったのに対し、本発明によると、次
のような効果を奏する。
使用せざるを得なかったのに対し、本発明によると、次
のような効果を奏する。
（１）同一材料を使用し、超格子構造を形成する半導体
薄膜の不純物のドーピング量を変化させるのみで、受光
波長に最適感度を有する受光素子を設計できる。
薄膜の不純物のドーピング量を変化させるのみで、受光
波長に最適感度を有する受光素子を設計できる。
（２）最適受光感度を有する波長を連続的に変化させた
受光素子を設計できる。
受光素子を設計できる。
（３）吸収波長域上、従来使用できなかった半導体基材
が使用できるようになった。
が使用できるようになった。
第１図は、単一半導体のエネルギーバンド図、 第２図は、多重量子井戸型超格子構造のエネルギー帯
図、 第３図は、GaAsの吸収係数および多重量子井戸型超格子
構造の光吸収係数の光波長スペクトラム、 第４図は、本発明に係る多重量井戸型超格子構造のエネ
ルギー帯図の一例、 第５図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの一例、 第６図は、本発明に係る多重量井戸型超格子構造のエネ
ルギー帯図の他の例、 第７図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの他の例、そして、 第８〜９図は、実施例１〜２によりそれぞれ得られた光
検出デバイス。
図、 第３図は、GaAsの吸収係数および多重量子井戸型超格子
構造の光吸収係数の光波長スペクトラム、 第４図は、本発明に係る多重量井戸型超格子構造のエネ
ルギー帯図の一例、 第５図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの一例、 第６図は、本発明に係る多重量井戸型超格子構造のエネ
ルギー帯図の他の例、 第７図は、本発明に係る多重量子井戸型超格子構造の光
吸収係数の光波長スペクトラムの他の例、そして、 第８〜９図は、実施例１〜２によりそれぞれ得られた光
検出デバイス。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/10
Claims (2)
- 【請求項１】２種類以上の半導体基材薄膜を交互に積層
して作成される量子井戸層と障壁層を有する多重量子井
戸型構造の超格子構造を形成する半導体薄膜に、不純物
をドーピングすることにより、前記障壁層および前記量
子井戸層のエネルギーレベルを調整し、 隣接する伝導帯側の量子井戸層と伝導帯側の障壁層間
で、その伝導帯側の量子井戸層内の量子化レベルにある
電子が、受光した光吸収により前記伝導帯側の障壁層以
上に光励起されて自由電子になるように構成したもので
あり、 かつ、前記超格子構造に垂直にバイアスを印加すること
により前記伝導帯側の障壁層の高さに相当するエネルギ
ーギャップを光吸収領域として使用するようにしたこと
を特徴とする半導体受光素子。 - 【請求項２】２種類以上の半導体基材薄膜を交互に積層
して作成される量子井戸層と障壁層を有する多重量子井
戸型構造の超格子構造を形成する半導体薄膜に、不純物
をドーピングすることにより、前記障壁層および前記量
子井戸層のエネルギーレベルを調整し、 かつ、前記超格子構造に平行にバイアスを印加すること
により伝導帯井戸層と隣接する価電子帯井戸層のエネル
ギーレベルの差に相当する電子エネルギーの遷移により
等量のエネルギーの光を吸収すべく使用したことを特徴
とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121134A JP2825929B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121134A JP2825929B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0418765A JPH0418765A (ja) | 1992-01-22 |
| JP2825929B2 true JP2825929B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=14803717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2121134A Expired - Fee Related JP2825929B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2825929B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894526A (en) * | 1987-01-15 | 1990-01-16 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Infrared-radiation detector device |
| JPS63241556A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS63241554A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6459978A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Fujitsu Ltd | Method of controlling forbidden band width of semiconductor superlattice |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2121134A patent/JP2825929B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418765A (ja) | 1992-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9178089B1 (en) | Strain-balanced extended-wavelength barrier detector | |
| US7863516B2 (en) | Solar cell with epitaxially grown quantum dot material | |
| US5034794A (en) | Infrared imaging device | |
| US5322573A (en) | InP solar cell with window layer | |
| US11404591B2 (en) | Methods and apparatuses for improved barrier and contact layers in infrared detectors | |
| US5121181A (en) | Resonant tunneling photodetector for long wavelength applications | |
| JPH10326906A (ja) | 光検出素子及び撮像素子 | |
| JPH0821727B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JPH0570309B2 (ja) | ||
| JPH0243777A (ja) | 量子井戸放射線検出素子 | |
| WO2023141895A1 (zh) | 红外探测器及其制备方法 | |
| JP3157509B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| US5912480A (en) | Heterojunction semiconductor device | |
| JP2825929B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP6764705B2 (ja) | 赤外線受光素子 | |
| JPH06302846A (ja) | デルタドーピングされた半導体を利用した赤外線光検出器 | |
| JP2825930B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0493088A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| US5132763A (en) | InAs hole-immobilized doping superlattice long-wave-infrared detector | |
| JPH08204215A (ja) | 直列接続型太陽電池 | |
| JP2825957B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| US20180308999A1 (en) | Semiconductor light receiving device | |
| JP2695092B2 (ja) | 超格子受光素子 | |
| CN113972292B (zh) | 一种基于InP基带隙可调的结构及光电转换器件 | |
| JPH03165071A (ja) | 半導体受光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |