JPH0243777A - 量子井戸放射線検出素子 - Google Patents

量子井戸放射線検出素子

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JPH0243777A
JPH0243777A JP1145036A JP14503689A JPH0243777A JP H0243777 A JPH0243777 A JP H0243777A JP 1145036 A JP1145036 A JP 1145036A JP 14503689 A JP14503689 A JP 14503689A JP H0243777 A JPH0243777 A JP H0243777A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する技術分野] 本発明は電磁放射線によるm子片戸内でのキャリア励起
に基づく検出素子に関する。
[従来技術の説明] 陸上の光通信では1マイクロメータ附近の波長は最近よ
く使われるため、可視及び近可視電磁放射線の検出及び
変調は急速に発展したのに対して、赤外線素子の分野は
余り発展していないままである。実際の長波長赤外線検
出素子はテルル水銀カドミウムあるいはドープシリコン
のような材料の光電活動に基づくが、化合物半導体材料
を用いる量子井戸検出器はほとんど理論的な注目しか受
けていない。後者に関連する代表的な報告は次に挙げら
れる。
デイ−・デイ−・コーン(D、D、Coo口)らは、1
984年のアプライド・フィジクス・レターズ(App
lied Physics [、eLters)第45
巻第649−651頁の論文“量子井戸を用いる新モー
ドIR検出の新しいモード“で、半導体の局在不純物レ
ベルでの電荷消耗に基づく赤外放射線検出を発表し、そ
こに電界が与えられ、電荷消耗は単一AlxGa1−x
As/GaAs/A I、Ga1−、As対称量子井戸
からの光電子放射の形をとると、記載している;ジェー
・ニス・スミス(J、S、Sm1th)らは、1983
年のジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス8アン
ド0テクノロジ(Jour口al orVacuum 
5cicnce and Technology)第8
1巻第37[1−378頁の論文“マルチ量子井戸から
の電子放射を用いる新しい赤外検出器“で、複数のG 
a A s / G a A IA S W子井戸の利
用を発表し、そこから電子は自由キャリア吸収によって
励起されると記載している。また1986年10月28
日にニス・マーガリスト(S、Margal 1st)
らに付与されたアメリカ特許第4620.214号をも
り照のこと。
エル・エサキ(L、Esaki)らは、1977年の1
8Mテクニカル・ディスクローチャ・ビュレッチン(I
BM Technical Disclosure B
ulletin)第20巻第2456−2457頁の文
献“新しいフォトコンダクタ“で、超格子構造を発表し
、そこでは量子井戸の最低サブハンドの電子は基本的に
は静止で、第2サブバンドの電子はかなりの可動性を有
すると記載している。
また典型的には千計1されたような価電子帯から伝導帯
への電子のフォトニック励起の提案も行なわれている。
これについての代表例は次のようなものである 1985年6月25日にティー・アイ・チャペル(T。
1、Chappel l)らに付与されたアメリカ特許
第4.525.731号、1984年3月27日にエフ
・ホロニヤツク(N、l1olonyak)に付与され
たアメリカ特許第4,439.782号1986年8月
190にジー・シー・オスポーン(G、C,0’5bo
urn)らに付与されたアメリカ特許第4、G07.2
72号、1984年5月220にアール・チン(1?、
Chin)に付与されたアメリカ特許第4,450.4
83号及び1986年のアプライド・フィジクス・レタ
ーズ第48巻第1294−1296頁のエフ・カバッソ
(F。
Capasso)らの文献“量子井戸超格子内の新しい
なたれ倍増現象:バンドエツジ不連続におけるイオン化
効果”である。
共鳴サブバンド間吸収及びトンネリングによる光電子発
生に基づく検出器は、ビー・エフ・レビネ(B、F、L
evine)らによって1987年のアプライド・フィ
ジクス・レターズ第51巻第934−936頁の文献“
10μmサブバンド間吸収及びフォト励起トンネリング
による童子井戸なだれ倍増゛で発表された。次に述べら
れる本発明は、フォトキャリアの収集効率を増加させる
と同時に暗電流を低いレベルに保つ要望から来る。
(発明の概要) 本発明は、単一束縛エネルギー状態を釘する量子片戸内
でのキャリアのフォトニック励起に関する。キャリア電
子の場合、励起は伝導帯束縛エネルギー状態から伝導帯
連続状聾へ起こり、キャリアホールの場合、励起は価電
子帯束縛エネルギー状態から価電子帯連続状態へ起こる
。バイアス電圧が存在するときのキャリアの収集は、例
えば、電圧、電流あるいは抵抗の変化のような電気的な
効果をもたらす。単一束縛エネルギー状態を提供するた
めに、量子井戸は比較的狭い帯域を有し、暗電流を制限
するために、障壁は比較的に広い。
望ましい素子の障壁幅は量子井戸幅よりかなり大きく、
障壁幅は少なくとも量子井戸幅の3倍であるのが望まし
い。
望ましい放射線検出器は、半導体格子の手段によって実
現される1夏数の量子井戸、つまり層構造を含み、そこ
でインタリーブされた層か量子井戸及び障壁層として働
く。例えば、超格子はへテロ構造として製作されること
ができ、そこで量子井戸及び障壁層は異なる材料から構
成され、また超格子構造は、ドーピングレベルを周期的
に変化させることによって同種材料にも製作できる。ピ
ーク吸収波長は材料の選択に依存し、本発明の素子は3
μmから15μmの所定の波長の赤外線吸収に設計でき
るが、それ以上及びそれ以下の波長でもよい。
本発明の素子は高速能力を有し、ヘテロダイン受信器の
利用に適している。この様な素子は光通信、特に外空間
、例えば衛生通信に利用することができる。また、本発
明の実施例による赤外線検出器は地形図製作及び赤外探
索にも利用できる。
(実施例の説明) 第1図は入射放射線hν用の角度付面を何する基板11
を示す。基板11は第1コンタクト層12、超格子13
を形成するインタリーブされた第1及び第2半導体層、
及び第2コンタクト層14を支持する。
コンタクト層12と14にバイアス電圧が与えられると
、これらのコンタクト間の電流は放射線hνの強度に直
接関連する。
第2図は、第1図の超格子13を形成する第1と第2の
半導体層による障壁22の間の量子井戸21を示す。量
子井戸21内のキャリア(電子、ホール)には単一束縛
エネルギー状態24か存在し、障壁の高さは、入射放射
線hνが束縛キャリアを連続エネルギーバンド23へ励
起するように選択される。
暗電流を制限するために、障壁は量子井戸よりかなり広
い。
第3図は、他の基本的に同種の半導体材料で局所ヘビー
ドーパント濃縮(“スパイク”)によって生成された障
壁32間のV型量子井戸31を示す。
量子井戸31のキャリアには単一束縛エネルギー状態3
4が存在し、障壁の高さは、ある入射放射線hνが束縛
されているキャリアを連続エネルギーバンド33へ励起
するように選択される。また障壁は比較的広<、量子井
戸及び障壁の幅は便利のため、束縛エネルギー状態のレ
ベルで測定されたものと定義される。例えば方形及び台
形のような他の井戸形状も除外されるものではない。
第4図の横軸は、cIl−1を単位とするフォトンエネ
ルギーhν(あるいはμmを単位とする波長λ)を、縦
軸は応答特性(V/Wをtp位とするRv)を示す。こ
の図は、実施例で述べるようなガリウム砒素とアルミガ
リウム砒素のインタリーブされた層の50周期の超格子
に4vのバイアス電圧を与え、77にの温度で行われた
測定に基づく。
第5図は、入射放射線hνを検出器52に結合するため
に(透明な)基板11に取り付けられたプリズム51を
示し、それぞれの検出器は第1図に示されたものである
。望ましい放射線カプラは、超格子上に入射する電磁放
射の電界ベクトルが超格子に垂直な成分を有するように
放射線を結合する。
このような結合機能はまたグレーティングによっても行
なうことができる。
第6図は(透明な)基板11上の検出器52を示し、入
射放射線hνは反射グレーティング61の手段によって
検出器52に結合される。図示されている(二次元と理
解される)検出器アレーは例えば、カメラの焦平面媒質
として使用できる。グレーティングの代わりに、拡散散
乱(荒らされた)表面も結合に利用できる。
第7図は、コンタクト層12を有する基板11にょって
支持されるコンタクト層14.73に関する2つの超格
子71と72を示す。超格子71と72は、ある異なる
波長で吸収をもたらすように選択された異なる材料より
生成される。  ある入射放射線成分hν とhν2は
それぞれ超格子71と72によって吸収され、電圧V1
とv2を生成するように示されている。簡単のために第
7図では放射線は超格子に垂直入射のように示されてい
るが、光学結合は第1図、第5図及び第6図に示される
形のいずれでもよい。第7図に示されるスタック配置は
コンタクト73を省略することによってスペクトロメー
タとして使用でき、コンタクト12と14との間には、
広いスペクトル応答が得られる。広いあるいは所定のス
ペクトル応答を実現するには、適当な数の量子井戸がコ
ンタクト12と14の間に存在する限り、擬量子井戸の
組合が必要とされない。逆に高い波長選択性を必要とす
る応用では量子井戸の高均一性が望ましい。
第7図のスタック配置を第6図のアレーと結合すること
によってカラーカメラが実現できる。カラーカメラはス
タック状センサがなくても実現でき、そのとき異なる波
長でピーク感度を有する検出器は焦平面アレーに、例え
ば周期的に交換する形で配置される。
検出器アレーは、第8図に示されるよう付属の電子部品
とモノリシック的に共通基板上に集積されるのか望まし
い。第8図は基板ll上の検出器アレー81を示し、ア
レー81は例えば第6図のように検出器の二次元配置か
らなる。検出器は電気的には、行処理電子部品82及び
列処理電子部品83に接続され、それらはイメージ処理
装置84と一緒に基板11上に配置される。
超格子検出器構造は、適当な■属、■−V属あるいは■
−■属材料のインタリーブされた第1及び第2層によっ
ても実現できる。1つの実施例では■原材料が用いられ
、量子井戸はp−ドープされ、素子動作は価電子帯キャ
リアの励起に関係する。伝導帯電子の励起に関係する他
の実施例は、n−ドープ量子井戸を有する■−V属ある
いは■■属材料の利用に基づく。他のドーピングでもよ
い。
8から14μmの“大気の窓“の波長の検出に非常に適
するのは、ガリウム砒素量子井戸及びアルミニウムガリ
ウム砒素障壁層を有するヘテロ構造素子である。10μ
mの放射線の検出に適する量子井戸幅は6.5ni以下
で、適する障壁幅は少なくとも2OnIIである。他の
典型的な■−v属材料系は、アルミニウムインジウム砒
素とインジウムガリウム砒素の組合わせ、及びインジウ
ム燐、インジウムガリウム砒素量の組合わせである。
さらに、許容できる低暗電流を保つには、n−タイプ素
子のドーピングは5X1018C11−3以下が望まし
く、 同様にp−タイプ素子のドーピングは5 X 1
1019cI’以下が望ましい。さらに暗電流は障壁の
形に依存し、それは方形、ステップ状あるいはグレード
状(例えば線状にあるいは放射線状)であることができ
、また障壁の形状は、励起されたキャリアが輸送され、
収集される容易さにも影響する。
素子の製造は典型的には、例えば分子ビームエピタキシ
(MBE)あるいは金属有機化学蒸着(MOCVD)で
実現されるような高制御条件での基板上の超格子製造に
関係する。そのような製造技術は例えば、ニー・ワイ・
チョウ(A、Y、Cho)によって文献“■−v属化金
化合物半導体材料素子の最近の発展”の中で、スプリン
ガーハーラグ(Springer−Verlag)出版
の1985年第17回半導体物理国際会議論文集(Pr
oceedings of the 17th InL
ernatiOnal  Conference  o
n  tl+e  Physics  or  Sem
+conauctors)第1515−1524頁のジ
エー・デー・チャデイ (J、D、Chadi)らの文
献、及びアール・デー・デュプイス(R,D、Dupu
js)によって、1984年のサイエンス第226巻筒
023−829頁の文献“■V属半導体の金属有機化学
蒸着(MOCVD)”の中で述べられている。
本発明の検出器の利点(例えば水銀カドミウムテルル検
出器と比べて)は次のものである。
(1)適当な大きなサイズ、高品質、安価な基板が簡単
にてきる。
(2)良い■−v属と■属成長、処理、及びバッシベー
ション技術、特に高均一性、再現性、及び直径3インチ
(約7.6cm)あるいはそれ以上の基板上における位
置制御ををする分子ビームエピタキシャル(MBE)成
長を含む技術が利用できる。
(3)例えば電界効果トランジスタ(FET)、電荷結
合素子(CCD)、及び高速信号処理電子部品のような
シリコンやガリウム砒素デバイスとのモノリシック集積
が可能である。
(4)吸収特性の設計(例えば大気の窓でのピーク吸収
波長を変える)が組成の選択によって簡単にてきる。
(5)優れた熱安定性を有する。
次の実施例は、インタリーブされたガリウム砒素/アル
ミニウムガリウム砒素層の超格子で実現されている素子
の構造及び特性を示す。全ての数値は公称値あるいは近
似である。
実施例: ガリウム砒素半絶縁基板上に1μmのガリウム砒素コン
タクト層が堆積され(ドープされたロー−2刈018C
,−3)%次に50周期の40mガリウム砒素量子井戸
層(ドープされたn = 2 X 101gcm−3)
及び30ΩmのAlO°31GaO゛69As非ドープ
障壁層、(約250mVの障壁高さをもたらす)からな
る超格子検出器構造が生成される。0,5μmのガリウ
ム砒素トップコンタクト層が堆積され、ドープされたn
 = 2 X 1018a11−”) テ、200μm
ノ直径を有するメサは標準のフォトリソグラフィ処理に
よって生成され、コンタクトのメタライゼーションは蒸
着によって提供される。
応答特性Rのスペクトル依存性を/ip+定するた■ めに、白熱赤外光源が用いられ、検出器の温度は77に
1バイアス電圧は、4V、負荷抵抗は100にΩである
。第4図から分かるように、応答はhν= l192c
ra−’でピークを有し、Δh !/ −155cm 
−1(つまりΔシ/シー13%)の狭いスペクトル幅を
白゛する。暗電流は4.5μAである。
検出効率を決めるために、検出器の雑音は同じ条件でス
ペクトルアナライザによって1lPl定され、単位バン
ド幅当りの雑音電圧は、4 kllzの光チヨツピング
周波数では50nvllz−1/2で、1.7pWII
z −1/2の雑音等価パワーに対応する。素子面積で
規格化された検出効率はD  −1,OX10ニ0* である。
検出器の速度は、パルスレーザ−からの放射及び50Ω
の負荷抵抗で測定されている。得られた5IIsの応答
時間は回路によって制限されたもので、数ギガヘルツの
素子能力を保証する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1の実施例による放射線検出器の
概略側面図; 第2図は、電気的にバイアスされ、半導体ヘテロ構造を
用いて構成される第1図の放射線検出器に対応するエネ
ルギーバンドの概略図;第3図は、電気的にバイアスさ
れ、量子井戸がドープされた領域によって形成される半
導体ホモ構造を用いて構成される第1図の放射線検出器
に対応するエネルギーバンドの概略図; 第4図は、第1図の素子上に入射されるフォトンエネル
ギーを関数とする応答特性を表わす図;第5図は、本発
明の第2の実施例による放射線検出器アレーの概略側面
図; 第6図は、反射放射線結合手段を含む本発明の第3の実
施例による放射線検出器アレーの概略側面図; 第7図は、本発明の第4の実施例による2波長検出器の
概略側面図: 第8図は、本発明の第5の実施例によるモノリシック集
積素子の概略透視図である。 11・・・基板 12、14、73・・・コンタクト層 13、71、72・・・超格子 21、 31・・・量子井戸 22、32・・・障壁 23、33・・・連続エネルギーバンド24、34・・
・単一束縛エネルギー状態51・・・プリズム 52・・・検出器 61・・・反射グレーティング 81・・・検出器アレー 82. 83・・・電子部品 84・・・イメージ処理装置 出 願 人:アメリカン テレフォン アンド FIG、3 FIG、 4 波長 入(μm) フォトンエネルギーhν(cm’) FIG、 1 FIG、5 FIG、 6

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板に支えられるコンタクト層(例えば12、1
    4)の間の半導体超格子(例えば13)と、この超格子
    はインタリーブされた量子井戸(例えば21)及び障壁
    (例えば22)からなり、量子井戸は価電子帯束縛エネ
    ルギー状態あるいは伝導帯束縛エネルギー状態のいずれ
    かの束縛エネルギー状態を有する層からなり、 この量子井戸は放射線によるキャリア励起のために導入
    され、 この励起は価電子帯束縛エネルギー状態から価電子帯連
    続エネルギー状態へ、あるいは伝導帯束縛エネルギー状
    態から伝導帯連続エネルギー状態へ行なわれ、 障壁層(例えば22)の厚さは量子井戸層(例えば21
    )の厚さより大きく、 ある波長で入射電磁放射線に応答して、電気的な効果を
    生成することを特徴とする量子井戸放射線検出素子。
  2. (2)障壁層の厚さは量子井戸層の厚さの3倍以上であ
    ることを特徴とする請求項1記載の量子井戸放射線検出
    素子。
  3. (3)波長は3μm以上であることを特徴とする請求項
    1記載の量子井戸放射線検出素子。
  4. (4)波長は3μmから15μmの範囲内であることを
    特徴とする請求項3記載の量子井戸放射線検出素子。
  5. (5)超格子は異なる材料のインタリーブされた層から
    なることを特徴とする請求項1記載の量子井戸放射線検
    出素子。
  6. (6)超格子はIV属半導体材料からなり、量子井戸層は
    、p−ドープされることを特徴とする請求項5記載の量
    子井戸放射線検出素子。
  7. (7)検出器はモノリシックにシリコン半導体素子集積
    されることを特徴とする請求項6記載の量子井戸放射線
    検出素子。
  8. (8)超格子はIII−V属半導体材料からなり、量子井
    戸層は、n−ドープされることを特徴とする請求項5記
    載の量子井戸放射線検出素子。
  9. (9)検出器はモノリシックにガリウム砒素半導体素子
    集積されることを特徴とする請求項8記載の量子井戸放
    射線検出素子。
  10. (10)ある異なる波長に応答する検出器からなるスタ
    ックを形成する複数の検出器からなることを特徴とする
    請求項1記載の量子井戸放射線検出素子。
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