JP3108374B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3108374B2 JP3108374B2 JP09002835A JP283597A JP3108374B2 JP 3108374 B2 JP3108374 B2 JP 3108374B2 JP 09002835 A JP09002835 A JP 09002835A JP 283597 A JP283597 A JP 283597A JP 3108374 B2 JP3108374 B2 JP 3108374B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に強誘電体、高誘電率材料及び白金のエ
ッチング方法に関するものである。
方法に関し、特に強誘電体、高誘電率材料及び白金のエ
ッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の上に形成された強誘電体膜
の自発分極を利用した不揮発性メモリが知られている。
また、高誘電率材料からなるキャパシタを半導体基板上
に備えたＤＲＡＭ（ダイナミックＲＡＭ）が知られてい
る。これらの種類のメモリの製造過程では、強誘電体及
び高誘電率材料や、それらの電極として使用される白金
（Ｐｔ）の微細加工が必要である。
の自発分極を利用した不揮発性メモリが知られている。
また、高誘電率材料からなるキャパシタを半導体基板上
に備えたＤＲＡＭ（ダイナミックＲＡＭ）が知られてい
る。これらの種類のメモリの製造過程では、強誘電体及
び高誘電率材料や、それらの電極として使用される白金
（Ｐｔ）の微細加工が必要である。
【０００３】従来、フォトレジストをマスクとし、かつ
塩素（Ｃｌ2）ガスのプラズマを用いたドライエッチン
グ法で強誘電体や高誘電率材料を加工する方法が知られ
ている。
塩素（Ｃｌ2）ガスのプラズマを用いたドライエッチン
グ法で強誘電体や高誘電率材料を加工する方法が知られ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、強誘電体や
高誘電率材料は、高融点かつ高沸点の金属の複合酸化物
であるためエッチング速度が遅い。つまり、上記従来の
エッチング方法では十分な選択比が得られないので、フ
ォトレジストマスクを無駄に厚くする必要があった。し
たがって、微細加工が困難であった。
高誘電率材料は、高融点かつ高沸点の金属の複合酸化物
であるためエッチング速度が遅い。つまり、上記従来の
エッチング方法では十分な選択比が得られないので、フ
ォトレジストマスクを無駄に厚くする必要があった。し
たがって、微細加工が困難であった。
【０００５】本発明の目的は、強誘電体、高誘電率材料
及び白金の微細加工を容易に実現できるようにすること
にある。
及び白金の微細加工を容易に実現できるようにすること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、強誘電体、高誘電率材料及び白金のう
ちの少なくとも１つからなるエッチング対象膜の上に白
金よりも酸化されやすい金属膜をマスクとしてパターン
形成し、ハロゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズ
マでエッチング対象膜を選択的にエッチングすることと
したものである。この方法によれば、マスクとして形成
された金属膜はプラズマによって酸化される。この結
果、マスクのエッチング速度は小さくなる。これとは対
照的に、エッチング対象膜については、大きいエッチン
グ速度が確保される。したがって、エッチングの高い選
択比が実現し、エッチング対象膜の微細加工が容易にな
る。
めに、本発明は、強誘電体、高誘電率材料及び白金のう
ちの少なくとも１つからなるエッチング対象膜の上に白
金よりも酸化されやすい金属膜をマスクとしてパターン
形成し、ハロゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズ
マでエッチング対象膜を選択的にエッチングすることと
したものである。この方法によれば、マスクとして形成
された金属膜はプラズマによって酸化される。この結
果、マスクのエッチング速度は小さくなる。これとは対
照的に、エッチング対象膜については、大きいエッチン
グ速度が確保される。したがって、エッチングの高い選
択比が実現し、エッチング対象膜の微細加工が容易にな
る。
【０００７】また、本発明によれば、強誘電体及び高誘
電率材料のうちの少なくとも１つからなるエッチング対
象膜の上に絶縁物からなる下層マスクと白金よりも酸化
されやすい金属からなる上層マスクとをパターン形成
し、ハロゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマで
エッチング対象膜を選択的にエッチングした後に、下層
マスクを残存させながら上層マスクを除去する。この方
法によれば、上層マスクとして形成された金属膜はプラ
ズマによって酸化される。この結果、マスクのエッチン
グ速度は小さくなる。これとは対照的に、エッチング対
象膜については、大きいエッチング速度が確保される。
したがって、エッチングの高い選択比が実現し、エッチ
ング対象膜の微細加工が容易になる。しかも、上層マス
クの除去の際には、エッチング対象膜が下層マスクで覆
われているので、該エッチング対象膜がエッチングガス
にさらされることがない。したがって、強誘電体特性や
高誘電率特性のばらつきや劣化が抑制される。更に、上
層マスクの残滓発生を防止するためには、還元性を有す
るガスのプラズマ、例えば三塩化ホウ素のガスプラズマ
を用いて上層マスクをエッチングする。
電率材料のうちの少なくとも１つからなるエッチング対
象膜の上に絶縁物からなる下層マスクと白金よりも酸化
されやすい金属からなる上層マスクとをパターン形成
し、ハロゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマで
エッチング対象膜を選択的にエッチングした後に、下層
マスクを残存させながら上層マスクを除去する。この方
法によれば、上層マスクとして形成された金属膜はプラ
ズマによって酸化される。この結果、マスクのエッチン
グ速度は小さくなる。これとは対照的に、エッチング対
象膜については、大きいエッチング速度が確保される。
したがって、エッチングの高い選択比が実現し、エッチ
ング対象膜の微細加工が容易になる。しかも、上層マス
クの除去の際には、エッチング対象膜が下層マスクで覆
われているので、該エッチング対象膜がエッチングガス
にさらされることがない。したがって、強誘電体特性や
高誘電率特性のばらつきや劣化が抑制される。更に、上
層マスクの残滓発生を防止するためには、還元性を有す
るガスのプラズマ、例えば三塩化ホウ素のガスプラズマ
を用いて上層マスクをエッチングする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
製造方法の具体例について、図面を参照しながら説明す
る。
製造方法の具体例について、図面を参照しながら説明す
る。
【０００９】図１（ａ）〜図１（ｅ）は、本発明に係る
半導体装置の製造方法の工程を示している。図１（ａ）
〜図１（ｅ）において、１はシリコン（Ｓｉ）単結晶か
らなる半導体基板、２は酸化シリコン（ＳｉＯ2）から
なるデバイス絶縁膜、３は下層白金（Ｐｔ）膜、４はＳ
ＢＴすなわちＳｒＢｉ2Ｔａ3Ｏ9からなる強誘電体膜、
５は上層白金（Ｐｔ）膜、６はチタン（Ｔｉ）膜、７は
フォトレジストマスクである。
半導体装置の製造方法の工程を示している。図１（ａ）
〜図１（ｅ）において、１はシリコン（Ｓｉ）単結晶か
らなる半導体基板、２は酸化シリコン（ＳｉＯ2）から
なるデバイス絶縁膜、３は下層白金（Ｐｔ）膜、４はＳ
ＢＴすなわちＳｒＢｉ2Ｔａ3Ｏ9からなる強誘電体膜、
５は上層白金（Ｐｔ）膜、６はチタン（Ｔｉ）膜、７は
フォトレジストマスクである。
【００１０】順を追って説明すると、半導体基板１の上
にデバイス絶縁膜２を形成し、その上に下層白金膜３、
強誘電体膜４、上層白金膜５及びチタン膜６を順次形成
し、更にその上にフォトリソグラフィを用いて所望のパ
ターンのフォトレジストマスク７を形成する（図１
（ａ））。デバイス絶縁膜２はＣＶＤ法により、下層白
金膜３、上層白金膜５及びチタン膜６はスパッタ法によ
り、強誘電体膜４はゾルゲル法（詳細には、スピン塗布
法、ミスト法など）によりそれぞれ形成される。各々の
膜厚は、例えばデバイス絶縁膜２が２００ｎｍ、下層白
金膜３が３００ｎｍ、強誘電体膜４が２００ｎｍ、上層
白金膜５が２００ｎｍ、チタン膜６が２００ｎｍ、フォ
トレジストマスク７が１２００ｎｍである。この際、チ
タン膜６の厚さは、上層白金膜５と強誘電体膜４と下層
白金膜３とからなる積層膜の厚さの合計の十分の一以上
に設定される。
にデバイス絶縁膜２を形成し、その上に下層白金膜３、
強誘電体膜４、上層白金膜５及びチタン膜６を順次形成
し、更にその上にフォトリソグラフィを用いて所望のパ
ターンのフォトレジストマスク７を形成する（図１
（ａ））。デバイス絶縁膜２はＣＶＤ法により、下層白
金膜３、上層白金膜５及びチタン膜６はスパッタ法によ
り、強誘電体膜４はゾルゲル法（詳細には、スピン塗布
法、ミスト法など）によりそれぞれ形成される。各々の
膜厚は、例えばデバイス絶縁膜２が２００ｎｍ、下層白
金膜３が３００ｎｍ、強誘電体膜４が２００ｎｍ、上層
白金膜５が２００ｎｍ、チタン膜６が２００ｎｍ、フォ
トレジストマスク７が１２００ｎｍである。この際、チ
タン膜６の厚さは、上層白金膜５と強誘電体膜４と下層
白金膜３とからなる積層膜の厚さの合計の十分の一以上
に設定される。
【００１１】次に、塩素（Ｃｌ2）ガスのプラズマを用
いたドライエッチング法でチタン膜６をエッチングし
（図１（ｂ））、フォトレジストマスク７を酸素
（Ｏ2）プラズマによる灰化処理で除去する（図１
（ｃ））。
いたドライエッチング法でチタン膜６をエッチングし
（図１（ｂ））、フォトレジストマスク７を酸素
（Ｏ2）プラズマによる灰化処理で除去する（図１
（ｃ））。
【００１２】続いて、パターン化されたチタン膜６をマ
スクとし、かつ塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）との混合ガ
スのプラズマを用いたドライエッチング法により、上層
白金膜５と強誘電体膜４と下層白金膜３とからなる積層
膜をエッチングする（図１（ｄ））。この際、ドライエ
ッチングのためのチャンバーを用いて、例えば、塩素ガ
スの流量を１２ｃｃ／分に、酸素ガスの流量を８ｃｃ／
分にそれぞれ設定し、チャンバー内の圧力を２Ｐａに保
持し、かつ１３．５６ＭＨｚの高周波電力を５Ｗ／ｃｍ
2の密度で印加することにより、塩素と酸素との混合ガ
スのプラズマを発生させる。この場合の塩素と酸素との
混合ガス中に占める酸素ガスの体積濃度は４０％であ
る。
スクとし、かつ塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）との混合ガ
スのプラズマを用いたドライエッチング法により、上層
白金膜５と強誘電体膜４と下層白金膜３とからなる積層
膜をエッチングする（図１（ｄ））。この際、ドライエ
ッチングのためのチャンバーを用いて、例えば、塩素ガ
スの流量を１２ｃｃ／分に、酸素ガスの流量を８ｃｃ／
分にそれぞれ設定し、チャンバー内の圧力を２Ｐａに保
持し、かつ１３．５６ＭＨｚの高周波電力を５Ｗ／ｃｍ
2の密度で印加することにより、塩素と酸素との混合ガ
スのプラズマを発生させる。この場合の塩素と酸素との
混合ガス中に占める酸素ガスの体積濃度は４０％であ
る。
【００１３】更に、塩素ガスのプラズマを用いたドライ
エッチング法でチタン膜６をエッチングすることによ
り、該チタン膜６を除去する（図１（ｅ））。この際、
例えば、塩素ガスの流量を３０ｃｃ／分に設定し、チャ
ンバー内の圧力を２０Ｐａに保持し、かつ１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を０．７Ｗ／ｃｍ2の密度で印加する
ことにより、塩素ガスのプラズマを発生させる。以上の
工程により、半導体基板１の上にデバイス絶縁膜２を介
して強誘電体キャパシタが形成される。そして、図１
（ｅ）の工程の後に不図示の配線工程が実施される。
エッチング法でチタン膜６をエッチングすることによ
り、該チタン膜６を除去する（図１（ｅ））。この際、
例えば、塩素ガスの流量を３０ｃｃ／分に設定し、チャ
ンバー内の圧力を２０Ｐａに保持し、かつ１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を０．７Ｗ／ｃｍ2の密度で印加する
ことにより、塩素ガスのプラズマを発生させる。以上の
工程により、半導体基板１の上にデバイス絶縁膜２を介
して強誘電体キャパシタが形成される。そして、図１
（ｅ）の工程の後に不図示の配線工程が実施される。
【００１４】図２は、塩素と酸素との混合ガスのプラズ
マによるドライエッチングを実施した場合の、該混合ガ
ス中の酸素ガスの体積濃度と、白金、強誘電体及びチタ
ンの各々のエッチング速度との関係を示している。図２
において、横軸は塩素と酸素との混合ガス中に占める酸
素ガスの体積濃度を示し、縦軸は白金、強誘電体及びチ
タンの各々のエッチング速度の相対値を示している。こ
の相対値は、酸素ガス０％（塩素ガス１００％）の場合
の白金のエッチング速度を１としたものである。エッチ
ングのためのプラズマは、チャンバー内の圧力を２Ｐａ
に保持し、かつ１３．５６ＭＨｚの高周波電力を５Ｗ／
ｃｍ2の密度で印加することにより生成した。
マによるドライエッチングを実施した場合の、該混合ガ
ス中の酸素ガスの体積濃度と、白金、強誘電体及びチタ
ンの各々のエッチング速度との関係を示している。図２
において、横軸は塩素と酸素との混合ガス中に占める酸
素ガスの体積濃度を示し、縦軸は白金、強誘電体及びチ
タンの各々のエッチング速度の相対値を示している。こ
の相対値は、酸素ガス０％（塩素ガス１００％）の場合
の白金のエッチング速度を１としたものである。エッチ
ングのためのプラズマは、チャンバー内の圧力を２Ｐａ
に保持し、かつ１３．５６ＭＨｚの高周波電力を５Ｗ／
ｃｍ2の密度で印加することにより生成した。
【００１５】図２によれば、酸素ガスの体積濃度が２７
％以上になるとチタンのエッチング速度が急激に減少す
る。これは、チタンがプラズマによって酸化され、エッ
チングされにくくなったことを意味している。酸素ガス
の体積濃度を３０％以上に設定すると、チタンのエッチ
ング速度は、白金や強誘電体のエッチング速度の十分の
一以下になる。つまり、前記のようにチタン膜６の厚さ
を上層白金膜５と強誘電体膜４と下層白金膜３とからな
る積層膜の厚さの合計の十分の一以上に設定しておけ
ば、図１（ｄ）に示すように、パターン化されたチタン
膜６とその下に位置する積層膜３〜５の所要部分とを残
しながら、該積層膜３〜５の不要部分をエッチングによ
り除去できる。
％以上になるとチタンのエッチング速度が急激に減少す
る。これは、チタンがプラズマによって酸化され、エッ
チングされにくくなったことを意味している。酸素ガス
の体積濃度を３０％以上に設定すると、チタンのエッチ
ング速度は、白金や強誘電体のエッチング速度の十分の
一以下になる。つまり、前記のようにチタン膜６の厚さ
を上層白金膜５と強誘電体膜４と下層白金膜３とからな
る積層膜の厚さの合計の十分の一以上に設定しておけ
ば、図１（ｄ）に示すように、パターン化されたチタン
膜６とその下に位置する積層膜３〜５の所要部分とを残
しながら、該積層膜３〜５の不要部分をエッチングによ
り除去できる。
【００１６】以上のとおり、本方法によれば、白金と強
誘電体との積層膜３〜５の上にチタン膜６をマスクとし
てパターン形成し、塩素と酸素との混合ガスのプラズマ
で積層膜３〜５を選択的にエッチングすることとしたの
で、該積層膜３〜５の加工精度が向上する。また、チタ
ン膜６のパターン化のためにのみフォトレジストマスク
７を用いることとしたので、フォトレジストマスク７の
厚さを低減できる結果、フォトリソグラフィの解像度や
光学系の焦点深度余裕の向上に寄与できる。これらの利
点を活かすと、従来加工性が悪いために採用が見送られ
てきた種々の強誘電体材料が使用可能となり、半導体装
置の特性や、信頼性、歩留まりを向上させることができ
る。デバイス絶縁膜２と下層白金膜３との間に、接着層
としてチタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のいずれ
かを介在させてもよい。また、上層白金膜５とチタン膜
６との間に同様の接着層を介在させておき、チタン膜６
の除去後に残る該接着層を、上層白金膜５と図１（ｅ）
の工程後に形成される酸化シリコン膜との密着性の確保
に利用することとしてもよい。
誘電体との積層膜３〜５の上にチタン膜６をマスクとし
てパターン形成し、塩素と酸素との混合ガスのプラズマ
で積層膜３〜５を選択的にエッチングすることとしたの
で、該積層膜３〜５の加工精度が向上する。また、チタ
ン膜６のパターン化のためにのみフォトレジストマスク
７を用いることとしたので、フォトレジストマスク７の
厚さを低減できる結果、フォトリソグラフィの解像度や
光学系の焦点深度余裕の向上に寄与できる。これらの利
点を活かすと、従来加工性が悪いために採用が見送られ
てきた種々の強誘電体材料が使用可能となり、半導体装
置の特性や、信頼性、歩留まりを向上させることができ
る。デバイス絶縁膜２と下層白金膜３との間に、接着層
としてチタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のいずれ
かを介在させてもよい。また、上層白金膜５とチタン膜
６との間に同様の接着層を介在させておき、チタン膜６
の除去後に残る該接着層を、上層白金膜５と図１（ｅ）
の工程後に形成される酸化シリコン膜との密着性の確保
に利用することとしてもよい。
【００１７】なお、図２から明らかなように、上記Ｐｔ
とＳＢＴとの積層膜に限らず、Ｐｔの単層膜や、ＳＢＴ
の単層膜でも高い選択比が得られる。ゾルゲル法又はス
パッタ法により形成された、強誘電体膜の一種であるＰ
ＺＴ膜すなわちＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3膜や、高誘電
率膜の一種であるＢＳＴ膜すなわちＢａＴｉＯ3−Ｓｒ
ＴｉＯ3膜のエッチングに本方法を適用することも可能
である。上記の例ではマスクとしてチタン（Ｔｉ）膜を
採用したが、チタン化合物、あるいはチタンを含む合金
からなるマスクを採用してもよい。あるいは、クロム
（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）な
どの白金よりも酸化されやすい他の金属からなるマスク
を採用してもよい。エッチングガスとして、Ｃｌ2とＯ2
との混合ガスに代えて、ＨＢｒ、ＳＦ6、ＨＣｌなどの
他のハロゲンガスとＯ2との混合ガスを選定してもよ
い。ただし、白金（Ｐｔ）の塩化物はそのフッ化物に比
べて蒸気圧が高いので、Ｐｔのエッチングにはフッ素系
ガスよりも塩素系ガスが好ましい。
とＳＢＴとの積層膜に限らず、Ｐｔの単層膜や、ＳＢＴ
の単層膜でも高い選択比が得られる。ゾルゲル法又はス
パッタ法により形成された、強誘電体膜の一種であるＰ
ＺＴ膜すなわちＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3膜や、高誘電
率膜の一種であるＢＳＴ膜すなわちＢａＴｉＯ3−Ｓｒ
ＴｉＯ3膜のエッチングに本方法を適用することも可能
である。上記の例ではマスクとしてチタン（Ｔｉ）膜を
採用したが、チタン化合物、あるいはチタンを含む合金
からなるマスクを採用してもよい。あるいは、クロム
（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）な
どの白金よりも酸化されやすい他の金属からなるマスク
を採用してもよい。エッチングガスとして、Ｃｌ2とＯ2
との混合ガスに代えて、ＨＢｒ、ＳＦ6、ＨＣｌなどの
他のハロゲンガスとＯ2との混合ガスを選定してもよ
い。ただし、白金（Ｐｔ）の塩化物はそのフッ化物に比
べて蒸気圧が高いので、Ｐｔのエッチングにはフッ素系
ガスよりも塩素系ガスが好ましい。
【００１８】さて、上記のとおり、強誘電体キャパシタ
は、強誘電体膜を上層白金膜と下層白金膜とで挟んだ構
造を持っている。半導体装置の使用時における強誘電体
膜の側面での表層リークを防ぐため、上層白金膜の面積
を強誘電体膜の面積より小さくすることが好ましい。以
下、上層白金膜とは別に強誘電体膜と下層白金膜とをエ
ッチングする方法について説明する。
は、強誘電体膜を上層白金膜と下層白金膜とで挟んだ構
造を持っている。半導体装置の使用時における強誘電体
膜の側面での表層リークを防ぐため、上層白金膜の面積
を強誘電体膜の面積より小さくすることが好ましい。以
下、上層白金膜とは別に強誘電体膜と下層白金膜とをエ
ッチングする方法について説明する。
【００１９】図３（ａ）〜図３（ｄ）は、本発明に係る
半導体装置の製造方法の他の工程を示している。図３
（ａ）〜図３（ｄ）において、１１はシリコン（Ｓｉ）
単結晶からなる半導体基板、１２は酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）からなるデバイス絶縁膜、１３は下層白金（Ｐ
ｔ）膜、１４はＳＢＴすなわちＳｒＢｉ2Ｔａ3Ｏ9から
なる強誘電体膜、１５は上層白金（Ｐｔ）膜、１６は酸
化シリコンの一種であるＮＳＧ（non-doped silicate g
lass）からなるマスク絶縁膜、１７はチタン（Ｔｉ）膜
である。
半導体装置の製造方法の他の工程を示している。図３
（ａ）〜図３（ｄ）において、１１はシリコン（Ｓｉ）
単結晶からなる半導体基板、１２は酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）からなるデバイス絶縁膜、１３は下層白金（Ｐ
ｔ）膜、１４はＳＢＴすなわちＳｒＢｉ2Ｔａ3Ｏ9から
なる強誘電体膜、１５は上層白金（Ｐｔ）膜、１６は酸
化シリコンの一種であるＮＳＧ（non-doped silicate g
lass）からなるマスク絶縁膜、１７はチタン（Ｔｉ）膜
である。
【００２０】順を追って説明すると、半導体基板１１の
上にデバイス絶縁膜１２を形成し、その上に下層白金膜
１３、強誘電体膜１４及び上層白金膜１５を順次形成し
た後、上層白金膜１５を所望のパターンにエッチングす
る（図３（ａ））。デバイス絶縁膜１２はＣＶＤ法によ
り、下層白金膜１３及び上層白金膜１５はスパッタ法に
より、強誘電体膜１４はゾルゲル法（詳細には、スピン
塗布法、ミスト法など）によりそれぞれ形成される。各
々の膜厚は、例えばデバイス絶縁膜１２が１００ｎｍ、
下層白金膜１３が２００ｎｍ、強誘電体膜１４が２００
ｎｍ、上層白金膜１５が２００ｎｍである。ここでは上
層白金膜１５のみをエッチングするので、そのエッチン
グにはフォトレジストマスクを用いたドライエッチング
法を適用できる。エッチングガスは、例えば塩素（Ｃｌ
2）ガスである。フォトレジストマスクは、酸素（Ｏ2）
プラズマによる灰化処理で除去される。
上にデバイス絶縁膜１２を形成し、その上に下層白金膜
１３、強誘電体膜１４及び上層白金膜１５を順次形成し
た後、上層白金膜１５を所望のパターンにエッチングす
る（図３（ａ））。デバイス絶縁膜１２はＣＶＤ法によ
り、下層白金膜１３及び上層白金膜１５はスパッタ法に
より、強誘電体膜１４はゾルゲル法（詳細には、スピン
塗布法、ミスト法など）によりそれぞれ形成される。各
々の膜厚は、例えばデバイス絶縁膜１２が１００ｎｍ、
下層白金膜１３が２００ｎｍ、強誘電体膜１４が２００
ｎｍ、上層白金膜１５が２００ｎｍである。ここでは上
層白金膜１５のみをエッチングするので、そのエッチン
グにはフォトレジストマスクを用いたドライエッチング
法を適用できる。エッチングガスは、例えば塩素（Ｃｌ
2）ガスである。フォトレジストマスクは、酸素（Ｏ2）
プラズマによる灰化処理で除去される。
【００２１】次に、パターン化された上層白金膜１５を
覆うようにマスク絶縁膜１６をＣＶＤ法により形成し、
その上にチタン膜１７をスパッタ法により形成した後、
チタン膜１７及びマスク絶縁膜１６を上層白金膜１５よ
り大きいパターンにエッチングする（図３（ｂ））。各
々の膜厚は、例えばマスク絶縁膜１６が１００ｎｍ、チ
タン膜１７が２００ｎｍである。このエッチングにも、
フォトレジストマスクを用いたドライエッチング法を適
用できる。エッチングガスは、例えばチタン膜１７に対
しＣｌ2ガス、マスク絶縁膜１６に対しＣＦ4ガスであ
る。フォトレジストマスクは、酸素（Ｏ2）プラズマに
よる灰化処理で除去される。
覆うようにマスク絶縁膜１６をＣＶＤ法により形成し、
その上にチタン膜１７をスパッタ法により形成した後、
チタン膜１７及びマスク絶縁膜１６を上層白金膜１５よ
り大きいパターンにエッチングする（図３（ｂ））。各
々の膜厚は、例えばマスク絶縁膜１６が１００ｎｍ、チ
タン膜１７が２００ｎｍである。このエッチングにも、
フォトレジストマスクを用いたドライエッチング法を適
用できる。エッチングガスは、例えばチタン膜１７に対
しＣｌ2ガス、マスク絶縁膜１６に対しＣＦ4ガスであ
る。フォトレジストマスクは、酸素（Ｏ2）プラズマに
よる灰化処理で除去される。
【００２２】続いて、パターン化されたチタン膜１７及
び絶縁膜１６をマスクとし、かつ塩素（Ｃｌ2）と酸素
（Ｏ2）との混合ガスのプラズマを用いたドライエッチ
ング法により、強誘電体膜１４をエッチングする（図３
（ｃ））。この際、チタン膜１７は、部分的に酸化チタ
ン（ＴｉＯ2）に変化する。
び絶縁膜１６をマスクとし、かつ塩素（Ｃｌ2）と酸素
（Ｏ2）との混合ガスのプラズマを用いたドライエッチ
ング法により、強誘電体膜１４をエッチングする（図３
（ｃ））。この際、チタン膜１７は、部分的に酸化チタ
ン（ＴｉＯ2）に変化する。
【００２３】更に、還元性を有する三塩化ホウ素（ＢＣ
ｌ3）ガスのプラズマを用いたドライエッチング法でチ
タン膜１７をエッチングすることにより、絶縁膜１６を
残しながらチタン膜１７を除去する（図３（ｄ））。こ
の際、例えば、三塩化ホウ素ガスの流量を８０ｃｃ／分
に設定し、チャンバー内の圧力を１３．３Ｐａ（＝１０
０ｍＴｏｒｒ）に保持し、かつ１１５Ｗの高周波電力を
印加することにより、三塩化ホウ素ガスのプラズマを発
生させる。そして、図３（ｄ）の工程の後に、絶縁膜１
６の穿孔を含む不図示の配線工程が実施される。
ｌ3）ガスのプラズマを用いたドライエッチング法でチ
タン膜１７をエッチングすることにより、絶縁膜１６を
残しながらチタン膜１７を除去する（図３（ｄ））。こ
の際、例えば、三塩化ホウ素ガスの流量を８０ｃｃ／分
に設定し、チャンバー内の圧力を１３．３Ｐａ（＝１０
０ｍＴｏｒｒ）に保持し、かつ１１５Ｗの高周波電力を
印加することにより、三塩化ホウ素ガスのプラズマを発
生させる。そして、図３（ｄ）の工程の後に、絶縁膜１
６の穿孔を含む不図示の配線工程が実施される。
【００２４】以上のとおり、本方法によれば、強誘電体
膜１４の上にチタン膜１７をマスクとしてパターン形成
し、塩素と酸素との混合ガスのプラズマで強誘電体膜１
４を選択的にエッチングすることとしたので、該強誘電
体膜１４の加工精度が向上する。しかも、マスクとして
使用されたチタン膜１７は完全に除去され得る。
膜１４の上にチタン膜１７をマスクとしてパターン形成
し、塩素と酸素との混合ガスのプラズマで強誘電体膜１
４を選択的にエッチングすることとしたので、該強誘電
体膜１４の加工精度が向上する。しかも、マスクとして
使用されたチタン膜１７は完全に除去され得る。
【００２５】図４は、三塩化ホウ素ガスのプラズマによ
るドライエッチングを実施した場合の、チャンバー内の
圧力と、チタン及び酸化チタンの各々のエッチング速度
との関係を示している。圧力１３．３Ｐａのときにチタ
ンと酸化チタンとのエッチング速度がほぼ等しくなるこ
とが分る。つまり、上記条件でチタン膜１７をエッチン
グすると、チタン及び酸化チタンの残滓の発生がない。
したがって、配線工程に支障が生じることはない。しか
も、チタン膜１７の除去の際に強誘電体膜１４がマスク
絶縁膜１６で覆われているので、該強誘電体膜１４がエ
ッチングガスにさらされることがない。したがって、強
誘電体特性のばらつきや劣化が抑制される。実験によれ
ば、強誘電体膜１４の残留分極として１５μＣ／ｃｍ2
が、その耐圧として３０Ｖがそれぞれ得られた。デバイ
ス絶縁膜１２と下層白金膜１３との間及び上層白金膜１
５とマスク絶縁膜１６との間に、それぞれ接着層として
チタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のいずれかを介
在させてもよい。
るドライエッチングを実施した場合の、チャンバー内の
圧力と、チタン及び酸化チタンの各々のエッチング速度
との関係を示している。圧力１３．３Ｐａのときにチタ
ンと酸化チタンとのエッチング速度がほぼ等しくなるこ
とが分る。つまり、上記条件でチタン膜１７をエッチン
グすると、チタン及び酸化チタンの残滓の発生がない。
したがって、配線工程に支障が生じることはない。しか
も、チタン膜１７の除去の際に強誘電体膜１４がマスク
絶縁膜１６で覆われているので、該強誘電体膜１４がエ
ッチングガスにさらされることがない。したがって、強
誘電体特性のばらつきや劣化が抑制される。実験によれ
ば、強誘電体膜１４の残留分極として１５μＣ／ｃｍ2
が、その耐圧として３０Ｖがそれぞれ得られた。デバイ
ス絶縁膜１２と下層白金膜１３との間及び上層白金膜１
５とマスク絶縁膜１６との間に、それぞれ接着層として
チタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のいずれかを介
在させてもよい。
【００２６】なお、強誘電体膜の一種であるＰＺＴ膜
や、高誘電率膜の一種であるＢＳＴ膜のエッチングに本
方法を適用することも可能である。マスク絶縁膜１６
は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜でもよい。ただし、窒
化シリコンの成膜時にアンモニア（ＮＨ3）ガス等の水
素を含むガスを用いると強誘電体膜１４に劣化が生じる
ので、成膜方法の選定が重要である。チタン膜１７に代
えて、チタン化合物、あるいはチタンを含む合金からな
るマスクを採用してもよい。あるいは、クロム（Ｃ
ｒ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などの
白金よりも酸化されやすい他の金属からなるマスクを採
用してもよい。チタン膜１７のエッチングガスとして、
Ｃｌ2、ＣＨＣｌ3、ＨＣｌなどの塩素系ガスを使用して
もよい。ただし、残滓の発生防止の観点から三塩化ホウ
素（ＢＣｌ3）ガスが最適である。上層白金膜１５のエ
ッチングの際にも、ＮＳＧとチタンとの積層膜をマスク
としたドライエッチング法が適用可能である。チタン膜
のみ又はＮＳＧ膜のみをマスクとして上層白金膜１５を
エッチングしてもよい。ただし、選択比は、チタン、Ｎ
ＳＧ、フォトレジストの順に低くなる。つまり、単層マ
スクを使用する場合には、チタン膜からなるマスクを採
用することによって、この中では最大の選択比が得られ
る。また、強誘電体膜１４と下層白金膜１３とを同時に
エッチングしてもよい。
や、高誘電率膜の一種であるＢＳＴ膜のエッチングに本
方法を適用することも可能である。マスク絶縁膜１６
は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜でもよい。ただし、窒
化シリコンの成膜時にアンモニア（ＮＨ3）ガス等の水
素を含むガスを用いると強誘電体膜１４に劣化が生じる
ので、成膜方法の選定が重要である。チタン膜１７に代
えて、チタン化合物、あるいはチタンを含む合金からな
るマスクを採用してもよい。あるいは、クロム（Ｃ
ｒ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などの
白金よりも酸化されやすい他の金属からなるマスクを採
用してもよい。チタン膜１７のエッチングガスとして、
Ｃｌ2、ＣＨＣｌ3、ＨＣｌなどの塩素系ガスを使用して
もよい。ただし、残滓の発生防止の観点から三塩化ホウ
素（ＢＣｌ3）ガスが最適である。上層白金膜１５のエ
ッチングの際にも、ＮＳＧとチタンとの積層膜をマスク
としたドライエッチング法が適用可能である。チタン膜
のみ又はＮＳＧ膜のみをマスクとして上層白金膜１５を
エッチングしてもよい。ただし、選択比は、チタン、Ｎ
ＳＧ、フォトレジストの順に低くなる。つまり、単層マ
スクを使用する場合には、チタン膜からなるマスクを採
用することによって、この中では最大の選択比が得られ
る。また、強誘電体膜１４と下層白金膜１３とを同時に
エッチングしてもよい。
【００２７】図５（ａ）〜図５（ｄ）は、本発明に係る
半導体装置の製造方法の更に他の工程を示している。図
５（ａ）〜図５（ｄ）において、２１はシリコン（Ｓ
ｉ）単結晶からなる半導体基板、２２は酸化シリコン
（ＳｉＯ2）からなるデバイス絶縁膜、２３は下層白金
（Ｐｔ）膜、２４はＳＢＴすなわちＳｒＢｉ2Ｔａ3Ｏ9
からなる強誘電体膜、２５は上層白金（Ｐｔ）膜、２６
はＮＳＧからなるマスク絶縁膜である。
半導体装置の製造方法の更に他の工程を示している。図
５（ａ）〜図５（ｄ）において、２１はシリコン（Ｓ
ｉ）単結晶からなる半導体基板、２２は酸化シリコン
（ＳｉＯ2）からなるデバイス絶縁膜、２３は下層白金
（Ｐｔ）膜、２４はＳＢＴすなわちＳｒＢｉ2Ｔａ3Ｏ9
からなる強誘電体膜、２５は上層白金（Ｐｔ）膜、２６
はＮＳＧからなるマスク絶縁膜である。
【００２８】順を追って説明すると、半導体基板２１の
上にデバイス絶縁膜２２を形成し、その上に下層白金膜
２３、強誘電体膜２４及び上層白金膜２５を順次形成し
た後、上層白金膜２５を所望のパターンにエッチングす
る（図５（ａ））。この工程は、図３（ａ）の工程と同
様である。
上にデバイス絶縁膜２２を形成し、その上に下層白金膜
２３、強誘電体膜２４及び上層白金膜２５を順次形成し
た後、上層白金膜２５を所望のパターンにエッチングす
る（図５（ａ））。この工程は、図３（ａ）の工程と同
様である。
【００２９】次に、パターン化された上層白金膜２５を
覆うようにマスク絶縁膜２６をＣＶＤ法により形成した
後、該マスク絶縁膜２６を上層白金膜２５より大きいパ
ターンにエッチングする（図５（ｂ））。マスク絶縁膜
２６の厚さは、例えば５００ｎｍである。このエッチン
グには、フォトレジストマスクを用いたドライエッチン
グ法を適用できる。エッチングガスは、例えばＣＦ4、
ＣＨＦ3などのフッ素系ガスである。フォトレジストマ
スクは、酸素（Ｏ2）プラズマによる灰化処理で除去さ
れる。
覆うようにマスク絶縁膜２６をＣＶＤ法により形成した
後、該マスク絶縁膜２６を上層白金膜２５より大きいパ
ターンにエッチングする（図５（ｂ））。マスク絶縁膜
２６の厚さは、例えば５００ｎｍである。このエッチン
グには、フォトレジストマスクを用いたドライエッチン
グ法を適用できる。エッチングガスは、例えばＣＦ4、
ＣＨＦ3などのフッ素系ガスである。フォトレジストマ
スクは、酸素（Ｏ2）プラズマによる灰化処理で除去さ
れる。
【００３０】続いて、パターン化された絶縁膜２６をマ
スクとし、かつ塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）との混合ガ
スのプラズマを用いたドライエッチング法により、強誘
電体膜２４をエッチングする（図５（ｃ））。
スクとし、かつ塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）との混合ガ
スのプラズマを用いたドライエッチング法により、強誘
電体膜２４をエッチングする（図５（ｃ））。
【００３１】更に、ＣＦ4、ＣＨＦ3などのフッ素系ガス
のプラズマを用いたドライエッチング法でマスク絶縁膜
２６をエッチングすることにより、該マスク絶縁膜２６
を一部除去する（図５（ｄ））。この際、例えば、マス
ク絶縁膜２６の厚さが１００ｎｍになるようにエッチン
グ時間を調整する。そして、図５（ｄ）の工程の後に、
絶縁膜２６の穿孔を含む不図示の配線工程が実施され
る。
のプラズマを用いたドライエッチング法でマスク絶縁膜
２６をエッチングすることにより、該マスク絶縁膜２６
を一部除去する（図５（ｄ））。この際、例えば、マス
ク絶縁膜２６の厚さが１００ｎｍになるようにエッチン
グ時間を調整する。そして、図５（ｄ）の工程の後に、
絶縁膜２６の穿孔を含む不図示の配線工程が実施され
る。
【００３２】本方法によれば、ＮＳＧからなるマスク絶
縁膜２６を用いたドライエッチング法の採用により強誘
電体膜２４の微細加工が容易になる。しかも、図５
（ｄ）の工程において強誘電体膜２４がマスク絶縁膜２
６で覆われているので、該強誘電体膜２４がエッチング
ガスにさらされることがない。したがって、強誘電体特
性のばらつきや劣化が抑制される。実験によれば、強誘
電体膜２４の残留分極として１３〜１５μＣ／ｃｍ
2が、その耐圧として２５〜３０Ｖがそれぞれ得られ
た。デバイス絶縁膜２２と下層白金膜２３との間及び上
層白金膜２５とマスク絶縁膜２６との間に、それぞれ接
着層としてチタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のい
ずれかを介在させてもよい。
縁膜２６を用いたドライエッチング法の採用により強誘
電体膜２４の微細加工が容易になる。しかも、図５
（ｄ）の工程において強誘電体膜２４がマスク絶縁膜２
６で覆われているので、該強誘電体膜２４がエッチング
ガスにさらされることがない。したがって、強誘電体特
性のばらつきや劣化が抑制される。実験によれば、強誘
電体膜２４の残留分極として１３〜１５μＣ／ｃｍ
2が、その耐圧として２５〜３０Ｖがそれぞれ得られ
た。デバイス絶縁膜２２と下層白金膜２３との間及び上
層白金膜２５とマスク絶縁膜２６との間に、それぞれ接
着層としてチタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のい
ずれかを介在させてもよい。
【００３３】なお、強誘電体膜の一種であるＰＺＴ膜
や、高誘電率膜の一種であるＢＳＴ膜のエッチングに本
方法を適用することも可能である。マスク絶縁膜２６
は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜でもよい。また、強誘
電体膜２４と下層白金膜２３とを同時にエッチングして
もよい。
や、高誘電率膜の一種であるＢＳＴ膜のエッチングに本
方法を適用することも可能である。マスク絶縁膜２６
は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜でもよい。また、強誘
電体膜２４と下層白金膜２３とを同時にエッチングして
もよい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明してきたとおり、本発明によれ
ば、強誘電体、高誘電率材料及び白金のうちの少なくと
も１つからなるエッチング対象膜の上に白金よりも酸化
されやすい金属膜をマスクとしてパターン形成し、ハロ
ゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマでエッチン
グ対象膜を選択的にエッチングすることとしたので、半
導体装置の一部を構成する強誘電体、高誘電率材料及び
白金の微細加工を容易に実現できる効果が得られる。
ば、強誘電体、高誘電率材料及び白金のうちの少なくと
も１つからなるエッチング対象膜の上に白金よりも酸化
されやすい金属膜をマスクとしてパターン形成し、ハロ
ゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマでエッチン
グ対象膜を選択的にエッチングすることとしたので、半
導体装置の一部を構成する強誘電体、高誘電率材料及び
白金の微細加工を容易に実現できる効果が得られる。
【００３５】また、本発明によれば、強誘電体及び高誘
電率材料のうちの少なくとも１つからなるエッチング対
象膜の上に絶縁物からなる下層マスクと白金よりも酸化
されやすい金属からなる上層マスクとをパターン形成
し、ハロゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマで
エッチング対象膜を選択的にエッチングした後に、下層
マスクを残存させながら上層マスクを除去することとし
たので、強誘電体及び高誘電率材料の微細加工を容易に
実現できるだけでなく、強誘電体特性や高誘電率特性の
ばらつきや劣化が抑制される。更に、還元性を有するガ
スのプラズマ、例えば三塩化ホウ素のガスプラズマを用
いて上層マスクをエッチングすることとすれば、上層マ
スクの残滓発生を防止できる。
電率材料のうちの少なくとも１つからなるエッチング対
象膜の上に絶縁物からなる下層マスクと白金よりも酸化
されやすい金属からなる上層マスクとをパターン形成
し、ハロゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマで
エッチング対象膜を選択的にエッチングした後に、下層
マスクを残存させながら上層マスクを除去することとし
たので、強誘電体及び高誘電率材料の微細加工を容易に
実現できるだけでなく、強誘電体特性や高誘電率特性の
ばらつきや劣化が抑制される。更に、還元性を有するガ
スのプラズマ、例えば三塩化ホウ素のガスプラズマを用
いて上層マスクをエッチングすることとすれば、上層マ
スクの残滓発生を防止できる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る半導体装置の
製造方法の工程を示す断面図である。
製造方法の工程を示す断面図である。
【図２】塩素と酸素との混合ガスのプラズマによるドラ
イエッチングを実施した場合の、混合ガス中の酸素ガス
の体積濃度と、白金、強誘電体及びチタンの各々のエッ
チング速度との関係を示す図である。
イエッチングを実施した場合の、混合ガス中の酸素ガス
の体積濃度と、白金、強誘電体及びチタンの各々のエッ
チング速度との関係を示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る半導体装置の
製造方法の他の工程を示す断面図である。
製造方法の他の工程を示す断面図である。
【図４】三塩化ホウ素ガスのプラズマによるドライエッ
チングを実施した場合の、チャンバー内の圧力と、チタ
ン及び酸化チタンの各々のエッチング速度との関係を示
す図である。
チングを実施した場合の、チャンバー内の圧力と、チタ
ン及び酸化チタンの各々のエッチング速度との関係を示
す図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る半導体装置の
製造方法の更に他の工程を示す断面図である。
製造方法の更に他の工程を示す断面図である。
１ 半導体基板 ２ デバイス絶縁膜 ３ 下層白金膜 ４ 強誘電体膜 ５ 上層白金膜 ６ チタン膜 ７ フォトレジストマスク １１，２１ 半導体基板 １２，２２ デバイス絶縁膜 １３，２３ 下層白金膜 １４，２４ 強誘電体膜 １５，２５ 上層白金膜 １６，２６ マスク絶縁膜 １７ チタン膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/108 (72)発明者 長野 能久 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−45905（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H01L 27/04 H01L 27/108
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板の上に、強誘電体、高誘電率
材料及び白金のうちの少なくとも１つからなるエッチン
グ対象膜を形成する工程と、 前記エッチング対象膜の上に、白金よりも酸化されやす
い金属からなるパターン化されたマスクを形成する工程
と、 酸化性とハロゲン化性とを有するガスプラズマで前記エ
ッチング対象膜を選択的にエッチングする工程とを備え
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記マスクを形成する工程は、チタンとチタン化合物と
チタンを含む合金とのうちの少なくとも１つからなる膜
を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記エッチング対象膜を選択的にエッチングする工程
は、塩素と酸素との混合ガスのプラズマを選定する工程
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記塩素と酸素との混合ガスのプラズマを選定する工程
は、該混合ガス中の酸素ガスの体積濃度を３０％以上に
設定する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 半導体基板の上に、強誘電体及び高誘電
率材料のうちの少なくとも１つからなるエッチング対象
膜を形成する工程と、 前記エッチング対象膜の上に、絶縁物からなる下層マス
クと、該下層マスクの上の白金よりも酸化されやすい金
属からなる上層マスクとを備えかつパターン化された積
層マスクを形成する工程と、 酸化性とハロゲン化性とを有するガスプラズマで前記エ
ッチング対象膜を選択的にエッチングする工程と、 前記下層マスクを残存させながら前記上層マスクを除去
する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記下層マスクを形成する工程は、酸化シリコンからな
る膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記上層マスクを形成する工程は、チタンとチタン化合
物とチタンを含む合金とのうちの少なくとも１つからな
る膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記上層マスクを除去する工程は、還元性を有するガス
プラズマを用い、かつチタンと酸化チタンとのエッチン
グ速度が等しくなる条件で前記上層マスクをエッチング
する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記上層マスクを除去する工程は、還元性を有する三塩
化ホウ素のガスプラズマを選定する工程を備えたことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09002835A JP3108374B2 (ja) | 1996-01-26 | 1997-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-11481 | 1996-01-26 | ||
| JP1148196 | 1996-01-26 | ||
| JP09002835A JP3108374B2 (ja) | 1996-01-26 | 1997-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266200A JPH09266200A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3108374B2 true JP3108374B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=26336306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09002835A Expired - Fee Related JP3108374B2 (ja) | 1996-01-26 | 1997-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3108374B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2326524B (en) * | 1997-12-23 | 1999-11-17 | United Microelectronics Corp | Method of fabricating a dynamic random access memory device |
| US6287975B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-09-11 | Tegal Corporation | Method for using a hard mask for critical dimension growth containment |
| KR100546273B1 (ko) * | 1998-04-21 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 알.에프 전력을 갖는 반응성 이온 식각장치를 이용한 백금막 식각방법 |
| US6586790B2 (en) | 1998-07-24 | 2003-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| SG79292A1 (en) | 1998-12-11 | 2001-03-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit and its manufacturing method |
| KR100321721B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-06-20 | 박종섭 | 강유전체막과전극을이루는이중막을동시에식각하는강유전체캐패시터제조방법 |
| JP2002280528A (ja) * | 1999-05-14 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100323711B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2002-02-07 | 구자홍 | 강유전체 메모리 제조방법 |
| JP2001339053A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR20020058566A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-12 | 박종섭 | 캐패시터 형성 방법 |
| JP2003224207A (ja) | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4865978B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2012-02-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004165555A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004214544A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4578777B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2010-11-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4551725B2 (ja) | 2004-09-13 | 2010-09-29 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4515492B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2010-07-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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