JP5350174B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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下部電極膜と、この下部電極膜上に形成された、酸化物からなる強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成された上部電極膜とを表面に有する基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記上部電極膜を所定形状のマスクパターンに形成するマスク形成工程と、フルオロカーボンガス、又はフルオロカーボンガスとヘリウムガスとの混合ガスを含み、塩素ガスを含まないエッチングガスを用い、前記上部電極膜自体をマスクとして、前記強誘電体膜を前記下部電極膜が露出するまでプラズマエッチングする強誘電体膜エッチング工程とを順次実施し、
或いは、前記上部電極膜の上面に、所定形状のマスクパターンを備えたレジスト膜を形成するマスク形成工程と、前記レジスト膜をマスクとして、前記上部電極膜を前記強誘電体膜が露出するまでプラズマエッチングする上部電極膜エッチング工程と、フルオロカーボンガス、又はフルオロカーボンガスとヘリウムガスとの混合ガスを含み、塩素ガスを含まないエッチングガスを用い、前記レジスト膜をマスクとして、前記強誘電体膜を前記下部電極膜が露出するまでプラズマエッチングする強誘電体膜エッチング工程とを順次実施するようにしたプラズマエッチング方法に係る。
11 処理チャンバ
15 基台
20 排気装置
25 ガス供給装置
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 高周波電源
35 高周波電源
52 下部電極膜
53 強誘電体
54 上部電極膜
K 基板
Claims (2)
- 下部電極膜と、この下部電極膜上に形成された、酸化物からなる強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成された上部電極膜とを表面に有する基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記上部電極膜を所定形状のマスクパターンに形成するマスク形成工程と、
フルオロカーボンガスと水素ガス若しくは炭化水素ガスとの混合ガス、又はフルオロカーボンガスとヘリウムガスと水素ガス若しくは炭化水素ガスとの混合ガスを含み、塩素ガスを含まないエッチングガスを用い、前記上部電極膜自体をマスクとして、前記強誘電体膜を前記下部電極膜が露出するまでプラズマエッチングする強誘電体膜エッチング工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 下部電極膜と、この下部電極膜上に形成された、酸化物からなる強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成された上部電極膜とを表面に有する基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記上部電極膜の上面に、所定形状のマスクパターンを備えたレジスト膜を形成するマスク形成工程と、
前記レジスト膜をマスクとして、前記上部電極膜を前記強誘電体膜が露出するまでプラズマエッチングする上部電極膜エッチング工程と、
フルオロカーボンガスと水素ガス若しくは炭化水素ガスとの混合ガス、又はフルオロカーボンガスとヘリウムガスと水素ガス若しくは炭化水素ガスとの混合ガスを含み、塩素ガスを含まないエッチングガスを用い、前記レジスト膜をマスクとして、前記強誘電体膜を前記下部電極膜が露出するまでプラズマエッチングする強誘電体膜エッチング工程とを順次実施するようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
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