JP2001339053A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘電体膜を塩素を含むエッチング用ガスのプ
ラズマに曝した後に発生する突起状変質物、下地膜の凹
凸及び下地膜の段差を抑制することができる半導体装置
の製造方法を得る。 【解決手段】 基板１上にチタン、ストロンチウム及び
バリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜５を
形成する工程、この誘電体膜５を塩素を含むエッチング
用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜５のプラズマ暴
露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に関するものであり、特に、高誘電体膜若しくは
強誘電体膜を用いた半導体装置の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子の微細化が進む中で、
誘電率が大きい（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３膜（ＢＳＴ膜）
などの高誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として用いること
により、キャパシタ面積を小さくし、微細化を図るＤＲ
ＡＭの開発が盛んに行われている。また、Ｐｂ（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３膜（ＰＺＴ膜）などの強誘電体膜をキャパシ
タの誘電体膜として用い、これら誘電体膜の自発分極反
転を利用する不揮発性メモリにおいても、その微細化が
進められている。

【０００３】図５（ａ）乃至（ｃ）は、従来の半導体装
置の製造方法の課題を説明する図であり、半導体装置の
要部を示す断面説明図である。

【０００４】図５（ａ）乃至（ｃ）に示す半導体装置の
製造は、通常、シリコン基板などの基板１上にシリコン
酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２に開口部を設けた
後、接続プラグ３の形成、下部電極４の形成、チタン、
ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素とし
て含む高誘電体膜あるいは強誘電体膜５（以下、誘電体
膜と称す）の形成、上部電極６の形成、の順に処理が行
われる。この半導体装置は、下部電極３、誘電体膜５及
び上部電極６によって薄膜キャパシタを構成している。
通常、この誘電体膜５は、ＰＶＤ法若しくはＣＶＤ法に
より形成され、上部電極６をエッチング後、上部電極６
をエッチングマスクとしてドライエッチングされる。こ
の際、上部電極６のエッチング後、誘電体膜５を大気に
曝さずに上部電極６と誘電体膜５を連続的に実施する場
合と、上部電極６のエッチング後、誘電体膜５を大気に
曝した後に他の処理装置において誘電体膜５のエッチン
グを実施する場合とがある。この誘電体膜５のドライエ
ッチングには、塩素ガス若しくは塩素ガスを含む混合ガ
スのプラズマが用いられる。基板１の近傍には、基板１
を保持する試料台に高周波バイアス電力を印加するなど
の方法により、イオンを加速するバイアス電圧を形成す
る。これによりプラズマ中から誘電体膜５表面へ入射す
るイオンによる物理的スパッタ及びイオンの運動エネル
ギーにより促進される誘電体膜の構成元素と塩素との化
学反応の両方の作用によってエッチングが進行する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記上部電極６と誘電
体膜５のドライエッチングを連続的に行う場合において
は、ドライエッチング後に後処理をせずに大気に曝す
と、図５（ａ）に示すように、誘電体膜５のエッチング
側壁に突起状変質物７が発生する場合があった。このエ
ッチング側壁の突起状変質物７は、誘電体膜５が露出し
たエッチング側壁に形成された誘電体膜５の構成元素で
あるチタン、バリウム及びストロンチウムの塩化物が、
大気に曝されたときに大気中の水分と反応して発生する
ものである。これらの突起状変質物７は誘電体膜の膜厚
の数倍の大きさを有する場合が多く、検査工程における
不良原因となり、更には後工程で形成する膜（図示せ
ず）のカバレッジ不良による信頼性低下などの問題を引
き起こしていた。

【０００６】この突起状変質物７の発生の評価は、シリ
コン基板上に形成した誘電体膜をその表面側より途中ま
でドライエッチングし、大気に曝した後その表面を電子
顕微鏡で観察することにより簡便に行うことができる。
図６は、従来の半導体装置の製造方法において、誘電体
膜としてＢＳＴ膜を用いた場合の、途中までドライエッ
チングしたＢＳＴ膜表面の電子顕微鏡写真である。図６
のように、ＢＳＴ膜の表面には突起状変質物が見られ
た。このような突起状変質物と同様なものは実際の半導
体装置においても、ＢＳＴ膜のエッチング側壁に見られ
た。

【０００７】塩素ガス若しくはこれを含む混合ガスによ
り上部電極６のドライエッチングを行った後に露出した
誘電体膜５を大気に曝す場合、誘電体膜５の露出面に突
起状変質物が発生する。ここで一旦突起状変質物が発生
した状態で誘電体膜５のドライエッチングを行うと、そ
のドライエッチングは突起状変質物の凹凸を反映した状
態で進行する。その結果として、図５（ｂ）に示すよう
に、下地膜であるシリコン酸化膜２に凹凸８が発生す
る。この突起状変質物の高さに相当する誘電体膜を除去
するだけオーバーエッチングを行ったとしても、下地膜
のシリコン酸化膜２がエッチングされて生じる凹凸８の
発生は避けられなかった。

【０００８】このような問題は、誘電体膜としてＢＳＴ
膜を用いたときに限ったものではなく、チタン、ストロ
ンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む
他の誘電体膜においても同様な現象が起こり得る。ま
た、塩素ガス以外の塩素原子を含むエッチングガスを用
いて誘電体膜をドライエッチングする場合にも同様の問
題が発生していた。

【０００９】上述のような誘電体膜をドライエッチング
する際の突起状変質物の防止策としては、誘電体膜の構
成元素であるチタン、バリウム及びストロンチウムの塩
化物を除去することが有効である。具体的には、これら
の塩化物をより安定なフッ化物に置換するという方法が
考えられる。これまでに、アルゴンガスと塩素ガスの混
合ガスに微量のフッ素化合物ガスを添加してエッチング
を行う方法により、ＢＳＴ膜露出面の突起状変質物の発
生を防止した報告例が“Ｈ．Ｍ．Ｌｅｅ，Ｄ．Ｃ．Ｋｉ
ｍ，Ｗ．Ｊｏ，ａｎｄＫ．Ｙ．Ｋｉｍ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１６，１８９１（１９９
８）．”において示されている。この方法を用いた場
合、塩素とフッ素が共存した雰囲気においてエッチング
が進行するため、エッチング終了時においてもエッチン
グ表面には、チタン、バリウム及びストロンチウムの塩
化物とフッ化物とが共存することとなり、突起状変質物
の発生は完全には防止できないものと考えられる。更に
この方法では、エッチング時に基板を保持する試料台に
は高周波バイアス電力が印加されるため、基板表面への
入射イオンによる物理的スパッタ及びイオンの運動エネ
ルギーにより促進される下地膜中のシリコンとフッ素と
の化学反応の両方の作用によって、ＢＳＴ膜に対する下
地のシリコン酸化膜のエッチング速度は大きくなり、図
５（ｃ）に示すように下地のシリコン酸化膜２に段差９
が発生する。高誘電体材料を用いた薄膜キャパシタで
は、その高さを小さくできるという利点があるが、段差
９が発生するとこの利点を活かすことができず、後工程
において、パターン露光時のデフォーカスや膜形成時の
カバレッジ不良などの種々の問題が生じる。また、この
ような弗素化合物ガスを用いた方法の場合には、弗素及
びそのガス中に含まれる他の元素が、誘電体膜及び下地
膜表面に残留するため、これらを除去するための加熱処
理若しくは薬液処理等の工程が必要であるという欠点
も、他の事例において示されている。

【００１０】また、塩素ガスを含むプラズマでエッチン
グ後、弗素またはそれを含むガスのプラズマ照射を行う
ことにより、塩素の原子等を弗素の原子に置換する方法
が特開平８−２１３３６４号公報において示されてい
る。この方法においては、突起状変質物７の発生を防止
することができるが、上述の下地への段差９の発生、残
留する弗素を除去するための後処理が必要という問題に
ついては解決できない。

【００１１】以上のように従来の半導体装置の製造方法
では、塩素を含むガスによりドライエッチングを行った
後、誘電体膜５の露出面での突起状変質物７の発生を完
全に防止し、かつ下地のシリコン酸化膜２の凸凹８及び
段差９の発生を防止することは困難であった。更に、残
留する弗素などを除去する後処理が必要であった。

【００１２】本発明は上述のような課題を解決するため
になされたものであり、チタン、ストロンチウム及びバ
リウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜を塩素
を含むエッチング用ガスのプラズマに曝した後に発生す
る突起状変質物、下地膜の凹凸及び下地膜の段差を抑制
することができる半導体装置の製造方法を提供するもの
である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、基板上にチタン、ストロンチウム及び
バリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜を形
成する工程、この誘電体膜を塩素を含むエッチング用ガ
スのプラズマに曝す工程、誘電体膜のプラズマ暴露面を
酸化性ガスで処理する工程、を備えるものである。

【００１４】また、塩素を含むエッチング用ガスのプラ
ズマに曝す工程が、誘電体膜をエッチングする工程から
なるものである。

【００１５】また、塩素を含むエッチング用ガスのプラ
ズマに曝す工程が、誘電体膜上に位置する導電体膜をエ
ッチングする工程からなるものである。

【００１６】また、酸化性ガスで処理する工程が、誘電
体膜のプラズマ暴露面を大気に曝すことなく行われるも
のである。

【００１７】また、酸化性ガスが、酸素ガスを含むプラ
ズマであるものである。

【００１８】さらにまた、酸化性ガスが、オゾンガスを
含むガスであるものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する図で
あり、半導体装置の要部を示す断面説明図である。図１
に示される半導体装置は、下部電極３、誘電体膜５及び
上部電極６によって構成される薄膜キャパシタを含んで
いる。次にこの半導体装置の製造方法について説明す
る。まず、シリコン基板などの基板１上に、シリコン酸
化膜２を形成し、シリコン酸化膜２に開口部を形成し、
開口部に基板１と下部電極４とを接続する接続プラグ３
を形成する。その後、接続プラグ３に接続するように下
部電極４のパターンを形成する。下部電極４としては、
白金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウ
ム、オスミウム、ロジウムなどの貴金属が用いられる。
次に、誘電体膜であるＢＳＴ膜５、下部電極と同様の貴
金属の導電体膜からなる上部電極６を連続的に形成す
る。同一のフォトレジストマスクを用いて上部電極６と
ＢＳＴ膜５をそれぞれドライエッチングした後、フォト
レジストマスクを除去する。

【００２０】ＢＳＴ膜５の形成はスパッタリング法など
のＰＶＤ法を用いて行い、ＢＳＴ膜５のドライエッチン
グは塩素ガスのプラズマ中で行う。ＢＳＴ膜５のドライ
エッチングにおいては、ＢＳＴ膜５の表面に入射するイ
オンによる物理的スパッタ及びイオンの運動エネルギー
により促進されるＢＳＴ膜５の構成元素と塩素との化学
反応の両方の作用によってエッチングが進行する。この
ような装置としては、ＥＣＲプラズマエッチング装置、
平行平板型ドライエッチング装置、三電極型ドライエッ
チング装置、二周波型ドライエッチング装置、マグネト
ロンエッチング装置、ヘリコン波型ドライエッチング装
置、誘導結合型ドライエッチング装置など各種のプラズ
マを用いたドライエッチング装置を用いることができ
る。尚、基板１の近傍でのイオンを加速するバイアス電
圧が小さい場合には、基板１を保持する試料台に高周波
バイアスなどを印加することによりバイアス電圧を高
め、エッチングを効率よく進行させることができる。

【００２１】ＢＳＴ膜５を塩素ガスのプラズマに曝して
ドライエッチングした後、露出したＢＳＴ膜５のプラズ
マ暴露面１０（即ちエッチング側壁）にはバリウム、ス
トロンチウム及びチタンの塩化物が残留している。この
塩素を電子親和力の大きい元素で置換する。このような
元素としては、酸素、弗素などがあるが、弗素を含むガ
スを用いた場合には上述のような問題があり、本発明に
おいては、ＢＳＴ膜５のプラズマ暴露面１０を酸化性ガ
スとして酸素ガスプラズマ処理することにより、塩素を
酸素で置換する。

【００２２】酸素ガスプラズマ条件として、特にバイア
ス電圧を印加する必要はない。但し、下地のシリコン酸
化膜２のエッチング速度は小さいので、バイアス電圧を
印加しても問題はない。

【００２３】この酸素ガスプラズマによる処理は、ＢＳ
Ｔ膜のプラズマ暴露面１０に残留したバリウム、ストロ
ンチウム及びチタンの塩化物が吸湿する前に、塩化物中
の塩素原子を酸素原子に置換することでその効果が得ら
れるものである。従って、塩素ガスによるドライエッチ
ング後、酸素ガスプラズマによる処理前にＢＳＴ膜のプ
ラズマ暴露面１０を大気などの水分を含むガスに曝した
場合、上記効果は得ることができない。このため通常は
エッチング処理と酸化性処理を真空中で連続処理する
が、水分を含むガスに曝されない方法であれば、これ以
外の方法であってもよい。

【００２４】また、処理室内にエッチングに用いた塩素
ガスが残留していると、この残留ガスがＢＳＴ膜５の構
成元素であるバリウム、ストロンチウム及びチタンと結
合することにより、置換効果が不十分であるので、エッ
チング処理後にエッチング処理室を真空排気して残留塩
素ガスを除去してから酸素ガスプラズマによる処理を行
う。エッチング処理室の真空排気は例えば、処理室の真
空度が１×１０^-1Ｐａ以下になるまで行う。尚、残留塩
素ガスの影響を除く方法として、水分を含まないガスに
より処理室内の置換してもよく、あるいはゲートバルブ
で仕切られた別の処理室で処理してもよい。

【００２５】上記の方法により、ＢＳＴ膜５のドライエ
ッチング後にＢＳＴ膜のプラズマ暴露面１０に存在する
構成元素の塩化物を、酸化物に置き換えることが可能で
ある。これによりＢＳＴ膜のプラズマ暴露面１０の塩化
物を大気に曝すことで発生する突起状変質物の防止が可
能である。また、上記の酸素ガスプラズマによる処理
は、ＢＳＴ膜５のドライエッチング後に、ドライエッチ
ング処理と同一装置内で行うことができ、かつ短時間の
処理で上記の効果が得られる。

【００２６】また、本発明で用いる酸化性ガスによる処
理では、下地のシリコン酸化膜２をエッチングしないの
で、従来四弗化炭素ガスを用いたプラズマ処理をした場
合に見られた下地膜に段差が生じるという問題を防ぐこ
とができる。

【００２７】上記の説明では、ＢＳＴ膜５のドライエッ
チングガスに塩素ガスを用いたが、三塩化硼素、四塩化
珪素、塩化水素などの塩素化合物ガス、あるいはこれら
の塩素化合物ガスと酸素、アルゴン、キセノン、ヘリウ
ムなどとの混合ガスを用いても良い。

【００２８】また上記の説明では、酸化性ガスによる処
理として、酸素ガスによるプラズマ処理する場合につい
て示したが、これはオゾンガスに曝す処理であってもよ
い。この場合にはオゾンガスそのものが酸化性ガスであ
り、プラズマを用いることなく、ＢＳＴ膜５のエッチン
グ面をオゾンガスに曝すことにより上記と同様の効果が
得られる。また、酸化性ガスによる処理として、酸素ガ
スと窒素ガスなどの不活性ガスとの混合ガスのプラズマ
処理であってもよく、オゾンガスと窒素ガスなどの不活
性ガスとの混合ガスに曝す処理であってもよい。

【００２９】また、上記の説明では誘電体膜としてＢＳ
Ｔ膜を用いたが、ＰＺＴ膜、ＳｒＴｉＯ３膜（ＳＴＯ
膜）、ＢａＴｉＯ３膜（ＢＴＯ膜）、（Ｐｂ，Ｌａ）
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３膜（ＰＬＺＴ膜）などのＡＢＯ３
（Ａ、Ｂは金属）あるいはＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜（Ｓ
ＢＴ膜）などのＡＢｉ２Ｂ２Ｏ９（Ａ、Ｂは金属）で表
される多元系酸化膜で、Ａ若しくはＢの少なくともいず
れか一方に構成元素としてチタン、ストロンチウムある
いはバリウムのいずれかを含む誘電体膜を用いた場合に
も上記と同様の効果が得られる。

【００３０】また、上記の説明では、図１に示される薄
膜キャパシタを含む半導体装置の製造方法について示し
たが、これに限らず上記誘電体膜を用いた半導体装置の
製造方法に用いることができる。

【００３１】実施の形態２．尚、実施の形態１は上部電
極６とＢＳＴ膜５を連続的にドライエッチングする場合
について示したが、上部電極６を塩素を含むエッチング
用ガスを用いてドライエッチングした後、露出したＢＳ
Ｔ膜５を一旦大気に曝す場合には、上部電極６のドライ
エッチング後、ＢＳＴ膜５を大気に曝す前にＢＳＴ膜５
の表面の塩化物を酸化性ガスで処理することによって酸
素で置換を行い、ドライエッチング前のＢＳＴ膜５上に
突起状変質物が発生するのを防ぐ。その後実施の形態１
と同様の方法でＢＳＴ膜５のドライエッチング及び酸化
性ガスで処理を行う。このような方法では、上部電極６
を塩素を含むガスを用いてドライエッチングした後、Ｂ
ＳＴ膜５を一旦大気に曝す場合でも、ＢＳＴ膜５のドラ
イエッチング後に下地のシリコン酸化膜の露出面１１で
の凹凸の発生を防ぐことができるのでプロセスの自由度
を大きくすることができる。

【００３２】以下、誘電体膜としてＢＳＴ膜を用いたと
きの本発明の効果を、ドライエッチング後の表面を電子
顕微鏡観察を行うことにより検証した実施例及び比較例
について説明する。 実施例１．まず、シリコン基板上に厚さ約５０ｎｍのＢ
ＳＴ膜をＰＶＤ法で形成し、ＥＣＲプラズマエッチング
装置のエッチング処理室内に搬入した。エッチング処理
室内を真空排気後、エッチング処理室内にエッチングガ
スとして５０ｍｌ／ｍｉｎ（標準状態）の塩素ガスを導
入し、ガス圧力を１．３Ｐａに調整する。次にマイクロ
波パワー１０００Ｗを印加し、プラズマを発生させた。
このとき基板を保持する試料台には高周波バイアス電力
２５０Ｗを印加した。この放電条件でＢＳＴ膜の表面よ
り２０ｎｍエッチングを行い放電を停止した。このエッ
チング後のＢＳＴ膜表面においては、バリウム、ストロ
ンチウム及びチタンの塩化物がＢＳＴ膜表面に残留した
状態である。次にこのエッチング処理室内のガス圧力を
１×１０^-3Ｐａ以下とし、続いて同じエッチング処理室
内において、酸素ガスによるプラズマ処理を実施する。
エッチング処理室内に５０ｍｌ／ｍｉｎ（標準状態）の
酸素ガスを導入した後、ガス圧力を１．３Ｐａに調整
し、マイクロ波パワー４００Ｗを印加し、プラズマを発
生させた。このとき基板を保持する試料台には高周波バ
イアス電力は印加しない。この処理条件で１５秒間処理
を行った。図２は、この発明の実施例１の半導体装置の
製造方法における、途中までドライエッチングしたＢＳ
Ｔ膜表面の電子顕微鏡写真である。図２のように、実施
例１においては、上記の連続した処理により、塩素ガス
によるドライエッチング後においても、突起状変質物の
ない平滑なＢＳＴ膜表面を得ることができた。

【００３３】比較例１．上記酸素ガスによるプラズマ処
理は、電子親和力が大きな元素を含むガスによってその
効果が得られるものである。従って、電子親和力が小さ
いアルゴンガスのプラズマにより処理する場合において
はその効果が得られない。アルゴンガスを用いた場合を
比較例１として以下に示す。実施例１と同一条件でＢＳ
Ｔ膜をエッチング後、エッチング処理室内のガス圧力を
１×１０^-3Ｐａ以下とし、続いて上記プラズマエッチン
グ処理室内において、アルゴンガスによるプラズマ処理
を行った。ガス流量、ガス圧力、放電電力、高周波バイ
アス電力及び処理時間は実施例１の酸素プラズマ処理と
同一とし、ガスのみを酸素ガスからアルゴンガスに代え
た。図３は、この発明の比較例１の半導体装置の製造方
法における、途中までドライエッチングしたＢＳＴ膜表
面の電子顕微鏡写真である。図３のように比較例１にお
いては、ＢＳＴ膜表面に突起状変質物が見られた。

【００３４】比較例２．電子親和力が大きな元素とし
て、酸素の代わりに弗素を含む、四フッ化炭素ガスを用
いた場合を比較例２として以下に示す。実施例１と同一
条件でＢＳＴ膜をエッチング後、エッチング処理室内の
ガス圧力を１×１０^-3Ｐａ以下とし、続いて上記プラズ
マエッチング処理室内において、アルゴンガスによるプ
ラズマ処理を実施した。ガス流量、ガス圧力、放電電
力、高周波バイアス電力及び処理時間は実施例１の酸素
プラズマ処理と同一とし、ガスのみを酸素ガスから四フ
ッ化炭素ガスに代えた。図４は、この発明の比較例２の
半導体装置の製造方法における、途中までドライエッチ
ングしたＢＳＴ膜表面の電子顕微鏡写真である。図４の
ように比較例２においては、実施例１と同様に突起状変
質物のない平滑なＢＳＴ膜表面が得られた。しかし、こ
の四フッ化炭素ガスによるプラズマ処理条件では、ＢＳ
Ｔ膜の下地膜に用いられるシリコン酸化膜のエッチング
速度が大きかった。従って、図１のような薄膜キャパシ
タ構造においては、四フッ化炭素ガスによるプラズマ処
理を用いた場合、下地膜であるシリコン酸化膜がエッチ
ングされることで、下地膜に段差が生じるという問題が
あることが確認された。

【００３５】以上の一連の結果からも明らかなように、
塩素ガスによるＢＳＴ膜のドライエッチング後の処理と
しては、酸素ガスプラズマによる処理が適している。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、誘電体膜を塩素を含むエッチン
グ用ガスのプラズマに曝した後、この誘電体膜のプラズ
マ暴露面を酸化性ガスで処理するので、誘電体膜のプラ
ズマ暴露面若しくは下地膜の露出面における突起状変質
物の発生を防ぐことができる。さらに、下地膜の凸凹及
び下地膜の段差が生じるという問題も防ぐことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法を示す図であり、半導体装置の要部を示す断面説明
図である。

【図２】 この発明の実施例１の半導体装置の製造方法
における、途中までドライエッチングしたＢＳＴ膜表面
の電子顕微鏡写真である。

【図３】 この発明の比較例１の半導体装置の製造方法
における、途中までドライエッチングしたＢＳＴ膜表面
の電子顕微鏡写真である。

【図４】 この発明の比較例２の半導体装置の製造方法
における、途中までドライエッチングしたＢＳＴ膜表面
の電子顕微鏡写真である。

【図５】 従来の半導体装置の製造方法の課題を説明す
る図であり、半導体装置の要部を示す断面説明図であ
る。。

【図６】 従来の半導体装置の製造方法において、誘電
体膜としてＢＳＴ膜を用いた場合の、途中までドライエ
ッチングしたＢＳＴ膜表面の電子顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１ シリコン基板 ５ 誘電体膜（ＢＳＴ膜） ６ 上部電極（導電体膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仲村 恵右 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA08 AA09 BA04 BA05 BA13 BA14 BA20 BB13 DA04 DA05 DA11 DA22 DA23 DA26 DA27 DA29 DB13 EB08 FA08 5F083 AD21 FR01 JA14 JA15 JA17 JA38 MA06 MA17 PR03

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にチタン、ストロンチウム及びバ
   リウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜を形成
   する工程、該誘電体膜を塩素を含むエッチング用ガスの
   プラズマに曝す工程、該誘電体膜のプラズマ暴露面を酸
   化性ガスで処理する工程、を備えてなる半導体装置の製
   造方法。
2. 【請求項２】 塩素を含むエッチング用ガスのプラズマ
   に曝す工程が、上記誘電体膜をエッチングする工程から
   なる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 塩素を含むエッチング用ガスのプラズマ
   に曝す工程が、上記誘電体膜上に位置する導電体膜をエ
   ッチングする工程からなる請求項１記載の半導体装置の
   製造方法。
4. 【請求項４】 酸化性ガスで処理する工程が、上記誘電
   体膜のプラズマ暴露面を大気に曝すことなく行われるこ
   とを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記
   載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 酸化性ガスが、酸素ガスを含むガスのプ
   ラズマである請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載
   の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 酸化性ガスが、オゾンガスを含むガスで
   ある請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体
   装置の製造方法。