JP2921270B2 - 経時絶縁膜破壊評価方法および経時絶縁膜破壊評価装置 - Google Patents
経時絶縁膜破壊評価方法および経時絶縁膜破壊評価装置Info
- Publication number
- JP2921270B2 JP2921270B2 JP4189362A JP18936292A JP2921270B2 JP 2921270 B2 JP2921270 B2 JP 2921270B2 JP 4189362 A JP4189362 A JP 4189362A JP 18936292 A JP18936292 A JP 18936292A JP 2921270 B2 JP2921270 B2 JP 2921270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- breakdown
- electric field
- tbd
- reference current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
- G01R31/1227—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials
- G01R31/1263—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials of solid or fluid materials, e.g. insulation films, bulk material; of semiconductors or LV electronic components or parts; of cable, line or wire insulation
- G01R31/129—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing of components, parts or materials of solid or fluid materials, e.g. insulation films, bulk material; of semiconductors or LV electronic components or parts; of cable, line or wire insulation of components or parts made of semiconducting materials; of LV components or parts
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスに用
いられる絶縁膜の破壊評価法とステップストレス法を用
いた経時絶縁膜破壊評価方法（ＴＤＤＢ）および経時絶
縁膜破壊評価装置に関するものである。
いられる絶縁膜の破壊評価法とステップストレス法を用
いた経時絶縁膜破壊評価方法（ＴＤＤＢ）および経時絶
縁膜破壊評価装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９に絶縁膜を挟んで電圧を印加したと
きの代表的なＩ−Ｖ特性を示す。従来の絶縁膜破壊評価
方法は、観測した電流が１つの絶縁膜破壊判断基準電流
Ｉcrに達したときの電圧ＶBDを破壊電圧とみなしてい
た。
きの代表的なＩ−Ｖ特性を示す。従来の絶縁膜破壊評価
方法は、観測した電流が１つの絶縁膜破壊判断基準電流
Ｉcrに達したときの電圧ＶBDを破壊電圧とみなしてい
た。
【０００３】しかしながら、熱酸化膜などの絶縁膜は、
K.Yamabe and Taniguchi,IEEE Trans.Electron Devices
ED-32,P423(1985) の文献に示されるように、絶縁膜中
の欠陥に起因してＡモード、Ｂモード、Ｃモードの３種
類の故障モードに分類される。これら３種類の故障モー
ドの絶縁膜のＩ−Ｖ特性は、図１０に示すように、曲線
２、曲線３、曲線１のようになる。この時従来の絶縁膜
破壊評価方法では１つの基準電流Ｉcrに対してのＶBDを
調べることしか出来ないため図１０のＩcr,1によって曲
線２、曲線３、の破壊電圧ＶA,1 ，ＶB,1 を正確に調べ
ることは出来るが、曲線１の破壊電圧ＶC,1 が正確でな
くなってしまう。そこで曲線１の正確な破壊電圧ＶC,2
を知るために、絶縁膜破壊判断基準電流Ｉcr,2によって
破壊電圧を調べると、今度はＶA,2 ，ＶB,2 が不正確に
なってしまう。
K.Yamabe and Taniguchi,IEEE Trans.Electron Devices
ED-32,P423(1985) の文献に示されるように、絶縁膜中
の欠陥に起因してＡモード、Ｂモード、Ｃモードの３種
類の故障モードに分類される。これら３種類の故障モー
ドの絶縁膜のＩ−Ｖ特性は、図１０に示すように、曲線
２、曲線３、曲線１のようになる。この時従来の絶縁膜
破壊評価方法では１つの基準電流Ｉcrに対してのＶBDを
調べることしか出来ないため図１０のＩcr,1によって曲
線２、曲線３、の破壊電圧ＶA,1 ，ＶB,1 を正確に調べ
ることは出来るが、曲線１の破壊電圧ＶC,1 が正確でな
くなってしまう。そこで曲線１の正確な破壊電圧ＶC,2
を知るために、絶縁膜破壊判断基準電流Ｉcr,2によって
破壊電圧を調べると、今度はＶA,2 ，ＶB,2 が不正確に
なってしまう。
【０００４】また、絶縁膜破壊評価法を用いると、ステ
ップストレス法によるＴＤＤＢ特性を予測する事が出
来、絶縁膜の信頼性評価を早期に行える長所がある。そ
こで、従来のステップストレス法ＴＤＤＢ評価法は、図
１１に示すように絶縁膜破壊寿命ｔBD∝ｅｘｐ（−β・
ＥG ）の関係から
ップストレス法によるＴＤＤＢ特性を予測する事が出
来、絶縁膜の信頼性評価を早期に行える長所がある。そ
こで、従来のステップストレス法ＴＤＤＢ評価法は、図
１１に示すように絶縁膜破壊寿命ｔBD∝ｅｘｐ（−β・
ＥG ）の関係から
【０００５】
【数７】
【０００６】によって電界ＥG のときのｔBDを推定して
いた。しかしながら、熱酸化膜の詳細な破壊メカニズム
を調べてみるとI.C.Chen,SS.E.Holland,and C.Hu,IEEE
Trans.Electron Devices ED-32,P413(1985) の文献に従
うことが分かった。
いた。しかしながら、熱酸化膜の詳細な破壊メカニズム
を調べてみるとI.C.Chen,SS.E.Holland,and C.Hu,IEEE
Trans.Electron Devices ED-32,P413(1985) の文献に従
うことが分かった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の絶縁膜破壊評価
方法は以上のように１つの規定電流Ｉcrで破壊電圧を調
べていたため、多種類の故障モードを持つ絶縁膜に対し
ては、正確な破壊電圧を知ることは不可能であった。
方法は以上のように１つの規定電流Ｉcrで破壊電圧を調
べていたため、多種類の故障モードを持つ絶縁膜に対し
ては、正確な破壊電圧を知ることは不可能であった。
【０００８】また数７によって得られるステップストレ
スＴＤＤＢ評価法は、絶縁膜破壊評価方法ｔBD∝ｅｘｐ
（−β・ＥG ）の関係を用いていたため多種類の故障モ
ードを持つ絶縁膜に対しては、正確なＴＤＤＢ特性を得
ることは不可能であった。
スＴＤＤＢ評価法は、絶縁膜破壊評価方法ｔBD∝ｅｘｐ
（−β・ＥG ）の関係を用いていたため多種類の故障モ
ードを持つ絶縁膜に対しては、正確なＴＤＤＢ特性を得
ることは不可能であった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、多種類の故障モードを持つ絶縁
膜に対して、正確なＴＤＤＢ特性の得られる経時絶縁膜
破壊評価方法及び経時絶縁膜破壊評価装置を得ることを
目的とする。
ためになされたもので、多種類の故障モードを持つ絶縁
膜に対して、正確なＴＤＤＢ特性の得られる経時絶縁膜
破壊評価方法及び経時絶縁膜破壊評価装置を得ることを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる経時絶
縁膜破壊評価方法は、絶縁膜に電界強度Ｅiのｉ番目の
ステップストレス電界を時間Δｔi 印加して絶縁膜のＩ
ーＶ特性を測定する工程と、絶縁膜を流れる電流Ｉと絶
縁膜破壊判断基準電流Ｉcrとを比較する工程と、絶縁膜
が絶縁膜破壊に至るステップ数Ｎを数えるステップ数計
数工程と、ステップ数Ｎに基づき、電界強度ＥG の全域
において１種類の加速ファクターＧ（後述する）を有す
るときの絶縁膜破壊寿命ｔBDを（式１）により求め、ま
た臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧA
，ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを（式２）ま
たは（式３）により求める工程とを備えたものである。
縁膜破壊評価方法は、絶縁膜に電界強度Ｅiのｉ番目の
ステップストレス電界を時間Δｔi 印加して絶縁膜のＩ
ーＶ特性を測定する工程と、絶縁膜を流れる電流Ｉと絶
縁膜破壊判断基準電流Ｉcrとを比較する工程と、絶縁膜
が絶縁膜破壊に至るステップ数Ｎを数えるステップ数計
数工程と、ステップ数Ｎに基づき、電界強度ＥG の全域
において１種類の加速ファクターＧ（後述する）を有す
るときの絶縁膜破壊寿命ｔBDを（式１）により求め、ま
た臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧA
，ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを（式２）ま
たは（式３）により求める工程とを備えたものである。
【００１１】またこの発明に係わる経時絶縁膜破壊評価
装置は、絶縁膜にステップストレス電界を印加して前記
絶縁膜を流れる電流を測定するＩーＶ特性測定装置と、
絶縁膜破壊判断基準電流を発生する基準電流発生装置
と、前記絶縁膜を流れる電流と前記絶縁膜破壊判断基準
電流とを比較する電流比較器と、前記絶縁膜が絶縁膜破
壊に至るステップ数Ｎを計数するステップ数計数装置
と、前記ステップ数Ｎに基づき、電界強度ＥG の全域に
おいて１種類の加速ファクターＧを有するときの絶縁膜
破壊寿命ｔBDを、（式１）により求め、また臨界電界強
度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧA ，ＧB を有す
るとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを、（式２）または（式３）
により算出する計算装置と、前記絶縁膜破壊寿命ｔBDに
基づき累積故障率を算出する累積故障率算出装置とを備
えたものである。
装置は、絶縁膜にステップストレス電界を印加して前記
絶縁膜を流れる電流を測定するＩーＶ特性測定装置と、
絶縁膜破壊判断基準電流を発生する基準電流発生装置
と、前記絶縁膜を流れる電流と前記絶縁膜破壊判断基準
電流とを比較する電流比較器と、前記絶縁膜が絶縁膜破
壊に至るステップ数Ｎを計数するステップ数計数装置
と、前記ステップ数Ｎに基づき、電界強度ＥG の全域に
おいて１種類の加速ファクターＧを有するときの絶縁膜
破壊寿命ｔBDを、（式１）により求め、また臨界電界強
度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧA ，ＧB を有す
るとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを、（式２）または（式３）
により算出する計算装置と、前記絶縁膜破壊寿命ｔBDに
基づき累積故障率を算出する累積故障率算出装置とを備
えたものである。
【００１２】
【作用】この発明における経時絶縁膜破壊評価方法は、
臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧA ，
ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを、請求項１の
（式２）または（式３）により求める工程とを備えたの
で、加速ファクターに依存したステップストレス電界の
絶縁膜破壊寿命への寄与分を付与することができる。
臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧA ，
ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを、請求項１の
（式２）または（式３）により求める工程とを備えたの
で、加速ファクターに依存したステップストレス電界の
絶縁膜破壊寿命への寄与分を付与することができる。
【００１３】この発明における経時絶縁膜破壊評価装置
は、臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧ
A ，ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを（式２）ま
たは（式３）により求める計算装置を備えたので、加速
ファクターに依存したステップストレス電界の絶縁膜破
壊寿命への寄与分を付与することができる。
は、臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速ファクターＧ
A ，ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBDを（式２）ま
たは（式３）により求める計算装置を備えたので、加速
ファクターに依存したステップストレス電界の絶縁膜破
壊寿命への寄与分を付与することができる。
【００１４】（測定評価例） 図１に、絶縁膜破壊評価装置の構成を示す。被測定試料
である絶縁膜11をはさんで、電極12の両端に電圧印加装
置13より電圧Ｖを印加する。これに直列に入れた電流計
Ａにより絶縁膜11中を流れる電流Ｉを測り、Ｖ−Ｉ特性
を得る。次に測定した電流値Ｉと、基準電流発生装置19
により発生された絶縁膜破壊判定の基準電流値Ｉcrとを
比較器15にて比較し、Ｉ＞Ｉcrのとき絶縁破壊と判定す
る。
である絶縁膜11をはさんで、電極12の両端に電圧印加装
置13より電圧Ｖを印加する。これに直列に入れた電流計
Ａにより絶縁膜11中を流れる電流Ｉを測り、Ｖ−Ｉ特性
を得る。次に測定した電流値Ｉと、基準電流発生装置19
により発生された絶縁膜破壊判定の基準電流値Ｉcrとを
比較器15にて比較し、Ｉ＞Ｉcrのとき絶縁破壊と判定す
る。
【００１５】図２は、図１の絶縁膜破壊評価装置で測定
したＳｉＯ2 膜に関する印加電界Ｅと絶縁膜を流れる電
流密度Ｊとの関係を示したものである。ここで電界強度
Ｅ＝印加電圧Ｖ／試料の厚み、及び電流密度Ｊ≡単位面
積当りの電流値Ｉである。
したＳｉＯ2 膜に関する印加電界Ｅと絶縁膜を流れる電
流密度Ｊとの関係を示したものである。ここで電界強度
Ｅ＝印加電圧Ｖ／試料の厚み、及び電流密度Ｊ≡単位面
積当りの電流値Ｉである。
【００１６】図２の点線１は膜欠陥のないＳｉＯ2 膜試
料のＶ−Ｉ特性を、又点線２は、膜にピンホール等の初
期不良のある試料の、又点線３は膜に一部弱い部分が存
在するような試料についてのＶ−Ｉ特性を示す。点線１
の試料では印加電界７MV／cm位までは、電流密度Ｊは10
-9Ａ／cm2 以下の電流しか流れないが、印加電界が７MV
／cmをこえると急激に電流が増加し、11MV／cm附近で遂
に破壊する（Ｃモード故障）。一方点線２の試料では、
印加電界0.2 MV／cm以下で急激に電流が流れ、初期破壊
が生ずる（Ａモード故障）。又、点線３の試料では、印
加電界４MV／cmをこえると膜弱い部分による破壊が生ず
る（Ｂモード故障）。
料のＶ−Ｉ特性を、又点線２は、膜にピンホール等の初
期不良のある試料の、又点線３は膜に一部弱い部分が存
在するような試料についてのＶ−Ｉ特性を示す。点線１
の試料では印加電界７MV／cm位までは、電流密度Ｊは10
-9Ａ／cm2 以下の電流しか流れないが、印加電界が７MV
／cmをこえると急激に電流が増加し、11MV／cm附近で遂
に破壊する（Ｃモード故障）。一方点線２の試料では、
印加電界0.2 MV／cm以下で急激に電流が流れ、初期破壊
が生ずる（Ａモード故障）。又、点線３の試料では、印
加電界４MV／cmをこえると膜弱い部分による破壊が生ず
る（Ｂモード故障）。
【００１７】次に絶縁膜破壊評価方法を示す。図２にお
いて、実線５は印加電界により２種類の絶縁破壊の判定
基準電流密度を設けた例を示し、印加電界が６MV／cm以
下のときＪcr1 ＝10-4Ａ／cm2 、６MV／cm以上のときＪ
cr2 ＝１Ａ／cm2 と設定すると、電界の低い方からＪcr
1 の基準によりＡモード故障、Ｂモード故障が、続いて
Ｊcr2 の規準によりＣモード故障が確認される。
いて、実線５は印加電界により２種類の絶縁破壊の判定
基準電流密度を設けた例を示し、印加電界が６MV／cm以
下のときＪcr1 ＝10-4Ａ／cm2 、６MV／cm以上のときＪ
cr2 ＝１Ａ／cm2 と設定すると、電界の低い方からＪcr
1 の基準によりＡモード故障、Ｂモード故障が、続いて
Ｊcr2 の規準によりＣモード故障が確認される。
【００１８】図２の点線６は、印加電界の関数として基
準電流密度Ｊcr（Ｅ）の変化を示したものである。請求
項１においては、印加電圧の関数としての基準電流値と
記述したが、電界、電流密度に置きかえても同じ効果を
示すことは云うまでもない。点線６を Ｊcr（Ｅ）＝κ・Ｅ＋Ｊcr1 を満すものとすれば、実施例１で示した場合と同様に、
電界の低い方から順にＡモード故障、Ｂモード故障、Ｃ
モード故障に対し、正確な絶縁膜破壊電界値を知ること
が出来る。
準電流密度Ｊcr（Ｅ）の変化を示したものである。請求
項１においては、印加電圧の関数としての基準電流値と
記述したが、電界、電流密度に置きかえても同じ効果を
示すことは云うまでもない。点線６を Ｊcr（Ｅ）＝κ・Ｅ＋Ｊcr1 を満すものとすれば、実施例１で示した場合と同様に、
電界の低い方から順にＡモード故障、Ｂモード故障、Ｃ
モード故障に対し、正確な絶縁膜破壊電界値を知ること
が出来る。
【００１９】
【実施例】実施例１． 絶縁膜破壊寿命評価装置からステップストレス法による
ＴＤＤＢ特性の予測が可能である。Chen-Holland-Hu モ
デル（以下ＣＨＨモデルと呼ぶ）によれば、印加電界強
度ＥG と絶縁膜破壊寿命ｔBDとの関係は ｔBD＝τ0ｅｘｐ（Ｇ／ＥG ） によって与えられる。ここでτ0は比例係数、Ｇは加速
ファクターと呼ばれる係数である。図３にこの関係を示
す。直線７の傾きが加速ファクターＧである。
ＴＤＤＢ特性の予測が可能である。Chen-Holland-Hu モ
デル（以下ＣＨＨモデルと呼ぶ）によれば、印加電界強
度ＥG と絶縁膜破壊寿命ｔBDとの関係は ｔBD＝τ0ｅｘｐ（Ｇ／ＥG ） によって与えられる。ここでτ0は比例係数、Ｇは加速
ファクターと呼ばれる係数である。図３にこの関係を示
す。直線７の傾きが加速ファクターＧである。
【００２０】今、絶縁膜にｉ番目のステップストレス電
界Ｅi をΔｔi 時間かけ、これをＮ行程続けた時に絶縁
破壊が生じたとすると
界Ｅi をΔｔi 時間かけ、これをＮ行程続けた時に絶縁
破壊が生じたとすると
【００２１】
【数８】
【００２２】で表わされる。ここでｔi は任意の印加電
界ＥG を印加した時の絶縁膜破壊寿命ｔBDに対し、ステ
ップストレス電界Ｅi をΔｔi 時間印加したことによる
絶縁膜破壊寿命への寄与分を示す換算時間であり、 ｔi ＝（Δｔi ｅｘｐ（−Ｇ／Ｅi ））ｅｘｐ（Ｇ／ＥG ） と表わされる。即ち
界ＥG を印加した時の絶縁膜破壊寿命ｔBDに対し、ステ
ップストレス電界Ｅi をΔｔi 時間印加したことによる
絶縁膜破壊寿命への寄与分を示す換算時間であり、 ｔi ＝（Δｔi ｅｘｐ（−Ｇ／Ｅi ））ｅｘｐ（Ｇ／ＥG ） と表わされる。即ち
【００２３】
【数９】
【００２４】と書ける。即ち上式によりステップストレ
ス方式による絶縁膜破壊寿命ｔBDが評価出来ることが示
されており、絶縁膜試料に電界Ｅi をΔｔi 時間順次印
加してゆき、絶縁膜を流れる電流Ｉが請求項第１項又は
第２項で示した絶縁膜破壊判断基準電流値Ｉcrを超えて
絶縁破壊に至った時までのステップ数Ｎを求めることに
より絶縁膜破壊寿命ｔBDを求めることが出来る。
ス方式による絶縁膜破壊寿命ｔBDが評価出来ることが示
されており、絶縁膜試料に電界Ｅi をΔｔi 時間順次印
加してゆき、絶縁膜を流れる電流Ｉが請求項第１項又は
第２項で示した絶縁膜破壊判断基準電流値Ｉcrを超えて
絶縁破壊に至った時までのステップ数Ｎを求めることに
より絶縁膜破壊寿命ｔBDを求めることが出来る。
【００２５】ここで加速ファクターＧは絶縁破壊のメカ
ニズムに密着した係数であり、Ｇ＝Ｂ＋Ｈで表わされ
る。
ニズムに密着した係数であり、Ｇ＝Ｂ＋Ｈで表わされ
る。
【００２６】Ｂは図５に示すファウラーノルドハイムの
トンネル電流ＪFNの測定から得られるもので、トンネル
電流ＪFNの電界依存性
トンネル電流ＪFNの測定から得られるもので、トンネル
電流ＪFNの電界依存性
【００２７】
【数１０】
【００２８】の係数として求められ、例えばＢ＝240 MV
／cmである。又、Ｈは衝突電離におけるホール生成率
／cmである。又、Ｈは衝突電離におけるホール生成率
【００２９】
【数１１】
【００３０】の関係から求められ、例えばＨ＝80MV／cm
である。
である。
【００３１】図４は、経時絶縁膜破壊評価方法の工程を
示すフローチャート、及び経時絶縁膜破壊評価装置の構
成を示すブロック図である。まず左側のフローに従って
加速ファクターＧの決定を行う。トンネル電流の実験に
より図５に示すＦＮプロットを作成し、その勾配から係
数Ｂを求める。同様に衝突電離のホール生成率の実験か
らＨを求め、加速ファクターＧはその和として求められ
る。次に図４の右側のフローに従って、Ｉ−Ｖ特性測定
装置により、絶縁膜のＩ−Ｖ特性をとる。ステップスト
レス電界強度Ｅi をΔｔi 時間印加し、電流比較器によ
り、観測した電流値Ｉを絶縁膜破壊判断基準電流Ｉcrと
比較し、ステップ数計数装置（Ｎ値計数器）により、絶
縁膜破壊判断基準電流Ｉcrを超えて破壊に至るステップ
数Ｎを数える。以上のようにＮ及びＧが求められたら、
次式により絶縁膜破壊寿命ｔBDが求められる。
示すフローチャート、及び経時絶縁膜破壊評価装置の構
成を示すブロック図である。まず左側のフローに従って
加速ファクターＧの決定を行う。トンネル電流の実験に
より図５に示すＦＮプロットを作成し、その勾配から係
数Ｂを求める。同様に衝突電離のホール生成率の実験か
らＨを求め、加速ファクターＧはその和として求められ
る。次に図４の右側のフローに従って、Ｉ−Ｖ特性測定
装置により、絶縁膜のＩ−Ｖ特性をとる。ステップスト
レス電界強度Ｅi をΔｔi 時間印加し、電流比較器によ
り、観測した電流値Ｉを絶縁膜破壊判断基準電流Ｉcrと
比較し、ステップ数計数装置（Ｎ値計数器）により、絶
縁膜破壊判断基準電流Ｉcrを超えて破壊に至るステップ
数Ｎを数える。以上のようにＮ及びＧが求められたら、
次式により絶縁膜破壊寿命ｔBDが求められる。
【００３２】
【数１２】
【００３３】実施例２． 絶縁膜破壊寿命ｔBDと電界強度ＥG との関係を調べる
と、図３の点線８に示すように、臨界電界強度Ｅcrより
も高電界側で、ＣＨＨモデルを満足しない場合が生ず
る。このとき、ＥG ＜Ｅcrのときの加速ファクターをＧ
A ，ＥG ＞Ｅcrのときの加速ファクターをＧB としたと
きの改良ＣＨＨモデルを提供する。
と、図３の点線８に示すように、臨界電界強度Ｅcrより
も高電界側で、ＣＨＨモデルを満足しない場合が生ず
る。このとき、ＥG ＜Ｅcrのときの加速ファクターをＧ
A ，ＥG ＞Ｅcrのときの加速ファクターをＧB としたと
きの改良ＣＨＨモデルを提供する。
【００３４】実施例１において２種類の加速ファクター
ＧA ，ＥB についてｔBDを示すと
ＧA ，ＥB についてｔBDを示すと
【００３５】
【数１３】
【００３６】
【数１４】
【００３７】で与えられる。ここで、ｊはＥi ＞Ｅcrと
なる時までのステップの数を表わす。即ち、印加電界Ｅ
G ＜Ｅcr の場合の絶縁膜破壊寿命ｔBDを求める時、数
１３において、右辺の第１項は、ステップストレスＥi
＜Ｅcrに対する寿命への寄与分を、又第２項はＥi ＞Ｅ
crのステップストレスＥi に対する寿命への寄与分を示
している。同様に数１４についても右辺第１項は、ステ
ップストレスＥi ＞Ｅcrに対する寿命への寄与分を、又
右辺第２項はＥi ＜Ｅcrに対する寿命への寄与分を示し
ている。
なる時までのステップの数を表わす。即ち、印加電界Ｅ
G ＜Ｅcr の場合の絶縁膜破壊寿命ｔBDを求める時、数
１３において、右辺の第１項は、ステップストレスＥi
＜Ｅcrに対する寿命への寄与分を、又第２項はＥi ＞Ｅ
crのステップストレスＥi に対する寿命への寄与分を示
している。同様に数１４についても右辺第１項は、ステ
ップストレスＥi ＞Ｅcrに対する寿命への寄与分を、又
右辺第２項はＥi ＜Ｅcrに対する寿命への寄与分を示し
ている。
【００３８】以上のように、加速ファクターＧが臨界電
界強度Ｅcrを境にＧ1 とＧ2 をとるときの絶縁膜破壊寿
命ｔBDを求める工程を図４のフローチャートで説明する
と、まず左のフローからトンネル電流の実験による図５
のＦＮプロットにより、臨界電界強度Ｅcrと、２つの加
速ファクターＢ1 ，Ｂ2 が得られる。よってＧ＝Ｂ＋Ｈ
からＧ1，Ｇ2 が得られる。次に右のフローから、ステ
ップストレスＥi が臨界電界強度Ｅcrを越えるまでのス
テップ数ｊを求める。Ｉ−Ｖ特性測定装置により、観測
する絶縁膜にステップストレスＥi をΔｔi時間づつ印
加してゆき、電流比較器及びステップ数Ｎ計数装置（Ｎ
値計数器）により絶縁膜を流れる電流Ｉが絶縁膜破壊判
断基準電流値Ｉcrを越える絶縁破壊を起こすまでのステ
ップ数Ｎを数える。以上求めたｊ，Ｎ，Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｅ
crを用いて絶縁膜破壊寿命ｔBDは数１２、或いは数１３
及び数１４から求められる。
界強度Ｅcrを境にＧ1 とＧ2 をとるときの絶縁膜破壊寿
命ｔBDを求める工程を図４のフローチャートで説明する
と、まず左のフローからトンネル電流の実験による図５
のＦＮプロットにより、臨界電界強度Ｅcrと、２つの加
速ファクターＢ1 ，Ｂ2 が得られる。よってＧ＝Ｂ＋Ｈ
からＧ1，Ｇ2 が得られる。次に右のフローから、ステ
ップストレスＥi が臨界電界強度Ｅcrを越えるまでのス
テップ数ｊを求める。Ｉ−Ｖ特性測定装置により、観測
する絶縁膜にステップストレスＥi をΔｔi時間づつ印
加してゆき、電流比較器及びステップ数Ｎ計数装置（Ｎ
値計数器）により絶縁膜を流れる電流Ｉが絶縁膜破壊判
断基準電流値Ｉcrを越える絶縁破壊を起こすまでのステ
ップ数Ｎを数える。以上求めたｊ，Ｎ，Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｅ
crを用いて絶縁膜破壊寿命ｔBDは数１２、或いは数１３
及び数１４から求められる。
【００３９】実施例３． 以上の実施例１，２で求めた絶縁膜破壊評価寿命ｔBDを
用いて、ステップストレス法による経時絶縁膜破壊寿命
ＴＤＤＢ特性を得ることが出来る。絶縁膜破壊寿命ｔBD
が求まると、累積故障率Ｆ（ｔBD）は、例えばワイブル
分布を用いて
用いて、ステップストレス法による経時絶縁膜破壊寿命
ＴＤＤＢ特性を得ることが出来る。絶縁膜破壊寿命ｔBD
が求まると、累積故障率Ｆ（ｔBD）は、例えばワイブル
分布を用いて
【００４０】
【数１５】
【００４１】により求めることが出来る。ここでｔ0 ，
ｍはワイブルプロット図で実験に合わせて決められる定
数である。
ｍはワイブルプロット図で実験に合わせて決められる定
数である。
【００４２】図６は、実施例２に示した、改良型ＣＨＨ
モデルによるｔBDを印加電界ＥG をパラメーターにして
プロットしたもので、図において実線が本発明による計
算値を、又図中のマーク（○□×）は実験値を示す。以
上を比較すると初期故障の段階から摩耗故障に至るまで
良好な一致を得られることがわかる。
モデルによるｔBDを印加電界ＥG をパラメーターにして
プロットしたもので、図において実線が本発明による計
算値を、又図中のマーク（○□×）は実験値を示す。以
上を比較すると初期故障の段階から摩耗故障に至るまで
良好な一致を得られることがわかる。
【００４３】参考のため、図７、図８に加速パラメータ
ーが一定とした時のＴＤＤＢ曲線を示すが、図７の低電
界の加速ファクター（Ｇファクター）だけを用いた場
合、寿命の長い部分で計算と実験との大きなずれを生
じ、又図８の高電界のＧファクターだけを用いた場合
は、寿命の短い部分で計算と実験との大きなずれが生じ
ている。
ーが一定とした時のＴＤＤＢ曲線を示すが、図７の低電
界の加速ファクター（Ｇファクター）だけを用いた場
合、寿命の長い部分で計算と実験との大きなずれを生
じ、又図８の高電界のＧファクターだけを用いた場合
は、寿命の短い部分で計算と実験との大きなずれが生じ
ている。
【００４４】
【発明の効果】この発明の経時絶縁膜破壊評価方法によ
れば、絶縁膜にステップストレス電界を印加して絶縁膜
のＩーＶ特性を測定する工程と、絶縁膜を流れる電流Ｉ
と絶縁膜破壊判断基準電流Ｉcrとを比較する工程と、絶
縁膜が絶縁膜破壊に至るステップ数Ｎを数えるステップ
数計数工程と、ステップ数Ｎに基づき、電界強度ＥG の
全域において、臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速フ
ァクターＧA ，ＧB を有する場合は絶縁膜破壊寿命ｔBD
を、（式２）または（式３）により求める工程とを備え
たので、多種類の故障モードを持つ絶縁膜に対して、正
確な経時絶縁膜破壊評価方法を提供することができる。
れば、絶縁膜にステップストレス電界を印加して絶縁膜
のＩーＶ特性を測定する工程と、絶縁膜を流れる電流Ｉ
と絶縁膜破壊判断基準電流Ｉcrとを比較する工程と、絶
縁膜が絶縁膜破壊に至るステップ数Ｎを数えるステップ
数計数工程と、ステップ数Ｎに基づき、電界強度ＥG の
全域において、臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速フ
ァクターＧA ，ＧB を有する場合は絶縁膜破壊寿命ｔBD
を、（式２）または（式３）により求める工程とを備え
たので、多種類の故障モードを持つ絶縁膜に対して、正
確な経時絶縁膜破壊評価方法を提供することができる。
【００４５】また、この発明の経時絶縁膜破壊評価装置
によれば、絶縁膜が２種類の加速ファクターＧA ，ＧB
を有する場合は、（式２）または（式３）により絶縁膜
破壊寿命ｔBDを算出する計算装置を備えたので、多種類
の故障モードを持つ絶縁膜に対して、正確な経時絶縁膜
破壊寿命を得ることができる。
によれば、絶縁膜が２種類の加速ファクターＧA ，ＧB
を有する場合は、（式２）または（式３）により絶縁膜
破壊寿命ｔBDを算出する計算装置を備えたので、多種類
の故障モードを持つ絶縁膜に対して、正確な経時絶縁膜
破壊寿命を得ることができる。
【図１】 絶縁膜破壊評価装置のブロック図である。
【図２】 絶縁膜のＩ−Ｖ特性を示す図である。
【図３】 印加電界ＥＧと絶縁膜破壊寿命ｔＢＤとの関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図４】 実施例１及び実施例２の経時絶縁膜破壊評価
方法の工程を示すフローチャート及び経時絶縁膜破壊評
価装置の構成を示すブロック図である。
方法の工程を示すフローチャート及び経時絶縁膜破壊評
価装置の構成を示すブロック図である。
【図５】 Ｆ−Ｎプロットを示す図である。
【図６】 実施例３の経時絶縁膜破壊寿命ＴＤＤＢ特性
を示す図である。
を示す図である。
【図７】 低電界の加速（Ｇ）ファクターのみを用いた
ときの経時絶縁膜破壊寿命ＴＤＤＢ特性である。
ときの経時絶縁膜破壊寿命ＴＤＤＢ特性である。
【図８】 高電界の加速（Ｇ）ファクターのみを用いた
ときの経時絶縁膜破壊寿命ＴＤＤＢ特性である。
ときの経時絶縁膜破壊寿命ＴＤＤＢ特性である。
【図９】 従来の絶縁膜破壊評価方法を示す図である。
【図１０】 各故障モードに対する絶縁膜のＩ−Ｖ特性
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】 従来の絶縁膜破壊寿命推定方法を示す図で
ある。
ある。
ｔBD 絶縁膜破壊寿命 Ｇ，ＧA ，ＧB 加速ファクター ＥG 印加電界強度 Ｅcr 臨界電界強度 Ｅi ｉ番目のステップストレス電界の電界強度 Δｔi ｉ番目のステップストレス印加時間 ｊ Ｅi ＞Ｅcrとなるまでのステップ数 Ｎ 絶縁膜破壊を生ずるまでのステップ数 １ 膜欠陥のない試料のＶ−Ｉ特性（Ｃモード） ２ 初期不良のある試料のＶ−Ｉ特性（Ａモード） ３ 膜に弱い部分を持つ試料のＶ−Ｉ特性（Ｂモード） ４ 従来の絶縁膜破壊寿命と印加電界強度の関係 ５ 印加電圧に応じて設けた複数の絶縁膜破壊判断基準
電流Ｉcrのカーブ ６ 印加電圧の関数として設けた絶縁膜破壊判断基準電
流Ｉcr（Ｖ）のカーブ ７ ＣＨＨモデルによる絶縁膜破壊寿命の推定カーブ ８ 改良ＣＨＨモデルによる絶縁膜破壊寿命の推定カー
ブ 10 電圧計 11 被測定試料絶縁膜 12 電極 13 電圧印加装置 14 電流計 15 比較器 16 絶縁膜を流れた電流Ｉ 17 絶縁膜破壊判断基準電流値Ｉcr 18 判定出力
電流Ｉcrのカーブ ６ 印加電圧の関数として設けた絶縁膜破壊判断基準電
流Ｉcr（Ｖ）のカーブ ７ ＣＨＨモデルによる絶縁膜破壊寿命の推定カーブ ８ 改良ＣＨＨモデルによる絶縁膜破壊寿命の推定カー
ブ 10 電圧計 11 被測定試料絶縁膜 12 電極 13 電圧印加装置 14 電流計 15 比較器 16 絶縁膜を流れた電流Ｉ 17 絶縁膜破壊判断基準電流値Ｉcr 18 判定出力
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁膜に電界強度Ｅiのｉ番目のステッ
プストレス電界を時間Δｔi 印加して前記絶縁膜のＩー
Ｖ特性を測定する工程と、前記絶縁膜を流れる電流Ｉと
絶縁膜破壊判断基準電流Ｉcrとを比較する工程と、前記
絶縁膜が絶縁膜破壊に至るステップ数Ｎを数えるステッ
プ数計数工程と、前記ステップ数Ｎに基づき、電界強度
ＥG の全域において１種類の加速ファクターＧを有する
ときの絶縁膜破壊寿命ｔBDを、 【数１】 により求め、また臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速
ファクターＧA ，ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBD
を、 【数２】 または 【数３】 により求める工程とを備えた経時絶縁膜破壊評価方法。 - 【請求項２】 絶縁膜にステップストレス電界を印加し
て前記絶縁膜を流れる電流を測定するＩーＶ特性測定装
置と、絶縁膜破壊判断基準電流を発生する基準電流発生
装置と、前記絶縁膜を流れる電流と前記絶縁膜破壊判断
基準電流とを比較する電流比較器と、前記絶縁膜が絶縁
膜破壊に至るステップ数Ｎを計数するステップ数計数装
置と、前記ステップ数Ｎに基づき、電界強度ＥG の全域
において１種類の加速ファクターＧを有するときの絶縁
膜破壊寿命ｔBDを、 【数４】 により求め、また臨界電界強度Ｅcrを境に２種類の加速
ファクターＧA ，ＧB を有するとき絶縁膜破壊寿命ｔBD
を、 【数５】 または 【数６】 により算出する計算装置と、前記絶縁膜破壊寿命ｔBDに
基づき累積故障率を算出する累積故障率算出装置とを備
えたことを特徴とする経時絶縁膜破壊評価装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4189362A JP2921270B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 経時絶縁膜破壊評価方法および経時絶縁膜破壊評価装置 |
| US08/091,359 US5420513A (en) | 1992-07-16 | 1993-07-15 | Dielectric breakdown prediction and dielectric breakdown life-time prediction using iterative voltage step stressing |
| US08/404,065 US5594349A (en) | 1992-07-16 | 1995-03-14 | Dielecrtric breakdown prediction apparatus and method, and dielectric breakdown life-time prediction apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4189362A JP2921270B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 経時絶縁膜破壊評価方法および経時絶縁膜破壊評価装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634704A JPH0634704A (ja) | 1994-02-10 |
| JP2921270B2 true JP2921270B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=16240056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4189362A Expired - Fee Related JP2921270B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 経時絶縁膜破壊評価方法および経時絶縁膜破壊評価装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5420513A (ja) |
| JP (1) | JP2921270B2 (ja) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5648275A (en) * | 1993-08-19 | 1997-07-15 | Texas Instruments Incorporated | Method for detecting defects in semiconductor insulators |
| US5596207A (en) * | 1994-04-08 | 1997-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for detecting defects in insulative layers of MOS active devices |
| US5612627A (en) * | 1994-12-01 | 1997-03-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for evaluating the effect of a barrier layer on electromigration for plug and non-plug interconnect systems |
| KR960026519A (ko) * | 1994-12-31 | 1996-07-22 | 김주용 | 유전체에 대한 신뢰성 측정 방법 |
| JP3351171B2 (ja) * | 1995-04-13 | 2002-11-25 | トヨタ自動車株式会社 | コンデンサ容量診断回路 |
| US5703487A (en) * | 1996-01-11 | 1997-12-30 | Xerox Corporation | Detection of charge deficient spot susceptibility |
| JP2836676B2 (ja) * | 1996-02-09 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 半導体要素の試験方法及び装置 |
| DE19610065A1 (de) * | 1996-03-14 | 1997-09-18 | Siemens Ag | Verfahren zur Abschätzung der Lebensdauer eines Leistungshalbleiter-Bauelements |
| AU3628297A (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Symbios, Inc. | Semiconductor fabrication |
| US6047243A (en) * | 1997-12-11 | 2000-04-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for quantifying ultra-thin dielectric reliability: time dependent dielectric wear-out |
| JP3789220B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2006-06-21 | 松下電器産業株式会社 | 絶縁膜評価方法および装置ならびにプロセス評価方法 |
| US6060895A (en) * | 1998-04-20 | 2000-05-09 | Fairchild Semiconductor Corp. | Wafer level dielectric test structure and related method for accelerated endurance testing |
| KR100282432B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2001-02-15 | 김영환 | 티디디비(ｔｄｄｂ) 테스트 패턴 및 그를 이용한 모스캐패시터유전체막의 ｔｄｄｂ테스트방법 |
| DE19840167B4 (de) * | 1998-09-03 | 2005-02-10 | Hewlett-Packard Co. (N.D.Ges.D.Staates Delaware), Palo Alto | Verfahren zur elektrischen Prüfung von Basismaterial für die Herstellung gedruckter Schaltungen und Verfahren zur Erzeugung einer elektrisch geprüften Leiterplatte |
| US6188234B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Method of determining dielectric time-to-breakdown |
| US6269315B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-07-31 | United Microelectronics Corp. | Reliability testing method of dielectric thin film |
| JP3595796B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2004-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路装置の寿命推定方法及びその管理方法 |
| US6326800B1 (en) * | 1999-06-10 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Self-adjusting burn-in test |
| JP4841737B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
| JP4623807B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2011-02-02 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体素子の電圧計測装置および電圧計測方法 |
| US6617179B1 (en) * | 2001-06-05 | 2003-09-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for qualifying an ONO layer in a semiconductor device |
| US6602729B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-08-05 | Infineon Technologies Ag | Pulse voltage breakdown (VBD) technique for inline gate oxide reliability monitoring |
| US6756806B1 (en) * | 2002-03-28 | 2004-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of determining location of gate oxide breakdown of MOSFET by measuring currents |
| US6856160B1 (en) * | 2002-06-10 | 2005-02-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Maximum VCC calculation method for hot carrier qualification |
| EP1542306A4 (en) * | 2002-08-29 | 2007-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD OF TESTING A SECONDARY CELL PRECURSOR, TEST INSTRUMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SECONDARY CELL USING THE SAME |
| US6806720B2 (en) * | 2002-11-29 | 2004-10-19 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Method of reliability testing |
| US6768316B2 (en) * | 2002-12-11 | 2004-07-27 | Polyclad Laminates, Inc. | Laser cutting of laminates for electrical insulation testing |
| TWI280383B (en) * | 2004-06-29 | 2007-05-01 | Japan Ae Power Systems Corp | Partial discharge detecting sensor, and detecting device, and gas insulated electric apparatus provided with a partial discharge detecting sensor |
| AT414048B (de) * | 2004-07-06 | 2006-08-15 | Lem Norma Gmbh | Verfahren und einrichtung zur strommessung |
| US8053257B2 (en) * | 2005-06-14 | 2011-11-08 | International Business Machines Corporation | Method for prediction of premature dielectric breakdown in a semiconductor |
| DE102006028414B4 (de) * | 2006-06-21 | 2022-03-24 | Robert Bosch Gmbh | Testverfahren und Testvorrichtung für eine integrierte Schaltung |
| JP4675837B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2011-04-27 | 中部電力株式会社 | タービン発電機固定子コイルの余寿命評価方法 |
| JP4920319B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-04-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の寿命予測回路 |
| US7804657B1 (en) | 2007-06-11 | 2010-09-28 | Western Digital Technologies, Inc. | Setting an operating bias current for a magnetoresistive head using ratio of target voltage and measured voltage |
| US7872824B1 (en) | 2007-06-11 | 2011-01-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Setting an operating bias current for a magnetoresistive head by computing a target operating voltage |
| US7579859B2 (en) * | 2007-06-14 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for determining time dependent dielectric breakdown |
| US7760458B1 (en) | 2008-08-12 | 2010-07-20 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive adjusting head bias during servo synchronization to compensate for over/under sensitivity |
| KR101478554B1 (ko) | 2008-10-02 | 2015-01-06 | 삼성전자 주식회사 | 오버 슈트 전압의 산출 방법 및 그를 이용한 게이트 절연막열화분석방법 |
| WO2011040446A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 大日本印刷株式会社 | 絶縁性不良検査装置、及びそれを用いた絶縁性不良検査方法、電気化学セルの製造方法 |
| JP5343901B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2013-11-13 | 富士電機株式会社 | パワーサイクル寿命予測方法、寿命予測装置及び該寿命予測装置を備えた半導体装置 |
| CN102707257B (zh) * | 2012-06-19 | 2014-11-05 | 冀北电力有限公司计量中心 | 智能电表多应力极限的确定方法 |
| US9551744B2 (en) * | 2013-02-04 | 2017-01-24 | Hamilton Sundstrand Corporation | Detecting early failures in printed wiring boards |
| US8839180B1 (en) * | 2013-05-22 | 2014-09-16 | International Business Machines Corporation | Dielectric reliability assessment for advanced semiconductors |
| CN103605057B (zh) * | 2013-11-21 | 2016-01-13 | 国家电网公司 | 一种油纸绝缘击穿强度实验装置及方法 |
| CN109307831B (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 集成电路中栅极氧化层的tddb测试方法 |
| CN109324277B (zh) * | 2018-09-25 | 2020-04-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 集成电路中栅极氧化层的tddb测试装置 |
| CN109444260A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-03-08 | 中国电力科学研究院有限公司 | 一种电缆接头复合界面击穿电压的预测方法 |
| CN112444725B (zh) * | 2019-09-05 | 2024-01-26 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 一种通孔焊点对比加速寿命试验方法 |
| CN110646717B (zh) * | 2019-11-03 | 2020-09-01 | 西南交通大学 | 一种乙丙橡胶电缆绝缘老化模拟与测评方法 |
| FR3110001B1 (fr) * | 2020-05-06 | 2022-06-24 | Commissariat Energie Atomique | Mesure de temps au claquage d'isolants électriques |
| KR20220107848A (ko) | 2021-01-26 | 2022-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 불량 분석 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3889188A (en) * | 1973-07-30 | 1975-06-10 | Ibm | Time zero determination of FET reliability |
| US4904946A (en) * | 1985-10-02 | 1990-02-27 | Seiko Instruments Inc. | Method for evaluating insulating films |
| JPH0769385B2 (ja) * | 1986-05-09 | 1995-07-31 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の試験方法及びその装置 |
| US4906939A (en) * | 1988-12-16 | 1990-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Device for automatically ascertaining capacitor breakdown voltage |
| US5023561A (en) * | 1990-05-04 | 1991-06-11 | Solid State Measurements, Inc. | Apparatus and method for non-invasive measurement of electrical properties of a dielectric layer in a semiconductor wafer |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP4189362A patent/JP2921270B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-15 US US08/091,359 patent/US5420513A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-14 US US08/404,065 patent/US5594349A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634704A (ja) | 1994-02-10 |
| US5420513A (en) | 1995-05-30 |
| US5594349A (en) | 1997-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2921270B2 (ja) | 経時絶縁膜破壊評価方法および経時絶縁膜破壊評価装置 | |
| Kauerauf et al. | Low Weibull slope of breakdown distributions in high-k layers | |
| JP3789220B2 (ja) | 絶縁膜評価方法および装置ならびにプロセス評価方法 | |
| US20110031981A1 (en) | Valuation method of dielectric breakdown lifetime of gate insulating film, valuation device of dielectric breakdown lifetime of gate insulating film and program for evaluating dielectric breakdown lifetime of gate insulating film | |
| JP4121430B2 (ja) | 電気機器の絶縁診断方法 | |
| JPWO2006134994A1 (ja) | Ｆｅｔの特性測定方法 | |
| JP3681683B2 (ja) | 絶縁膜の寿命推定方法及び半導体装置の管理方法 | |
| US4904946A (en) | Method for evaluating insulating films | |
| KR100459812B1 (ko) | 커패시터의 양부 판정 방법 | |
| JP3864063B2 (ja) | コイル絶縁紙の劣化度評価方法 | |
| JP3147758B2 (ja) | 絶縁層の評価方法 | |
| JP3859357B2 (ja) | 絶縁膜評価方法 | |
| JPH0580630B2 (ja) | ||
| JP2000058612A (ja) | 半導体素子の絶縁膜の評価方法 | |
| JPH09330964A (ja) | 半導体装置の寿命推定方法 | |
| JP3644284B2 (ja) | 経時絶縁破壊特性の予測方法及び予測装置 | |
| JPH06334015A (ja) | 半導体素子の絶縁膜の評価方法 | |
| JP3853134B2 (ja) | 電力ケーブルの余寿命推定方法 | |
| JP3610817B2 (ja) | 半導体装置の評価方法 | |
| JP2019105557A (ja) | 絶縁物の劣化診断方法及び劣化診断装置 | |
| JP2584093B2 (ja) | 絶縁膜の信頼性評価方法 | |
| JP3443127B2 (ja) | エレクトロマイグレーション評価方法 | |
| JPS63124437A (ja) | 半導体素子用絶縁体薄膜の評価装置 | |
| JPH08153764A (ja) | 半導体素子の信頼性試験方法 | |
| JPH0580631B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |