JP2897674B2 - 電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃 - Google Patents

電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃

Info

Publication number
JP2897674B2
JP2897674B2 JP4023395A JP4023395A JP2897674B2 JP 2897674 B2 JP2897674 B2 JP 2897674B2 JP 4023395 A JP4023395 A JP 4023395A JP 4023395 A JP4023395 A JP 4023395A JP 2897674 B2 JP2897674 B2 JP 2897674B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field emission
cold cathode
gate electrode
cathode
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4023395A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08236013A (ja
Inventor
裕則 井村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP4023395A priority Critical patent/JP2897674B2/ja
Priority to US08/607,465 priority patent/US5717279A/en
Priority to KR1019960005064A priority patent/KR0181327B1/ko
Publication of JPH08236013A publication Critical patent/JPH08236013A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2897674B2 publication Critical patent/JP2897674B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02Electron guns
    • H01J3/021Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/319Circuit elements associated with the emitters by direct integration

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子放出源となる冷陰
極、特に鋭利な先端から電子を放出する電界放出型冷陰
極とこれを用いた電子銃に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI製造技術を応用した微小構造を製
作するマイクロマシーニング技術により、C.A.Sp
indtらはシリコンウエハ上に電界放出型冷陰極を製
作している(Journal of Applied
Physics,Vol.39.pp.3504−35
05,1968)。図6に、その冷陰極製造工程と構造
の断面図を示す。以下に製造工程を簡単に述べる。単結
晶シリコンからなる導電性基板1上に1μm厚の絶縁層
2およびモリブデンからなるゲート電極3が形成されて
おり、絶縁層2およびゲート電極3を貫通した直径約
1.5μmのキャビティ4を形成する(図6(a))。
次に、導電性基板1の中心を貫通する導電性基板1の法
線を回転軸とし、導電性基板1を回転させながら法線か
ら70°の方向よりアルミニウム(以下、Alと記
す。)からなる犠牲層9を真空蒸着法を用いてゲート電
極3および孔の側面の一部上に形成する(図6
(b))。
【0003】次に、導電性基板1の中心を貫通する導電
性基板1の法線を回転軸とし、導電性基板1を回転させ
ながら法線方向より例えばモリブデン(以下、Moと記
す。)等の高融点金属を真空蒸着法により蒸着する。M
oにより形成される高融点金属層10がゲート電極3上
に積層されるに従い、キャビティ4上に形成される高融
点金属層10の孔は孔側面にもMoが堆積するため次第
に小さくなる。一方、高融点金属層10の孔を通過した
Moはキャビティ4の底面に堆積するが、高融点金属層
10の孔が小さくなるに従い堆積する面積が小さくな
る。高融点金属層10の孔が完全に閉じるまでMoを堆
積すれば、キャビティ4の底面に形成される堆積物(以
下、エミッタコーン6と称する。)は円錐形状となる
(図6(c))。高融点金属層10を形成後、リン酸等
の弱酸に浸し、犠牲層9を溶解すればリフトオフ法によ
り高融点金属層10も除去する事が出来、微小電界放出
型冷陰極を得る(図6(d))。
【0004】導電性基板1とゲート電極3間にゲート電
極3が正の電位となるように数10〜200Vの電圧を
印加する事により、エミッタコーン6の先端には107
V/cm以上の電界が発生しエミッタコーン6の先端か
ら電子が放出される。現在、1エミッタコーンあたり1
00μA以上の放出電流が観測されており、様々な応用
案が提案されている。例えば、この素子を電子源とした
微小な三極管によるスイッチング素子試作の試みや、マ
トリックス状に多数の素子を並べてなる平板のエミッシ
ョン源により蛍光体を発生させるディスプレイパネル製
作の試みがなされている。
【0005】また、ゲート電極が抵抗値の異なる2層か
らなる電界放出型冷陰極が、特開平5−144370に
開示されている。特開平5−144370に示されてい
る電界放出型冷陰極の平面図および断面図を図9
(a),(b)に示す。図9に示す通り、この電界放出
型冷陰極の構造は、3×3素子の小ブロック化した素子
群15のゲート電極を高抵抗層16で形成し、素子群1
5の外周を低抵抗層17で囲んでいる。
【0006】図7に発明者が測定した電界放出型冷陰極
動作特性の傾向を示す。図7に示す傾向は、エミッタコ
ーン6から電子を放出させるに充分な電圧をゲート電極
3に印加したときの特性であり、横軸は電界放出型冷陰
極に2.5mmの距離で対向し電界放出型冷陰極から放
出される電子を受け取る電極(以下、コレクタを称
す。)に印加する電圧(以下、コレクタ電圧と称す。)
の1/2乗、縦軸はエミッタコーン6からコレクタに流
入する電流量(以下、エミッション電流と称す。)およ
びゲート電極に流入する電流量(以下、ゲート電流と称
す)である。図7に示す通り、コレクタ電圧が低い場
合、エミッション電流は低くなり、またゲート電極3に
流入する電子が増加する傾向にある。エミッション電流
がゲート電極に入る場合は、その電界の掛かり方からほ
ぼキャビティ4開口部周辺のゲート電極3(以下、開口
部13と称す。)に入る。これは、コレクタ電圧を下げ
た状態で動作させた後の電界放出型冷陰極外観を観察す
ると、開口部13に電子でボンバートされた跡が見られ
ることでも明らかである。
【0007】図8に、従来の熱陰極22を用いたブラウ
ン管などに用いる電子銃(以下、CRT電子銃と称
す。)における、陰極を含む陰極近傍の電極構造の断面
図を示す。尚、熱陰極22の内部構造及び熱陰極22を
加熱するヒータを省略している。また、図8にはCRT
電子銃を動作させたときの電位分布(熱陰極22のエミ
ッションに関与する部分のみ)を、等電位線21を用い
て示している。図8において、熱陰極22に最も近い電
極を第一電極11、第一電極に次ぎ熱陰極に近い電極を
第二電極12と称す。熱陰極22、第一電極11および
第二電極12を支持する構体、及びCRTのこれら以外
の部分を省略している。一般にCRT電子銃では、熱陰
極22の電子放出面に比べ第一電極11の孔は小さく、
図8に示す等電位線21が形成されるようにCRT電子
銃の電極に電位を印加する。また、熱陰極では、陰極表
面に印加された電位の3/2乗に比例した量の電子を放
出する。故に熱陰極22から放出される電子は、熱陰極
22表面のうち電位が印加される第一電極11の孔に近
く、陰極前面電位が、それより相対的に高い電位領域
(以下、電子放出領域14と称す。)のみから放出され
る。
【0008】その他、ゲート電極に抵抗を形成する電界
放出型冷陰極は特開平4−284324に提案されてい
る。この電界放出型陰極の平面図および断面図を図10
に示す。図10に示す様に電界放出型冷陰極は、各素子
のゲート電極3は電気抵抗をもつゲート支線18とゲー
ト電極3に電位を印加するゲート幹線19からなってい
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、コレ
クタ電圧が低い素子動作条件においては、ゲート電流の
増加を誘発する。このゲート電流の増加による電圧降下
によりゲート電圧は低下し、エミッション電流の低下を
引き起こす。
【0010】CRT電子銃に組み込み従来の熱陰極と同
等の実装方法では、上記の電圧降下によりゲートに充分
な電圧が印加できず動作できないという欠点を有する。
CRT電子銃への実装において、ゲート電極への電子突
入を防止するため必要な領域にのみ電界放出型冷陰極を
配する方法があるが、第一電極と電界放出型冷陰極の偏
心度を無くすように電界放出型冷陰極を配する必要があ
り実用的ではない。また、電界放出型冷陰極は、ゲート
電極・エミッタコーン間に導電性異物が付着した場合
も、前記の電圧降下によりゲート電圧が低下し素子特性
が劣化するという欠点を有する。
【0011】次に、電界放出型冷陰極を小ブロック化し
た場合の課題を以下に述べる。小ブロック化した場合は
中央の素子を除き各キャビティ4から高抵抗層16まで
の距離が異なる。従来技術における図6(c)で示す通
り、高融点金属層10を積層する工程においてキャビテ
ィ4から高抵抗層16までの距離が異なると、高融点金
属層10が均一に形成されずエミッタコーン6の形状が
不均一になるという不具合を有する。つまり、ゲート電
極3(図9においては高抵抗層16および低抵抗層1
7)が平坦な構造であるか、キャビティ4を中心に電子
放出方向の垂直方向(図9における横方向)に軸対称で
あるか、キャビティ4・低抵抗層17間距離を充分とら
なければ、エミッタコーン6を形成する工程において、
ゲート電極3上に積層される高融点金属層10はきれい
に積層されず、高融点金属層の孔はキャビティ4の中心
を軸として均一に閉じない。特開平5−144370で
開示された電界放出型冷陰極の構造において、これを防
止するにはキャビティ4から高抵抗層16までの距離を
充分にとる必要があるが、素子充填密度が低下してしま
うという不具合を有する。さらに、ブロック化した素子
ではブロック中央と周辺で低抵抗層間での距離が異な
り、電位降下効果がばらついてしまうという不具合を有
する。
【0012】また、CRTなどの電子銃に組み込んだ場
合、素子群15の一部が電子放出領域14(図8)から
外れた素子群15は動作しない状態となる。通常、CR
T等に用いる電子銃において電子放出領域14の半径は
150μmないし300μmであり年々小径化の傾向に
ある。一方、電界放出型冷陰極の素子間ピッチは数μm
であり3×3のブロックを形成した場合1ブロックの大
きさは最低20μmとなる。故にブロック化した場合、
電子放出領域14の外周部分からはエミッションが得ら
れないばかりか、RGB(赤、緑、青)の3電子銃構成
とした場合、各々の陰極における動作素子が異なり、得
られるエミッション量がばらついてしまうという不具合
を有する。
【0013】また、図10に示す様な各電界放出型冷陰
極に接続する抵抗(ゲート支線18)をゲート電極3上
の一部を配する方法では、エミッタコーン6の形状を均
一に形成するためには、上述のとおりゲート支線18・
キャビティ間距離を充分大きくする必要があり、高密度
に素子を形成できないという欠点を有する。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電体もしく
は表面に導電性層を有する絶縁体からなる基板上に1つ
もしくは複数の先端の尖ったエミッタコーンと前記エミ
ッタコーンの先端を取り囲む開口部を有するゲート電極
と前記基板と前記ゲート電極間に絶縁層を有する電界放
出型冷陰極において、開口部は開口部以外の前記ゲート
電極と材質を変えるか、電気抵抗を変えたことを特徴と
する。
【0015】本発明は、導電体もしくは表面に導電性層
を有する絶縁体からなる基板上に1つもしくは複数の先
端の尖ったエミッタコーンと前記エミッタコーンの先端
を取り囲む開口部を有するゲート電極と前記基板と前記
ゲート電極間に絶縁層を有する電界放出型冷陰極におい
て、ゲート電極は2層の異なる導電層からなり、開口部
は前記2層の異なる導電層の同心で孔径の異なる孔から
なり、かつ前記開口部において前記絶縁層と接する側の
前記ゲート電極導電層の孔径は前記絶縁層と接しない側
の前記ゲート電極導電層の孔径よりも小さくすることを
特徴とする。また、本発明によれば、陰極と、複数個の
制御電極が縦続して配設された電子銃において、陰極と
して上記電界放出型冷陰極を用いた電子銃が得られる。
【0016】
【作用】複数の電界放出型冷陰極(以下、素子と称
す。)がアレイ状に配列された陰極において、一部の素
子でゲート電極の開口部に電子が流れた場合、ゲート電
極の開口部に抵抗を形成することにより、ゲート電極全
体の電位を低下することなく、陰極は安定に動作するこ
とが出来る。また、開口部に抵抗を形成することによ
り、ゲート電極に電子が流れる素子のみを電気的に分離
するため、必要最低限の素子の動作を停止することが出
来、陰極の放出電子分布へのダメージは最低限に押さえ
ることが出来る。
【0017】また、電子銃の電極開口径よりも大きな電
子放出面積の陰極を使用することが出来るため、陰極・
電子銃の軸合わせが容易となる。
【0018】
【実施例】以下に、本発明の電界放出型冷陰極の実施例
を図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施
例である電界放出型冷陰極の断面図である。また、図2
は本発明の第1の実施例である電界放出型冷陰極の斜視
図である。尚、図1は図2A−A′部の断面図である。
例えば単結晶シリコンSiからなる導電性基板1上に
は、熱酸化法またはCVD法により厚さ1μmの二酸化
シリコン、シリコン窒化膜等からなる絶縁層2が形成さ
れている。更に、絶縁層2上にはCVD法により厚さ
0.3μmのポリシリコン層からなるゲート電極3が形
成されている。ゲート電極3は、キャビティ4が形成さ
れる領域を中心に例えば2μmの円形領域を窒化膜等で
マスクし、ゲート電極3の露出した領域にイオン注入法
等により不純物を注入し導電性を与える。故に開口部近
傍には、ドーナツ状の高抵抗の領域(以下、高抵抗領域
5と称す。)が形成される。次に従来の電界放出型冷陰
極の製造方法と同様に、フォトリソグラフィ技術および
RIE技術により開口径1μmのキャビティ4を形成
し、また蒸着法および犠牲層エッチングによりエミッタ
コーン6が形成される。以上の工程により第1の実施例
の電界放出型冷陰極が得られる。
【0019】上述の通り、十分なアノード電圧を印加し
た場合、そしてキャビティ4内に導電性の異物の進入が
無い場合、ゲート電流は流れない。故に、高抵抗領域5
にもゲート電極3に印加された電位がかかり、電界放出
型冷陰極は動作する。
【0020】また、図5に本発明の第1の実施例の電界
放出型冷陰極を従来のCRTなどに用いる電子銃に実装
した時の断面図を示す。図5に示すように、電子放出領
域14以外に存在する電界放出型冷陰極は、アノード電
圧が十分印加されていない為、開口部に電子が入ること
により高抵抗領域5による電圧降下をおこしエミッタコ
ーン6の先端に電界が掛からなくなり動作を停止する。
よって、電子放出領域14に形成された電界放出型冷陰
極のみが動作することができる。
【0021】図3は本発明の第2の実施例である電界放
出型冷陰極の断面図である。また、図4は本発明の第2
の実施例である電界放出型冷陰極の斜視図である。尚、
図3は図4A−A′部の断面図である。例えば単結晶シ
リコンSiからなる導電性導電性基板1上には、熱酸化
法またはCVD法により厚さ1μmの絶縁層2が形成さ
れている。更に、絶縁層2上には例えばCVD法により
ポリシリコン層からなる第1ゲート層7を形成する。第
1ゲート層7には不純物が低濃度注入されている。第1
ゲート7上には、例えばスパッタリング法によりタング
ステンWまたはタングステンシリサイドWSiなどの高
融点金属もしくは高融点金属混合物からなる低抵抗の第
2ゲート層を形成する。リソグラフィ技術とドライエッ
チング技術を各々2回ずつ利用し、第1ゲート層7およ
び第2ゲート層8には同心円の孔を形成する。第1ゲー
ト層7および第2ゲート層8によりゲート電極7が形成
される。第1ゲート層7及び第2ゲート層8の孔径は各
々1μm、2μmである。ドライエッチング技術および
ウェットエッチングによりキャビティ4が形成される。
また従来の電界放出型冷陰極の製造方法と同様に、蒸着
法および犠牲層エッチングによりエミッタコーン6が形
成される。以上の工程により第2の実施例の電界放出型
冷陰極が得られる。本発明の第2の実施例において高抵
抗領域5は、第2ゲート層8から露出した第1ゲート層
7の領域となる。なお、この第2の実施例の電界放出型
冷陰極を電子銃の陰極として用いることができる。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、電界放出型冷陰極の表
面にアノード電圧が充分に印加されない領域を有する場
合、および導電性異物がキャビティ内に付着しゲート・
基板間が短絡した場合、ゲート電圧の低下による素子の
動作不能を防止することができる。また、陰極表面にお
いて不均一なアノード電圧の印加を行う電子銃におい
て、電極と陰極の電子放出方向に垂直方向のアライメン
ト合わせを必要としない電界放出型冷陰極を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例である電界放出型冷陰極
の断面図である。
【図2】本発明の第1の実施例である電界放出型冷陰極
の斜視図である。
【図3】本発明の第2の実施例である電界放出型冷陰極
の断面図である。
【図4】本発明の第2の実施例である電界放出型冷陰極
の斜視図である。
【図5】本発明の第1の実施例の電界放出型冷陰極を従
来のCRTなどに用いる電子銃に実装した時の断面図で
ある。
【図6】(a)〜(d)はC.A.Spindtが示す
電界放出型冷陰極の製造工程と構造の断面図である。
【図7】電界放出型冷陰極の動作特性を示す図である。
【図8】従来の熱陰極を用いたブラウン管などに用いる
電子銃における陰極近傍の電極構造の断面図である。
【図9】(a),(b)は特開平5−144370に示
された電界放出型冷陰極の平面図および断面図である。
【図10】特開平4−284324に示された電界放出
型冷陰極の外観図である。
【符号の説明】
1 導電性基板 2 絶縁層 3 ゲート電極 4 キャビティ 5 高抵抗領域 6 エミッタコーン 7 第1ゲート層 8 第2ゲート層 9 犠牲層 10 高融点金属層 11 第一電極 12 第二電極 13 開口部 14 電子放出領域 15 素子群 16 高抵抗層 17 低抵抗層 18 ゲート支線 19 ゲート幹線 20 電子流 21 等電位線 22 熱陰極

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電体もしくは表面に導電性層を有する
    絶縁体からなる基板上に1つもしくは複数の先端の尖っ
    たエミッタコーンと前記エミッタコーンの先端を取り囲
    む開口部を有するゲート電極と前記基板と前記ゲート電
    極間に絶縁層を有する電界放出型冷陰極において、前記
    開口部近傍は前記開口部以外の前記ゲート電極と材質が
    異なることを特徴とする電界放出型冷陰極。
  2. 【請求項2】 導電体もしくは表面に導電性層を有する
    絶縁体からなる基板上に1つもしくは複数の先端の尖っ
    たエミッタコーンと前記エミッタコーンの先端を取り囲
    む開口部を有するゲート電極と前記基板と前記ゲート電
    極間に絶縁層を有する電界放出型冷陰極において、前記
    開口部近傍は前記開口部以外の前記ゲート電極と電気抵
    抗が異なることを特徴とする電界放出型冷陰極。
  3. 【請求項3】 導電体もしくは表面に導電性層を有する
    絶縁体からなる基板上に1つもしくは複数の先端の尖っ
    たエミッタコーンと前記エミッタコーンの先端を取り囲
    む開口部を有するゲート電極と前記基板と前記ゲート電
    極間に絶縁層を有する電界放出型冷陰極において、前記
    ゲート電極は2層の異なる導電層からなり、前記開口部
    は前記2層の異なる導電層の同心で孔径の異なる孔から
    なり、かつ前記開口部において前記絶縁層と接する側の
    前記ゲート電極導電層の孔径は前記絶縁層と接しない側
    の前記ゲート電極導電層の孔径よりも小さいことを特徴
    とする電界放出型冷陰極。
  4. 【請求項4】 陰極と、複数個の制御電極とが、縦続し
    て配列された電子銃において、陰極として請求項1,2
    または3に記載の電界放出型冷陰極を用いることを特徴
    とする電子銃。
JP4023395A 1995-02-28 1995-02-28 電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃 Expired - Lifetime JP2897674B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4023395A JP2897674B2 (ja) 1995-02-28 1995-02-28 電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃
US08/607,465 US5717279A (en) 1995-02-28 1996-02-27 Field emission cathode with resistive gate areas and electron gun using same
KR1019960005064A KR0181327B1 (ko) 1995-02-28 1996-02-28 전계 방출형 콜드 캐소드 및 이를 포함하는 전자총

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4023395A JP2897674B2 (ja) 1995-02-28 1995-02-28 電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08236013A JPH08236013A (ja) 1996-09-13
JP2897674B2 true JP2897674B2 (ja) 1999-05-31

Family

ID=12575014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4023395A Expired - Lifetime JP2897674B2 (ja) 1995-02-28 1995-02-28 電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5717279A (ja)
JP (1) JP2897674B2 (ja)
KR (1) KR0181327B1 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999040604A1 (en) * 1998-02-09 1999-08-12 Advanced Vision Technologies, Inc. Confined electron field emission device and fabrication process
DE19963571A1 (de) 1999-12-29 2001-07-12 Pfannenberg Otto Gmbh Kühlvorrichtung
KR100661142B1 (ko) * 2001-02-01 2006-12-26 샤프 가부시키가이샤 전자 방출 장치 및 필드 에미션 디스플레이
JP2002352695A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 冷陰極カソードおよびその応用装置
FR2828956A1 (fr) * 2001-06-11 2003-02-28 Pixtech Sa Protection locale d'une grille d'ecran plat a micropointes
JP4830217B2 (ja) 2001-06-18 2011-12-07 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極およびその製造方法
KR20060000751A (ko) * 2004-06-29 2006-01-06 삼성에스디아이 주식회사 전자방출소자 및 이를 이용한 전자방출 표시장치
KR100747251B1 (ko) * 2005-09-06 2007-08-07 엘지전자 주식회사 전계방출 표시 장치 및 그 제조 방법
FR2897718B1 (fr) * 2006-02-22 2008-10-17 Commissariat Energie Atomique Structure de cathode a nanotubes pour ecran emissif
KR100814849B1 (ko) * 2006-08-29 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치, 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법 및 이발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시장치
JP4737140B2 (ja) * 2006-10-20 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 Memsデバイスおよびその製造方法
CN101164863B (zh) * 2006-10-20 2012-06-13 精工爱普生株式会社 Mems器件及其制造方法
JP5151667B2 (ja) * 2008-05-12 2013-02-27 パナソニック株式会社 マトリックス型冷陰極電子源装置
US8536564B1 (en) 2011-09-28 2013-09-17 Sandia Corporation Integrated field emission array for ion desorption
US8814622B1 (en) 2011-11-17 2014-08-26 Sandia Corporation Method of manufacturing a fully integrated and encapsulated micro-fabricated vacuum diode
US8928228B2 (en) 2011-12-29 2015-01-06 Elwha Llc Embodiments of a field emission device
US8810161B2 (en) 2011-12-29 2014-08-19 Elwha Llc Addressable array of field emission devices
US9349562B2 (en) 2011-12-29 2016-05-24 Elwha Llc Field emission device with AC output
US8970113B2 (en) 2011-12-29 2015-03-03 Elwha Llc Time-varying field emission device
US8810131B2 (en) 2011-12-29 2014-08-19 Elwha Llc Field emission device with AC output
US9171690B2 (en) 2011-12-29 2015-10-27 Elwha Llc Variable field emission device
US8946992B2 (en) 2011-12-29 2015-02-03 Elwha Llc Anode with suppressor grid
US8692226B2 (en) 2011-12-29 2014-04-08 Elwha Llc Materials and configurations of a field emission device
US9018861B2 (en) 2011-12-29 2015-04-28 Elwha Llc Performance optimization of a field emission device
US9646798B2 (en) 2011-12-29 2017-05-09 Elwha Llc Electronic device graphene grid
US8575842B2 (en) 2011-12-29 2013-11-05 Elwha Llc Field emission device
WO2013163439A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Elwha Llc Variable field emission device
US9659734B2 (en) 2012-09-12 2017-05-23 Elwha Llc Electronic device multi-layer graphene grid
US9659735B2 (en) 2012-09-12 2017-05-23 Elwha Llc Applications of graphene grids in vacuum electronics

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4178531A (en) * 1977-06-15 1979-12-11 Rca Corporation CRT with field-emission cathode
JPH04284324A (ja) * 1991-03-13 1992-10-08 Seiko Epson Corp 電界電子放出装置
DE69211581T2 (de) * 1991-03-13 1997-02-06 Sony Corp Anordnung von Feldemissionskathoden
JPH05144370A (ja) * 1991-04-17 1993-06-11 Fujitsu Ltd 微小電界放出陰極アレイ
FR2687839B1 (fr) * 1992-02-26 1994-04-08 Commissariat A Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ utilisant cette source.
JPH0620592A (ja) * 1992-05-06 1994-01-28 Fujitsu Ltd 電界放出陰極装置及びその製造方法
JP2653008B2 (ja) * 1993-01-25 1997-09-10 日本電気株式会社 冷陰極素子およびその製造方法
JPH07111868B2 (ja) * 1993-04-13 1995-11-29 日本電気株式会社 電界放出冷陰極素子
US5396150A (en) * 1993-07-01 1995-03-07 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method and resulting flat panel display
JPH0721903A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Nec Corp 電界放出型陰極を用いた陰極線管用電子銃構体
US5578900A (en) * 1995-11-01 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Built in ion pump for field emission display

Also Published As

Publication number Publication date
KR960032537A (ko) 1996-09-17
JPH08236013A (ja) 1996-09-13
KR0181327B1 (ko) 1999-03-20
US5717279A (en) 1998-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2897674B2 (ja) 電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃
US6144144A (en) Patterned resistor suitable for electron-emitting device
KR100225561B1 (ko) 전계방출형 전자원
JP2809125B2 (ja) 集束電極付電界放出型冷陰極
KR100235212B1 (ko) 전계방출 캐소드 및 그 제조방법
JPH06223707A (ja) シリコン電界放出素子及びその製造方法
US5757138A (en) Linear response field emission device
US5969467A (en) Field emission cathode and cleaning method therefor
US6626720B1 (en) Method of manufacturing vacuum gap dielectric field emission triode and apparatus
JP3066573B2 (ja) 電界放出型表示素子
JP2809078B2 (ja) 電界放出冷陰極およびその製造方法
JP2737618B2 (ja) 電界放出形電子源
JP2897671B2 (ja) 電界放出型冷陰極
US6091188A (en) Field emission cold cathode and method of fabricating the same
JP2891200B2 (ja) 電界放出型冷陰極
JP2601091B2 (ja) 電子放出素子
JP2743794B2 (ja) 電界放出カソード及び電界放出カソードの製造方法
JP3086445B2 (ja) 電界放出素子の形成方法
JP3223650B2 (ja) 電界放出カソード
JP3502883B2 (ja) 冷電子放出素子及びその製造方法
US6163103A (en) Field emission type cold cathode and electron tube
JPH04292831A (ja) 電界放出型陰極装置
JPH04284325A (ja) 電界放出型陰極装置
JPH0620592A (ja) 電界放出陰極装置及びその製造方法
JPH07296717A (ja) 電界放出型冷陰極

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990209