KR100747251B1 - 전계방출 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

전계방출 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전계방출 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명은 게이트 절연층을 식각하기 전에 게이트 버스 전극 상에 도전성의 게이트 전극을 형성시킨다. 본 발명에 의하면, 게이트 버스 전극 상에 도전성의 게이트 전극을 도포한 후 게이트 절연층을 식각시켜 게이트 홀을 구성하기 때문에 게이트 전극의 전기적 특성을 개선할 수 있고, 게이트 전극과 애노드 전극 사이에 포커싱 전극을 형성시킴으로써 다이오드 에미션을 효과적으로 방지할 수 있다.
전계방출, 디스플레이, FED, 카본나노튜브, 다이오드 에미션, 포커싱 전극

Description

전계방출 표시 장치 및 그 제조 방법{Field Emission Display Apparatus and Making Method Thereof}
도 1a 및 1b는 종래 기술에 따른 카본나노튜브를 전자방출원으로 이용한 3전극형 전계방출소자를 개략적으로 나타낸 도면.
도 2a 내지 2d는 종래 기술에 따른 포커싱 전극을 갖는 3전극형 전계방출소자의 제조공정을 나타낸 도면.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 전계방출 표시 장치에서 포커싱 전극을 갖는 3전극형 전계방출소자의 제조공정을 나타낸 도면.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일실시예에 따른 전계방출 표시 장치의 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출 표시 장치에서 다수의 에미터 전극을 갖는 전계방출소자의 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 110 : 배면 기판 20, 120 : 캐소드 전극
30, 130 : 게이트 절연층 140 : 게이트 버스 전극
40, 180 : 게이트 전극 50a, 50b, 190 : 에미터 전극
60, 160 : 포커싱 절연층 70, 170 : 포커싱 전극
80, 220 : 에노드 전극 90, 210 : 전면 기판
본 발명은 전계방출 표시 장치에 관한 것으로, 특히 포커싱 전극을 형성시킴으로써 방출전자 빔의 집속도를 증대시키고 애노드 전극으로부터의 전계 영향을 효과적으로 차폐할 수 있는 전계방출 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 고해상도를 갖는 대형 화면의 디스플레이에 대한 수요가 증대되고 있다. 이에 따라 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이(Plasma Display)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 또한, 현재 많이 보급되어 있는 음극선관 텔레비젼(CRT TV)에 대해서도 대면적화를 구현하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다.
그러나 상기와 같은 여러 가지 방식의 디스플레이에 있어서는 화면이 대형화됨에 따라 여러 가지 문제점이 나타나고 있기 때문에, 근래에 이른바 전계방출 디스플레이(Field Emission Display)에 대한 기대가 높아지고 있다. 전계방출 디스플레이는 구현하는 소자에 따라 일반적으로 2가지 형태로 구분되는데, 열전자 방출소자를 이용하는 것과 냉음극 전자 방출소자를 이용하는 것이 있다.
여기서 냉음극 전자 방출소자를 이용하는 디스플레이는 일반적으로 2가지로 나눌 수 있는데, 첫 번째는 카본나노튜브를 전자방출원으로 이용하는 하는 방식이 있고, 두 번째는 표면전도형 전계방출소자를 이용하는 방식이 있다. 여기서 카본나 노튜브를 전자방출원으로 이용하는 방식은 게이트의 위치에 따라 하부 게이트(Under Gate) 구조와 일반 게이트(Normal Gate) 구조로 나뉘게 된다.
도 1a는 종래 기술에 따른 카본나노튜브를 전자방출원으로 이용한 일반적인 3전극형 전계방출소자를 나타낸 도면이고, 도 1b는 종래 기술에 따른 포커싱 전극을 갖는 3전극형 전계방출소자를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 종래의 일반적인 3전극형 전계방출소자는 배면 기판(10)의 일측 면에 캐소드 전극(20)이 형성되고, 캐소드 전극(20)의 상부에 절연층(30)이 형성된다. 여기서 배면 기판(10)은 예를 들어 유리 기판으로 구성된다. 그리고 절연층(30)의 중심부에는 게이트 홀이 형성되고, 게이트 홀의 중심부에 에미션 전극(50a, 이른바 카본나노튜브)이 캐소드 전극(20)과 전기적으로 접속되도록 형성된다. 또한, 게이트 홀의 주변부의 절연층(30)의 상부에는 게이트 전극(40)이 형성된다.
한편, 전면 기판(90)의 일측 면에는 게이트 홀에 형성된 에미션 전극(50a)과 대향되도록 애노드 전극(80)이 형성된다. 그리고 애노드 전극(80)에는 광을 방출하기 위한 형광물질이 도포된다(도시되지 않음). 여기서 전면 기판(90)은 예를 들어 유리 기판으로 구성된다.
이와 같은 종래의 3전극형 전계방출소자는 게이트 홀의 내부에 에미션 전극(카본나노튜브)이 형성되어 있어 제조공정이 쉽지 않은 단점이 있지만, 애노드 전극과 에미션 전극간에 발생되는 다이오드 에미션 현상을 줄일 수 있는 잇점이 있다.
그러나, 다이오드 에미션 현상을 보다 효과적으로 방지하기 위해서는 게이트 홀의 직경을 줄이거나 게이트 홀의 깊이를 증가시켜 애노드 전극으로부터의 전계가 에미션 전극에 영향을 주지 않도록 해야 한다. 또한, 에노드 전극과 에미션 전극 사이에 포커싱 전극을 형성시켜 애노드 전극으로부터의 전계가 에미션 전극에 영향을 주지 않도록 할 수도 있다(도 1b).
도 2a 내지 2d는 종래의 일실시예에 따른 포커싱 전극을 갖는 3전극형 전계방출소자의 제조공정을 나타낸 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 종래의 포커싱 전극을 갖는 3전극형 전계방출소자는 배면 기판(10) 상에 캐소드 전극(20)을 형성한 다음, 게이트 절연층(30)과 게이트 전극(40)을 형성한다. 이어서, 게이트 절연층(30) 및 게이트 전극(40) 상에 포커싱 절연층(60)을 형성하고, 포커싱 절연층(60) 상에 포커싱 전극(70)을 형성한다.
그리고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 게이트의 모양에 따라 포커싱 절연층(60)과 포커싱 전극(70)을 식각하여 포커싱 홀(A)을 형성한다. 이와 같이 포커싱 홀(A)이 형성되면, 도 2c에 도시된 바와 같이, 에미터 전극을 형성하기 위해 게이트 전극(40)과 게이트 절연층(30)을 식각하여 게이트 홀(B)을 형성한다. 마지막으로, 도 2d에 도시된 바와 같이, 게이트 절연층(30)에 형성된 게이트 홀(B) 내에 캐소드 전극(20)과 전기적으로 연결되도록 에미터 전극(50b)을 형성한다.
이와 같은 3전극형 전계방출소자의 포커싱 전극(70) 및 게이트 전극(40)은 박막 또는 후막으로 형성할 수 있다. 이때, 박막으로 형성하는 경우에는 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), ITO 등의 금속을 사용할 수 있다. 한 편, 후막의 경우는 일반적으로 은(Ag)을 사용하게 된다.
그러나, 상술한 바와 같은 종래의 전계방출소자의 제조공정에 후막을 사용하는 경우에는, 절연층의 소성 온도가 고온이기 때문에 게이트 전극의 금속 박막이 산화 또는 확산됨으로써, 전극이 단선되거나 저항이 증가되는 문제가 있다. 또한, 후막을 사용하여 게이트 전극을 형성하는 경우에는, 게이트 홀을 미세 가공하기 어려운 문제점이 있다.
한편, 전계방출소자의 제조공정에 박막을 사용하는 경우에는, 일반적으로 10㎛이상의 게이트 전극 및 포커싱 전극을 CVD(화학적기상증착)에 의해 형성해야 하기 때문에 박막장비로 후막을 형성할 때 발생되는 스트레스 문제가 있다. 또한, 반응성이온에칭(RIE) 등의 에칭법에 의해 가공해야 하기 때문에 공정이 복잡하고 제조비용이 증대되는 문제점이 있다.
이러한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 게이트 전극의 전기적 특성이 개선된 전계방출 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 다이오드 에미션을 효과적으로 방지할 수 있는 전계방출 표시 장치를 제공하는 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전계방출 표시 장치의 제조 방법은 캐소드 전극이 형성된 후면 기판 상에 게이트 절연층을 형성하고, 게이트 절연층 상에 소정의 제1홀 영역의 주변에 도전성의 게이트 버스 전극을 형성하는 단계 와; 상기 도전성의 게이트 버스 전극이 형성된 제1홀 영역보다 큰 제2홀 영역의 주변에, 상기 게이트 버스 전극의 일부를 덮도록 포커싱 절연층을 형성하고, 상기 제2홀 영역 주변의 상기 포커싱 절연층 상에 도전성의 포커싱 전극을 형성하는 단계; 상기 제1홀 영역의 상기 게이트 절연층을 원형모양으로 식각하고, 상기 원형모양의 홀 내부에 상기 캐소드 전극과 전기적으로 접속되도록 에미터 전극을 형성시키는 단계를 포함한다.
이와 같은 특징에 의하면, 상기 에미터 전극을 형성시키는 단계는 게이트 절연층을 원형모양으로 식각하기 전에 상기 제2홀 영역 내의 게이트 버스 전극과 게이트 절연층 상에 도전성의 게이트 전극을 형성시킨다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 전계방출 표시 장치의 제조 방법은 캐소드 전극이 형성된 후면 기판 상에 게이트 절연층을 형성하고, 게이트 절연층 상에 다수의 제1홀 영역의 주변에 도전성의 게이트 버스 전극을 형성하는 단계와; 상기 도전성의 게이트 버스 전극이 형성된 다수의 제1홀 영역과 대응되도록 상기 제1홀 영역보다 큰 다수의 제2홀 영역의 주변에, 상기 게이트 버스 전극의 일부를 덮도록 포커싱 절연층을 형성하고, 상기 제2홀 영역 주변의 상기 포커싱 절연층 상에 도전성의 포커싱 전극을 형성하는 단계; 상기 다수의 제1홀 영역의 상기 게이트 절연층을 원형모양으로 각각 식각하고, 상기 원형모양의 홀 내부에 상기 캐소드 전극과 전기적으로 접속되도록 에미터 전극을 각각 형성시키는 단계를 포함한다.
이와 같은 특징에 의하면, 상기 에미터 전극을 각각 형성시키는 단계는 게이트 절연층을 원형모양으로 식각하기 전에 상기 각각의 제2홀 영역 내의 게이트 버 스 전극과 게이트 절연층 상에 도전성의 게이트 전극을 형성시킨다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 전계방출 표시장치는 일측면에 캐소드 전극이 형성된 후면 기판과, 상기 캐소드 전극 상에 형성된 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극과, 상기 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극 상에 상기 제1홀 영역과 중심이 같고 제1홀 영역보다 큰 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 절연층 및 포커싱 전극, 및 상기 애노드 전극과 대향되도록 캐소드 전극이 형성된 전면 기판을 구비한 전계방출 표시 장치에 있어서, 상기 게이트 버스 전극의 일면에는 전도성 게이트 전극이 도포된다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 전계방출 표시장치는 일측면에 캐소드 전극이 형성된 후면 기판과, 상기 캐소드 전극 상의 다수의 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극과, 상기 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극 상에 상기 제1홀 영역과 중심이 같고 제1홀 영역보다 큰 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 절연층 및 포커싱 전극, 및 상기 애노드 전극과 대향되도록 캐소드 전극이 형성된 전면 기판을 구비한 전계방출 표시 장치에 있어서, 상기 다수의 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 버스 전극 사이의 간격은 등간격이다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 전계방출 표시장치는 일측면에 캐소드 전극이 형성된 후면 기판과, 상기 캐소드 전극 상의 다수의 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극과, 상기 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극 상에 상기 제1홀 영역보다 큰 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 절연층 및 포커싱 전극, 및 상기 애노드 전극과 대향되도록 캐소드 전극이 형성된 전면 기 판을 구비한 전계방출 표시 장치에 있어서, 상기 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 전극 사이의 간격은 등간격이다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 전계방출 표시 장치를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 포커싱 전극을 갖는 3전극형 전계방출소자의 제조공정을 나타낸 도면이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 전계방출소자는 배면 기판(110)의 일측 면에 캐소드 전극(120)이 형성되고, 캐소드 전극(120)의 상부에 게이트 절연층(130)이 형성된다. 그리고 게이트 절연층(130)의 상부에 후막의 도전성의 페이스트(Paste)가 인쇄되어 게이트 버스 전극(140)이 형성된다. 이와 같은 게이트 버스 전극(140)은 도전성 감광 페이스트를 도포한 후, 노광 및 현상하여 형성할 수도 있다. 또한, 게이트 절연층(130) 및 게이트 버스 전극(140)은 에칭 가능한 유전체층과 감광성 전극층을 시트(Sheet) 형태로 겹쳐서 형성시킨 후, 게이트 버스 전극층만을 노광 및 현상하여 형성시킬 수도 있다.
계속해서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 게이트 절연층(130) 및 게이트 버스 전극(140) 상에 포커싱 절연층(160)을 형성하고, 포커싱 절연층(160) 상에 포커싱 전극(170)을 형성한다. 이와 같은 포커싱 절연층(160) 및 포커싱 전극(170)에는 포커싱 홀(제2홀, E)이 형성되는데, 그 포커싱 홀은 감광성 물질을 사용하여 포커싱 절연층 및 전극층을 형성한 후 감광법에 의해 형성된다. 또한, 에칭 가능한 유전체층과 감광성 전극층을 조합하거나, 에칭 가능한 유전체층과 박막 전극층을 조합하 여 형성할 수도 있다. 마찬가지로 스크린 패턴 인쇄법에 의해 유전체층과 전극층을 인쇄하여 형성하여도 된다.
이때, 에칭법을 사용하는 경우에는 하부의 게이트 절연층(130)의 표면에 에칭 방지층을 형성하여야 한다. 그렇지 않은 경우에는 하부의 게이트 절연층(130)에 비해 에칭 선택성이 있는 유전체층을 포커싱 절연층(160)으로 사용하여야 한다. 그리고, 포커싱 절연층(160)의 하부에 형성된 게이트 버스 전극(140)은 다음 공정에서 박막의 게이트 전극과 전기적인 접속이 가능하도록 포커싱 절연층(160)에 형성된 포커싱 홀의 중심부를 향하여 돌출되어야 한다. 따라서, 포커싱 홀의 지름은 게이트 버스 전극(140) 사이의 거리 또는 게이트 버스 전극(140) 홀의 지름보다 크게 형성되게 된다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 포커싱 홀 하부의 게이트 버스 전극(140)의 상부와 게이트 절연층(130)의 상부에 도전성 박막으로 게이트 전극(180)을 형성한 다음, 게이트 절연층(130)에 게이트 홀(제1홀, D)을 형성한다. 박막의 게이트 전극(180)은 포커싱 홀 중심부를 향해 돌출되어 있는 게이트 버스 전극(140)을 완전히 덮도록 형성된다. 이러한 게이트 전극(180)의 형성법으로는 리프트 오프(Lift-off)법, 쉐도우 마스크 증착법 등이 있다.
계속해서, 박막의 게이트 전극(180) 상에 사진 식각공정을 수행하여 게이트 홀을 형성한다. 이와 같은 게이트 홀의 모양은 도면에 도시된 바와 같이 예컨대 원형모양이 된다. 이때 형성 및 가공되는 박막의 게이트 전극은 상부의 포커싱 절연층(160)의 공정 후에 증착되기 때문에 고온의 공정을 거치지 않게 된다. 따라서, 일반적인 박막 공정에서 사용되는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 텅스텐(W) 등의 금속을 사용할 수 있다.
마지막으로, 도 3d에 도시된 바와 같이, 게이트 홀의 내부에 캐소드 전극(120)과 전기적으로 접속되도록 에미터 전극(190)을 형성한다. 이와 같은 에미터 전극(190)은 카본계의 전자방출원으로 구성된다. 카본계의 전자방출원은 전기영동법에 의해 형성되거나, 화학기상증착에 의해 형성된다.
도 4a 및 도 4b는 전계방출소자를 결합시킨 전계방출 표시 장치의 단면도이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계방출 표시 장치는 케소드 전극(120)과 전기적으로 접속된 에미터 전극(190)과 전면 기판(210)에 형성된 애노드 전극(220) 사이에 포커싱 전극(170)이 형성된다. 따라서 에미터 전극(190)은 애노드 전극(220)으로부터 전계의 영향을 거의 받지 않게 된다. 또한, 본 발명에 의한 전계방출소자에 의하면, 게이트 홀을 미세하게 가공할 수 있고, 게이트 전극에 열화가 발생되지 않는다.
도 4b는 도 4a에 도시된 게이트 버스 전극(140)과 게이트 전극(180)의 접속부(C)를 확대시켜 나타낸 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(180)은 포커스 홀의 전면에 걸쳐 게이트 버스 전극(140) 상부를 덮도록 형성된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다수의 에미터 전극을 갖는 전계방출소자의 평면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자는 4개의 에미터 전극을 1조로 하여 형성한다. 이와 같은 전계방출소자는 원형모양의 에미터 전극(190)이 정사각형 내에 형성된다.
이상, 본 발명의 일실시예에서는 게이트 홀을 원형모양으로 구성하였으나 다양한 모양으로 구성할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 에미터 전극이 1개 또는 4개인 경우를 예로 들었지만, 애노드 전극의 면적에 비례하여 다수개로 배치시킬 수 있고, 원형의 지름을 다양하게 구성할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 게이트 버스 전극 상에 전도성의 게이트 전극을 도포한 후 게이트 절연층을 식각시켜 게이트 홀을 구성하기 때문에 게이트 전극의 전기적 특성을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 게이트 전극과 애노드 전극 사이에 포커싱 전극을 형성시킴으로써 다이오드 에미션을 효과적으로 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 애노드 전극이 형성된 전면 기판과, 캐소드 전극이 형성된 후면 기판을 구비한 전계방출 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 캐소드 전극이 형성된 후면 기판 상에 게이트 절연층을 형성하고, 상기 게이트 절연층 상에 게이트 버스 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 버스 전극을 덮도록 상기 게이트 절연층 상부에 포커싱 절연층을 형성하고, 상기 포커싱 절연층 상에 포커싱 전극을 형성하는 단계;
    상기 포커싱 전극들 사이에 대응하여 상기 포커싱 절연층에 제 2홀을 형성하는 단계;
    상기 게이트 버스 전극의 상부에 도전성 게이트 전극을 형성하는 단계:
    상기 게이트 전극들 사이에 대응하여 상기 제 2홀의 직경보다 작은 직경을 갖는 제 1홀을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1홀 내부에 상기 캐소드 전극과 전기적으로 접속되도록 에미터 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 전계방출 표시 장치의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 애노드 전극이 형성된 전면 기판과, 캐소드 전극이 형성된 후면 기판을 구비한 전계방출 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 캐소드 전극이 형성된 후면 기판 상에 게이트 절연층을 형성하고, 상기 게이트 절연층 상에 게이트 버스 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 버스 전극을 덮도록 상기 게이트 절연층 상부에 포커싱 절연층을 형성하고, 상기 포커싱 절연층 상에 포커싱 전극을 형성하는 단계;
    상기 포커싱 전극들 사이에 대응하여 상기 포커싱 절연층에 제 2홀을 형성하는 단계;
    상기 게이트 버스 전극 상부에 도전성 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극들 사이에 대응하여 상기 제 2홀의 직경보다 작은 직경을 갖는 복수의 제 1홀을 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 제 1홀 내부에 각각 상기 캐소드 전극과 전기적으로 접속되도록 에미터 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 전계방출 표시 장치의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 애노드 전극이 형성된 전면 기판과, 상기 애노드 전극과 대향되도록 일측면에 캐소드 전극이 형성된 후면 기판과, 상기 캐소드 전극 상에 형성된 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극과, 상기 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극 상에 상기 제1홀 영역과 중심이 같고 제1홀 영역보다 큰 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 절연층 및 포커싱 전극을 구비한 전계방출 표시 장치에 있어서,
    상기 게이트 버스 전극의 일면에는 전도성 게이트 전극이 도포된 것을 특징으로 하는 전계방출 표시 장치.
  6. 애노드 전극이 형성된 전면 기판과, 상기 애노드 전극과 대향되도록 일측면에 캐소드 전극이 형성된 후면 기판과, 상기 캐소드 전극 상의 다수의 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극과, 상기 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극 상에 상기 제1홀 영역과 중심이 같고 제1홀 영역보다 큰 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 절연층 및 포커싱 전극을 구비한 전계방출 표시 장치에 있어서,
    상기 다수의 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 버스 전극 사이의 간격은 등간격이고,
    상기 게이트 버스 전극의 일면에 전도성 게이트 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시 장치.
  7. 애노드 전극이 형성된 전면 기판과, 상기 애노드 전극과 대향되도록 일측면에 캐소드 전극이 형성된 후면 기판과, 상기 캐소드 전극 상의 다수의 제1홀 영역 주변에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극과, 상기 게이트 절연층 및 게이트 버스 전극 상에 상기 제1홀 영역보다 큰 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 절연층 및 포커싱 전극을 구비한 전계방출 표시 장치에 있어서,
    상기 다수의 제2홀 영역 주변에 형성된 포커싱 전극 사이의 간격은 등간격이고,
    상기 게이트 버스 전극의 일면에 전도성 게이트 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2홀의 직경은 상기 도전성 게이트 전극들 간의 간격보다 더 큰 것을 특징으로 하는 전계방출 표시 장치의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1홀은 식각공정으로 통하여 원통형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시 장치의 제조방법.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 도전성 게이트 전극은 리프트 오프법 또는 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시 장치의 제조방법.
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