JP2737618B2

JP2737618B2 - 電界放出形電子源

Info

Publication number: JP2737618B2
Application number: JP32092393A
Authority: JP
Inventors: 茂生伊藤; 昌照谷口; 照男渡辺; 剛宏新山
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1993-11-29
Filing date: 1993-11-29
Publication date: 1998-04-08
Anticipated expiration: 2013-04-08
Also published as: JPH07153369A; TW295732B

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はコールドカソードとして
知られている電界放出形電子源の改良に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を１０
⁹ ［Ｖ／ｍ］程度にするとトンネル効果により、電子が
障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われるよ
うになる。これを電界放出（Field Emission）と云い、
このような原理で電子を放出するカソードを電界放出カ
ソード（以下、ＦＥＣと記す）と呼んでいる。

【０００３】近年、半導体集積化技術を駆使して、ミク
ロンサイズのＦＥＣを作ることが可能となり、その一例
としてスピント（Spindt）型と呼ばれるＦＥＣが知られ
ている。このＦＥＣは、半導体微細加工技術を用いて製
作すると、円錐状のエミッタ、すなわちエミッタコーン
とゲート電極との距離をサブミクロンとすることが出来
るため、エミッタコーンとゲート電極間に数１０ボルト
の電圧を印加することによりエミッタコーンから電子を
放出させることが出来るようになる。また、各エミッタ
コーン間のピッチは５ミクロンないし１０ミクロンとし
て製作することが出来るため、数万から数１０万個のＦ
ＥＣを１枚の基板上に設けることが出来る。このよう
に、面放出形のＦＥＣを製作することが可能となってお
り、このＦＥＣは蛍光表示装置、ＣＲＴ、電子顕微鏡や
電子ビーム装置の電界放出形電子源として適用すること
が提案されている。

【０００４】次に、図９に、このような電界放出形電子
源として用いられるＦＥＣの上面図を（ａ）に、その断
面図を（ｂ）に示す。この図の（ａ）に示すように、カ
ソード配線１０２は井桁状にパターニングされており、
この井桁状のカソード配線１０２の上全面には抵抗層１
０３が形成されており、前記井桁の中の抵抗層１０３上
にそれぞれ複数のエミッタコーン１０６が形成されてい
る。なお、（ａ）で示す電界放出形電子源の上面には、
全面にわたりゲート電極１０５が形成されており、この
ゲート電極１０５に図示するほぼ円形の開口部が複数設
けられ、この開口部内に前記エミッタコーン１０６がそ
れぞれ形成されている。

【０００５】この電界放出形電子源の断面図を（ｂ）に
示すが、この断面は（ａ）に示すＡ−Ａ線で切断した電
界放出形電子源の断面である。この図において、井桁状
のカソード配線１０２は絶縁性の基板１０１上に形成さ
れており、基板１０１上には抵抗層１０３が全面に形成
されている。この抵抗層１０３上には絶縁層１０４とゲ
ート電極１０５が形成されており、このゲート電極１０
５と絶縁層１０４とに形成された開口部内にエミッタコ
ーン１０６が形成されている。

【０００６】ところで、エミッタコーン１０６とカソー
ド配線１０２との間に抵抗層１０３を設ける理由は次の
通りである。一般的なＦＥＣにおいてはエミッタコーン
の先端とゲートとの距離がサブミクロンという極めて短
い距離とされていると共に、数万ないし数十万個のエミ
ッタコーンが一枚の基板上に設けられるため、製造の過
程において塵埃等によりエミッタコーンとゲートとが短
絡してしまうことがある。このように、ゲートとエミッ
タコーン間の一つでも短絡していると、カソードとゲー
トとが短絡したことになるため、すべてのエミッタコー
ンに電圧が印加されなくなり動作不能の電界放出形電子
源となってしまう。

【０００７】また、電界放出形電子源の初期の動作時に
局部的な脱ガスが生じ、このガスによりエミッタコーン
とゲートあるいはアノード間が放電を起こすことがあ
り、このため大電流がカソードに流れてカソードが破壊
されることがあった。さらに、多数のエミッタコーンの
うち電子の放出されやすいエミッタコーンが存在するた
め、このエミッタコーンから集中して放出された電子に
より、画面上に異常に明るいスポットが発生することも
あった。

【０００８】そこで、図９に示すように、カソード配線
１０２とエミッタコーン１０６との間に抵抗層１０３を
形成し、エミッタコーン１０６の中の一つが形状の不均
一性から異常に多い電子を放出し始めると、ゲート電極
１０５とカソード配線１０２間には抵抗層１０３による
電圧降下が生じるようになる。この電圧降下により、異
常に多い電流を放出しようとするエミッタコーンの印加
電圧が放出電流に応じて下げられるために、電子放出が
抑制され、各エミッタコーンで安定した電子放出を行う
ようになる。このため、カソード配線１０２が破壊され
ることを防止することができる。したがって、抵抗層１
０３を設けることにより、ＦＥＣの製造上の歩留りの向
上、およびＦＥＣの安定な動作を確保することができる
ようになる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示す構造のＦＥＣにおいては、井桁状のカソード配線１
０２の中の面積が大きく全面にエミッタコーン１０６を
形成すると、カソード配線１０２と各エミッタコーン１
０６との距離に応じて、カソード配線１０２と各エミッ
タコーン１０６間の抵抗値が異なることになる。すなわ
ち、カソード配線１０２の近傍に形成されたエミッタコ
ーン１０６は低い抵抗値となるが、井桁の中央部に向か
って形成されるエミッタコーンの抵抗値は次第に高い抵
抗値となっていく。すると、カソード配線１０２の周辺
に位置するエミッタコーン１０６からの電子のエミッシ
ョンは大きくなるが、抵抗値が高くなる中央部に向かっ
てエミッションが低下することになる。

【００１０】そこで、エミッションの均一性を上げるた
めに、図９に示すように、井桁状のカソード配線１０２
から各エミッタコーンまでの抵抗値の偏差を無視できる
くらいに小さくさせるために、所定距離Ｌを置いてエミ
ッタコーン１０６を形成するようにしていた。このた
め、井桁状のカソード配線１０２の周囲から距離Ｌの間
にはエミッタコーン１０６を設けることができず、エミ
ッタコーンの実装密度が低下するという問題点があっ
た。また、抵抗の均一化を図るために、さらにカソード
配線を細分化して、１つの井桁の中にエミッタコーンを
４個程度形成することも考えられるが、このようにする
と、極端にエミッタコーンの実装密度が低下するように
なる。更に、井桁状に形成されたカソード配線１０２に
対する各エミッタコーン１０６の位置が抵抗値に関係す
ることになり、製造時のエミッタコーンのアラインメン
ト精度により抵抗値が変化してしまう。このため、厳密
にマスク合わせを行ってエミッタコーン１０６を形成す
る必要があり、製造が困難になるという問題点もあっ
た。

【００１１】また、図９のＦＥＣの構成に替えて、井桁
のないストライプ状のカソード配線上に抵抗層を全面に
形成し、カソード配線上に形成された抵抗層上にエミッ
タコーンを形成することも知られているが、このような
構成によると、抵抗層の膜厚の均一性が各エミッタコー
ンの抵抗値のばらつきとなり、各エミッタコーンのエミ
ッションが均一になりづらいという欠点があった。ま
た、抵抗値は抵抗層の厚さで決定されるが、その厚さに
は限界があるため大電流容量、および高抵抗値を得るこ
とが困難であり、抵抗層を設けたことによる効果が小さ
いという欠点もあった。そこで、本発明はカソード配
線と複数の各エミッタコーン間の抵抗値をほぼ一定とす
ることができると共に、エミッタコーンの実装密度を向
上した電界放出形電子源を提供することを目的としてい
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はカソード配線の領域内に、カソード配線か
ら分離されたカソード導体を複数設け、前記カソード配
線と前記カソード導体とを抵抗層で電気的に接続すると
共に、カソード導体上に複数のエミッタコーンを直接ま
たは前記抵抗層を介して配設させるようにしたものであ
る。

【００１３】

【作用】本発明によれば、カソード配線と各エミッタコ
ーン間の抵抗値をほぼ一定とすることができるため、カ
ソード導体内の各エミッタコーンのエミッションを均一
化することができる。また、カソード導体上のどこにエ
ミッタコーンを設けてもエミッションの均一化が図れる
ため、エミッタコーンの実装密度を向上することができ
る。

【００１４】

【実施例】本発明の第１実施例の電界放出形電子源のカ
ソード電極の構成を図１に示す。この図に示すカソード
配線２は、並列に多数本設けられたストライプ状カソー
ド配線２のうちの１本であり、１領域である。カソード
配線２の領域内には、カソード配線２から分離するため
に、カソード配線２をくり抜くように導体のない領域８
を周囲に設けた島状カソード導体７が複数配設されてい
る。この島状カソード導体７およびカソード配線２上に
抵抗層３を設けて、この抵抗層３により両者を電気的に
接続している。そして、前記島状カソード導体７に対応
する抵抗層３上にエミッタコーン６を形成して電子放出
源とするが、その構造を図２に示す断面図を用いて説明
する。

【００１５】この図において、絶縁性の基板１上にカソ
ード配線２と島状カソード導体７がＮｂ，Ｍｏ，Ａｌ等
の導電性薄膜でパターン形成されており、この島状カソ
ード導体７とカソード配線２上には、アモルファスシリ
コン等からなる抵抗層３がカソード配線２の領域内全面
に形成されている。さらに、抵抗層３の上に二酸化シリ
コン（ＳｉＯ₂ ）からなる絶縁層４、およびＮｂ，Ｍ
ｏ，Ａｌ，ＷＳｉ₂ 等からなるゲート電極５が形成され
ており、このゲート電極５と絶縁層４に開口された開口
部の中にはＭｏからなるエミッタコーン６がそれぞれ形
成されている。このゲート電極５もストライプ状に形成
されており、カソード配線２と共にマトリックスを形成
している。

【００１６】この場合は、例えば図示するように、１つ
の島状カソード導体７に対応して４列のエミッタコーン
６が形成されており、この単位を１グループ単位とする
と、図２に示す場合においては、１グループ単位のエミ
ッタコーン６が島状カソード導体７上に形成されてお
り、カソード配線２に近いエミッタコーン６もカソード
配線２に遠いエミッタコーン６も導体のない領域８の幅
が均一で抵抗層３の厚みが均一とされているため、各々
のエミッタコーン６の抵抗値を大体均一化することがで
きる。

【００１７】次に、カソード配線２と島状カソード導体
７等の導体部と、抵抗層３との位置が前記第１実施例と
は逆とされた、第２実施例の電界放出形電子源のカソー
ド電極を図３に示す。この図において、絶縁性の基板１
上にカソード配線２の領域内に抵抗層３が形成される。
さらに、抵抗層３上にカソード配線２及び島状カソード
導体７を形成する。また、カソード配線２及び島状カソ
ード導体７上にはＳｉＯ₂ の絶縁層４及びＮｂ，Ｍｏ，
Ａｌ，ＷＳｉ₂ 等からなるゲート電極５が形成されてお
り、このゲート電極５と絶縁層４の前記島状カソード導
体７に対応する部分には、開口部が設けられ、この開口
部の中にはＭｏのエミッタコーン６がそれぞれ形成され
ている。

【００１８】また、この第２実施例の変形として、絶縁
性の基板１上にカソード配線２のみを設け、このカソー
ド配線２の上全面に抵抗層３を設け、さらにこの抵抗層
上に島状カソード導体７を設ける。そして、エミッタコ
ーン６，絶縁層４，ゲート電極５は、前記第２実施例と
同様に島状カソード導体７上に設けるようにする。この
ようなカソード電極の構成としてもよい。

【００１９】次に、図４に前記第１実施例の変形として
島状カソード導体７とカソード配線２の間にエミッタコ
ーン６を設けた例を示す。この例によれば、カソード配
線２に一番近いエミッタコーン６の抵抗値は、カソード
配線２とエミッタコーン６とを結ぶ抵抗層３の長さでほ
ぼ決まり、他のエミッタコーン６の抵抗値は、カソード
配線２と島状カソード導体７との間の抵抗層３の長さ
と、島状カソード導体７とエミッタコーン６との間隔で
ある抵抗層３の厚さとでほぼ決まるようになる。そこ
で、すべてのエミッタコーン６の抵抗値がほぼ一定とな
るように島状カソード導体７の大きさを調整するように
すると、すべてのエミッタコーン６の抵抗値をほぼ一定
とすることができる。この図に示す場合は、グループ単
位を構成する複数のエミッタコーン６のうち、外周縁の
エミッタコーン６を除くエミッタコーン６が島状カソー
ド導体７上に形成されるようになる。

【００２０】このようにして設定する場合の島状カソー
ド導体７の例を、図５および図６を参照しながら説明す
る。ただし、これらの図においては絶縁層４とゲート電
極層５とを省略して示している。図５は、１グループ単
位にエミッタコーン６を１６個設ける例を示しており、
この場合は、（ａ）に示すようにカソード配線２の外周
縁に設けられているエミッタコーン６は１２個であり、
中央部近傍に４個のエミッタコーン６が設けられてい
る。このため、中央部近傍の４個のエミッタコーン６の
抵抗値が高くなるので、この４個のエミッタコーン６を
カバーするように中央部近辺に破線で示すように島状カ
ソード導体７を設けるようにする。すると、同図（ｂ）
に示すように中央部近傍のエミッタコーン６の抵抗値
は、島状カソード導体７を介しての抵抗値となるため、
中央部のエミッタコーン６の抵抗値が降下し、他のエミ
ッタコーン６との抵抗値をほぼ等しくすることができ
る。

【００２１】図６は、１グループ単位に１２個ずつの群
とされたエミッタコーン６を２群設ける例を示してお
り、この場合は、カソード配線２の外周縁に設けられて
いるエミッタコーン６は１６個であり、中央部に縦長に
８個のエミッタコーン６が設けられている。このため、
中央部近傍の８個のエミッタコーン６の抵抗値が高くな
るので、この８個のエミッタコーン６のうち、群毎の４
個ずつをカバーするように中央部近辺に破線で示すよう
に、島状カソード導体７を２つ設けるようにする。する
と、中央部近傍のエミッタコーン６の抵抗値は、島状カ
ソード導体７を介しての抵抗値となるため、これらのエ
ミッタコーン６の抵抗値が降下し、他のエミッタコーン
６との抵抗値をほぼ等しくすることができる。また、群
毎に設けられる島状カソード導体７同士の抵抗値は、よ
り高く設定されており、電気的に独立に近い形に設定さ
れている。この場合における各群を、各画素に対応する
ようにしてもよい。

【００２２】このように、本発明の電界放出形電子源
は、グループ内のエミッタコーンの数に応じて島状カソ
ード導体７の大きさを変えることにより、グループ単位
内のエミッタコーンの抵抗値をほぼ等しくすることがで
きる。従って、グループ単位内のすべてのエミッタコー
ンのエミッションをほぼ同じとすることができると共
に、エミッション電流を増加することができるようにな
る。。また、本発明の電界放出形電子源においては、島
状カソード導体７に対するゲート電極５に設ける開口部
のマスク合わせの精度を、従来より下げることができる
と共に、抵抗層３を横方向の長い抵抗体として用いてい
るため、抵抗値を大きくすることができる。

【００２３】さらに、グループ単位内のエミッタコーン
の抵抗値の差が少ないため、グループ単位内のエミッタ
コーンの数を多くすることができる。このため、グルー
プ単位を細分化する必要がないため、エミッタコーンの
実装密度を上げることができると共に、その製造も容易
に行うことができるようになる。さらにまた、エミッタ
コーンの抵抗値は、カソード配線と島状カソード導体と
を作製するためのマスク層の精度と、抵抗層の抵抗値で
ほぼ決まり、カソード配線と島状カソード導体とを同時
に同じマスクで形成することができることから、設定抵
抗値を再現性よく基板全面にわたって均一に形成するこ
とができる。なお、前記電界放出形電子源に離隔して蛍
光体を塗布したアノード電極を設けると、ディスプレイ
を構成することができ、この場合は前記グループ単位を
その画素に対応させるようにすれば良い。

【００２４】以上の説明においては、電界放出形電源の
カソード電極を、カソード配線２の内側に導体のない領
域８を周囲に設けた島状カソード導体７としたが、カソ
ード電極を図７及び図８に示す構成としてもよい。図７
に示すカソード電極は、ストライプ状のカソード配線２
とその両側に設けられた複数のカソード導体９とにより
１領域を形成するようにしたものである。この場合にお
いても、領域内のカソード配線２とカソード導体９との
間は抵抗層により接続されている。また、抵抗層は１領
域毎に設けられ、隣接する領域間には抵抗層分離部１０
が設けられている。この構成としては、抵抗層上にカソ
ード配線２及びカソード導体９を形成して、カソード導
体９上に複数のエミッタコーン及びゲート電極を設ける
ようにするか、カソード配線２及びカソード導体９上に
抵抗層を形成し、カソード導体９に対応する抵抗層上に
複数のエミッタコーン及びゲート電極を形成するかすれ
ばよい。あるいは、カソード配線２上に抵抗層を形成
し、この抵抗層上に、複数のエミッタコーン及びゲート
電極が形成されたカソード導体９を設けるようにしても
よい。

【００２５】図８に示すカソード電極は、ストライプ状
のカソード配線２−１，２−２，２−３，２−４・・・
・とその間に設けられた複数のカソード導体９とにより
１領域をそれぞれ形成するようにしたものである。すな
わち、カソード配線２−２とカソード配線２−３、及び
その間に形成されているカソード導体９とで１領域を形
成している。この場合においても、領域内のカソード配
線２−１とカソード導体９、カソード配線２−２，２−
３とカソード導体９、カソード配線２−４とカソード導
体９との間は抵抗層により接続されている。この構成と
しては、抵抗層上にカソード配線２−１，２−２，２−
３，２−４・・・・及びカソード導体９を形成して、カ
ソード導体９上に複数のエミッタコーン及びゲート電極
を設けるようにするか、カソード配線２−１，２−２，
２−３，２−４・・・・及びカソード導体９上に抵抗層
を形成し、カソード導体９に対応する抵抗層上に複数の
エミッタコーン及びゲート電極を形成するかすればよ
い。あるいは、カソード配線２−１，２−２，２−３，
２−４・・・・上に抵抗層を形成し、この抵抗層上に、
複数のエミッタコーン及びゲート電極が形成されたカソ
ード導体９を設けるようにしてもよい。

【００２６】次に、図２および図４に示す電界放出形電
子源の製造方法を説明する。まず、ガラス等の絶縁基板
１上にニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはア
ルミニウム（Ａｌ）等の金属薄膜からなるカソード配線
２を形成し、このカソード配線２にフォトリソグラフィ
の手法により、中抜き部、および、この中抜き部の中に
矩形の島状カソード導体７を同時に形成する。この島状
カソード導体７の形は矩形に限るわけではなく、各エミ
ッタコーンの配列に応じて円形でもよい。さらに、この
カソード配線２と島状カソード導体７を覆うように、ス
パッタ法あるいはＣＶＤ法により０．５ミクロン〜２．
０ミクロン程度の膜厚の抵抗層３を形成する。この抵抗
層３の材料としては、アモルファスシリコン，Ｉｎ₂ Ｏ
₃，Ｆｅ₂ Ｏ₃ ，ＺｎＯ，ＮｉＣｒ合金、あるいは不純
物をドープしたシリコン等が用いられ、その抵抗率は約
１×１０¹ 〜１×１０⁶ Ωｃｍとされる。

【００２７】そして、前記カソード配線２および抵抗層
３を覆うように、前記基板１上にスパッタ法あるいはＣ
ＶＤ法により、約１．０ミクロンの膜厚の二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ₂ ）からなる絶縁層４を形成する。さらに、
この絶縁層４の上にスパッタ法により、約０．４ミクロ
ンの膜厚のＮｂ、Ｍｏ，Ａｌ，ＷＳｉ₂ 等からなるゲー
ト電極５を成膜する。そして、このゲート電極５に直径
約１．０ミクロンの複数の開口部６をフォトリソグラフ
ィの手法により形成し、この開口部６からバッファード
弗酸（ＢＨＦ）等を用いたウエットエッチングあるいは
ＣＨＦ₃ 等のガスを用いたＲＩＥにより、抵抗層３に達
する開口部を形成する。

【００２８】次に、ゲート電極５上に電子ビーム（Ｅ
Ｂ）蒸着法を用いてアルミニウムを斜め蒸着することに
より、剥離層を形成する。この剥離層の上に、さらにＥ
Ｂ蒸着法を用いてモリブデンを垂直方向に正蒸着する
と、前記開口部内にモリブデンがコーン状に堆積される
ことにより、エミッタコーン６が形成される。そして、
剥離層を燐酸等の剥離液により溶解させることにより、
除去すると図２あるいは図４に示すような電界放出形電
子源を得ることができる。

【００２９】次に、図３に示す電界放出形電子源の製造
方法を説明する。まず、ガラスやセラミック等の絶縁性
基板１上に、アモルファスシリコンや不純物をドープし
たシリコン等をスパッタ法、またはＣＶＤ法等でカソー
ド配線２の領域全体に０．５〜２．０ミクロン程度の膜
厚で抵抗層３を形成する。この抵抗層３の抵抗率は１×
１０¹ 〜１×１０⁶ Ωｃｍの範囲が良好である。そし
て、前記抵抗層３を覆うようにＮｂ，Ｍｏ，Ａｌ等の金
属薄膜を蒸着形成し、フォトリソグラフィ法によりエッ
チングして導体のない領域８を形成することにより、カ
ソード配線２と島状カソード導体７とを分離形成する。
そして、カソード配線２、島状カソード導体７上に二酸
化シリコンからなる絶縁層４を約１ミクロンの厚さにス
パッタ法やＣＶＤ法で形成する。さらに絶縁層４上に、
Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｌ，ＷＳｉ₂ からなるゲート電極５を約
０．４ミクロンの厚さにスパッタ法で形成する。

【００３０】このゲート電極５上に、直径約１ミクロン
の複数の開口部をフォトリソグラフィ法で形成し、この
開口部からウェットエッチングあるいはドライエッチン
グにより島状カソード導体７に達する開口部を形成す
る。次に、ゲート電極５上に剥離層を設けた後、モリブ
デンを正蒸着して開口部内にエミッタコーン６を形成す
るが、これは前記の製造方法と同様であるので、その説
明は省略する。

【００３１】

【発明の効果】本発明は以上のように構成したので、カ
ソード配線と各エミッタコーン間の抵抗値をほぼ一定と
することができるため、グループ単位内の各エミッタコ
ーンのエミッションを均一化することができる。また、
カソード配線の近傍にエミッタコーンを設けてもエミッ
ションの均一化が図れるため、グループ単位内のエミッ
タコーンの数を増やすことができ、実装密度を向上する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の電界放出形電子源のカソ
ード電極の構成を示す図である。

【図２】本発明の第１実施例の電界放出形電子源の断面
図である。

【図３】本発明の第２実施例の電界放出形電子源の断面
図である。

【図４】本発明の第１実施例の電界放出形電子源の変形
例を示す断面図である。

【図５】島状カソード導体の大きさの例を示す図であ
る。

【図６】島状カソード導体の他の大きさの例を示す図で
ある。

【図７】本発明の電界放出形電子源のカソード電極の他
の構成例を示す図である。

【図８】本発明の電界放出形電子源のカソード電極のさ
らに他の構成例を示す図である。

【図９】従来の電界放出形電子源を示す図である。

【符号の説明】

１，１０１基板２，１０２カソード配線３，１０３抵抗層４，１０４絶縁層５，１０５ゲート電極６，１０６エミッタコーン７島状カソード導体８導体のない領域９カソード導体１０抵抗層分離部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者新山剛宏千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式会社内 (56)参考文献特開平４−272638（ＪＰ，Ａ) 特開平５−144370（ＪＰ，Ａ) 特開平５−504022（ＪＰ，Ａ) 特開平７−94076（ＪＰ，Ａ) 特開平４−229922（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】カソード配線の領域内に、前記カソード配
線から分離されたカソード導体を複数設け、前記カソー
ド配線と前記カソード導体とを抵抗層により電気的に接
続し、前記カソード導体上に複数の円錐状のエミッタが
直接または前記抵抗層を介して配設されたことを特徴と
する電界放出形電子源。
【請求項２】絶縁性の基板上に上記カソード配線及び上
記カソード導体が設けられていることを特徴とする請求
項１記載の電界放出形電子源。
【請求項３】絶縁性の基板上に上記抵抗層が形成されて
おり、該抵抗層上に上記カソード配線及び上記カソード
導体が設けられていることを特徴とする請求項１記載の
電界放出形電子源。
【請求項４】ストライプ状カソード配線の内側に、導体
のない領域を周囲に設けた島状カソード導体を複数設け
たことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載
の電界放出形電子源。
【請求項５】前記島状カソード導体の少なくとも１つ
が、デイスプレイの１画素に対応して設けられているこ
とを特徴とする請求項４記載の電界放出形電子源。