JP5151667B2 - マトリックス型冷陰極電子源装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る冷陰極電子源装置を構成する一単位となる冷陰極電子源素子の構造を示した上面図と断面模式図である。本実施例では、単結晶P型シリコン基板を用いた基板1上に冷陰極電子源素子を形成した。基板1の中央部にエミッタアドレス電極を形成し、その両側を挟むように素子分離領域2を形成した。本実施例での素子分離領域2は、幅0.1〜0.5μm、深さ3〜7μmの溝(トレンチ)に絶縁膜を埋め込んだ構造とし、エミッタアドレス電極が形成される領域と素子分離領域2とをトレンチを挟んで電気的に絶縁した。
図2は、本発明の実施の形態2に係る冷陰極電子源装置を構成する冷陰極電子源素子の構造を示した上面図及び断面模式図である。図中、実施の形態1と同一の部位は、同一の符号を用いている。実施の形態1と異なる点は、高抵抗ゲート電極5b上に、層間絶縁膜6を介してシールド電極8bが形成されている点である。
2 素子分離領域
3 エミッタアドレス電極
4 ゲート絶縁膜
5a ゲートアドレス電極
5b 高抵抗ゲート電極
5c エミッタ領域ゲート電極
6 層間絶縁膜
7 コンタクトホール
8 ゲート信号配線
9 保護膜
Claims (5)
- エミッタアドレス電極上に形成された電子を放出するためのエミッタが複数配列されたエミッタアレイと前記エミッタアレイに対向するように配置されたゲート電極とから成るマトリックス型冷陰極電子源装置において、
前記ゲート電極は、ゲート信号配線に接続するためのゲートアドレス電極と前記エミッタアレイに対向する位置に配置されたエミッタ領域ゲート電極を有し、
前記ゲートアドレス電極と前記エミッタ領域ゲート電極との間に高抵抗領域を有するとともに、前記ゲート電極の上部に絶縁層を介してシールド電極を配置し、
前記シールド電極を前記エミッタ領域ゲート電極に接続したマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記シールド電極は、前記高抵抗電極を覆うように配置されている請求項1に記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。
- 前記シールド電極が、前記ゲート電極と同一の材料で構成されている請求項1に記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。
- 前記ゲート電極の前記高抵抗領域以外の領域は、N型の不純物を高濃度に導入したポリシリコン膜で形成されており、
前記高抵抗領域は、不純物が導入されていない前記ポリシリコン膜、又は低濃度の不純物を導入した前記ポリシリコン膜で形成されている請求項1に記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記高抵抗領域の抵抗は、50kΩ以上10MΩ以下である請求項1に記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。
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