WO2009110179A1 - マトリックス型冷陰極電子源装置 - Google Patents
マトリックス型冷陰極電子源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2009110179A1 WO2009110179A1 PCT/JP2009/000686 JP2009000686W WO2009110179A1 WO 2009110179 A1 WO2009110179 A1 WO 2009110179A1 JP 2009000686 W JP2009000686 W JP 2009000686W WO 2009110179 A1 WO2009110179 A1 WO 2009110179A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- electron source
- cold cathode
- cathode electron
- mesh structure
- source device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/467—Control electrodes for flat display tubes, e.g. of the type covered by group H01J31/123
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the electron beams
- H01J2329/4604—Control electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the electron beams
- H01J2329/4604—Control electrodes
- H01J2329/4639—Focusing electrodes
- H01J2329/4643—Focusing electrodes characterised by the form or structure
Abstract
Description
図1~図4は本発明の実施の形態1のマトリックス型冷陰極電子源装置を示す。
メッシュ構造体8には、冷陰極電子源アレイ4における冷陰極電子源素子4aの配置間隔である第1のピッチP1と同じピッチで貫通孔9がマトリックス状に形成されている。ここでは、メッシュ構造体8に形成された貫通孔9のX方向,Y方向のピッチをそれぞれPm(X),Pm(Y)、貫通孔9が略垂直と仮定した時の貫通孔9の開口部のX方向,Y方向幅をDm(X),Dm(Y)とする。また、1セル分の冷陰極電子源素子4aのエミッタ領域4bのX方向,Y方向幅をPem(X),Pem(Y)とする。更に、表示デバイスの場合においては、ターゲット上に仮想的に描く1画素分の撮像面のX方向,Y方向幅をDt(X),Dt(Y)とする。
Pem(X)≒Dm(X)≒Dt(X)
Pem(Y)≒Dm(Y)≒Dt(Y)
の関係式が成り立っていた。表示デバイスにおいて解像度を高くするためには、Dt(X)、Dt(Y)を小さくする必要がある。即ちPem(X),Pem(Y)を小さくする必要があるが、冷陰極電子源素子の面積を小さくすることは、前述のとおりエミッタの集積度限界やプロセスマージンの影響が大きいなどの理由により実現が困難となっていた。
メッシュ構造体8の貫通孔9の大きさを、図3に示したようにターゲット14の1画素に相当する大きさとし、エミッタ領域4bの大きさを、X方向、Y方向とも略2倍となる大きさとして配置した。すなわち、
Dm(X)≒Dt(X)≒(1/2)Pem(X)
Dm(Y)≒Dt(Y)≒(1/2)Pem(Y)
の関係式が成り立つように構成されている。
図5A~図5Eは実施の形態1におけるメッシュ構造体8の具体例を示す。
図6A,図6Bと図7A,図7Bは本発明の実施の形態3を示す。
メッシュ構造体による電子ビームのトリミング効果について上記関係式を用いて説明する。
図8は本発明の実施の形態4を示す。
このような構成では、第二電極94と第三電極96を所定の電位に設定することで、生成された二次電子を効率的にターゲット14の側に引き出すことができると共に、貫通孔9を通過した電子の収束性も高めることができるという利点がある。
Claims (14)
- 電子を放出する複数のエミッタを有する冷陰極電子源素子が第1のピッチでマトリックス状に配置された冷陰極電子源アレイと、
前記冷陰極電子源アレイに対向し貫通孔が前記第1のピッチで複数配列した貫通孔群を有するメッシュ構造体と、
前記冷陰極電子源アレイとメッシュ構造体を介して対向し、前記冷陰極電子源アレイから放出され、前記メッシュ構造体の貫通孔を通過した電子ビームが衝突する位置に配置されたターゲットと、
前記メッシュ構造体を前記貫通孔の第1の配列方向および第2の配列方向に駆動する駆動部とを備えた
マトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記駆動部を、前記第1,第2の配列方向にそれぞれ前記第1のピッチの(1/N)(Nは2以上の整数)刻みで前記第1のピッチまで前記メッシュ構造体を駆動するよう構成した
請求項1記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体が、
少なくとも冷陰極電子源素子と対向する面とターゲットに対向する面、および貫通孔の内面が導電性材料で覆われており、且つ前記導電性材料の表面に外部より所定の電位を印加できる構造であることを特徴とする
請求項1または請求項2記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体の厚さが、10μm以上500μm以下であることを特徴とする
請求項1~請求項3の何れかに記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体の貫通孔の断面形状が、電子ビーム方向に略垂直であることを特徴とする
請求項1~請求項4の何れかに記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体が、冷陰極電子源素子と対向する面、若しくはターゲットと対向する面の少なくともどちらか一方が導電性材料で覆われており、前記導電性材料で覆われた面に接して絶縁性材料が形成された構造を有し、前記導電性材料で覆われた面には、独立に外部より電位を印加できる構造であることを特徴とする
請求項1または請求項2記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体を構成する導電性材料の厚さが10μm以上500μm以下であり、前記メッシュ構造体を構成する絶縁性材料の厚さが10nm以上10μm以下であることを特徴とする
請求項6記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体は、前記メッシュ構造体の大部分をなす基層と、前記基層が冷陰極電子源素子と対向する面、若しくはターゲットと対向する面の少なくともどちらか一方が、前記基層よりも低抵抗の導電性材料で覆われた面を有する構造であり、前記基層を形成する材料、若しくは前記基層に形成された貫通孔の表面は二次電子放出能を有する材料であることを特徴とする
請求項1または請求項2記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体は、前記メッシュ構造体の大部分をなす基層の厚さが50μm以上であることを特徴とする
請求項8記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記メッシュ構造体の貫通孔の断面形状が略テーパ形状であり、ターゲット面に対向する貫通孔の開口径に対して、冷陰極電子源アレイに対向する貫通孔の開口径が大きいことを特徴とする
請求項8記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記略テーパ形状の断面形状を有する貫通孔は、ターゲット面に対向する貫通孔の開口径:D2と冷陰極電子源アレイに対向する貫通孔の開口径:D1の関係は、前記メッシュ構造体の厚みをT、スピント型エミッタから放出される電子の広がり角をθとすると、
tanθ < (D2-D1)/(2*T)
であることを特徴とする
請求項8記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記ターゲットは、表面に蛍光体膜が形成されていることを特徴とする
請求項1または請求項2記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記ターゲットには、表面に光電変換膜が形成されていることを特徴とする
請求項1または請求項2記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。 - 前記駆動部は、前記冷陰極電子源素子の電子放出のタイミングと同期して動くことを特徴とする
請求項1または請求項2記載のマトリックス型冷陰極電子源装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010501779A JP5005087B2 (ja) | 2008-03-04 | 2009-02-19 | マトリックス型冷陰極電子源装置 |
US12/920,011 US8294351B2 (en) | 2008-03-04 | 2009-02-19 | Matrix-type cold-cathode electron source device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008052755 | 2008-03-04 | ||
JP2008-052755 | 2008-03-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2009110179A1 true WO2009110179A1 (ja) | 2009-09-11 |
Family
ID=41055744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/000686 WO2009110179A1 (ja) | 2008-03-04 | 2009-02-19 | マトリックス型冷陰極電子源装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8294351B2 (ja) |
JP (1) | JP5005087B2 (ja) |
WO (1) | WO2009110179A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010211955A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 発光装置 |
JPWO2011070628A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | パイオニア株式会社 | 撮像装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9685295B2 (en) * | 2011-07-28 | 2017-06-20 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electron emission device |
JP2013168396A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Canon Inc | 静電型の荷電粒子線レンズ及び荷電粒子線装置 |
US9466453B2 (en) * | 2013-12-30 | 2016-10-11 | Mapper Lithography Ip B.V. | Cathode arrangement, electron gun, and lithography system comprising such electron gun |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5447472A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Picture display unit |
JPH076714A (ja) * | 1993-03-01 | 1995-01-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | フラットパネル表示装置 |
JP2004127936A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 集束用柱状体を有する放出器素子 |
WO2004114314A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記憶装置 |
JP2007250531A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Mt Picture Display Co Ltd | 電界放出型電子源装置 |
JP2008108640A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 薄型表示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000048743A (ja) | 1998-05-26 | 2000-02-18 | Futaba Corp | 平面形撮像装置及びその製造方法 |
US6288829B1 (en) * | 1998-10-05 | 2001-09-11 | Fuji Photo Film, Co., Ltd. | Light modulation element, array-type light modulation element, and flat-panel display unit |
JP2005228556A (ja) | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Pioneer Electronic Corp | 電子放出素子を用いた光電変換装置および撮像装置 |
JP2006038474A (ja) | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 電気絶縁用樹脂組成物の含浸性または浸透性に関する試験方法およびその試験片 |
JP4321395B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2009-08-26 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
JP4287885B2 (ja) | 2006-02-15 | 2009-07-01 | パナソニック株式会社 | メッシュ構造体 |
US20070188090A1 (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-16 | Matsushita Toshiba Picture Display Co., Ltd. | Field-emission electron source apparatus |
JP5151667B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2013-02-27 | パナソニック株式会社 | マトリックス型冷陰極電子源装置 |
-
2009
- 2009-02-19 JP JP2010501779A patent/JP5005087B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-19 WO PCT/JP2009/000686 patent/WO2009110179A1/ja active Application Filing
- 2009-02-19 US US12/920,011 patent/US8294351B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5447472A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Picture display unit |
JPH076714A (ja) * | 1993-03-01 | 1995-01-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | フラットパネル表示装置 |
JP2004127936A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 集束用柱状体を有する放出器素子 |
WO2004114314A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記憶装置 |
JP2007250531A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-09-27 | Mt Picture Display Co Ltd | 電界放出型電子源装置 |
JP2008108640A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 薄型表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010211955A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 発光装置 |
JPWO2011070628A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | パイオニア株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110001421A1 (en) | 2011-01-06 |
JPWO2009110179A1 (ja) | 2011-07-14 |
US8294351B2 (en) | 2012-10-23 |
JP5005087B2 (ja) | 2012-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7825591B2 (en) | Mesh structure and field-emission electron source apparatus using the same | |
USRE41828E1 (en) | Image display and a manufacturing method of the same | |
US6713947B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20070188090A1 (en) | Field-emission electron source apparatus | |
JP4095084B2 (ja) | 電界放出表示装置 | |
JP5005087B2 (ja) | マトリックス型冷陰極電子源装置 | |
JP2852357B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2008510270A (ja) | 走査電界放出ディスプレイ | |
JP2009104827A (ja) | 画像表示装置 | |
KR100622534B1 (ko) | 전자빔 장치 | |
KR20180005880A (ko) | 나노기술을 이용한 고성능 전자빔 | |
KR100479840B1 (ko) | 표시장치 | |
US20070188075A1 (en) | Field-emission electron source apparatus | |
JP3021995B2 (ja) | 表示素子 | |
JP4287885B2 (ja) | メッシュ構造体 | |
JP2002260524A (ja) | 冷陰極電子源とそれを用いて構成した撮像装置、表示装置 | |
US20090001870A1 (en) | Image Display Apparatus | |
JP2004259662A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2007250531A (ja) | 電界放出型電子源装置 | |
JP2000003664A (ja) | 電界放出陰極とその駆動方法及び製造方法 | |
JP2008091107A (ja) | 陰極基板及び撮像装置 | |
KR100494158B1 (ko) | 칼라 평면 디스플레이 소자 | |
JP2004227822A (ja) | 画像表示装置 | |
KR20080077075A (ko) | 멀티 에스에프이디 | |
JP4899574B2 (ja) | 画像表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 09716997 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2010501779 Country of ref document: JP |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 12920011 Country of ref document: US |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 09716997 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |